Tema 3.

Solidificacin, defectos y difusin en slidos

2. Defectos
a) b) c) Defectos puntuales Dislocaciones Defectos superficiales Generalidades Mecanismos de difusin Ritmo de difusin (1 Ley de Fick) Perfil de composicin (2 Ley de Fick)

3.

Difusin en slidos
a) b) c) d)

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ndice

Defectos puntuales (I)

Alteraciones o discontinuidades puntuales de la red cristalina provocadas por uno o varios tomos Origen: movimiento de tomos durante el calentamiento o el procesado del material, introduccin de impurezas o por aleacin Vacantes: un tomo falta de su sitio normal en la red cristalina
Origen: durante la solidificacin a alta temperatura o como consecuencia de los daos provocados por la radiacin (intencionados) Nmero de vacantes en la red:

Defectos intersticiales: un tomo adicional se inserta en una posicin habitualmente desocupada de la red cristalina
Los tomos intersticiales son mayores que los huecos intersticiales que ocupan y menores que los tomos reticulares que los rodean (distorsin de la red) Nmero: prcticamente constante con la temperatura
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Defectos puntuales (II)

Defecto substitucional: Substitucin de un tomo de la red cristalina por otro distinto
Si el defecto substitucional es mayor que los tomos normales la red se comprime, si es menor la red se expande (tensin) El nmero de defectos substitucionales no depende de la temperatura

Otros (combinaciones)
Defecto Frenkel: par de defectos (intersticial + vacante). En un cristal inico, un ion salta su sitio normal a un sitio intersticial dejando una vacante Defecto Schottky: par de defectos (vacante + vacante). En un cristal inico, faltan simultneamente un anin y un catin

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Defectos

Defectos puntuales (III)

Importancia de los defectos puntuales

Los defectos puntuales son alteraciones de la red ideal (distorsionan la red a lo largo de cientos de tomos). Una dislocacin que se propaga por el material ordenado encontrar cerca del defecto puntual una regin estructural desordenada. Para continuar su movimiento (y vencer al defecto), la dislocacin necesita un esfuerzo mayor. Se incrementa, por tanto, la resistencia mecnica del material
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Defectos de lnea (dislocaciones) I

Imperfecciones o irregularidades lineales en una red ideal o perfecta Origen: proceso de solidificacin o proceso de moldeado

Defecto en cua (borde o arista):

Se originan al introducir en el material un plano de tomos adicional El vector de Burgers es perpendicular a la dislocacin Distorsin de la red: los tomos contiguos al plano adicional estn comprimidos mientras que el resto est expandido

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Defectos

Defectos de lnea (dislocaciones) II

Helicoidal (o de tornillo):
Se originan cuando partes contiguas del material sufren esfuerzos cortantes paralelos pero de sentidos contrarios (cizalladura) El vector de Burgers es paralelo a la dislocacin Distorsin de la red: se forma un escaln segn la lnea de dislocacin

Mixtas

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Defectos

Defectos de lnea (dislocaciones) III

Deslizamiento de las dislocaciones
1) Al aplicar un esfuerzo cortante, la dislocacin existente puede romper los enlaces atmicos de los planos atmicos contiguos (en un sentido) Los planos con enlaces rotos se desplazan ligeramente y en sentido contrario para reestablecer sus enlaces atmicos con otros planos Esta recombinacin hace que la dislocacin se desplace por el material Finalmente el material queda deformado.

2)

3) 4)

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Defectos

Defectos de lnea (dislocaciones) IV

Factores determinantes en el deslizamiento de dislocaciones
1. 2. 3. Las direcciones de deslizamiento usuales son las direcciones compactas del material (distancia menor entre planos) Los planos de deslizamiento son los ms compactados posibles del material Los materiales con enlaces covalentes (muy intensos) impiden el deslizamiento de dislocaciones. Al aumentar el esfuerzo cortante se rompen (frgiles) antes que deformarse Los materiales inicos tambin ofrecen una alta resistencia al deslizamiento Fuertes enlaces inicos Repulsin electrosttica durante el deslizamiento Mayor longitud del vector de Burgers en estos materiales

4.

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Defectos

Defectos de lnea (dislocaciones) V

Importancia de las dislocaciones y su deslizamiento
1. 2. El deslizamiento de las dislocaciones explica por qu la resistencia mecnica de un metal es menor de lo esperable (enlace metlico) El deslizamiento proporciona ductilidad al material (facilidad de deformacin). De no existir la posibilidad de deslizamiento, el material sera frgil Controlar el movimiento de las dislocaciones (introducir impurezas, defectos, solidificacin, etc) permite controlar las propiedades mecnicas del material

3.

