MATERIALES SEMICONDUCTORES

UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOSE DE CALDAS

FACULTAD DE INGENIERIA

PROYECTO CURRICULAR CIENCIA DE MATERIALES

FABIOLA SALAMANCA 20002015085

LORENA RIVAS PEREA 20062015026

PRESENTADO A: GERMAN SAAVEDRA CALIXTO

BOGOTA D.C ABRIL 2011

 OBJETIVO

El presente trabajo tiene como fin dar una contextualizacion acerca de los
materiales semiconductores. En el se exponen: su procedencia e historia, sus
propiedades, su clasificación y sus aplicaciones.
Una vez referidos los temas de interés nombrados anteriormente se pretende
hallar la utilidad de este tipo de materiales, para posteriormente hacer una
asociación con los campos de acción pertinentes a nuestra área de estudio que
es la Ingeniería Industrial y determinar la manera en que estos se pueden
implementar para una posible innovación, optimización, estandarización o
solución de problemas a nivel profesional y porque no en el diario vivir.
 MATERIALES SEMICONDUCTORES

Los semiconductores son materiales cuya conductividad varía con la

temperatura, pudiendo comportarse como conductores o como aislantes.
Resulta que se desean variaciones de la conductividad no con la temperatura
sino controlables eléctricamente por el hombre.

Para conseguir esto, se introducen átomos de otros elementos en el

semiconductor. Estos átomos se llaman impurezas y tras su introducción, el
material semiconductor presenta una conductividad controlable eléctricamente.
Existen dos tipos de impurezas, las P y las N, que cambian la conductividad del
silicio y determinan el tipo de cristal a fabricar. Por tanto, como hay dos tipos de
impurezas habrá dos tipos fundamentales de cristales, cristales de impurezas P
y cristales de impurezas tipo N.

El material semiconductor más utilizado es el Silicio (Si), pero hay otros

semiconductores como el Germanio (Ge) que también son usados en la
fabricación de circuitos. El silicio está presente de manera natural en la arena
por lo que se encuentra con abundancia en la naturaleza. Además, el Si
presenta propiedades mecánicas y eléctricas buenas. Su purificación es
relativamente sencilla (llegándose a Si puro del 99,99999%) y el Si se presta
fácilmente a ser oxidado, formándose SiO2 y constituyendo un aislante que se
utiliza en todos los transistores de la tecnología CMOS.

OBTENCIÓN DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES:

• SILICIO

Se prepara en forma de polvo amorfo amarillo pardo o de cristales negros-

grisáceos. Se obtiene calentando sílice, o dióxido de silicio (SiO2), con un
agente reductor, como carbono o magnesio, en un horno eléctrico. El silicio
cristalino tiene una dureza de 7, suficiente para rayar el vidrio, de dureza de 5 a
7. El silicio tiene un punto de fusión de 1.410 °C, un punto de ebullición de
2.355 °C y una densidad relativa de 2,33. Su masa atómica es 28,086.

Se disuelve en ácido fluorhídrico formando el gas tetrafluoruro de silicio, SiF4 y

es atacado por los ácidos nítrico, clorhídrico y sulfúrico, aunque el dióxido de
silicio formado inhibe la reacción. También se disuelve en hidróxido de sodio,
formando silicato de sodio y gas hidrógeno. A temperaturas ordinarias el silicio
no es atacado por el aire, pero a temperaturas elevadas reacciona con el
oxígeno formando una capa de sílice que impide que continúe la reacción. A
altas temperaturas reacciona también con nitrógeno y cloro formando nitruro de
silicio y cloruro de silicio respectivamente.

• GERMANIO

El germanio pertenece a la misma familia química que el carbono, el silicio y el

plomo; se parece a estos elementos en que todos ellos forman derivados
orgánicos como el tetraetilo de germanio y el tetrafenilo de germanio. El
germanio forma hidruros —germanometano o germano (GeH4), germanoetano
(Ge2H6) y germanopropano (Ge3H8)— análogos a los formados por el
carbono en la serie alcanos. Sus compuestos más importantes son el óxido
germánico (GeO2) y los haluros. El germanio se separa de otros metales por
destilación de su tetracloruro.

• SELENIO

El elemento selenio aparece en unos pocos minerales como seleniuro, siendo

el más común de ellos el seleniuro de plomo. También se da combinado con
azufre en numerosas menas de este elemento. Se obtiene generalmente como
subproducto en el refinado de menas de sulfuro de cobre, aunque esta última
fuente de obtención es insuficiente para satisfacer la creciente demanda del
elemento en la industria. El mayor depósito destinado a explotación comercial
se descubrió en 1955 en Wyoming (EEUU).

