IING. SERGIO A.

VILLARREAL PEREZ

CBTIS 135

TRANSISTORES DE UNION
Los transistores, que se presentan en este capitulo, son componentes de estado slido, similares en algunos aspectos a los diodos que ya conocemos. Pero los transistores son ms complejos y pueden emplearse formas mucho mas variadas. Su importancia es enorme y peden encontrarse en casi todos los sistemas electrnicos modernos. El rasgo caracterstico mas importante de los transistores es su aptitud para amplificar seales. La amplificacin es un proceso mediante el cual una seal dbil adquiere intensidad suficiente para ser utilizable en determinadas aplicaciones electrnicas; por ejemplo, para alimentar un altavoz con una seal intensa, puede emplearse un amplificador. 6-1 AMPLIFICACION La amplificacin es uno de los conceptos bsicos ms importantes en electrnica. Los amplificadores elevan la intensidad de los sonidos y de las seales y, en general, realiza una funcin llamada ganancia. En la figura 5-1 se presenta el esquema de funcionamiento de un amplificador. Obsrvese que el mismo ha se disponer de dos etapas: una de alimentacin en cc y la seal de entrada. sta ltima es la magnitud elctrica cuya reducida intensidad la hace inaprovechable en su forma actual; pero con la ganancia, pasa a ser utilizable. Como se indica en la figura 5-1, la seal de salida es mayor a causa de la ganancia del amplificador.

La ganancia puede medirse de varios modos. Si se emplea un osciloscopio para medir las tensiones de entrada y salida del amplificador (pero no la tensin que da la fuente de alimentacin), podr observarse la ganancia de tensin. Entonces, puede haber un amplificador cuya tensin de salida sea 10 veces la tensin de entrada: la ganancia de tensin de este amplificador ser 10. Si se midan las intensidades de entrada y salida del amplificador con un ampermetro, lo que se obtiene es la ganancia de intensidad; as, con una seal de entrada de 0.1 A, si su ganancia de intensidad es 5. Cuando se conozcan las ganancias de tensin e intensidad, podr establecerse la ganancia de potencia. Un amplificador cuya ganancia de tensin sea 10, y cuya ganancia de intensidad sea 5, tendr una ganancia de potencia

TECNOLOGIA Y TALLER DE ELECTRONICA II

86

IING. SERGIO A. VILLARREAL PEREZ

CBTIS 135

Ganancia de potencia nicamente la tienen los amplificadores. Otros componentes o dispositivos pueden tener ganancia de tensin o de intensidad. As, si un transformador elevador produce una ganancia de tensin, Por qu no puede considerase amplificador? La respuesta es que el transformador no produce ganancia de potencia alguna; o sea, si eleva la tensin 10 veces, reduce la intensidad 10 veces. Entonces, despreciando las perdidas, en el transformador la ganancia de potencia ser Un transformador reductor, por su parte, produce ganancia de intensidad. Tampoco puede considerarse amplificador, ya que su ganancia de tensin la neutraliza la perdida de tensin y, de ese modo, no existe ganancia de potencia. Aun cuando parezca que el concepto importante la ganancia de potencia, hay amplificadores que se clasifican como amplificadores de tensin. En algunos circuitos, solo se menciona la ganancia de tensin: esto es cierto prcticamente en los amplificadores ideados para manipular seales elctricas muy dbiles. En los sistemas electrnicos aparecen muchos amplificadores de tensin, o de pequea seal; debe recordarse que stos producen tambin ganancia de potencia. Los amplificadores calculados para trabajar con seales grandes suelen conocerse como amplificadores de potencia. En la figura 5-2 tenemos un sistema electrnico en el que el altavoz requiere varios watts para funcionar bien, mientras que la seal del brazo fonocaptor ser una fraccin de miliwatt (mW); as pues, se necesita una ganancia de potencial total de varios millares. No obstante, nicamente el amplificador final de gran seal recibe el nombre de amplificador de potencia.

6-2 TRANSISTORES Los transistores son buenos amplificadores. Son capaces de producir las ganancias de potencia necesarias. Los tipos ms importantes de transistores son varios: en este capitulo se trata principalmente del transistor de unin bipolar. Los transistores de unin bipolares son similares a los diodos de unin, pero incluyen una unin ms. En la figura 5-3 se ilustra un modo de obtener un transistor. Aqu, una zona semiconductora tipo P aparece intercalada entre dos zonas tipo N. La polaridad de dichas zonas la gobierna la valencia de las sustancias empleadas en el dopado. Si no se recuerda este proceso y en que se fundamenta, repsese el capitulo 2.

TECNOLOGIA Y TALLER DE ELECTRONICA II

87

IING. SERGIO A. VILLARREAL PEREZ

CBTIS 135

Las zonas del transistor de la figura 5-3 se llaman emisor, base y colector. El emisor es muy rico en portadores de corriente y su misin es enviarlos a la base y luego al colector. El colector recoge los portadores y el emisor los emite; la base acta como zona de control. Tal como vemos despus, la base puede permitir el paso de los portadores desde el emisor al colector en gran nmero o pequeo numero. El transistor de la figura 5-3 es bipolar porque la corriente que lo atraviesa esta formada por huecos y electrones a la vez. La zona tipo N contiene electrones libres que son portadores negativos. La zona P contiene huecos libres que son portadores positivos. O sea, hay presentes portadores de las dos (bi) polaridades. Obsrvese, adems que en el transistor hay dos uniones PN: es un transistor de unin bipolar. El transistor de la figura 5-3 se clasifica como transistor NPN. Otro procedimiento para obtener un transistor de unin bipolar es hacer el emisor y el colector de sustancia tipo P y la base de sustancia tipo N; este es un transistor PNP. En la figura 5-4 se representan ambas posibilidades y sus smbolos respectivos, los cuales deben aprenderse de memoria. Reacurdese que la terminal del emisor es siempre la de la flecha; reacurdese asimismo que si la flecha No apunta hacia deNtro el transistor es NPN.

