4.

PROPIEDADES OPTICAS DE LOS MATERIALES

4.1 INTERACCIONES DE LA LUZ CON LA MATERIA 4.2 PROPIEDADES DE LA LUZ 4.3 LA ABSORCIN DE LUZ 4.4 LA EMISIN DE LUZ 4.5 DISPOSITIVOS DE ALMACENAMIENTO OPTICO 4.6 FORMACIN DE IMGENES 4.7 PANTALLAS 4.8 GENERACIN DE POTENCIA 4.9 MEDIOS PARA LA TRANSMISIN DE SEALES

4.1 MATERIALES OPTICOS.

INTERACCIONES DE LA LUZ CON LA MATERIA 4.1.1 MOTIVACIN Estudio de propiedades pticas ha adquirido importancia debido al crecimiento de la tecnologa de la informacin:

Transmisin de TV: aumentar anchos de banda de datos y reducir costos. Materiales y dispositivos: lseres, guas de onda, fotodetectores, etc., y su uso en equipos de CD, impresoras lser, diagnstico mdico, visores nocturnos, computacin ptica, aplicaciones solares y optoelectrnica.

El estudio de las interacciones luz-slidos no es nuevo:

4000 aos atrs: el color lo utilizaban los chinos para determinar la composicin de del cobre fundido (contenido de Sn). Galileo: ptica

Goethe 200 aos atrs: en su Tratado del Color indic explcitamente que el color no es una propiedad de la materia. A comienzos de siglo ocurri cambio fundamental de cmo vemos la luz: Einstein explic el fenmeno fotoelctrico y la dualidad de la luz (onda-partcula). El trmino color desaparece. En cambio se postula que las propiedades pticas se deben a las interacciones entre la luz y los edel material.

4.1.2 CMO PERCIBIMOS LA LUZ?

Desde que nacemos la luz entra a nuestros ojos es percibida por receptores luminosos especficos (slo cubren rango especfico de longitudes de onda: luz visible) estos receptores estimulan las terminaciones nerviosas que transforman la seal luminosa (o las imgenes) en seales elctricas. La seal elctrica es transmitida a la corteza cerebral Por lo tanto, tenemos un sistema de formacin y transmisin de imgenes optoelectrnico altamente desarrollado.
3

4.1.3 QU ES LA LUZ?

Intuitivamente, la luz la percibimos como una onda (electromagntica) que viaja desde una fuente a un punto de observacin. Color longitud de onda.

Frecuencia Longitud de onda Energa

Muchos experimentos confirman la naturaleza ondulatoria de la luz:

Difraccin Interferencia
Patrn de difraccin

Interferencia

Hertz, 1887, descubri efecto fotoelctrico (explicado por Einstein, 1905): luz tiene naturaleza corpuscular!

Emisin de e- desde una superficie metlica despus de iluminarla con luz de energa apropiadamente alta (ej.: luz azul).

Ahora sabemos que la expresin de energa luminosa ms pequea es el cuanto de luz o fotn: donde h=6,63x10-34 J s

E = h = h

Adems, =c, donde c=3x108 [m s-1] es la velocidad de la luz. Usualmente se usa hc=1,24 eV/m, pues

hc 1,24 eV E = h = = [m]

La energa que se requiere imprimir al metal para extraer un electrn ligado al ncleo es:

E = h

donde es la funcin trabajo del metal.

Problema 1 Cules son las energas de la luz con las siguientes longitudes de onda (a) 400 nm y (b) 800 nm? Cules son sus colores? (a) Si =400 nm = 0,4 m E = 1,24 eV = 3,1 eV 0,4 [m] i.e. ultravioleta cercano. (b) Si =800 nm = 0,8 m

E = 1,24 eV
i.e. luz roja. Problema 2

0,8 [m]

= 1,55 eV

Cul es el nmero de fotones que salen por unidad de tiempo desde un slido si se ilumina con luz de 10 W de potencia y =0,65 m? Un fotn de =0,65 m posee una energa de: E = 1,24 eV = 1,24 eV = 1,9eV [m] 0,65 El nmero de fotones presentes en 10 W es:

