Modelos lineales de dispositivos semiconductores

1.- Transistor bipolar

Modelo de pequeña señal y alta frecuencia pi-híbrido de un transistor bipolar

(simplificado) para funcionamiento en alta frecuencia:

Cb'c
rbb' B'
Base Colector
Ib +
Cb'e rb'e Ib' gm .Vb'e
Vb'e
- β0 Ib'

Emisor

Puede considerarse, en una primera aproximación, que las componentes del

modelo son independientes de frecuencia y dependientes del punto de polarización
del transistor.

rbb' --> Resistencia de difusión de base (10 ... 50 Ω)

rb'e --> Resistencia de juntura base-emisor (100 ... 500 Ω)
Cb'e --> Capacidad de difusión del diodo base/emisor (10 .. 30 pF).
Cb'c --> Capacidad de juntura (inversa) diodo base/colector (0.25 ... 1 pF)
gm --> Transconductancia base intrínseca (B')/colector (100 ... 200 mS)

Determinación de los parámetros del circuito equivalente:

1.1.- gm , rb'e , Cb'e

De consideraciones del modelo físico del transistor bipolar sale que:

F F V I − 1I
GH GH V JK JK
IC = IS exp B 'E

0
, donde V0 =
kT
q
= 0.025v a temperatura ambiente

standard (T=290k).

∆I C IC I
Definiendo g m = resulta gm = = C = 40.IC
∆ VB ' E VCE = cte .
V0 0.025

Teniendo en cuenta que Vb'e = Ib'.rb'e , donde Ib' es la corriente que circula por rb'e :

1 Ic
Ic V = g m .Vb'e = g m . rb'e . Ib' ,luego: rb 'e = .
ce = 0 g m Ib '

Ic βo βo
definiendo βo = resulta que: rb 'e = =
Ib ' gm 40. IC
βo puede medirse a frecuencias bajas o midiendo variaciones de corriente a DC
βo = ∆IC /∆IB

En analogía con βo, si se define β = Ic /Ib para Vce=0, se tiene que:

1 1 1
Ib ' = Ib . = Ib .
1 + jωCb'e rb'e FωI
1+ j G
donde ω β =
rb 'e C b 'e
, frecuencia a la que

H ω JK
β

|Ib' | = 0.707 .|Ib | se tiene entonces:

Ic β I βo βo
β= = o b' = =
Ib Ib FωI FfI
1+ j GH ω JK
β
1+ j GH f JK
β

De la ecuación de arriba surge que a f = fb , |β |= 0.707 |βo |.

Un dato especificado por los fabricantes de semiconductores es la frecuencia de

transición fT, definida como la frecuencia a la que |β |=1 . De la expresión de β sale:

βo 2
Ff I
=1+ G J T
2

fβ =
fT
si fT >> fb , resulta que:
Hf K β βo

ωT 1 1 βo g
ω β = = luego C b 'e = = = m
βo r b 'e C b 'e rb 'e ω β rb 'e ω T ωT

1.2.- rbb' , Cb'c

Normalmente, Cb'c es un dato provisto por el fabricante: la capacidad colector/base

medida (generalmente) a 1kHz.

De las hojas de datos del transistor, se puede determinar rbb' si están disponibles la
constante de tiempo de colector definida como τ c = rbb ' .Cb 'c o la frecuencia
fT
máxima de oscilación, definida como: fmax = Estos datos no son
8.π . rbb' .Cb'c
comunes, y, en caso de no disponerlos, rbb' puede estimarse, para transistores de
pequeña señal en el orden de 1%...10% de rb'e

El modelo presentado, simula al transistor propiamente dicho (chip), no incluye

componentes parásitas de conexiones internas ni de empaquetadura, a frecuencias
de operación superiores a 100MHz éstas deben incluirse :
 Cbc

Lb1 Lb2 Lc2 Lc1

Base rbb' B' Cb'c
Colector
Ib Ib'
Cb'e rb'e β0Ib'
Cce
Cbe
gm Vb'e
Le2

Le1

Emisor

Lb,c,e2 toman en cuenta la inductancia de las conexiones entre el chip y los contactos
metálicos de las patas correspondientes, en general, puede despreciarse su efecto
a frecuencias inferiores a 1000MHz (aproximadamente).

Lb,c,e1 toman en cuenta la inductancia del conexionado externo. Se deben incluir en

diseños a frecuencias superiores a 100MHz (sobre todo Le2).

Cbc, Cbe y Cce toman en cuenta las capacidades de empaquetadura, en línea

general, deben incluirse en diseños a frecuencias superiores a 100MHz
(aproximadamente) sobre todo Cbc, mientras que Cbe y Cce ,normalmente, son
absorbidas por las redes reactivas de acoplamiento entrada/salida.

2.- Transistor de efecto de campo

Modelo de pequeña señal (simplificado) de un transistor de efecto de campo en el

rango de frecuencias altas:

rgg' Cg'd
G'
Compuerta (G) Drenaje (D)
+
Cg's Vg's
- gm Vg's

Fuente (S)

rgg' --> Resistencia de compuerta (2 ... 40 Ω)

Cg's --> Capacidad compuerta/fuente (0.1 ... 5 pF)
Cg'd --> Capacidad compuerta/drenaje (0.01 ... 1 pF)
gm --> Transconductancia (5 ... 30 mS)
El modelo lineal de un FET es mas simple que el de un BJT, normalmente los
valores de capacidades son provistos por el fabricante, gm puede ser evaluada
partiendo de las ecuaciones de funcionamiento del FET:

La corriente (DC) de drenaje, en función de la tensión compuerta-fuente viene dada

por : I D = I DSS
FG V
G 'S I
− 1J
2

HVT K donde IDSS es la corriente para VG'S = 0 y VT es la

tensión de corte (pinch-off) del FET, alrededor de -2.5v en transistores de pequeña

señal.

∆I D
Del modelo se ve que: gm = operando en la ecuación de arriba, se tiene
∆VG ' S Vds = 0

2 I D .I DSS
que: gm =
VT

A frecuencia de operación elevadas, es necesario incluir en el modelo las

componentes parásitas L y C de conexiones y empaquetadura:

Cgd

Lg rdd' Cg'd Ld
Compuerta Drenaje
(G) + (D)
Vg's
Cgs Cg's - Cds

gm Vg's
Ls

Fuente
(S)