TECNOLOGIA Y TALLER DE ELECTRONICA II

88

IING. SERGIO A. VILLARREAL PEREZ

CBTIS 135

Las dos uniones del transistor deben polarizarse adecuadamente. Por esta causa, un transistor NPN no puede sustituirse por un PNP, ya que las polaridades serian incorrectas. En la figura 5-5 se muestra la polarizacin de un transistor; la unin colector-base debe polarizarse inversamente, para que funcione correctamente. En un transistor NPN, el colector ha de ser positivo respecto a la base. En un transistor PNP el colector ha de ser negativo respecto a la base. Los transistores PNP y NPN no son intercambiables.

Tal como se indica en la figura 5-5, la unin base-emisor se polariza directamente. Esto hace que la resistencia de la unin base-emisor sea muy pequea comparada con la resistencia de la unin colector-base. Una unin de semiconductores polarizada directamente posee una resistencia reducida; una unin polarizada inversamente posee una resistencia elevada. En la figura 5-6 se comparan las resistencias de ambas uniones. La gran diferencia entre las resistencias de sus uniones hace que el transistor presente ganancia de potencia. Supongamos que pasa corriente por las dos resistencias de la figura 5-6. La potencia debe calcularse con la formula

La ganancia de potencia al pasar de RBE a RCB puede establecerse calculando la potencia disparada en cada una y dividiendo

Si la corriente que atraviesa RCB fuese igual a la que atraviesa RBE, desaparecera I2 y la ganancia de tensin seria

En realidad, en los transistores, la corriente no tiene igual intensidad, pero son casi iguales. Por ello, el error que se comete es muy pequeo.

TECNOLOGIA Y TALLER DE ELECTRONICA II

89

IING. SERGIO A. VILLARREAL PEREZ

CBTIS 135

Un valor normal de RCB podra ser 10000 , elevado ya que la unin colector-base se polariza inversamente. Un valor normal de RBE podra se 100 , reducida porque la unin base-emisor se polariza directamente. Para un transistor tipo corriente como este, la ganancia se potencia seria

Quiz lo ms incomprensible sea por qu la corriente que pasa por la unin polarizada inversamente sea tan intensa como la que pasa por la unin polarizada directamente. Ya la teora de diodos nos dice que por una unin polarizada inversamente casi no pasa corriente; esto es cierto en los diodos pero no en la unin base-colector de un transistor. En la figura 5-7 se explica por qu es tan intensa la corriente colector-base. La tensin colector-base VCB produce una polarizacin inversa en la unin base-colector. La tensin base-emisor VBE produce una polarizacin directa en la unin base-emisor. Si el transistor fuera simplemente dos uniones de diodo, el resultado seria La zona que ocupa la base del transistor es muy estrecha (alrededor de 0.0025mm) y est muy poco dopada, por lo que dispone solo de algunos huecos libres. As, no es probable que un electrn procedente del emisor encuentre en la base un hueco libre con el que combinarse; siendo tan reducido el nmero de combinaciones electrn-hueco en la zona de la base, la corriente de base ser muy dbil. El colector es una zona tipo N, pero esta cargado positivamente gracias a VCB; como la base es una zona tan estrecha, al campo positivo del colector es muy intenso y la gran mayora de los electrones precedentes del emisor son atrados y recogidos por el colector. As pues

La corriente mas intensa en la figura 5-7 es la corriente del emisor. La corriente de colector es menor, auque muy poco. Lo normal es que el 99% de los portadores del emisor vayan al colector y que el 1%, aproximadamente, de los portadores del emisor se combinen comportadotes de la base para dar la corriente de base.

TECNOLOGIA Y TALLER DE ELECTRONICA II

90

IING. SERGIO A. VILLARREAL PEREZ

CBTIS 135

La ecuacin de nudos para la figura 5-7 es

En trminos porcentuales puede establecerse

La corriente de base es muy dbil, pero muy importante. Supongamos que, en la figura5-7, este abierto el terminal de base; si es as, no habr corriente de base. Entonces, las dos terminales VCB y VBE se asociaran en serie para hacer al colector positivo respecto al emisor. Aqu podra pensarse que la corriente seguira pasando del emisor al colector, pero no es as. Si no hay corriente de base, no hay corriente de emisor y no hay corriente de colector. Efectivamente, para que el emisor emita, la polarizacin base-emisor debe ser directa y, al abrir la conexin de la base, se elimina esta polarizacin directa. Entonces, si el emisor no emite, el colector no podr captar electrones. O sea, aun cuando la corriente de base sea muy dbil, debe existir para que el transistor conduzca de emisor a colector.

TECNOLOGIA Y TALLER DE ELECTRONICA II

91

IING. SERGIO A. VILLARREAL PEREZ

CBTIS 135

El hecho de que una reducida corriente de base gobierne una corrientes de emisor y base mucho mas intensas es de gran importancia, porque muestra el modo en que los transistores son aptos para conseguir una gran ganancia de intensidad. Muchsimas veces, hay que especificar la ganancia de intensidad entre el terminal de base y el terminal de colector, que es una de las caractersticas mas importantes de un transistor. Esta caracterstica se llama (beta), o hfe:

Cunto vale en un transistor corriente? Si la corriente de base en 1%, y la corriente de colector es de 99%, ser

Obsrvese que el smbolo porcentual desaparece ya que figura a la vez el numerador y denominador. Igual seria el caso si se empleara las intensidades reales de la corriente; la unidad de intensidad desaparecera y creara como numero puro, sin dimensiones de porcentaje ni intensidad de corriente. La de los transistores que se emplean en la prctica vara grandemente. Ciertos transistores de potencia pueden poseer una tan pequea como 20. Los transistores de pequeas seales pueden poseer una tan grande como 400. Puede considerarse que 100 constituye un buen valor medio. El valor de varia entre transistores que tengan el mismo numero de referencias. As, 2N2712 es un transistor identificado. Un fabricante de este componente concreto resea un valor de comprendido entre 80 y 300. O sea, si se comprueba en tres transistores 2N2712, aparentemente iguales, podran encontrarse los valores 98, 137 y 267. El valor de es importante, aunque impredecible. Por fortuna, hay procedimientos para utilizar los transistores que hacen que el valor real de sea menos importante que otras caractersticas mas predecidle del circuito; esto quedara claro en el capitulo posterior. Por ahora, nos concentraremos en la idea de que la ganancia de intensidad entre las terminales de base y colector tiende a ser alta y, asimismo, recordaremos que la corriente de base gobierna la corrientes del colector.