10 J s # fotones = = 0,33 1020 (1,9 eV ) 1,6 1019 J eV

fotones s

4.2 MATERIALES OPTICOS.

PROPIEDADES DE LA LUZ 4.2.1 INTRODUCCIN Las propiedades pticas de un slido estn determinadas por cmo la luz interacta con ste: cmo transmite la luz, cmo refleja la luz y/o cmo absorbe la luz. La interaccin luz-materia depende de la naturaleza de la luz (onda-partcula): Si es onda e.m. se esperan interacciones entre la componente de campo elctrico de la luz y las partculas cargadas del slido (iones y e-). Absorcin y emisin de fotones.
Absorcin de un fotn
fotn

Emisin de un fotn =(E-Eo)/h fotn

 Normalmente el e- se queda en estado excitado temporalmente y luego se relaja y emite el exceso de energa. Esto sucede con conservacin de energa y momntum. Conservacin de E es sencilla Conservacin de p es ms complicado: vibraciones del cristal. 4.2.2 CONSTANTES OPTICAS Cuando la luz pasa a travs de un slido pticamente delgado tambin polariza los e- de valencia y los iones de la red. Este proceso da lugar a dipolos inducidos, los que modifican la constante dielctrica y el ndice de refraccin. Estos cambios se reflejan en medidas de la permitividad dielctrica. Normalmente, cmo la luz pasa a travs de un slido est determinado por constantes pticas: Indice de refraccin: n (direccin) Coeficiente de absorcin: (atenuacin)

 Por otro lado, cuando la luz pasa desde un slido pticamente delgado (ej.: aire o vaco) hacia un medio pticamente denso el ngulo de refraccin () es menor que el ngulo de incidencia (i): Ley de Snell

sen i nmedio = =n sen nvaco

Usualmente nvaco1 (esto es arbitrario) Luego, la refraccin es provocada por las diferentes velocidades de la luz en distintos medios:

sen i cvaco c n= = = sen cmedio v

La magnitud de n depende de la longitud de onda de la luz incidente: esta propiedad se llama dispersin. En los metales: n=n(,i)

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 En general, n es un nmero complejo

n = n1 jn2 = n jk

donde k es la constante de amortiguacin (sinnimos: constante de absorcin, ndice de atenuacin o coeficiente de extincin). Relacin del ndice de refraccin (n) con la permitividad (). Examinemos la componente elctrica de una onda electromagntica:

E ( x, t ) = Eo exp( j (t n x c))
donde:
- Eo : amplitud mxima del campo elctrico en V/m. - j = 1 - : frecuencia angular en rad/s

- n : ndice de refraccin complejo - t : tiempo en s - x : direccin de propagacin de la luz en m - c : velocidad de la luz en m/s.
por lo tanto

E ( x, t ) = Eo exp( j (t n x c)) exp( * x)

donde * = k c es el coeficiente de absorcin en m-1

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 Se aprecia que: n altera la fase (o la velocidad) de la onda estacionaria. da una medida de la atenuacin Al aplicar la ecuacin de Maxwell a esta onda estacionaria:

d 2E dE d 2E 2 = 0 2 dx dt dt
donde:
- : permitividad del slido en F/m - : permeabilidad del slido en H/m - : la conductividad en 1/m

luego aplicndola a la onda e.m. estacionaria da:

2 n2 = (n jk ) = c 2 n j c 2

luego las partes real e imaginaria de son:

n 2 = = 1 i 2 = n 2 k 2 2nki
i.e.

1 = s o = n 2 k 2
POLARIZACIN

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donde:
- el medio es no magntico, i.e. =o -12 - o=8,8610 F/m : permitividad del vaco - c =1

o o

2 = (n ) = 2nk
ABSORCIN

Si en el medio no hay atenuacin: k0 n= o

0

i.e. el medio es un aislador elctrico. Cuando la radiacin e.m. pasa desde el vaco (o aire) hasta un medio ms denso pticamente, luego amplitud de la onda Disminuye al aumentar k Disminuye al aumentar z desde la superficie La intensidad I=E2 obedece la siguiente relacin (puede deducirse de las ecuaciones de Maxwell):
2k I = E 2 = I o exp c z

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 La profundidad de penetracin caracterstica W se define como aquella en la cual la intensidad de la luz ha disminuido
I 1 = = e 1 37% Io e

luego
zW = W =

c c = = 2k 4k 4k 2k c

W-1 absorbancia, (m-1)

