ESCOLA POLITCNICA DE MINAS GERAIS

VITAL BRASIL.



ELETRONICA PARA O CURSO TECNICO MECATRONICA





FSICA DOS SEMICONDUTORES E DISPOSITIVOS.




PRIMEIRO BIMESTRE




PROF. CENILIO
2


POLIMIG
VITAL BRASIL
01 de janeiro
2011
Materiais semicondutores trs tipos ametais de
caractersticas isolantes, metais bons conduto-
res de eletricidade e os semimetais semicondu-
tores. Os dispositivos eletrnicos modernos
diodos transistores e circuitos integrados Es-
tes elementos especiais, chamados de semi-
condutores, especialmente o germnio e o sil-
cio. Como o nome sugere, um semicondutor
no um bom condutor de corrente eltrica
nem um isolante. Contudo, no a capacidade
de conduzir ou de isolar uma corrente que torna
os semicondutores to teis.
FSICA DOS SEMICONDU-
TORES E DISPOSITIVOS.
3

INTRODUO

Materiais semicondutores
Os elementos qumicos se dividem logicamente em trs tipos ametais de caractersticas
isolantes, metais bons condutores de eletricidade e os semimetais de caractersticas
intermediarias. Ou seja, semicondutores
Os dispositivos eletrnicos modernos diodos transistores e circuitos integrados Estes
elementos especiais, chamados de semicondutores, especialmente o germnio e o silcio.
Como o nome sugere, um semicondutor no um bom condutor de corrente eltrica nem
um isolante. Contudo, no a capacidade de conduzir ou de isolar uma corrente que tor-
na os semicondutores to teis. Em vez disso, a capacidade de formar cristais com pro-
priedades eltricas especiais que os torna to valiosos.
O material silcio o elemento mais utilizado e a seguir vem o germnio.
Para entendermos estes elementos vamos recorrer a teoria eletrnica dos semiconduto-
res

Constituio da matria

As substncias encontradas na natureza sejam das slidas liquidas ou gasosas, so
constitudas por um aglomerado de minsculas partculas chamadas molculas.
A molcula e a menor parte em que pode se dividir a matria sem sofrer alteraes.
Se dividir a molcula, encontra se o tomo que no mais conserva as propriedades da
matria.
Voc j sabe alguma coisa sobre tomos, eltrons prtons e nutrons.
Est seo ampliar ainda mais seu conhecimento.
Voc ver como os tomos de silcio se combinam para formar novos cristais (esqueleto
dos dispositivos semicondutores).
TOMO
O tomo a menor partcula que compe a molcula.
O tomo composto de eltrons, prton e nutron (prtons e nutrons compem o ncleo
do tomo).



Prtons positivos.
Eltrons negativos.
Os eltrons apresentam em nveis de energia a partir do ncleo em sete camadas Sendo
que o nmero mximo de eltrons por camada :

4

De acordo com a teoria do octeto, os elementos adquirem estabilidade qumica ao assu-
mirem a configurao de u gs nobre, isto ; 8 eltrons na camada de Valencia.
A ltima camada tambm chamada camada de valncia tem 08 eltrons quando comple-
ta.
nicos elementos que possuem esta camada completa so os gases nobres
O tomo considerado estvel quando apresenta esta camada completa.

Ligaes Qumicas

A maneira pela qual os tomos se unem para formar a molcula recebe o nome de liga-
o.
Um tomo poder receber ou ceder eltrons.
Quando ganha um ou mais eltrons fica negativo on negativo
Quando doa fica um tomo positivo

Tipos de ligaes Qumicas.

Valncia
Covalncia quando os tomos usam em sociedade
seus eltrons

Eletro valncia os tomos doa definitivamente um el-
tron ao vizinho.
Cristal = Substncia pura

CONDUTORES


Condutores so elementos que possuem eltrons
livres em grande quantidade dentro da sua estrutura e se
locomove com a aplicao de um potencial externo. (cobre
ouro alumnio), metais em geral. A estrutura atmica dos
condutores permite que os eltrons da ltima camada movimentem-se facilmente com um
mnimo de oposio. Em geral os bons condutores possuem apenas 1 eltron na ltima
rbita ou camada de valncia



ISOLANTES.

Isolantes so elementos onde os eltrons esto presos em suas ligaes, mesmo com a
aplicao de um potencial eltrico no se locomove Um material cujos tomos tendem a
permanecer em suas camadas de valncia so denominados isolantes porque no podem
5

conduzir corrente eltrica com facilidade. No entanto, os isolantes so capazes de arma-
zenar eletricidade melhor do que os condutores.