TECNOLOGIA Y TALLER DE ELECTRONICA II

92

IING. SERGIO A. VILLARREAL PEREZ

CBTIS 135

En la figura 5-8 se representa lo que ocurre en un transistor PNP. Aqu, la polarizacin base emisor debe ser tambin directa. Observarse que la polaridad de VCB se ha invertido tambin. Esta es la razn por la que no son intercambiables los transistores PNP y NPN; si uno se sustituyera por el otro, las polaridades colector-base y base-emisor serian incorrectas. La corriente de emisor a colector es una corriente de huecos en la figura 5-8. En los transistores NPN, la corriente es de electrones. Ambas estructuras de los transistores funcionan ms o menos igual en la mayora de los aspectos. El emisor es muy rico en portadores. La base es muy estrecha y tiene muy pocos portadores. El colector esta cargado gracias a una polarizacin externa y atrae a los portadores procedentes del emisor. La diferencia principal entre los transistores PNP y NPN reside en la polaridad. Los transistores NPN se han extendido ms que los PNP. Los electrones tienen mayor movilidad que los huecos; es decir, se mueven con mayor rapidez dentro de la estructura cristalina. Esta confiere ventajas a los transistores NPN en los circuitos de alta frecuencia, donde la rapidez es esencial. En sus lneas, los fabricantes mantienen mayor nmero de transistores NPN, por lo que proyectistas de circuitos les resulta ms fcil elegir las caractersticas que necesitan del grupo NPN. Por ultimo muchas veces es ms conveniente emplear componentes NPN en los sistemas negativo a masa. Los sistemas con negativo a masa se emplean mucho ms. Se utilizan ambos tipos de transistores y, en muchos sistemas, aparecen transistores NPN y PNP juntos en el mismo circuito. Es muy aconsejable disponer de ambas polaridades, pues ello flexibiliza el proyecto de circuitos.

TECNOLOGIA Y TALLER DE ELECTRONICA II

93

IING. SERGIO A. VILLARREAL PEREZ

CBTIS 135

Los transistores de unin se fabrican por diversos procedimientos. En la figura 5-9 se presenta la estructura de tres transistores diferentes. Pero estos procedimientos no son en lo absoluto los nicos que se siguen; simplemente muestran que los detalles fsicos varan no proceso de fabricacin y otro. 6-3 CURVAS CARACTERISTICAS Como ocurre con los diodos, de las curvas caractersticas de los transistores podemos obtener muchsima informacin.

TECNOLOGIA Y TALLER DE ELECTRONICA II

94

IING. SERGIO A. VILLARREAL PEREZ

CBTIS 135

Los transistores tienen muchos tipos de curvas caractersticas; uno de los mas extendidos es la familia del colector; un ejemplo de los cuales se presenta en la figura 5-10. En el eje vertical se representan las intensidades del colector (IC), est dividido en mili ampere. Sobre el eje horizontal se representan polarizaciones entre colector y emisor (VCE), y esta dividido en volt. Unas curvas como las de la figura 5-10 se llaman familia de colector porque son las curvas caractersticas tensin-intensidad correspondientes al colector.

En la figura 5-11 se presenta un circuito que se puede emplear para hallar los puntos de una familia de curvas del colector. En el mismo se utilizan tres instrumentos de medida para registrar las corrientes de base (IB), la corriente de colector (IC) y la tensin de colector-emisor (VCE). Para representar grficamente tres magnitudes, es preciso mantener constantes una de ellas mientras varan las otras dos; as se consigue una curva. Seguidamente, a la magnitud constante se le da otro valor; entonces, se hacen variar las otras dos magnitudes y se anotan sus valores; con ello se obtiene una segunda curva. El proceso puede repetirse las veces que se quiera. En el caso de una familia de curvas de colector, la magnitud constante es la corriente de base, cuya intensidad se va ajustando con una resistencia variable como la de la figura 5-11. Luego, la fuente de alimentacin variable se ajusta para un valor de VCE; se anota la intensidad del colector. Seguidamente se da otro valor a VCE y vuelve a anotarse IC. Esta pareja de datos se presenta grficamente, y as se consigue una curva caracterstica tensin-intensidad de IC en funcin de VC. Registrando muchas parejas de valores puede resultar una curva muy exacta. La siguiente curva de la familia se obtiene exactamente con el mismo procedimiento, pero con el nuevo valor de la intensidad de base. Las curvas de la figura 5-10 muestran algunas de las caractersticas importantes de los transistores de unin. Obsrvese que, en la mayor parte de las graficas, la tensin colector-emisor afecta muy poco a la corriente del emisor. Veamos la curva IB = 20A: en cuanto cambia la intensidad del colector entre 2 y 18 v? el aumento de tensin es de 9 veces la primera y la ley de Ohm nos dira que cabe esperar que la corriente aumenta 9 veces. As seria si el transistor fuera una resistencia simple. Pero en un transistor, la corriente de base afecta de modo fundamental a la corriente del colector. Si la tensin del colector es muy baja puede afectar a la corriente del colector. Es importante saber convertir las curvas en pareja de datos. Por ejemplo, Cul es el valor de IC, para VCE = 10v e IB = 20 A? Vayamos a la figura 5-10. Primero, ubiquemos 10 v sobre el eje horizontal. Desde ese punto se levanta una perpendicular al eje hasta llegar a la curva de 20A. ahora, desde ese punto se traza, hacia la izquierda, una perpendicular al eje vertical y sobre este se lee el valor IC. Obtendramos un valor de 3mA. Otro ejemplo: hallar IB para IE = 10A y VCE = 4v.

