Reporte de Prctica 2

AMPLIFICADOR MULTIETAPA

Electrnica Analgica I

DESARROLLADA POR:
lvarez Hernndez Joyce

3. Abstract
En el siguiente reporte se encontrara informacin referente a la amplificacin de seales con un amplificador multietapa de etapas gemelas. Lo que se pretende lograr es un acoplamiento entre dos sistemas amplificadores basados en transistores, los cuales nos permitan tener un mayor aumento en la amplificacin de la seal.

Los clculos realizados estn basados en un diseo del proyecto anterior el cual se presenta de manera individual, lo que a diferencia de aqu se presenta en dos etapas similares o gemelas que al ser acopladas logran una mayor amplificacin ya que el aumento de la seal de la primera etapa nuevamente es incrementado por la segunda, logrando as que la ganancia en este circuito sea aun mayor.

Los resultados obtenidos muestran que la seal logra un mayor nivel de amplificacin que el circuito de la primera prctica y esto es fundamentado matemticamente por una serie de formulas que ms adelante sern presentadas.

4. Introduccin
El objetivo principal de este trabajo, son los de disear y comprender el funcionamiento de un amplificador multietapa, as como tambin determinar la respuesta a la frecuencia, tanto bajas como medias, de dicho amplificador, otro aspecto importante es que se obtendr el conocimiento para manipular las frecuencias de corte mediante capacitores. Este tipo de amplificador es usual dentro de una gran gama de diseos electrnicos, por esta razn existen varias configuraciones ya establecidas, basadas en gran parte en los fundamentos tericos que han sido tratados anteriormente, este tipo de circuitos tienen una gran importancia, ya que son muy tiles para un si numero de dispositivos los cuales nos entregan una pequea seal en su salida, en algunos casos esta seal es tan pequea que un amplificador de una etapa no es suficiente para obtener la ganancia requerida en la seal, una alternativa de solucin a esta problemtica es la de tomar la seal amplificada por la primera etapa y amplificarla nuevamente por medio de una segunda etapa, es decir un amplificador multietapa, que es precisamente el que se implemento en esta prctica, se debe de tener en cuenta el cuidado necesario para no llegar a saturar la segunda etapa. algunos casos en donde es til utilizar el amplificador multietapa, podran ser dispositivos como los micrfonos de pequeas escalas, o sensores que entregan una seal de salida de baja amplitud, entre algunos otros, con esto poder entender el funcionamiento de cada uno de los componentes, para poder determinar cules serian sus frecuencias de corte y su ganancia de voltaje logrando que nuestro diseo tenga una mxima excursin simtrica as como el saber cul es la respuesta a cada frecuencia (frecuencias bajas y medias), comprobando con esto que si se logro el objetivo principal el cual es, amplificar el voltaje por medio de dos etapas gemelas.

5. Materiales y Mtodos
Mtodo: Se realizo la medicin de los valores de VCEQ, VBB y la ICQ , esto con la finalidad de comprobar que los clculos hechos de este circuito correspondieran a las mediciones realizadas prcticamente, y comprobar que efectivamente el arreglo de polarizacin de divisor de voltaje estuviera concordando el punto de operacin Q al que fue diseado. La medicin del VCEQ se llevo a cabo poniendo un voltmetro en paralelo al las terminales colector y emisor respectivamente. El voltaje VBB se obtuvo conectando el voltmetro en paralelo con la base y la tierra del circuito. La medicin de la ICQ se realizo abriendo el circuito en la resistencia RC y conectando en serie el ampermetro. Al observar que en efecto el transistor se encuentra en el punto Q de funcionamiento deseado para una mxima excursin simtrica, se continuo a aplicarle una seal de entrada en la base del transistor la cual ser amplificada en el colector y enviada a la resistencia de carga RL. La frecuencia de la seal de entrada ser variante y su amplitud se mantendr constante cuidando que esta no sea muy grande porque esto llevara a que la seal de salida se muestre con cortes, se medir solamente los voltajes de salida, los ngulos de fase y la frecuencia debido a que el voltaje de entrada ser constante, despus de tener estos valores se continua calculando la Av (la ganancia de voltajes en decibeles) y el ngulo de desfasamiento en grados, y con estos resultados se realizaran las graficas de bode.