PROPIEDADES DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES

PROPIEDADES FÍSICAS

CONDUCTIVIDAD ELÉCTRICA

 Semiconductores intrínsecos: La conductividad eléctrica se produce

cuando un electrón de la banda de valencia (llena) absorbe la suficiente
energía para saltar a la banda de conducción (vacía) creando dos
portadores de carga, un electrón y un hueco positivo.
 Semiconductores extrínsecos: La conductividad eléctrica se ve
favorecida por la acción de las impurezas existentes en estos materiales.
• Tipo n: Se crea un nivel donor donde encontramos el electrón
extra que poseen las impurezas. Este nivel energético se
encuentra cerca de la banda de conducción facilitando el salto
electrónico.
• Tipo p: Se crea un nivel aceptor por la adición de un elemento del
grupo 13, muy próximo a la banda de valencia, de forma que con
una pequeña cantidad de energía el electrón puede saltar al nivel
aceptor. Al suceder esto se crea un hueco positivo en la banda de
valencia, cuya movilidad produce la conducción eléctrica.

Relación Conductividad/Temperatura

 Semiconductores intrínsecos
La conductividad aumenta con la temperatura de forma lineal
rápidamente, ya que los electrones de la banda de valencia se activan
térmicamente saltando a la banda de conducción.
 Semiconductores extrínsecos
En la relación conductividad/temperatura podemos diferenciar tres
rangos:
Rango extrínseco: Se da a bajas temperaturas, la conductividad no se ve
muy afectada por el aumento de la temperatura.
 Rango de agotamiento ( tipo n) o Rango de saturación (tipo p): donde la
conducción se mantiene constante debido a que los átomos donores y
aceptores se encuentran todos ionizados.
Rango intrínseco: Se da a altas temperaturas, se comporta igual que un
semiconductor intrínseco.

CONDUCTIVIDAD TÉRMICA

Son malos conductores térmicos debido a que los átomos de la red cristalina
están unidos mediante enlaces covalentes que impiden la movilidad de los
átomos y por lo tanto la difusión del calor. Esta propiedad es importante de cara
a sus aplicaciones como componentes electrónicos.

PROPIEDADES MECÁNICAS

Son consecuencia de las uniones covalentes altamente direccionales entre sus

átomos, lo cual no permite su deformación, haciendo que estos materiales sean
poco dúctiles y por tanto son frágiles.

CRISTAL DE SILICIO PURO

Se denomina semiconductor puro aquél en que los átomos que lo constituyen

son todos del mismo tipo, es decir no tiene ninguna clase de impureza.

La disposición esquemática de los átomos para un semiconductor de silicio

podemos observarla en la figura, Las regiones sombreadas representan la
carga positiva neta de los núcleos y los puntos negros son los electrones,
menos unidos a los mismos.

La fuerza que mantiene unidos a los átomos entre sí es el resultado del hecho
de que los electrones de conducción de cada uno de ellos, son compartidos por
los cuatro átomos vecinos.
A temperaturas bajas la estructura normal es la que se muestra en la figura en
la cual no se observa ningún electrón ni hueco libre y por tanto el
semiconductor se comporta como un aislante.

Conducción Del Cristal De Silicio Puro

A la temperatura ambiente (20-25 grados C.) algunas de las fuertes uniones

entre los átomos se rompen debido al calentamiento del semiconductor y como
consecuencia de ello algunos de los electrones pasan a ser libres. En la figura
siguiente se representa esta situación. La ausencia del electrón que pertenecía
a la unión de dos átomos de silicio se representa por un círculo.

Cuando un electrón puede vencer la fuerza que le mantiene ligado al núcleo y

por tanto abandona su posición, aparece un hueco, y le resulta relativamente
fácil al electrón del átomo vecino dejar su lugar para llenar este hueco. Este
electrón que deja su sitio para llenar un hueco, deja a su vez otro hueco en su
posición inicial, De esta manera el hueco contribuye a la corriente lo mismo que
el electrón, con una trayectoria de sentido opuesto a la de éste.

Cristal Tipo N. Conducción

Es el que está impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas

pentavalentes. Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor
tipo n, reciben el nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los
huecos se les denomina "portadores minoritarios".

Al aplicar una tensión al semiconductor de la figura, los electrones libres dentro

del semiconductor se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la
derecha. Cuando un hueco llega al extremo derecho del cristal, uno de los
electrones del circuito externo entra al semiconductor y se recombina con el
hueco.
Los electrones libres de la figura circulan hacia el extremo izquierdo del cristal,
donde entran al conductor y fluyen hacia el positivo de la batería. El número de
electrones libres se llama n (electrones libres/m3).

Cristal Tipo P. Conducción

Es el que está impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas

trivalentes. Como el número de huecos supera el número de electrones libres,
los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son los
minoritarios.
Al aplicarse una tensión, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y
los huecos lo hacen hacia la derecha. En la figura, los huecos que llegan al
extremo derecho del cristal se recombinan con los electrones libres del circuito
externo.