TECNOLOGIA Y TALLER DE ELECTRONICA II

95

IING. SERGIO A. VILLARREAL PEREZ

CBTIS 135

Esta pareja de datos define un punto sobre la curva de 80A; o sea, la respuesta el IB = 80A. puede que en muchas ocasiones sea necesario estimar una valor; por ejemplo Cunto vale la intensidad de base para VCE = 2v e IC = 4A? el punto que define esta pareja de valores cae completamente fuera y muy separado de las curvas de la familia. Pero esta a medio camino, ms o menos, entre la curva de 20A y la de 40A; as pues, 30A es una buena estimacin. Las curvas de la figura 5-10 facilitan informacin suficiente para calcular . Cunto vale de para VCE donde es igual a 8v e IC = 80A? lo primero es hallar la corriente de base. La pareja de valores definen un punto sobre la curva de 60A. as, podr calcularse

Calcular para VCE = 6v e IC = 14A. estos valores definen un punto sobre la curva IB=20A. para hallar ,

Estos clculos revelan otro hecho a cerca de los transistores, y es que no varia solo de un transistor a otro, sino que tambin varia con IC y VCE; mas adelante, veremos que la temperatura tambin le afecta. Es prctica comn representar los valores positivos hacia la derecha sobre el eje horizontal y hacia arriba sobre el vertical. Los valores negativos se llevan hacia la izquierda y hacia abajo. La representacin grafica de la familia de curvas de un transistor PNP puede ser como se muestra en la figura 5-12. En los transistores PNP la tensin del colector ha de ser negativa; por ello las curvas van hacia la izquierda. La corriente del colector va en sentido contrario respecto a los transistores NPN; por ello las curvas van hacia abajo. Muchas veces las curvas de los transistores PNP se dibujan hacia arriba y hacia la derecha; cualquiera de ambos mtodos sirve para representar las caractersticas del colector.

TECNOLOGIA Y TALLER DE ELECTRONICA II

96

IING. SERGIO A. VILLARREAL PEREZ

CBTIS 135

Algunos talleres y laboratorios estn equipados con un aparato llamado trazador, el cual dibuja las curvas caractersticas en tubo de rallos catdicos, o tubo de imagen. Esto es mucho ms cmodo que reunir un gran numero de parejas de datos y trazar la curva a mano. Los trazadores suelen presentar las curvas NPN en el primer cuadrante (como en la figura 5-10) y las curvas PNP en el tercer cuadrante como en la figura 5-12. La familia de curvas de colector puede utilizarse para representar la zona en que un transistor puede trabajar sin peligro. En la figura 5-13 se ilustra un ejemplo de ello. Ah se ha aadido una curva de potencia constante, que divide claramente cada curva en puntos de funcionamiento por debajo de los 7.5watt y por encima de los 7.5 w. as es fcil determinar las zonas de funcionamiento no peligrosas del transistor; por ejemplo, si la disipacin mxima admisible del transistor es de 7.5w, ningn punto de funcionamiento situado a la derecha de la curva de potencia ser no peligroso. Habitualmente la disipacin de un transistor se calcula para el circuito del colector. Se basa en la formula

Y, entonces la disipacin en el colector ser

Ahora podemos comprobar a la curva de potencia de la figura 5-13. Para VCE=4v, la curva de potencia nos da un punto que corresponde a un poco menos de 1.9 A para IC

Para VCE = 8v, la curva de potencia nos da un punto ligeramente por encima de 0.9 A para IC.

Todos los puntos de la curva de potencia representa un producto de 7.5 W. No es necesario tener en cuenta que los valores son negativos; simplemente ello indica que el transistor es de tipo P N P. si se emplearan los valores con sus signos negativos, los resultados serian los mismos ya que al multiplicar una tensin negativa por una intensidad negativa se obtienen un valor positivo de la potencia.

TECNOLOGIA Y TALLER DE ELECTRONICA II

97

IING. SERGIO A. VILLARREAL PEREZ

CBTIS 135

Si las curvas caractersticas del colector se amplan incluyendo tensiones mayores, podr representarse la disrupcin del colector. Con los diodos, los transistores tienen limitada la polarizacin inversa que puede admitir. Pero los transistores tienen dos uniones y, por ello, sus caractersticas de disrupcin se complican .En la figura 5-14 se representa una familia de curvas del colector cuyo eje horizontal se ha prolongado hasta 140 V .Si la tensin de colector crece mucho, comienza a intervenir en la corriente de colector, lo que generalmente es indeseable, ya que se supone que lo que gobierna la corriente de colector es la corriente de base. Por esta causa los transistores no suelen hacerse trabajar en la proximidad de sus tensiones nominales mximas. Como se ve en la figura 5-14, la disrupcin del colector no esta en un punto fijo como en el caso de los diodos, sino vara con la intensidad de la corriente de base; as para 15A, el punto de disrupcin esta en torno a 110 V y, 0A, aparece cerca de los 130V

TECNOLOGIA Y TALLER DE ELECTRONICA II

98

IING. SERGIO A. VILLARREAL PEREZ

CBTIS 135

La curva caractersticas de transferencia de la figura 5-15 es otro ejemplo de utilizacin de las curvas para representar las caractersticas elctricas de un transistor. Las curvas de este tipo se muestra el modo en que un terminal (base) afecta a otro (el colector); por eso se llama curvas de transferencia. Hemos dicho que la corriente de base gobierna la corriente de colector; en la figura 5-15 puede verse que a la corriente del colector tambin la gobierna la tensin base emisor. Esta es la razn por la cual la polarizacin base emisor establece la intensidad de la corriente de base.

As mismo, la figura 5-15 muestra una de las diferencias importantes entre los transistores de silicio y los de germanio. Al igual que los diodos, los transistores de germanio empiezan a conducir a una tensin mucho mas baja (0,2 V, aproximadamente). Los transistores de silicio empiezan a conducir cerca de 0,6 V. Es importante recordar estas tensiones, que permanecen razonablemente constantes y ayudan mucho a la hora de localizar averas en los circuitos de transistores; adems, permite determinar si un transistor es de silicio o de germanio. Los transistores de germanio ya no se usan tan profusamente como antes. En la mayora de los sistemas modernos se utilizan componentes de silicio. El germanio, empero, ofrece algunas ventajas en ciertas aplicaciones. En el germanio, la movilidad de los portadores es mejor, de lo que se saca partido en algunos transistores de alta frecuencia. En determinados transistores de gran potencia se emplean germanio, por que conduce mejor que el silicio. La baja tensin de puesta en conduccin del germanio es tambin una ventana en algunos circuitos. Los transistores de silicio son baratos y se comportan mejor bajo altas temperaturas, lo que son dos razones para que sean los preferidos en mayora de los casos. 6-4 ESPECIFICACION DE LOS TRANSISTORES Los fabricantes de componentes de estado slido editan hojas de especificaciones con las caractersticas mecnicas, trmicas y elctricas de los componentes que producen. Estas hojas de especificaciones se renen tambin en volmenes. Las hojas y volmenes de especificaciones son muy tiles para los tcnicos en electrnica, pero no siempre se dispone de ellos. Muchas veces podr emplearse una fuente de informacin menos detallada.