=

La razn entre la intensidad reflejada (IR) y la intensidad incidente (Io) es la reflectividad: 2 I R (n 1) + k 2 R= = ( Ecuacin de Beer ) 2 2 I o (n + 1) + k En los aisladores: k0 (n 1)2 ( Ley de Fresnel ) Raislador = (n + 1)2

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 En los metales: R es alto pues W0 Especular Difusa Expandida

Constantes Opticas de Algunos Materiales (=600 nm) Material n k R (%) Metales Cobre 0,14 3,35 95,6 Plata 0,05 4,09 98,9 Oro 0,21 3,24 92,9 Aluminio 0,97 6,0 90,3 Cermicas Vidrio slice (Vycor) 1,46 3,50 10-7 Vidrio de soda 1,51 4,13 10-7 Cuarzo 1,55 4,65 10-7 Almina (Al2O3) 1,76 7,58 10-7 Semiconductores Silicio 3,94 0,025 35,42 GaAs 3,91 0,228 35,26 Polmeros Polietileno 1,51 4,13 10-7 Poliestireno 1,60 5,32 10-7 Politetrafluoroetano 1,35 2,22 10-7
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Parmetros Opticos (=589,3 nm) Material W (mm) K 320 1,410-7 Agua 290 1,510-7 Vidrio Grafito 610-7 0,8 Oro 1,510-6 3,2 La razn entre la intensidad transmitida (IT) y la intensidad incidente (Io) es la transmisividad:
T= IT Io

Por conservacin de la energa: I o = I R + IT + I E donde IE es la energa perdida por calor. Dividiendo por Io: R +T + E =1
Io IR IE (Q)

IT
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Aplicacin: Lentes Para disminuir refleccin: se recubre superficie con pelcula de material dielctrico. Normalmente se usa: MgF2 (fluoruro de magnesio). Resultado: color azuloso en lentes de cmaras Existe ecuacin que relaciona la reflectividad de la luz a bajas frecuencias (infrarojo) con la conductividad continua: R = 1 4 o ( Ecuacin de Hagen Rubens ) Encontrada experimentalmente el S.XIX por Hagen y Rubens. Indica que materiales con (e.g., metales) tambin poseen R.
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4.3 MATERIALES OPTICOS.

LA ABSORCIN DE LUZ 4.3.1 EL PROCESO DE ABSORCIN

Cuando la luz incide sobre un material: Es reemitida (reflexin, transmisin) o se extingue (se transforma en calor) En ambos casos hay interaccin luz-materia. Uno de los mecanismos de interaccin es la ABSORCIN.

4.3.1.1 MODELOS CLSICOS

Descripcin clsica del fenmeno la realiz Paul Drude a fines del S. XIX (el mismo que ya conocen):

Existen electrones libres, i.e. pueden ser separados de sus ncleos (e- de valencia) Estos e- libres pueden ser acelerados por campo elctrico externo. En su movimiento chocan con imperfecciones en la red. Qu les pasa en presencia de un campo elctrico oscilante (e.g., luz)?

Oscilan al "comps" del campo. Lo siguen.

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Sin embargo, oscilaciones de los e- estn restringidas por las interacciones e--red debe considerarse una fuerza de roce.

Clculo de las constantes pticas vs. :

Interacciones e--red se incluyen en el trmino de amortiguacin (k o =2k/c): k velocidad de los eLa ecuacin de Newton (F=ma) es:
F = eE m ; E = Eo sen(t ) dv + v = eEo sen( 2t ) dt

donde es la energa de amortiguacin y es la que considera las interacciones e--red (amortiguamiento del movimiento de e-).

La solucin de esta ecuacin entrega la dependencia en frecuencia de las constantes pticas (no se intentar). La teora del e- libre describe bastante bien R=R():

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Banda de absorcin

Hagen-Rubens: hasta =10-13 s-1 Drude: incluso hasta el visible A frecuencias mayores: se encuentra que R y luego R (experimental): Aparece banda de absorcin !

La banda de absorcin no puede ser explicada por el modelo de e- libres. Entonces, cmo se interpreta? Se requiere usar un concepto nuevo: modelo de Lorentz.

Postula que e- deben considerarse ligados al ncleo y Campo elctrico externo desplaza la nube de e- (carga: -) c/r al ncleo (carga: +): dipolo elctrico.
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Entonces qu pasa cuando se ilumina el slido?

