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FICHA 15

AMPLIACIN

TRANSISTORES BIPOLARES NPN II. MODOS DE FUNCIONAMIENTO (I)

VBB VCC

FUNCIONAMIENTO EN CORTE
En el montaje en emisor comn, EC, aunque no circule corriente por la base, debido a efectos trmicos, siempre circula una pequea corriente del colector al emisor llamada corriente de corte de colector, ICEO, del orden de nanoamperios (nA). La O indica que la corriente se produce cuando la base est abierta (Open). En el montaje en base comn, BC, ocurre un efecto similar: aunque IE sea nula, siempre circula una pequea corriente del colector hacia la base, ICBO, llamada corriente inversa de saturacin o corriente de fugas. Por lo general, es despreciable aunque aumenta mucho con la temperatura. Adems: ICEO = ( + 1) ICBO ICBO Parmetro En corte 0

ICEO

IB IC IE VCB VBE VCE

ICEO 0 IB + IC = ICEO 0 VCE VBE VCE

< 0,7 V (silicio); < 0,2 V (germanio).

Funcionamiento en corte del modelo BC108 con = 165.

VCC

Los valores de los parmetros anteriores definen el llamado punto de trabajo del transistor o punto Q (Quiescent operating point). El resto de componentes del circuito (resistores, condensadores, etc.) que hacen que el transistor trabaje en dicho punto se conocen con el nombre de red de polarizacin.

FUNCIONAMIENTO EN SATURACIN
VBB VCC

La saturacin se alcanza cuando IB supera cierto valor. Entonces la unin colector-emisor se comporta como un interruptor cerrado, dejando pasar un valor de intensidad mximo. En ese momento, IC no aumentar aunque se incremente IB. Parmetro En saturacin

IB IC IE VCB VBE VCE

IB ICsat IB IEsat = IB + ICsat VCE VBE VBE

0,7 V (silicio); 0,2 V (germanio). 0 < VCE < 0,2
Funcionamiento en saturacin del BC108 con = 165.
IB

ICsat IEsat

Cuando el funcionamiento del transistor alterna entre las zonas de corte y de saturacin se dice que trabaja en conmutacin. Esto tiene especial aplicacin en la computacin digital, ya que los estados de corte y saturacin se pueden asignar lgicamente a los valores binarios 0 y 1, respectivamente. Por otro lado, la recta que definen los puntos de trabajo del transistor en corte y en saturacin se llama recta de carga.
IC (mA) IC (mA)
Qsat Punto de trabajo Zona de corte 20 10

IB = 250 A IB = 150 A IB = 100 A IB = 0 A

IC (mA)
Q 20 10

Zona de saturacin

IB = 250 A IB = 150 A IB = 100 A IB = 0 A

0,2

ICO

IB = 0 A

VCC VCE (V) Zona de corte en la curva caracterstica de salida.

0,2 Qcorte VCE (V) Recta de carga de un transistor NPN para una red de polarizacin especfica.

VCE (V)

Zona de saturacin: posible punto de trabajo (Q).

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K TECNOLOGA 4. ESO K MATERIAL FOTOCOPIABLE SANTILLANA EDUCACIN, S. L. K

FICHA 15

AMPLIACIN

TRANSISTORES BIPOLARES NPN II. MODOS DE FUNCIONAMIENTO (II)

FUNCIONAMIENTO EN ACTIVA
El transistor funciona en activa cuando la corriente que circula por el colector VBB es proporcional a que circula por la base. La constante de proporcionalidad es la ganancia beta: IC = IB. Debido a esta relacin, tambin se dice que el transistor trabaja en la zona lineal. Este modo de funcionamiento es el indicado cuando deseamos que el transistor trabaje como amplificador de corriente. Parmetro En activa
VCC

IC IB IB IE

IB IC IE VCB VBE VCE

IB IC = IB IB + IC VCE VBE
0,7 V si el transistor es de silicio. 0,2 V si el transistor es de germanio. 0,2 < VCE < VCC
Montaje EC del transistor bipolar NPN. Funcionamiento en saturacin del BC108 con = 165. RB = 2,2 k, VBB = 1,5 V y VCC = 9 V.

IC (mA) VCE = 3 V

IC (mA)
Zona activa Qsat Zona activa 20 10

IB = 250 A IB = 150 A IB = 100 A IB = 0 A

0,2 Qcorte

IB (A)

VCE (V)

Zona activa en la curva de transferencia.

Zona activa en la caracterstica de salida.

La tabla siguiente recoge los valores tpicos de los parmetros del transistor que definen su punto de trabajo en cada modo de funcionamiento: Modos de funcionamiento En corte En saturacin En activa

IB IC IE
Parmetros del transistor

IB ICsat IB IEsat = IB + ICsat VCE VBE VBE

0,7 V si el transistor es de silicio. 0,2 V si el transistor es de germanio. 0 < VCE < 0,2

IB IC = IB IB + IC VCE VBE
0,7 V si el transistor es de silicio. 0,2 V si el transistor es de germanio. 0,2 < VCE < VCC

ICEO 0 IB + IC = ICEO 0 VCE VBE VCE

< 0,7 V si el transistor es de silicio. < 0,2 V si el transistor es de germanio.

VCB

VBE

VCE

VCC

TECNOLOGA 4. ESO

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