TECNOLOGIA Y TALLER DE ELECTRONICA II

99

IING. SERGIO A. VILLARREAL PEREZ

CBTIS 135

Para que los especialistas renan informacin acerca de un transistor particular se disponen de guas de equivalencias. Tales guas no son totalmente exactas, pero si proporcionan una idea general aceptable acerca del componente que interese. Otra buena fuente de informacin son los catlogos de repuestos. En la figura 5-16 tenemos un fragmento de una lista de transistores procedente de un catalogo. Los precios se han suprimido. Estas listas pueden incluir incluso algunos de los nmeros de componentes

no registrados. Obsrvese que, en el catalogo, se resea no poca informacin en cada numero de transistor. Por ejemplo, vemos que los transistores 2N5179 emplean cpsulas de tipo TO-72, que son transistores NPN de silicio para amplificadores de frecuencia ultra elevada (UHF), y que pueden disipar 0.2w, entre otros datos. Tales catlogos de componentes pueden conseguirse baratos, y a menudo gratis; conviene reunir una coleccin de ellos y conseguir los nuevos tan pronto se van publicando. En la figura 5-17 se muestra otro ejemplo de la informacin que puede encontrarse en las guas de equivalencia y catlogos de repuestos. Los transistores se fabrican en cpsulas de tipos diferentes, cuya caractersticas geomtricas pueden importar tanto como los detalles elctricos. En la figura 5-17 tenemos solo unas cuantas muestras de los muchos tipos de cpsulas empleados actualmente. Observase que el conocimiento de estos datos es tambin importante, ya que facilita la identificacin de los terminales de emisor, base y colector; esta informacin no suele hallarse en la cpsula. Al sustituir un transistor, lo mejor es disponer de un repuesto exacto, que seria un componente con el mismo numero que el origina. Cuando ello no sea posible, ser de gran ayuda una gua de equivalencias. En algunos casos crticos, el sustituto puede que no resulte adecuado, lo que puede pasar en menos del 10% de los casos. Para un tcnico, la situacin ms comprometida se presenta cuando no se puede encontrar el nmero de identificacin ni en ninguna de las guas disponibles, ni en el transistor original. En tales casos, es frecuente que puede emplearse un componente de tipo general.

TECNOLOGIA Y TALLER DE ELECTRONICA II

100

IING. SERGIO A. VILLARREAL PEREZ

CBTIS 135

Por ello es muy importante averiguar si el original es de silicio o de germanio, y si es NPN o PNP, ya que el sustituto ha de ser del mismo material y de la misma polaridad. Para adquirir una idea de las tensiones nominales que debe tener el nuevo transistor, se revisan las tensiones del circuito. Por supuesto, las caractersticas geomtricas deben ser similares. Finalmente al elegir un sustituto es de gran ayuda conocer las funciones del original. Las guas de equivalencias y los catlogos de repuestos suelen sealar los transistores como de tipo audio, muy alta frecuencia (VHF), de conmutacin, o en cualquier otra forma descriptiva.

TECNOLOGIA Y TALLER DE ELECTRONICA II

101

IING. SERGIO A. VILLARREAL PEREZ

CBTIS 135

6-5 COMPROBACION DE TRANSISTORES Un procedimiento para comprobar transistores es emplear un trazador de curvas. Esta tcnica se usa mucho en la industria electrnica. Cuando un transistor presenta unas curvas caractersticas normales, su estado es bueno. Con un trazador pueden detectarse fallos leves, que podran no presentarse con otros aparatos de comprobacin. Son muchos los tcnicos que no disponen de trazador, por lo que muchas veces se siguen otros procedimientos. En la industria se sigue a veces una tcnica consistente en colocar el transistor en un montaje especial o circuito de ensayo. Esta prueba es dinmica, ya que en ella el componente trabaja con tensin y seales autenticas. Este mtodo es muy valioso para comprobar transistores amplificadores de frecuencias muy elevadas y ultra elevadas (VHF y UHF). La prueba dinmica revela cuales son las ganancias de potencia y la cifra de ruido en condiciones reales. La cifra de ruido mide la aptitud de un transistor para amplificar seales dbiles. Algunos transistores pueden producir un ruido elctrico suficiente para enmascarar las seales dbiles; de estos transistores se dice que poseen una cifra de ruido deficiente. Como el trazado y la prueba dinmica son procedimientos ms bien limitados, en la mayora de los casos se precisa de otras tcnicas para comprobar transistores. Unos cuantos tipos de transistores pueden presentar una perdida paulatina de ganancia de potencia. Por ejemplo, en los amplificadores de potencia de radiofrecuencia (RF) pueden utilizarse transistores de capas superpuestas, los cuales pueden tener mas de 100 emisores independientes; estos transistores pueden sufrir cambios entre base y emisor capaces de rebajar la ganancia de potencia. Otra dificultad es la humedad del aire, que puede penetrar en la cpsula del transistor y alterarlo. En su mayor parte, los transistores se averan repentina y completamente. Ello cuando una o las dos uniones se cortocircuita, o cuando una conexin interna se rompe y afloja y se quema por una sobrecarga. Este tipo de averas se comprueban fcilmente. La mayora de los transistores defectuosos pueden identificarse con algunas verificaciones sencillas con el hmetro.

Un transistor en buen estado tiene dos uniones PN, las cuales pueden comprobarse con un hmetro. Como se indica en la figura 5-18, un transistor puede compararse a dos diodos con un ctodo comn, cuyo papel desempea la base. En la figura 5-19 se representa un transistor NPN como si se tratara de dos diodos con un nodo comn. Si compruebas con hmetro puede comprobarse que ambos diodos estn bien, el transistor seguramente estar bien.
TECNOLOGIA Y TALLER DE ELECTRONICA II

102

IING. SERGIO A. VILLARREAL PEREZ

CBTIS 135

El hmetro puede utilizarse bien para identificar la polaridad (NPN o PNP) de los transistores y sus terminales, los que puede ser muy til cuando no se dispone de especificaciones. En el caso de la mayora de los transistores, la escala del hmetro debe ponerse en R x 1. Los transistores de potencia se reconocen enseguida porque son grandes comparados con los transistores de pequeas seales.