Dipolo se comporta como masa en el extremo de un resorte: existe fuerza restauradora x: k E E

dv + ' v + kx = eEo sen( 2t ) dt

k determina la energa de ligadura entre los e- y el ncleo. Cada dipolo vibratorio pierde energa por radiacin (e.g., antena): 'v representa la amortiguacin por radiacin del oscilador.
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Oscilador absorbe un mximo de energa si es excitado con frecuencia cercana a la frecuencia de resonancia: 1 k o = 2 m Usualmente existen ms de un o. Resumen: influencia de la luz en los materiales:

Metales: Baja : electrones libres clsicos Alta : e- ligados (osciladores armnicos clsicos) Aisladores: Slo osciladores armnicos.

Absorcin atmosfrica

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4.3.1.2 MODELO CUNTICO 4.3.1.2.1 ABSORCIN DE FOTONES POR ELECTRONES

Entrega mayor comprensin del fenmeno de absorcin. Nuevamente la pregunta: qu sucede cuando la luz incide en un slido?

Luz de energa suficientemente alta incide sobre el slido. e- del slido absorben la energa de los fotones y son enviados a niveles de energa .

Semiconductor E = h > Eg

Metal

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En semiconductores:

Proceso se llama transicin interbandas. Si Eu = h = Eg : energa umbral para la absorcin de fotones. Ejemplo 1: Aislador, vidrio silceo (SiO2) 1,24 [m] = = 0,2 m UV Eg=6,2 eV E g [eV ]

No absorbe luz en el rango visible por el proceso de transicin interbandas: es transparente a esta radiacin.

Ejemplo 2: Semiconductor, silicio (Si) 1,24 [m] = = 1,11 m IR Eg=1,12 eV E g [eV ]

Comienza a absorber luz en el IR cercano. Es opaco en el rango visible. Puede transmitir en IR lejano (<1 eV).

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En metales:

Bandas estn parcialmente llenas. Tambin suceden transiciones interbandas. Adems, sucede proceso de absorcin por transiciones intrabandas (equivalentes a comportamiento de e- libres, clsicos). Absorben incluso energas muy pequeas de fotones, i.e.,

metales absorben luz en todo el espectro e.m.

son opacos en el visible, el IR, el UV, etc.

La MQ tambin predice otro mecanismo de absorcin que involucra a las vibraciones cuantizadas de la red: fonones. Cada vez que sucede una transicin (intra (s) o inter (no siempre)), se dice que se intercambia un fonn con la red, lo que hace que el slido reciba energa trmica. Estas transiciones se llaman transiciones indirectas. Su comprensin requiere conocer la estructura de bandas con mayor detalle (aqu no).

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4.3.1.2.2 EXCITACIN DE FONONES POR FOTONES

En el IR sucede otro mecanismo de absorcin: la luz estimula vibraciones atmicas en la red, i.e. la excitacin de fonones por fotones. Antes despus

Entra IR

No sale IR

Se puede pensar que la luz de frecuencia apropiada produce oscilaciones de los tomos "en torno a sus posiciones de reposo". Pero, estas oscilaciones influencian las de sus vecinos ms cercanos y viceversa, i.e. no son independientes de lo que hagan sus vecinos.

Interaccin con la luz con los tomos de la red puede modelarse en forma clsica: k (resortes)
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El amortiguamiento de las oscilaciones se debe a las interacciones de fonones con imperfecciones de la red, superficies externas u otros fonones. La absorcin de luz es intensa a de resonancia (o) se ve absorcin en o. Ejemplos: Vidrios

El vidrio silceo es transparente entre 0,2 m (UV) y 4,28 m (IR)

(Nota: vidrio de ventana es similar, salvo corte UV en 0,38 m)

Posee 2 peaks de absorcin pronunciados: 1,38 m y 2,8 m Nuevos desarrollos de vidrios por la va sol-gel: Suprimen peaks en 1,38 m y 2,8 m Virtualmente transparentes de 0,16 - 4 m. Espectro de absorcin de vidrio altamente purificado para aplicaciones de fibra ptica (ncleo de fosfosilicato y envoltura de borosilicato):
Se aprecia peak en 1,38 m

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Prdidas de transmisin en vidrios para uso en telecomunicaciones: Nota:

I 1 dB = 10 log I o I 2k = exp z Io c

Vidrio de ventana: 1000 dB/km Vidrio de alta calidad para fibras pticas: 100 dB/km 1970 (Corning Glass): 20 dB/km 1982 y hasta hoy (Corning Glass): 0,02 dB/km

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4.4 MATERIALES OPTICOS.