En el circuito hay también un flujo de portadores minoritarios. Los electrones

libres dentro del semiconductor circulan de derecha a izquierda. Como hay muy
pocos portadores minoritarios, su efecto es casi despreciable en este circuito.
Hay tantos huecos como impurezas de valencia 3 y sigue habiendo huecos de
generación térmica (muy pocos). El número de huecos se llama p (huecos/m3).
Unión Pn. Barrera De Potencial. Diodo

Supongamos que se dispone de un monocristal de silicio puro, dividido en dos

zonas con una frontera nítida, definida por un plano. Una zona se dopa con
impurezas de tipo P y la otra de tipo N La zona P tiene un exceso de huecos, y
se obtiene introduciendo átomos del grupo III en la red cristalina La zona N
dispone de electrones en exceso, procedentes de átomos del grupo V. En
ambos casos se tienen también portadores de signo contrario, aunque en una
concentración varios órdenes de magnitud inferior (portadores minoritarios).

En cada zona la carga total es neutra: por cada electrón hay un ion positivo, y
por cada hueco un ion negativo, es decir, no existen distribuciones de carga
neta, ni campos eléctricos internos

El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unión de las dos
zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria, es decir:

• Electrones de la zona N pasan a la zona P.

• Huecos de la zona P pasan a la zona N.

Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto. Centrémonos

en la región de la zona P cercana a la unión:

• El electrón que pasa la unión se recombina con un hueco. Aparece una

carga negativa, ya que antes de que llegara el electrón la carga total era
nula.
• Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga
positiva en la zona P, con lo que también aparece una carga negativa.

El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la

zona N. En consecuencia, a ambos lados de la unión se va creando una zona
de carga, que es positiva en la zona N y negativa en la zona P

Zona P: Semiconductora, con una resistencia Rp

Zona N: Semiconductora, con una resistencia Rn

Zona de agotamiento: No es conductora, puesto que no posee portadores de

carga libres. En ella actúa un campo eléctrico, o bien entre los extremos actúa
una barrera de potencial.
 Diferentes símbolos de los diodos

Polarización Directa Unión Pn

El bloque PN en principio no permite el establecimiento de una corriente

eléctrica entre sus terminales puesto que la zona de agotamiento no es
conductora.

Sin embargo, si se aplica una tensión positiva en el ánodo, se generará un

campo eléctrico que "empujará" los huecos hacia la unión, provocando un
estrechamiento de la zona de agotamiento. Sin embargo, mientras ésta exista
no será posible la conducción.

Si la tensión aplicada supera a la de barrera, desaparece la zona de

agotamiento y el dispositivo conduce. De forma simplificada e ideal, lo que
sucede es lo siguiente

• Electrones y huecos se dirigen a la unión.

• En la unión se recombinan.

En resumen, polarizar un diodo PN en directa es aplicar tensión positiva a la

zona P y negativa a la zona N. Un diodo PN conduce en directa porque se
inunda de cargas móviles la zona de agotamiento.
La tensión aplicada se emplea en:

• Vencer la barrera de potencial.

• Mover los portadores de carga

Polarización Inversa Unión Pn. Corriente De Fuga

Condición de Polarización Inversa (Vd < 0 V).

Bajo esta condición el número de iones positivos descubiertos en la región de
agotamiento del material tipo N aumentará debido al mayor número de
electrones libres arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado. El
número de iones negativos descubiertos en el material tipo P también
aumentará debido a los electrones inyectados por la terminal negativa, las
cuales ocuparán los huecos. El fenómeno explicado anteriormente, en ambos
tipos de material N y P, provocará que la región de agotamiento se ensanche o
crezca hasta establecer una barrera tan grande que los portadores mayoritarios
no podrán superar, esto significa que la corriente Id del diodo será cero. Sin
embargo, el número de portadores minoritarios que estarán entrando a la
región de agotamiento no cambiará, ya que para ellos la unión esta polarizada
en directo, creando por lo tanto la corriente Is denominada corriente de
saturación inversa o corriente de fuga.
El máximo potencial de polarización inversa que puede aplicarse antes de
entrar en la región Zener se denomina Voltaje Pico Inverso.

Efecto Zener. Diodo Zener

Los diodos zener o diodos de avalancha, se diferencian de los demás diodos

semiconductores por el comportamiento de la característica inversa, que
presenta una región en la cuál la tensión es casi independiente de la corriente
por el diodo. Esto lo hace muy útil en las aplicaciones en que se requiere una
referencia de voltaje.

La tensión zener de cualquier diodo está controlada por la cantidad de dopado

aplicada en el proceso de fabricación. Los normales varían entre 2 y 200 V con
capacidades de disipación de potencia de hasta 100 W.

En la mayoría de las aplicaciones el diodo trabaja en la región inversa. Una

aplicación típica es en la regulación de voltaje.

Funcionamiento:

Si la tensión de entrada aumenta, el diodo tiende a mantener una tensión

constante entre los terminales de la carga, de modo que la caída de tensión en
ri aumenta. El incremento resultante de Ii circula a través del diodo, mientras
que la corriente a través de la carga se mantiene constante.