Al comprobar un transistor, lo primero es conectar los cables del hmetro entre dos terminales del transistor, como se indica en la figura 5-20. Si la indicacin es de resistencia baja, es que los cables estn conectados en paralelo con uno de los diodos, o que el transistor esta cortocircuitado. Para decidir cual es el caso, se invierten los cables del hmetro. Si el diodo esta bien, el hmetro indicara una gran resistencia, como en la figura 5-21. Si casualmente se hace la conexin entre el emisor y el colector de un transistor en buen estado, el hmetro presentara resistencia elevada en ambos sentidos; la causa de ello es que en el circuito del aparato habr dos uniones. Analizando las figuras 5-18 y 5-19 se comprobara que cualquiera que sea la polaridad entre emisor y colector, uno de los diodos estar polarizado inversamente.

TECNOLOGIA Y TALLER DE ELECTRONICA II

103

IING. SERGIO A. VILLARREAL PEREZ

CBTIS 135

Una vez determinada la conexin emisor-colector, por eliminacin se habr identificada la base. Ahora se conecta el cable negativo del hmetro al terminal de base. Con el terminal del cable positivo se toca primero una de los terminales restantes, y luego el otro. Si la resistencia indicada es baja, el transistor es PNP. Si no, se conecta el cable positiva del hmetro al terminal de base. Con el terminal del cable negativo se toca, primero, uno de los dos terminales restantes y luego el otro. Si la resistencia indicada es baja, el transistor es NPN. Hasta aqu, sabremos identificar el terminal de base y la polaridad de un transistor. Ya podemos comprobar la ganancia e identificar los terminales de colector y emisor. Para ello solo se necesita una resistencia de 100000 y el hmetro. Pero si se esta verificando un transistor de potencia de germanio, se empleara una resistencia de 1000 y la escala R x 1 La resistencia sirve para dar al transistor una pequea corriente de base. Entonces, si la ganancia de intensidad es la correcta, la corriente del colector ser mucho mas intensa, y el hmetro indicara una resistencia muy inferior a 100000 , lo que provocar que el transistor puede dar ganancia de intensidad. Para esta comprobacin se conecta el hmetro entre el emisor y el colector, a la vez que la resistencia se conecta entre el colector y la base. En la figura 5-22 se representa el procedimiento correspondiente a un transistor NPN. Si no se aserto y se tiene el cable positivo unido al emisor y el negativo al colector, no se leer una resistencia baja. Reacurdese bien que, al verificar la ganancia en un transistor NPN, la resistencia debe conectarse entre el cable positivo y la base. La conexin correcta ser la combinacin emisor-colector que muestra la mayor ganancia (o sea, la menor resistencia). Cuando esto se consiga, los cables del hmetro identificarn al colector y al emisor, tal como se indica en la figura 5-22 para el caso de los transistores NPN. A causa de la baja resistencia leda, se estar en la seguridad de que el transistor tiene ganancia: dicha resistencia ser generalmente muy inferior a 100000 . Al verificar la ganancia de un transistor PNP la conexin que da la menor resistencia leda es la representada en la figura 5-23. Reacurdese que la resistencia ha de considerarse entre el cable negativo y la base, en el caso de los transistores PNP. La combinacin que muestra la mayor ganancia (o sea, la menor resistencia) es precisamente la de la figura 5-23.

TECNOLOGIA Y TALLER DE ELECTRONICA II

104

IING. SERGIO A. VILLARREAL PEREZ

CBTIS 135

Todo este proceso es mas difcil de escribir que de estructurar. Con algo de prctica, se hace rpida y fcilmente. El nico inconveniente de este procedimiento es que no puede emplearse con los transistores instalados en un circuito. A continuacin se resume el proceso: 1. Se emplea la escala R x100 de hmetro (R x 1 para los transistores de potencia de germanio) 2. Hallar los dos terminales que presentan alta resistencia al aplicarles una y otra polaridad. El tercer terminal ser la base. 3. Si el transistor es NPN, con el cable positivo unido a la base, debe encontrarse una baja resistencia en uno y otro de los terminales restantes. En los transistores PNP, ser el cable negativo el que haya de unirse a la base para obtener una resistencia baja. 4. Con el hmetro intercalado en la combinacin emisor-colector, se conecta la resistencia (100K , o 1K ) entre el cable positivo y el terminal de base, si el componente es NPN. Luego se invierte la combinacin emisor-colector. Cuando el cable positivo este unido al colector se obtendr la menor resistencia. 5. al comprobar un transistor PNP, la resistencia se conecta entre el cable negativo y la base. La combinacin correcta (o sea, de menor resistencia) corresponde al cable negativo unido al colector. El proceso se recuerda mejor y resulta menos confuso conociendo su funcionamiento. En la figura 5-24 se representa lo que sucede cuando se comprueba la ganancia de un transistor NPN. El cable positivo del hmetro esta unido directamente al colector, con lo que este se polariza inversamente, como debe ser. El cable positivo del hmetro esta conectado tambin a la base, aunque a travs de una gran resistencia; con lo cual, la base se polariza directamente, como debe ser. Sin embargo, la resistencia elevada mantiene muy baja la corriente de base. Entonces, si el transistor tiene ganancia, la corriente emisor-colector ser mayor. Esta corriente la suministra el hmetro, y este indica una resistencia baja a causa del aumento de corriente del emisor al colector.