LA EMISIN DE LUZ 4.4.1 EL PROCESO DE EMISIN

Proceso opuesto a la absorcin. Una vez excitado el e-, este regresa a un estado desocupado de menor energa.

Esto se acompaa de la emisin de un fotn y/o por la disipacin de calor (fonones):

t de segundos: brillo. t fracciones de segundo: luminiscencia. t s - ms: fosforescencia. t < ns: fluorescencia.

Fotoluminiscencia: fotones inciden sobre material que reemite luz a una energa menor.
Ejemplo: Si KCl dopado con iones de Tl+ (Eg=9,4 eV) absorbe luz de 5 eV y muestra un peak de fotoluminiscencia a 4 eV cuando se relajan estos centros. Ejemplo: Si ZnS dopado con iones de Cu+ absorbe luz de 3,68 eV y exhibe luminiscencia a 2,4 eV y 2,8 eV.
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Ctodoluminiscencia: emisin de luz desde material bombardeado por lluvia de e- de alta energa.

4.4.2 APLICACIONES

Estos efectos tienen aplicaciones comerciales:

Aplicacin. Interior de tubos catdicos de TV: ZnS genera

luz cuando le llegan e- (generados por filamento caliente (rayo catdico)).

Aplicacin. Lmparas fluorescentes: interior de tubo de

vidrio est cubierto por tungstenatos o silicatos, los que emiten luz al ser bombardeados con luz UV (generada por descarga de mercurio).

Se distingue entre:

Emisin espontnea de luz: velas, ampolletas incandescentes, etc.

Propiedades:
Radiacin a amplia regin angular del espacio. Normalmente es policromtica (ms de una

frecuencia) Incoherente (fase)

Normalmente ocurre cuando los materiales son altamente calentados (emisin trmica): la t excita los e- de valencia a > energas, desde las cuales regresan.

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4.4.2 LSER

Emisin estimulada de luz: lseres.

Caso n2>n1: inversin de la poblacin de eUn e- estimula la cada de otro e- con la misma fase (son coherentes). Estos 2 e- estimulan la cada de 2 e-, etc. avalanchaaa! En resumen, la emisin estimulada de luz sucede cuando la radiacin incidente fuerza a los e- a entregar ms fotones al haz incidente. LASER: light amplification by stimulated emission of radiation
Amplificacin de luz mediante emisin estimulada de radiacin.

Propiedades:

Altamente monocromtico (transiciones entre 2 niveles energticos angostos).

Consecuencia: puede enfocarse a punto de 1 m
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Fuertemente colimada: sale paralelo de la ventana lser

e.g., seccin de lser transmitido a la Luna: 3 km

Montaje:

El material que genera el lser est embebido en un contenedor largo y angosto: la cavidad. Las caras opuestas de la cavidad deben ser absolutamente paralelas entre si. Una de las caras est plateada (Ag) y sirve de espejo perfecto. La otra cara slo tiene una pelcula delgada de Ag: transmite algo de luz. Estos espejos reflejan una y otra vez la luz lser, aumentando el N de fotones en cada pasada. Los e- que sobreviven son los que viajan paralelos a paredes de la cavidad. Los dems, sern absorbidos por las paredes. Una fraccin escapa por la ventana y constituyen en haz emergente.

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Falta describir cmo los e- son bombeados desde el nivel E1 al E2 (E2>E1) Un mtodo: bombeo ptico. Absorcin de luz proveniente de fuente policromtica.

Lmparas de Xe para lseres pulsados Lmparas de tungsteno-yodo para lseres continuos Ms mtodos: colisiones e-gas en una descarga elctrica, reacciones qumicas, reacciones nucleares, inyeccin externa de un haz de e-.