Ahora supongamos que la tensión de entrada permanece constante, pero que

la resistencia de carga disminuye. Esto requiere un incremento de la corriente
por la carga. Esta corriente no puede proceder de la fuente ya que la caída en
ri y la corriente suministrada, no cambiarán mientras el diodo trabaje dentro de
su zona de regulación. La corriente de carga adicional será debida a la
disminución de la corriente a través del zener.

En la zona directa lo podemos considerar como un generador de tensión

continua (tensión de codo). En la zona de ruptura, entre la tensión de codo y la
tensión zener (Vz nom) lo podemos considerar un circuito abierto. Cuando
trabaja en la zona de ruptura se puede considerar como un generador de
tensión de valor Vf= -Vz.

El zener se usa principalmente en la estabilidad de tensión trabajando en la

zona de ruptura.
Se puede distinguir:

• 1. Vz nom, Vz: Tensión nominal del zener (tensión en cuyo entorno

trabaja adecuadamente el zener).
• 2. Iz min: Mínima corriente inversa que tiene que atravesar al diodo a
partir de la cual se garantiza el adecuado funcionamiento en la zona de
ruptura (Vz min).
• 3. Iz max: Máxima corriente inversa que puede atravesar el diodo a partir
de la cual el dispositivo se destruye (Vz max).
• 4. Pz: Potencia nominal que no debe sobrepasar el componente.
Aproximadamente se corresponde con el producto de Vz nom y Iz max.

Cuando usamos un diodo zener en un circuito se deben tener en cuenta las

siguientes consideraciones (a partir de las hojas de características
suministradas por el fabricante):

Para un correcto funcionamiento, por el zener debe circular una corriente

inversa mayor o igual a Iz min.

La corriente máxima en sentido inverso ha de ser siempre menor que

Iz max.
La potencia nominal Pz que puede disipar el zener ha de ser mayor (del orden
del doble) que la máxima que este va a soportar en el circuito.

Curva característica de un diodo zener con Vz= 5’6v

Efecto Avalancha

Justo en el límite antes de llegar a Ruptura, la pila va acelerando a los

electrones. Y estos electrones pueden chocar con la red cristalina, con los
enlaces covalentes. Choca el electrón y rebota, pero a VRuptura la velocidad
es muy grande y por ello la Ec es tan grande que al chocar cede energía al
electrón ligado y lo convierte en libre. El electrón incidente sale con menos
velocidad que antes del choque. O sea, de un electrón libre obtenemos dos
electrones libres.

Estos 2 electrones se aceleran otra vez, pueden chocar contra otro electrón de
un enlace covalente, ceden su energía... y se repite el proceso y se crea una
Multiplicación por Avalancha.

Y ahora IR ha aumentado muchísimo, tenemos una corriente negativa y muy

grande (-100 mA). Con esta intensidad el diodo se estropea porque no está
preparado para trabajar a esa IR.

TABLA DE ELEMENTOS SEMICONDUCTORES

Grupo en la Electrones en
Número Nombre del Números de
Tabla Categoría la última
Atómico Elemento valencia
Periódica órbita
48 Cd (Cadmio) IIa Metal 2 e- +2
5 B (Boro) Metaloide 3 e- +3
13 Al (Aluminio)
IIIa
31 Ga (Galio) Metal
49 In (Indio)
14 Si (Silicio) 4 e- +4
IVa Metaloide
32 Ge (Germanio)
15 P (Fósforo) Va No metal 5 e- +3, -3, +5
 33 As (Arsénico)
Metaloide
51 Sb (Antimonio)
16 S (Azufre) 6 e- +2, -2 +4, +6
No metal
34 Se (Selenio) VIa
52 Te (Telurio) Metaloide

HISTORIA DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES

La historia de los semiconductores se remonta a los tiempos de Faraday (1833)