TECNOLOGIA Y TALLER DE ELECTRONICA II

105

IING. SERGIO A. VILLARREAL PEREZ

CBTIS 135

Algunos hmetros tienen la polaridad al revs. Otros tienen una tensin de alimentacin muy reducida a fin de no poner en conduccin las uniones PN. Estas caractersticas del hmetro deben de conocerse antes de usarlo para comprobar un transistor. Los transistores presentan ciertas corrientes de fuga, debidas al efecto de los portadores minoritarios. Una de las corrientes de fuga se designa ICBO (la letra I significa intensidad de corriente, CB representa la unin colector-base, y O indica que el emisor esta abierto1) esta corriente es la que atraviesa la unin colector-base en condiciones de polarizacin inversa y con el terminal del emisor abierto. Otra corriente de fuga es ICEO. (I significa intensidad de corriente, CE representa la unin colector-emisor, y O indica que el terminal de base esta abierto.) Esta corriente de fuga es la ms intensa; es una forma amplificada de ICBO: ICEO = x ICBO Con el terminal de base abierto, toda corriente que se infiltre a travs de la unin colector-base polarizada inversamente producir sobre la unin base-emisor el mismo efecto que una corriente de base aplicada externamente. Con el terminal de base abierto, la corriente de fuga no puede seguir otro camino. Esta fuga la amplifica el transistor como cualquier corriente de base: IC = x IB Esta expresin es otra manera de escribir la definicin de vista anteriormente: = IC / IB En los transistores de silicio, las corrientes de fuga son muy dbiles. Cuando se hagan pruebas con hmetros, este debe indicar resistencia infinita cuando la polaridad de las uniones sea inversa; una lectura menor puede significar que el transistor tiene un defecto. Los transistores de germanio tienen unas corrientes de fuga mucho mas intensas, lo que posiblemente se manifieste en una resistencia inversa elevada, pero no infinita; esto se aparece claramente al comprobar entre los terminales de emisor y colector. Esto ltimo se debe a que ICEO es una versin ampliada de ICBO. Esta prueba se emplea mucho para predecir la diferencia entre un transistor de silicio y uno de germanio. Da resultado, pero reacurdese que un transistor de silicio con fuga puede confundirnos. Mediante medidas con un hmetro puede conseguirse no poca informacin, aunque por desgracia, el transistor debe separarse del circuito; existen comprobadores de transistores que hacen las medidas con el transistor instalado en su circuito. Dichos instrumentos son muy tiles ya que, casi siempre, los transistores estn soldados a la tarjeta del circuito y sacarlos requiere tiempo y pueden causar deterioros. Un comprobador de transistores en circuito para localizar averas en sistemas de estado salida. La comprobacin sobre circuito puede llevarse a cabo mediante otros procedimientos. Cuando un transistor falla, puede cambiar las tensiones en sus terminales y ello puede determinarse con un voltmetro. En otras pruebas sobre circuitos se empleo un
1

Open: en ingles abierto

TECNOLOGIA Y TALLER DE ELECTRONICA II

106

IING. SERGIO A. VILLARREAL PEREZ

CBTIS 135

osciloscopio para comprobar las seales entrada y salida del transistor (seguimiento de la seal); as, un transistor defectuoso puede tener seal de entrada y no dar seal de salida. Finalmente, la comprobacin sobre circuito puede efectuarse por inyeccin de seal. Para ello se aplica una seal de prueba procedente de un generador, si esta seal atraviesa el resto del circuito se aplica a la salida, pero no cuando se aplica a la entrada de un amplificador, es casi cierto de este tiene algn defecto. Resumiendo la prueba de transistores sobre circuito puede hacerse de cuatro maneras (existen tambin otras): 1. 2. 3. 4. Con un probador de transistores sobre circuito Con un voltmetro (examen de tensiones) Con un osciloscopio (seguimiento de seal) Con un generador de seal (inyeccin de seal)

Un tcnico competente a de seguir cualquiera o todos estos procedimientos. Segn determinadas condiciones, uno de ello puede resultar ms rpido y sencillo en una situacin dada. En captulos posteriores se tratara de exmenes de tensiones, el seguimiento de seal y la inyeccin de seal. 6-6 OTROS TIPOS DE TRANSISTOR Los transistores de unin bipolares se emplean en la mayora de los circuitos. No obstante, hay otro tipo de transistor cuyo uso se esta extendiendo cada vez mas y que se clasifican como componentes unipolares. Los transistores unipolares (o sea, de una sola polaridad) acta con un solo tipo de portaderas de corriente. Un ejemplo de transistor unipolar es el transistor de unin de efecto de campo, muy conocido por JFET2; en la figura 5-25 se representa la estructura de un JFET de canal N. Un JFET puede construirse de dos modos: el canal puede ser una sustancia N o una sustancia P. el smbolo de la figura 5-25 corresponde a un componente de canal N; en el smbolo de un componente de canal P, la flecha del terminal de compuerta se sealara hacia fuera. Reacurdese que una flecha apuntada hacia deNtro representa a un componente de canal. En los transistores de unin bipolares la condicin corre a cargo como de huecos como de electrones. En los JFET de canal N, solo participan electrones; en los JFET de canal P solo participan huecos. Los JFET trabajan en modo de empobrecimiento. Esto quiere decir que una tensin de mando aplicada en el terminal de compuerta puede empobrecer (extraer) de portadores el canal. Por ejemplo, normalmente, el transistor de la figura 5-25 conduce del terminal de fuente al de sumidero. El canal N contiene electrones libres suficientes para alimentar la corriente. Si la compuerta se hace negativa los electrones libres sern impulsados fuera del canal, ya que las cargas del mismo signo se repelen. Entonces, en el canal quedaran menos portadores y su resistencia se har mucho mayor, con lo que las corrientes de manantial y sumidero tendern a debilitarse. De hecho, si la compuerta se hace suficiente negativa puede que el componente deje de conducir.
2