Materiales experimentales:  2 Resistencia R1= 15 K  2 Resistencia R2= 2.2 K  1 Resistencia RL= 4.7 K  2 Resistencia RC= 1 K  2 Resistencia RE= 100  1 Capacitor Ci= 1QF  2 Capacitor Co= 1QF  2 Capacitor CE= QF  2 Transistores 2N2222 Equipos de medicin:  Osciloscopio    Generador de funciones Voltmetro Ampermetro

 Fuente de Voltaje de 12 V  Protoboard

Circuito (fig. 6)
VCC 12V R1 RC1 R3 VCC 12V RC2 Co

Ci

Q1

CA

Q2 RL

2N2222A R2 CE1 RE1 R4 CE2

2N2222A RE2

Figura 6.- Amplificador multietapa

6. Fundamento terico
Uno de los elementos fundamentales dentro de la electrnica analgica es el transistor, el cual es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales especficos en cantidades especficos) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin logrado entre corriente de base y corriente de colector, se denomina Beta del transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros tales como corriente de base, tensin Colector Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas bsicos para utilizacin analgica de los transistores son emisor comn, colector comn y base comn. Transistor NPN Una explicacin sencilla de el funcionamiento de este transistor es utilizando diagramas de barrera de potencial como el mostrado en la siguiente figura 1.

Figura 1

Cuando la unin base-emisor se polariza en directo y la unin base-colector en inverso, los electrones que dejan el material n del emisor solo ven una barrera de potencial pequea en la

unin np. Como la barrera de potencial es pequea muchos de los electrones tienen la suficiente energa para llegar al tope de ella, una vez en el tope los electrones se mueven fcilmente a travs del material p(base) a la unin pn(base- colector). Cuando se acercan a esta unin los electrones se encuentran bajo la influencia de la fuente de tensin positiva y se mueven con mucha rapidez, con forme descienden en la barrera de potencial. Si se reduce la polarizacin en directo de la unin base emisor, aumenta la altura de la barrera de potencial. A los electrones que dejan el emisor les ser ms difcil alcanzar el tope, los electrones que lo alcanzan son aquellos con mayor cantidad de energa, y los que alcanzaran el colector. Por tanto, una reduccin de la polarizacin en directo provoca que la corriente a travs del transistor se reduzca en forma considerable, por otra parte al aumentar la polarizacin en directo de la unin base-emisor, se reduce la barrera de potencial y se permite el flujo de un mayor nmero de electrones a travs del transistor. El flujo de corriente en un transistor tambin se puede entender mediante, el examen de los portadores de carga y las regiones desrticas mostradas en la figura anterior. Se puede notar que como la base-emisor esta polarizada en directo, la regin desrtica es relativamente delgada. Lo inverso es correcto para la unin base-colector, un gran nmero de portadores mayoritarios (electrones) se difunde a travs de la unin base-emisor puesto que se halla polarizada en directo. Estos electrones entran en la regin de la base y tienen dos opciones. Podran dejar esta regin a travs de la conexin con las fuentes de alimentacin o continuar hacia la regin de colector a travs de la amplia regin desrtica polarizada en inverso. Lo normal sera que la mayor parte de esta corriente regresara a la fuente. Excepto por las siguientes observaciones. Como la regin de base es muy delgada estos electrones necesitan viajar una distancia ms corta para ser atrados por la fuente positiva del colector. Adems, la conductividad del material de la base posee una conductividad baja por lo que el trayecto hacia la terminal de la fuente presenta alta impedancia. En realidad solo una pequea cantidad de electrones deja la base a travs de la conexin con la fuente, la mayor parte de la corriente fluye hacia el colector. El transistor de unin bipolar presenta ganancia de corriente lo cual se puede utilizar para amplificar seales. A continuacin se muestra el circuito equivalente del transistor npn el cual es sumamente til para diseo y anlisis de circuitos.

Debido a la razn de que el transistor es un dispositivo no lineal, una forma de describir su comportamiento es mediante sus curvas caractersticas, similares a las de los diodos, cabe

mencionar que cada transistor tiene su conjunto de curvas. Debido a que el transistor es un dispositivo de tres terminales, se utilizan curvas paramtricas para describir su comportamiento. A continuacin se muestran las curvas del transistor en la figura 2.

Figura 2.- Amplificador emisor comn

El ec o amplificador de emisor comn es denominado de esta forma debido a que las corrientes de base y colector se combinan en el emisor, en la siguiente figura se muestra esta configuracin figura 3.