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Defectos

Defectos de superficie (I)

Fronteras superficiales, interfases o planos que separan un material en regiones de la misma estructura cristalina pero con distintas orientaciones cristalogrficas Superficie del material: los lmites del material
Discontinuidad abrupta de la estructura regular cristalina Zona de alteracin del nmero de coordinacin y del enlace atmico Si la superficie es rugosa, contaremos con irregularidades adicionales

Fronteras de grano: superficies que separan los distintos granos del material policristalino
Un grano es una porcin del material que contiene tomos con una disposicin atmica idntica. Sin embargo, cada grano tiene una orientacin cristalogrfica distinta. Las fronteras de grano son regiones donde existe desorden estructural (cambio de orientacin cristalogrfica). Algunos tomos estn ms comprimidos y otros ms alejados.
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Defectos de superficie (II)

Bordes de grano de ngulo pequeo: distribucin de dislocaciones que producen pequeas desviaciones en la orientacin cristalogrficas de las redes adyacentes
La distorsin es menor que en las fronteras de grano Borde inclinado (dislocacin de cua), borde torsionado (dislocacin de tornillo)

Defectos (irregularidades) de apilamiento: interrupcin o irregularidad en la secuencia de apilamiento de los planos compactos cristalinos Macla: pequea diferencia en la orientacin cristalogrfica de dos partes del interior de un grano
Dentro de un grano, la aplicacin de un esfuerzo cortante puede desplazar levemente los tomos a lo largo de la macla El resultado es una imagen especular de dos redes respecto del plano de la macla
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Defectos de superficie (III)

Importancia de los defectos de superficie
En todos los casos provocan irregularidades en la red cristalina del material y, por tanto, proporcionan puntos adicionales para fijar y detener el deslizamiento de las dislocaciones Aumentan la resistencia del material (particularmente las fronteras de grano)

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Defectos

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Generalidades
Difusin: movimiento de tomos en un material con el fin de eliminar las diferencias de concentracin y llegar a una composicin homognea y uniforme Ejemplos: aleaciones, tratamientos trmicos, conductividad trmica, transistores, etc Ritmo de difusin o movimiento atmico
Los tomos y tambin los defectos, se desplazan en el material dependiendo de su energa trmica (excitacin) y por tanto de su temperatura Las partculas que pueden difundirse son aquellas que a una determinada temperatura, T, tienen una energa mayor o igual que E*, esto es:

N = N 0 exp( E * / RT )

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Mecanismos de difusin (I)

Autodifusin: movimiento de tomos idnticos entre posiciones reticulares de la estructura cristalina del material (Au197 y Au198) Heterodifusin: distintos tomos intercambian sus posiciones en la red (soldadura de dos materiales Ni y Cu) Difusin por vacantes: un tomo abandona su posicin en la red para ocupar alguna vacante prxima y dejando una nueva.
Se crea una corriente de tomos y otra de vacantes en sentidos contrarios

Difusin intersticial: los tomos intersticiales se difunden a otros puntos intersticiales

Se crea una corriente de tomos y otra de puntos intersticiales vacantes en sentidos contrarios Este proceso de difusin es ms rpido y fcil que el debido a las vacantes pues los intersticios existen siempre (no se necesita una energa adicional para su creacin)
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Mecanismos de difusin (II)

Energa de activacin en la difusin Un tomo debe abrirse paso entre los tomos circundantes para su difusin a otro sitio. Este proceso requiere superar cierta barrera energtica (energa de activacin), E* Slo los tomos con una energa trmica mayor o igual a E* podrn difundirse de un punto a otro del material

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Ritmo de difusin (1 Ley de Fick)

Determina el flujo neto de tomos, J, que se difunden de una regin a otra dentro del material. Donde dc es la diferencia en la concentracin de tomos a lo largo de una distancia dx dentro del material, D es el coeficiente de difusin y dc/dx es el gradiente de concentracin. Segn la 1 ley de Fick, a una temperatura dada J es constante. En realidad J(T,t,.) y no es constante!
Objeciones - Con el tiempo, las concentraciones tienden a igualarse y J disminuye - D(T,t) - Otros factores

J = D

dc dx

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Perfil de composicin (2 Ley de Fick)

Determina la dependencia temporal y espacial de J y de la difusin de los tomos. Permite conocer la evolucin temporal del perfil o gradiente de concentracin de los tomos que se difunden en el material

d 2c dc = D 2 dt dx
Se asume que D = cte. En realidad, D(T)

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