Los materiales:

Cristales: rub Vidrios: vidrio dopado con neodimio Gases: He, Ar, Xe Vapores metlicos: Cd, Zn, Hg Molculas: CO2

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Lquidos: solventes con molculas colorantes

Longitud Divergencia de onda del haz (nm) (mrad) 694,3 10 5 1,064 632,8 10600 9600 3-8 1 2 250 500 3 10 Peak de potencia (W) 5 (continuo) 10 -108 (pulsado 1-3 ms)
6

Tipo de lser

Rub
(Al2O3 dopado con Cr3+)

Neodimio
(Vidrio o YAG dopado con 3+ Nd )

HeNe CO2

103 (continuo) 104 (pulsado 0,1-1 s) 10-3-10-2 10-1,5x104 (continuo) 105 (pulsado 0,1-1 s) 10-30 (pulsado 0,1 s) 0,1-0,4 (continuo) 0,1 (continuo) 105 (pulsado 6 ns)

Semiconductor GaAs 870 GaAlAs 850 350-1000 Colorantes

(Colrantes orgnicos en solventes)

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Lser YAG

Lseres de semiconductores

Aplicaciones:

Impresoras lser y fotocopiadoras Medicin de distancias (topografa) Telecomunicacin ptica.

La cavidad est constituida por una combinacin de semiconductores tipo n y tipo p altamente dopados.

La juntura p-n funciona con voltaje hacia delante e- de banda de valencia son a BC excitados si E>Eg se observa una inversin de poblacin de e- en la zona de la juntura entre p y n.

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Normalmente no se requiere una pelcula reflectante, ya que el semiconductor ya lo es (R35%).

Ventajas: pequeos y eficientes. Eg puede ajustarse con aleaciones ternarias y cuaternarias:

1,3 m es la frecuencia deseable en telecomunicaciones: mnimo de absorcin

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 In1-xGaxAsyP1-y puede ajustarse entre 0,886-1,55 m ( 1,4 - 0,8 eV).

4.4.2 LEDS Light emitting diodes (diodos de emisin de luz) Fuentes de luz barata, duraderas y pequeas Juntura p-n con voltaje hacia delante. No opera en el modo lser: se omiten caras paralelas, etc., durante proceso de fabricacin Luz no es coherente ni colimada. Se desea que emita en rango visible.

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Aplicaciones del lser en procesamiento de materiales Aplicaciones Soldadura Lser Comentarios YAG Lser de potencia alta.

Perforacin

Tratamiento superficial Trazado Fotolitografa

CWCO2 Excimer

Usado para: Perforaciones profundas Soldaduras de alto rendimiento YAG Densidades de potencia peak altas. CWCO2 Usado para perforaciones de precisin con: mnima zona de afectacin trmica, baja conicidad y mxima profundidad YAG Corte de precisin de formas 2D y 3D CWCO2 complejas a grandes velocidades en plsticos y cermicas. CWCO2 Endurecimiento de superficies aceradas con haz de barrido desenfocado y permitiendo autotemplado. YAG Trazado de grandes reas de cermicas completamente cocidas. Proceso fotolitogrfico en la fabricacin de circuitos impresos

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4.5 MATERIALES OPTICOS.

DISPOSITIVOS DE ALMACENAMIENTO OPTICO Libro: de acceso aleatorio: se puede acceder a cualquier pgina sin mirar todas las pginas anteriores. RAM (random access memory): memoria de acceso aleatorio Pelculas de cine o microfilms: acceso secuencial ROM (read-only memory): memoria que no puede ser modificada por el usuario; solo lectura. Disco ptico: informacin digital CD: memoria de acceso aleatorio y solo lectura Es WORM: write once, read many Informacin se almacena en protuberancias de altura /4 de la luz incidente. luz que se refleja de la base viaje /2 ms que la luz reflejada de la protuberancia se produce interferencia destructiva: cero Para fines de audio se usa 44,1 kHz ( doble de frecuencia La seal de cuantiza en nmeros binarios de 16 dgitos (216=65.534 valores distintos)

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 CD de 120 mm 5,7 km de largo 22.188 pistas a 1,6 m entre si La lectura se hace con lser de 1,2 m Densidad de informacin: 800 kbits/mm2 (CD completo puede almacenar 7x109 kbits) Mismo disco almacena 600 Mbytes de datos computacionales 3 enciclopedias completas de 24 volmenes. DVD (digital video disk): 4,7 Gbytes video.

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