Figura 3.- Curvas caractersticas para el amplificador EC

Amplicador de emisor comn Si transistor se haya polarizado con un punto Q aproximadamente a la mitad de la lnea de carga de cd, es posible acoplar una pequea seal de ca en la base. Esto produce alternancias o fluctuaciones de igual forma y frecuencia en la corriente de colector. Por citar un ejemplo hipottico, si la entrada es una onda senoidal con una frecuencia de 1 Khz, la salida ser una onda senoidal amplificada con una frecuencia de 1 Khz. El amplificador se llama lineal (o de alta fidelidad) sin no cambia la forma de la seal. Si la amplitud de la seal es pequea, el transistor solo usara una pequea parte de la lnea de carga y la operacin sea lineal. Por otra parte, si la seal de entrada es demasiado grande, las fluctuaciones en la lnea de carga excitaran al transistor a saturacin y corte. Esto cortara los picos de una onda senoidal y el amplificador ya no ser lineal. Un capacitor de acoplamiento permite el paso de una seal de ca de un punto a otro. En un amplificador transistorizado, la fuente de cc proporciona corrientes y voltajes fijos. La fuente de ca produce fluctuaciones en estas corrientes y voltajes. La forma ms simple para analizar el circuito es la divisin del anlisis en dos partes: un anlisis de cd y un anlisis de ca. En otras palabras, puede usarse el teorema de la superposicin cuando se analicen amplificadores con transistores.

Amplificador emisor comn primera etapa

Etapas en cascada Esto consiste bsicamente en utilizar la salida amplificada de una etapa, as como la entrada de otra etapa. En esta forma se puede construir un amplificador de multietapas con una ganancia muy grande de voltaje.

figura 4.- Amplificador de dos etapas utilizando circuitos CE en cascada En la figura 4, se muestra un amplificador de dos etapas utilizando circuitos CE en cascada. Una fuente de ca con una resistencia de fuentes Rs, amplifica la seal, la cual se acopla a la siguiente etapa de CE. Entonces la seal es amplificada otra vez, para obtener la salida final considerablemente mayor que la seal de la fuente.

Figura 5.- Modelo de ca para un amplificador de dos etapas. Como se logra apreciar en la figura 5, se tiene el modelo de ca para un amplificador de dos etapas. Cada etapa tiene una impedancia de entrada dada por la combinacin en paralelo de R1,R2 y re. Igualmente, cada etapa tiene una ganancia de voltaje sin carga de Rc/re y una impedancia de salida de Rc. Por lo tanto, se efecta el clculo de Zent, y Zsal para cada etapa; entonces, analizando los efectos de la fuente y de la carga, se puede trabajar el voltaje de salida final. El mismo procedimiento se puede aplicar a cualquier nmero de etapas, algunas de las cuales pueden ser amplificadores minimizados.

Polarizacin mediante divisor de voltaje: Circuitos equivalentes de Ca y CC En seguida se enumeran algunos pasos para la aplicacin del teorema de la superposicin de circuitos transistorizados: 1.- Redzcase la fuente de ca a cero; esto significa poner en corto una fuente de voltaje o abrir una fuente de corriente. branse todos los capacitores. Al circuito restante se le llama circuito equivalente de cc. Con este circuito se pueden calcular los voltajes y corrientes en cc que se deseen. 2.- Redzcase la fuente de cc a cero; esto equivale a poner en corto una fuente de voltaje o abrir una fuente de corriente. Pngase en corto todos los capacitores de paso y de acoplamiento. Al circuito restante se le llama circuito equivalente de ca. Este es el circuito que se utiliza para el clculo de voltajes y corrientes de ca. 3.- La corriente total en cualquier rama del circuito es la suma de las corrientes de cc y ca que se encuentran presentes en esta rama; el voltaje total aplicado en cualquier rama es la suma de los voltajes de ca y cc que se encuentran aplicados a esa rama. Esta es la forma como se aplica el teorema de superposicin al amplificador de la figura A.