y Becquerel (1839). Faraday descubre que el sulfato de plata tiene un
coeficiente de temperatura negativo y Becquerel estudia las propiedades de
algunos electrolitos.
Ambrose Fleming (1905), en la búsqueda de un detector de señales eléctricas,
desarrolla el diodo de vacío, el primer dispositivo electrónico (válvula) conocido.
Casi simultáneamente, Gertel y Elstel (1905) toman como base el efecto
fotoeléctrico y producen la primera célula fotoeléctrica, la cual no será utilizada
con fines comerciales hasta 1920, cuando da comienzo la investigación del
cine sonoro y de la televisión.
Poco después, Lee de Foret (1907) inventa el triodo. Este dispositivo, aparte de
detectar señales eléctricas, es ya capaz de amplificar señales (surge
añadiendo un tercer electrodo a la válvula). Hacia 1915 se comienza a usar el
cristal de galena como detector de señales. A principios de los años 20 se
empiezan a utilizar los rectificadores de selenio y de óxido de cobre y las
válvulas de radio sustituyen el detector de cristal.
Entre 1920 y 1940, por un lado se desarrolla el tetrodo y el pentodo, y de otro,
los físicos elaboran teorías que explican algunos de los fenómenos
descubiertos hasta entonces. En 1923 Schottky publica la teoría de los
rectificadores secos; es la primera contribución al estudio teórico de los
semiconductores. En esta teoría se aprecia que el empleo de la mecánica
cuántica se revela indispensable.
Tal vez sea el televisor el invento más notable de nuestro tiempo, a juzgar por
el impacto social que ha causado. En 1928 Zworykin desarrolla un dispositivo
capaz de transformar una imagen óptica en una corriente eléctrica: el
iconoscopio. Poco después este dispositivo o tubo sufre modificaciones y así
se obtiene el tubo disector de imagen, en que la imagen se consigue a base de
presentarla línea a línea en lugar de punto a punto. Una vez salvados todos los
problemas técnicos en la experimentación, la televisión comercial irrumpe en
los hogares norteamericanos en 1945.
Hacia 1940, durante la segunda guerra mundial, se busca un detector de cristal
que satisfaga las necesidades del radar (instrumento que funciona en las ondas
centimétricas). La industria electrónica se desarrolla vertiginosamente y surgen
técnicas de miniaturización y empleo de materiales robustos y ligeros en los
dispositivos electrónicos. Así el diodo semiconductor recibe un nuevo impulso,
mientras que el diodo de vacío queda relegado.
Las ventajas del diodo de cristal de silicio o diodo semiconductor (diodo de
unión pn) frente al diodo de vacío son: dimensiones reducidas, capacidades en
paralelo muy pequeñas, posibilidades de empleo para captar señales de muy
alta frecuencia por el radar y su estudio teórico constituye una base
indispensable en el estudio del transistor.
* Efecto termoiónico: Emisión de electrones por un cuerpo, generalmente
metálico, a elevada temperatura.
* Electrolito: Sustancia que en estado fundido o disuelto conduce la corriente
eléctrica debido a la existencia de iones; es susceptible de descomponerse por
electrolisis.
* Diodo de vacío: válvula electrónica que consta de dos electrodos. El cátodo
es un filamento que, al ser calentado mediante una pila, emite electrones que
van a parar al otro electrodo o ánodo.
* Triodo: Válvula o tubo de vacío termoiónico de 3 elementos: ánodo, cátodo y
una rejilla (electrodo de control) cuya potencia regula la corriente de electrones
que va del cátodo al ánodo.

A finales de la década de los 40 estaban claras las limitaciones de los

dispositivos termoiónicos, que habían imperado en la electrónica aplicada
desde que Fleming construyera el primer diodo de vacío de la historia. La única
salida posible estaba en el desarrollo de nuevos dispositivos que utilizasen
materiales sólidos, a causa de que en estos se podía modular la conductividad.

El transistor bipolar
La invención y desarrollo del transistor bipolar de difusión se llevó a cabo en los
Bell Telephone Laboratories, donde un grupo de ingenieros electrónicos y
metalúrgicos (W.Schockley, J. Bardeen, W. Brattain) se propusieron la
realización de un amplificador de estado sólido. La denominación transistor
bipolar es debida a la existencia de dos tipos
de portadores –electrones y huecos- y al hecho del cambio de impedancias
entre el circuito de emisor (baja) y el de colector (alta), de donde se genera la
palabra transistor (transfer-resistor). W. Schockley, J. Bardeen, W. Brattain
reciben el premio Nobel de Física en 1956.

Transistor unipolar JFET

En los años sucesivos se perfecciona el transistor bipolar y se desarrollan
nuevos dispositivos de estado sólido. Entre estos pueden citarse el transistor
de base gradualmente impurificada, los transistores de potencia, el transistor
unipolar de efecto de campo (JFET=Junction Field-Effect Transistor) construido
por Shockley en 1952, el diodo de cuatro capas (también debido a Shockley),
los elementos de control de potencia (tiristores y triacs) y el efecto del efecto
túnel en uniones por Esaki (1958).
Transistor unipolar MOS
Ya J.E. Lilienfield (1926) había imaginado un dispositivo similar al actual
transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET o
simplemente transistor MOS). Pero por limitaciones tecnológicas obvias de la
época no pudo construirse. En 1960 Atalla y Kalng proponen que sobre un
semiconductor base o sustrato de silicio se produzca una fina capa de dióxido
de silicio (SiO2). Y en 1963 Holfstein y herman construyen el primer dispositivo
MOS que funciona en deplexión o vaciamiento y en acumulación.