Junction field-effect transistor

TECNOLOGIA Y TALLER DE ELECTRONICA II

107

IING. SERGIO A. VILLARREAL PEREZ

CBTIS 135

Examinemos las curvas de la figura 5-26. Obsrvese en ella que la corriente de sumidero (ID). Comparando este comportamiento con el de un transistor de unin bipolar: 1. Un transistor de unin bipolar no conduce (no hay corriente de colector) hasta que se le suministra corriente de base. 2. Un transistor de unin unipolar conduce (pasa corriente de sumidero) hasta que la tensin de compuerta se hace suficiente elevada para eliminar los portadores del canal. Estas diferencias son importantes. Los componentes bipolares estn gobernados por una corriente; los componentes unipolares, por una tensin. Normalmente, los transistores bipolares no conducen, los JFET, normalmente, conducen. Hay corriente de compuerta en un JFET? Comprobemos la figura 5-25. La compuerta es de tipo P. Para gobernar el paso de corriente la compuerta se hace negativa, con lo que el diodo compuerta-canal se polariza inversamente. Entonces, la corriente de compuerta se har nula (puede haber una corriente de fuga muy pequea). Hay, asimismo, JFET de canal P. en estos se emplea una sustancia P en el canal y una sustancia N en la compuerta. Esta se hace positiva para que repela los huecos existentes en el canal. Con ello, encontramos de nuevo que el diodo compuerta-canal se polariza inversamente y la corriente de compuerta ser nula. Como sus polaridades son contrarias, los JFET de canal N y de canal P no son intercambiables. Para funcionar, los transistores de efecto de campo (FET), tambin llamados transistores de campo, no requieren de corriente de compuerta. Esto significa que la estructura de la compuerta puede aislarse completamente del canal. As quedara bloqueada toda corriente de fuga debida a los portadores minoritarios. La compuerta puede ser metlica; el aislamiento utilizado es un oxido de silicio. Esta estructura es la representada en la figura 5-27, que corresponde a un transistor de campo de metal, oxido y semiconductor, mas conocido por MOSFET3. Los MOSFET pueden hacerse con canal P o con canal N. Aqu, tambin, una flecha apuntada hacia deNtro indica que el canal es de tipo N. Los primeros MOSFET eran componentes muy delicados, en los que el delgado aislante de xido resultaba daado por toda tensin excesiva. Inclusa la carga esttica de un operario podra perforar fcilmente el aislante de la compuerta. Aquellos componentes deban manejarse con gran cuidado. Sus terminales se cortocircuitaban entre si hasta que el componente se soldaba al circuito. Para realizar sin peligro medida en un circuito de MOSFET se necesitaban precauciones especiales. Aunque la mayora de los componentes MOSFET llevaban diodos incorporados para proteger el aislante da la compuerta; as, si la tensin de compuerta crece demasiado, los diodos se ponen en conduccin y descargan las tensiones sin otro riesgo. No obstante, numerosos fabricantes siguen aconsejando que los MOSFET se manejen con cuidado.

Metal oxide semiconductor field-effect transistor

TECNOLOGIA Y TALLER DE ELECTRONICA II

108

IING. SERGIO A. VILLARREAL PEREZ

CBTIS 135

En un MOSFET la tensin de compuerta puede ser de cualquier polaridad, ya que no interviene ninguna unin tipo diodo. Esto hace posible otro tipo de funcionamiento: en modo de enriquecimiento. Un componente en modo de enriquecimiento carece normalmente de canal conductor de la fuente al sumidero. Normalmente, no conduce. Una tensin de compuerta adecuada atraer portadores hacia la zona de compuerta y formara un canal conductor. O sea, el canal se enriquece (con ayuda de la tensin de compuerta). En la figura 5-28 se representan los smbolos correspondientes a los MOSFET en modo de enriquecimiento. Obsrvese que la lnea que une la fuente con el sumidero esta interrumpida; esto quiere decir que el canal no siempre esta presente. En la figura 5-29 se presenta la familia de curvas de un componente de canal N en modo de enriquecimiento. A medida que la compuerta se hace mas positiva, ms electrones son atrados hacia la regin del canal. Este enriquecimiento mejora la conduccin por el canal aumenta la corriente de sumidero. Los JFET no trabajan en modo de enriquecimiento, porque el diodo de compuerta se polarizara directamente y pasara una corriente de compuerta demasiado intensa. Todos los transistores de campo presentan ciertas ventajas frente a los bipolares, que los hacen preferibles para determinadas aplicaciones. Sus terminales de compuerta no requieren de corriente, lo que constituye algo muy interesante cuando se necesita un amplificador de gran resistencia de entrada. Esto se comprende enseguida recordando la ley de Ohm: Supongamos que V es una tensin aplicada a un amplificador e I la intensidad de corriente admitida por el mismo. En la formula cuando I disminuye, R aumenta. Esto significa que un amplificador que admita poca intensidad un de generador de seal, tendr una gran resistencia de entrada. Los transistores bipolares estn gobernados por la corriente; entonces un transistor bipolar deber admitir mucha mas corriente del generador de seal. Dado que R disminuye cuando I aumenta, los amplificadores bipolares tienen una resistencia de entrada reducida. El ltimo tipo de transistor que vamos a tratar es el transistor de uniunion, conocido por UJT4. Estos transistores no se emplean como amplificadores, sino como aplicaciones de mando y temporizacin. Su estructura la tenemos en la figura 5-30. Estos componentes poseen una estructura de silicio tipo N con una diminuta regin tipo P en el centro. Esto produce una unin PN (uni=uno). En la figura 5-31 se representa la curva caracterstica de un UJT. Esta curva presenta una zona nica llamada zona de resistencia negativa. Cuando un componente presenta un componente de tensin decreciente al aumentar la corriente, se dice que su resistencia es negativa. Segn la ley de Ohm, V =I R; as, si la corriente aumenta cabe esperar la cada de tensin tambin aumento. Si ocurre lo contrario es que la resistencia esta variando. Con algunos clculos, estos se explican fcilmente. Supongamos que vale 1 A la intensidad de la corriente que atraviesa un componente de resistencia de 10 . La cada de tensin ser

Uni junction transistor

TECNOLOGIA Y TALLER DE ELECTRONICA II

109

IING. SERGIO A. VILLARREAL PEREZ

CBTIS 135

Ahora, si la corriente aumenta hasta 2 A, podemos esperar que tambin aumente la cada de tensin Pero, si la resistencia baja a 2 , entonces

Hablando estrictamente, las resistencias negativas no existen. Se trata sencillamente de una propiedad que se atribuye a una familia de componentes que presentan una disminucin sbita de resistencia en algn punto de su curva caracterstica. Los UJT pertenecen a esta familia de resistencias negativas. Cuando la tensin del emisor alcanza cierto punto (VP en la curva de la figura 5-31), el diodo emisor se polariza directamente. Esto hace que los huecos crucen desde la regin P hacia el silicio tipo N. estos huecos se inyectan es la zona comprendida entre el emisor y base 1 del transistor. Los huecos inyectados mejoran grandemente la conductividad de la sustancia N. mayor conductividad significa mayor resistencia. A este sbito descenso de resistencia le acompaa un aumento de intensidad, que puede utilizarse para disparar o poner a conducir otros dispositivos. El punto de disparo (VP) es predecible, lo que hace a los UJT muy tiles en circuitos de temporizacin y mando. Se recordara que esos transistores no sirven como amplificadores.

TECNOLOGIA Y TALLER DE ELECTRONICA II

110