Figura A Primero, se reducen todas las fuentes de ca a cero, se abren todos los capacitores y lo que quedas es el circuito que se tiene en la figura B siguiente:

Figura B Este el circuito equivalente de cc. Esto es lo que realmente interesa en lo que respecta a voltajes y corrientes de cc. Con este circuito se pueden calcular los voltajes y corrientes fijos. Seguidamente se pone en corto la fuente de voltaje y tambin los capacitores de acoplamiento y de paso; lo restante es el circuito equivalente en ca que se muestra en la figura C:

Figura C Debe notarse que el emisor esta a tierra de ca, debido a que el capacitor de paso esta en paralelo con RE. As mismo, cuando la fuente de alimentacin de cc est en corto, pone a tierra un extremo de R1 y de Rc; dicho de otra manera, el punto de alimentacin de cc es una tierra de ca porque tienen una impedancia interna que se aproxima a cero. Con el circuito equivalente de ca que se indico en la figura puede calcularse cualquier voltaje y corriente de ca que se desee.

Polarizacin en corriente directa

En la figura 3 se muestra el circuito de un amplificador emisor comn:

Figura 3 La siguiente ecuacin describe el lazo de salida:

  

Ecuacin

(1)

Despejando VCE de la ecuacin 1 y poniendo todo en trminos Q, es decir, se obtendrn valores referenciados con el punto de operacin:
    

Ecuacin

(2)

Si en la ecuacin 2 suponemos que VCE es igual con cero, nos queda la ecuacin 2:


Ecuacin

(3)

Si en la ecuacin 3 suponemos que IC es igual con cero, nos queda la ecuacin 3:



Ecuacin

(4)

El voltaje de colector - emisor en el punto de operacin se describe como se muestra en la ecuacin 5, debido a que se busca que el punto Q este en la mitad de la recta de polarizacin en corriente directa: Ecuacin (5)

Despejando de la ecuacin 1 IC y sustituyendo el valor de VCEQ obtenido en la ecuacin 5 tenemos lo siguiente:

 

Ecuacin

(6)

Para proporcionar estabilidad, hacer que el circuito sea independiente de las variaciones de beta y permitir el uso de ecuaciones simplificadas se plantea:




Ecuacin

(7)

Analizando el circuito que se muestra en la figura 4:

Figura 4 Se obtiene:
   

Ecuacin

(8)

Despejando de la ecuacin 8 la corriente ICQ se obtiene lo siguiente:




Ecuacin

(9)

Por medio del circuito de lazo de entrada que se muestra a continuacin en la figura 5:

Figura 5

Se deducen las siguientes ecuaciones:




 
 

Ecuacin Ecuacin

(10) (11)

De la ecuacin 11 se despeja R1, de la ecuacin 10 se despeja R2, el valor despejado de R2 se introduce en el valor despejado de R1 y se obtiene R1, de la siguiente manera:



Ecuacin

(12)

Sustituyendo el valor de R1 en la ecuacin 10 en el momento en que despejamos R2 y dando un arreglo matemtico llegamos a:



Ecuacin

(13)

Polarizacin en corriente alterna:

Debido a que existe el capacitor de acoplamiento en la salida, la resistencia en corriente directa queda:



Ecuacin

(14)

En el circuito analizado la RL es igualada a la RBB debido a que para diseos posteriores se piensa conectar varios circuitos gemelos en multietapa, por lo tanto:


Ecuacin

(15)

La resistencia en corriente alterna se toma poniendo el capacitor de desvo en corto circuito y por lo tanto la impedancia de salida nos queda:
  

Ecuacin

(16)

En el diseo realizado se buscara que el circuito tenga una mxima excursin simtrica del voltaje de salida, por lo tanto la corriente en el punto Q, se determina:



Ecuacin

(17)

El punto de interseccin de la recta de carga de corriente alterna con el eje VCE es el siguiente:


Ecuacin

(18)

Por lo tanto para una mxima excursin simtrica el VCEQ se define por:


Ecuacin

(19)

El valor mximo de simetra para el voltaje de pico a pico se determina por:



Ecuacin

(20)

7. Resultados
   

Analisis en CD primera y segunda etapa:

 =   

 

Analisis CA primera y segunda etapa:

 

Ganancia de voltaje
Anlisis en frecuencias medias:

10. Referencias

[1] Savant, Jr; Rodart Martin; L. Carpenter, Gordon ; Diseo Electronico; Circuitos y sistemas; Editorial addison-Wesley ; edicin x;

[2] Boylestad, Robert; Nashelsky, Louis; Electronica: Teora de circuitos y dispositivos electrnicos; person prentince may; Ed. 8, 2002.