Microelectrónica: los circuitos integrados

Hacia el año 1958 era evidente la necesidad de obtener dispositivos, a ser
posible circuitos, de dimensiones más pequeñas que las alcanzadas hasta esa
fecha. Esta situación conduce a que se produzca un circuito de componentes
discretos hecho únicamente de silicio (prototipo experimental de un oscilador
de deriva de fase construido por Kilby en 1959) El desarrollo de los nuevos
circuitos comienza con los circuitos digitales discretos bipolares (1962). Pronto
se pasa a los circuitos monolíticos bipolares (que ya eran circuitos integrados
en un substrato común de Si), con la familia lógica TTL (Transistor-Transistor
Logic), que no puede fabricarse con dispositivos discretos porque emplea un
transistor multiemisor que no se consigue como dispositivo discreto. El paso
siguiente fue aplicar la incipiente tecnología microelectrónica de los CI
monolíticos bipolares a la de los dispositivos MOS. Así se produce un singular
avance en los CI digitales, de forma particular en las memorias lógicas, que
lleva en los años 70 a la caída de los precios de las calculadoras, caída que se
continua produciendo año tras año.
Hasta el año 1972 el predominio de los CI digitales fue de los MOS sobre los
bipolares, salvo cuando se requería gran velocidad, que era satisfecha con CI
bipolares
T2L. A partir de ese año el dominio deja de ser absoluto, al irrumpir en el
campo de la microelectrónica la familia bipolar IIL (Integrated-Injection-Logic);
su configuración
básica permite una mayor densidad de integración y rapidez de cálculo que con
sus competidoras de tecnología MOS.
Desde 1962, en que se produjeron los primeros CI lógicos digitales de pequeña
escala de integración (SSI =Small Scale Integration), hasta la actualidad, la
microelectrónica ha experimentado un extraordinario desarrollo, como lo
prueban los datos que se dan a continuación:

DESARROLLO EXPERIMENTADO POR LA MICROELECTRÓNICA

Nivel de Fechas de Nºpuertas/chip Aplicaciones
Integración introducción (ejemplo)

SSI (Small Scale Comienzos de los 3-30 Puertas lógicas

Integration) 60 básicas

MSI (Medium A mediados y 30-300 Memorias 256

Scale Integration) finales de los 60 bits
Sumadores de
alta
velocidad
LSI (Large Scale Comienzos de los 300-3000 RAM 1-16K
Integration) 70 Calculadoras

VLSI (Very Large Finales de los 70 >30.000 RAM 64k

Scale Integration)
A la vista de los datos anteriores, se puede afirmar, sin peligro de equivocarse,
que es la historia del incremento de componentes por chip y de la reducción de
las dimensiones mínimas de los componentes del CI.
Sin embargo la evolución de los circuitos integrados lineales o analógicos ha
sido más lenta que la de los digitales encontrándose en la actualidad en un
proceso menos avanzado. De todas formas, el CI amplificador operacional ha
llegado a tal grado de versatilidad y precisión en configuraciones
realimentadas, que se considera el componente básico de los CI más
avanzado, sustituyendo al transistor salvo en los casos de aplicaciones de alta
potencia y alta frecuencia.
* Sistemas analógicos: La respuesta del sistema es lineal con la entrada del
mismo.
Respuesta continua a una entrada continua. (Por ejemplo: Rectificador)
* Sistemas digitales: Ante una entrada continua su salida es un uno o un cero
lógico. (Por ejemplo: Puertas lógicas, memorias).

APLICACIONES DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES

Diodo

Componente electrónico que permite el paso de la corriente en un solo sentido.

Los primeros dispositivos de este tipo fueron los diodos de tubo de vacío, que
consistían en un receptáculo de vidrio o de acero al vacío que contenía dos
electrodos: un cátodo y un ánodo. Ya que los electrones pueden fluir en un solo
sentido, desde el cátodo hacia el ánodo, el diodo de tubo de vacío se podía
utilizar en la rectificación. Los diodos más empleados en los circuitos
electrónicos actuales son los diodos fabricados con material semiconductor. El
más sencillo, el diodo con punto de contacto de germanio, se creó en los
primeros días de la radio, cuando la señal radiofónica se detectaba mediante
un cristal de germanio y un cable fino terminado en punta y apoyado sobre él.
En los diodos de germanio (o de silicio) modernos, el cable y una minúscula
placa de cristal van montados dentro de un pequeño tubo de vidrio y
conectados a dos cables que se sueldan a los extremos del tubo.

 Diodos rectificadores: Uno de los usos más importantes de

estos diodos de unión p-n es convertir corriente alterna en corriente continua,
lo que se conoce como rectificación. Al aplicar una señal de corriente alterna
a un diodo de unión p-n, este conducirá sólo cuando la región p tenga
aplicado un voltaje positivo con respecto a la región n, por lo que se produce
una rectificación de media onda. Esta señal se suaviza con otros dispositivos
y circuitos electrónicos, para dar una corriente continua estable.
 Diodos de avalancha: También se les llama diodos zener;
son rectificadores de Si. En la polarización inversa se produce una pequeña
fuga de corriente, debido al movimiento de electrones y huecos térmicamente
activados. Al hacerse demasiado grande la polarización inversa, cualquier
portador que llegue a fugarse se acelerara lo suficiente para excitar a
portadores de carga, causando una corriente elevada en dirección inversa.
Debido a este fenómeno se pueden diseñar dispositivos limitadores de
voltaje. Al dopar adecuadamente la unión p-n, se puede seleccionar el voltaje
 de avalancha o de ruptura. Al aumentar mucho el voltaje, por encima del de
ruptura, fluirá una corriente elevada a través de la unión, así se evita que
pase por el resto del circuito; por eso se utilizan para proteger circuitos contra
voltajes accidentales.

Termistores

Se basan en la propiedad de que la conductividad depende de la temperatura

para medir dicha temperatura. También se usan en otros dispositivos, como en
alarmas contra incendio.
Transductores de presión

Al aplicar presión a un semiconductor, los átomos son forzados a acercarse, el

gap de energía se estrecha y la conductividad aumenta. Midiendo la
conductividad, se puede conocer la presión que actúa sobre ese material.

Rectificadores (dispositivos de unión tipo p-n)

Se producen uniendo un semiconductor tipo n con otro tipo p, formando una

unión tipo p-n. Los electrones se concentran en la unión tipo n y los huecos en
la unión p. El desequilibrio electrónico resultante crea un voltaje a través de la
unión.

Transistor

En electrónica, denominación común para un grupo de componentes

electrónicos utilizados como amplificadores u osciladores en sistemas de
comunicaciones, control y computación (véase Electrónica). Hasta la aparición
del transistor en 1948, todos los desarrollos en el campo de la electrónica
dependieron del uso de tubos de vacío termoiónicos, amplificadores
magnéticos, maquinaria rotativa especializada y condensadores especiales,
como los amplificadores. El transistor, que es capaz de realizar muchas de las
funciones del tubo de vacío en los circuitos electrónicos, es un dispositivo de
estado sólido consistente en una pequeña pieza de material semiconductor,
generalmente germanio o silicio, en el que se practican tres o más conexiones
eléctricas. Los componentes básicos del transistor son comparables a los de un
tubo de vacío triodo e incluyen el emisor, que corresponde al cátodo caliente de
un triodo como fuente de electrones. El transistor fue desarrollado por los
físicos estadounidenses Walter Houser Brattain, John Bardeen y William
Bradford Shockley de los Bell Laboratories. Este logro les hizo merecedores del
Premio Nobel de Física en 1956. Shockley pasa por ser el impulsor y director
del programa de investigación de materiales semiconductores que llevó al
descubrimiento de este grupo de dispositivos. Sus asociados, Brattain y
Bardeen inventaron un importante tipo de transistor.

 Transistores de unión bipolar: un transistor se puede usar como

interruptor o como amplificador. El transistor de unión bipolar (BJT), se
suele utilizar en unidades de procesamiento central de computadoras
por su rápida respuesta a la conmutación.
  Transistores de efecto de campo: utilizado frecuentemente para
almacenar información en la memoria de los ordenadores. El transistor
de efecto de campo (FET), se comporta de forma algo distinta a los de
unión bipolar.

Circuito integrado

Dispositivo electrónico miniaturizado consistente en un sistema interconectado

de elementos activos ( diodos, transistores) y pasivos (resistencias,
condensadores), intimamente unido a un material semiconductor, y capaz de
realizar las mismas funciones que un circuito electrónico completo.

Amplificador

Dispositivo para aumentar la amplitud, o potencia, de una señal eléctrica. Se

utiliza para ampliar la señal eléctrica débil captada por la antena de un receptor
de radio, la emisión débil de una célula fotoeléctrica, la corriente atenuada de
un circuito telefónico de larga distancia, la señal eléctrica que representa al
sonido en un sistema de megafonía y para muchas otras aplicaciones. Un
dispositivo de amplificación de uso muy común es el transistor. Otras formas de
dispositivos amplificadores son los distintos tipos de tubos de vacío
termoiónicos como el triodo, el pentodo, el klistrón y el magnetrón.

Fuentes de alimentación: Generadores de corriente continua

Si una armadura gira entre dos polos magnéticos fijos, la corriente en la

armadura circula en un sentido durante la mitad de cada revolución, y en el otro
sentido durante la otra mitad. Para producir un flujo constante de corriente en
un sentido, o corriente continua, en un aparato determinado, es necesario
disponer de un medio para invertir el flujo de corriente fuera del generador una
vez durante cada revolución. En las máquinas antiguas esta inversión se
llevaba a cabo mediante un conmutador, un anillo de metal partido montado
sobre el eje de una armadura. Las dos mitades del anillo se aislaban entre sí y
servían como bornes de la bobina. Las escobillas fijas de metal o de carbón se
mantenían en contacto con el conmutador, que al girar conectaba
eléctricamente la bobina a los cables externos. Cuando la armadura giraba,
cada escobilla estaba en contacto de forma alternativa con las mitades del
conmutador, cambiando la posición en el momento en el que la corriente
invertía su sentido dentro de la bobina de la armadura. Así se producía un flujo
de corriente de un sentido en el circuito exterior al que el generador estaba
conectado. Los generadores de corriente continua funcionan normalmente a
voltajes bastante bajos para evitar las chispas que se producen entre las
escobillas y el conmutador a voltajes altos. El potencial más alto desarrollado
para este tipo de generadores suele ser de 1.500 voltios. En algunas máquinas
más modernas esta inversión se realiza usando aparatos de potencia
electrónica, como por ejemplo rectificadores de diodo.

Los generadores modernos de corriente continua utilizan armaduras de tambor,

que suelen estar formadas por un gran número de bobinas agrupadas en
hendiduras longitudinales dentro del núcleo de la armadura y conectadas a los
segmentos adecuados de un conmutador múltiple. Si una armadura tiene un
solo circuito de cable, la corriente que se produce aumentará y disminuirá
dependiendo de la parte del campo magnético a través del cual se esté
moviendo el circuito. Un conmutador de varios segmentos usado con una
armadura de tambor conecta siempre el circuito externo a uno de cable que se
mueve a través de un área de alta intensidad del campo, y como resultado la
corriente que suministran las bobinas de la armadura es prácticamente
constante. Los campos de los generadores modernos se equipan con cuatro o
más polos electromagnéticos que aumentan el tamaño y la resistencia del
campo magnético. En algunos casos, se añaden interpolos más pequeños para
compensar las distorsiones que causa el efecto magnético de la armadura en el
flujo eléctrico del campo.

El campo inductor de un generador se puede obtener mediante un imán

permanente (magneto) o por medio de un electroimán (dinamo). En este último
caso, el electroimán se excita por una corriente independiente o por
autoexcitación, es decir, la propia corriente producida en la dinamo sirve para
crear el campo magnético en las bobinas del inductor. Existen tres tipos de
dinamo según sea la forma en que estén acoplados el inductor y el inducido: en
serie, en derivación y en combinación.

Oscilador

Aparato destinado a producir oscilaciones eléctricas, es decir, corrientes

alternas periódicas.

C.P.U.

Unidad central de proceso o UCP (conocida por sus siglas en inglés, CPU),
circuito microscópico que interpreta y ejecuta instrucciones. La CPU se ocupa
del control y el proceso de datos en las computadoras. Generalmente, la CPU
es un microprocesador fabricado en un chip, un único trozo de silicio que
contiene millones de componentes electrónicos. El microprocesador de la CPU
está formado por una unidad aritmético-lógica que realiza cálculos y
comparaciones, y toma decisiones lógicas (determina si una afirmación es
cierta o falsa mediante las reglas del álgebra de Boole); por una serie de
registros donde se almacena información temporalmente, y por una unidad de
control que interpreta y ejecuta las instrucciones. Para aceptar órdenes del
usuario, acceder a los datos y presentar los resultados, la CPU se comunica a
través de un conjunto de circuitos o conexiones llamado bus. El bus conecta la
CPU a los dispositivos de almacenamiento (por ejemplo, un disco duro), los
dispositivos de entrada (por ejemplo, un teclado o un mouse) y los dispositivos
de salida (por ejemplo, un monitor o una impresora).
 CONCLUSIONES

A partir del análisis hecho sobre toda la temática de los materiales

semiconductores se puede concluir que son de una utilidad invaluable ya que
originan el que se mantenga abierta la puerta de su constante desarrollo y
evolución y su aplicación como objetivo de generar implementos sustitutos.
Esto es logrado gracias a su estructura de funcionamiento aunado al hecho de
que son materiales de fácil obtención en la naturaleza, por lo que se podría
decir que su extracción puede ser sostenible en el tiempo.

Aunque revisando su progreso histórico, el cual se tardo varias décadas en

concretarse para obtener las aplicaciones que hoy en día conocemos, se
podría interpretar que para que sucedieran nuevos progresos aun mas
revolucionarios de igual manera habría que esperar un buen tiempo para que
esto ocurriera, sin embargo al verlo mas detalladamente se puede apreciar que
el desarrollo del estudio e implementación de los materiales semiconductores
fue de carácter exponencial, ya que a medida en que mas se conocían sus
propiedades y utilidades, se podían hacer mas avances.

Inicialmente en el objetivo se planteo que el in principal era buscar la relación

con nuestra área de estudio, pero después de tratar toda la información
contenida en el trabajo, especialmente las aplicaciones, se puede concluir que
estas se encuentran tanto en los elementos del diario vivir de cualquier persona
como del profesional del área particularmente.

BIBLIOGRAFIA

http://iesvillalbahervastecnologia.files.wordpress.com/2008/04/materiales-
semiconductores.pdf

http://www4.ujaen.es/~egimenez/FUNDAMENTOSFISICOS/semiconductores.p
df

Anexo:Materiales semiconductores - Wikipedia, la enciclopedia libre

http://es.scribd.com/doc/39573177/Electronica-de-dispositivos

http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_3.htm

http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/mater_semic.htm

GROOVER,Mikell P. Fundamentos de manufactura moderna. Primera edición.

Editorial Prentice Hall Hispanoamericana S.A. 1997

FLOYD Thomas L. Dispositivos electrónicos. Octava edición. Editorial Pearson

Educación de México. 2008.
ALVARENGA Beatriz, MAXIMO Antonio. Física general. Tercera edición.
Editorial Harla. 1983