Materiais como mica, vidro, borracha, papel, etc. so tambm denominados diel-
tricos, muito utilizados na fabricao de capacitores. Desta forma, os isolantes so muito
teis quando se deseja bloquear a passagem de corrente.

SEMICONDUTORES
Os semicondutores sem qualquer sombra de dvida revolucionaram a tecnologia dos cir-
cuitos eletrnicos, por se tratarem de dispositivos de pequenas dimenses aliadas a uma
operao eficiente e confivel.

So elementos cuja resistncia situa-se entre a dos condutores e a dos isolantes. (silcio
(si) germnio. (ge)). Os semicondutores sem qualquer sombra de dvida revolucionaram
a tecnologia dos circuitos eletrnicos, por se tratarem de dispositivos de pequenas dimen-
ses aliadas a uma operao eficiente e confivel.

O silcio em estado puro apresenta sob forma cristalina, significando que seus tomos
acham-se dispostos uniformemente em uma configurao peridica.
A tabela a seguir mostra alguns tipos de condutores e semicondutores.


GRUPO

ELEMENTO

SMBO-
LO
N A-
TMICO
ELTRON
DE VALN-
CIA
Metais
conduto-
res, em
ordem de
condutn-
cia
Prata
Cobre
Ouro
Alumnio
Ferro
Ag
Cu
Au
Al
Fe
47
29
79
13
26
+1
+1
+1
+3
+2
Semicon-
dutores
Carbono
Silcio
Germnio
C
Si
Ge
6
14
32
4
4
4
Gases ati-
vos
Hidrognio
Oxignio
H
O
1
8
1
-2
Gases i-
nertes
Hlio
Neon
He
Ne
2
10
0
0

ADENDO 1
UNIDADES DAS GRANDEZAS FUNDAMENTAIS.

GRANDEZA UNIDADE FUNDAMEN-
TAL
SMBOLO
Comprimento Metro M
Massa Quilograma Kg
6

Tempo Segundo S
Corrente eltrica Ampre A
temperatura Kelvin K
Termodinmica
Intensidade luminosa Candela cd
Quantidade de matria Mol mol

GRANDEZA UNIDADE FUNDAMEN-
TAL
SIMBOLO
ngulo plano Radiano Rad
ngulo slido Esfereorradiano sr


Outras unidades usuais podem ser deduzidas apartir de unidades fundamentais e das
unidades suplementares (O Coulomb deduzido das fundamentais segundo e amp-
re)

GRANDEZA UNIDADE SIMBOLO
Energia Joule J
Fora Newton N
Potencia Watt W
Carga eltrica Coulomb C
Tenso eltrica Volt V
Condutncia eltrica Siemens S
Indutncia eltrica Henry H
Freqncia Hertz Hz
Fluxo magntico Weber Wb
Densidade de fluxo magntico. Tesla T
Resistncia eltrica OHM
O

Prefixo smbolo valor potencia 10

hexa
Peta
tera
giga
mega
kilo
hecto

E
P
T
G
M
K
h

100 000 000 000 000 000
1 00 000 000 000 000
1000 000 000 000
1000 000 000
1 000 000
1 000
100

10
18
10
15
10
12
10
9
10
6

10
3

10
2
7

deca
deci
centi
mili
micro
nano
pico
fento
atto
da
d
c
m
u
n
p
f
a
10
0,1
0,01
0.001
0.000 001
0.000 000 001
0,000 000 000 001
0.000000000000001
10
1
10
-1
10
-2
10
-3

10
-6

10
-9

10
-12
10
-15
10
-18



POTNCIA DE 10

J vimos que freqentemente necessrio converter uma unidade de medida
em outra unidade que pode ser maior ou menor.
Muitas vezes nos referimos s potncias de 10 como notao de Engenheiro.
Regra 1. Para escrever um n maior que 1 na forma de um n pequeno, vezes uma
potencia 10, deslocam a vrgula para a esquerda tantos algarismos desejados. A se-
guir multiplica o n pr 10 elevado a uma potncia igual ao nmero de casas deslo-
cadas.
Ex 3,000 = 3000, (A vrgula deslocada trs casas para a esquerda)
= 3 x 10
3
(Portanto, a potncia ou o expoente 3)

6,500 = 65,00 (A vrgula deslocada duas casas para a esquerda)
= 65 x 10
2
(Portanto, o expoente 2)
880,000 = 88,0000 (A vrgula deslocada quatro casas para a esquerda)
= 88 x 10
4
(Isto , o expoente 4)
42,56 = 4,256 (A vrgula deslocada uma casa para a esquerda)
= 4,256 x 10 (Portanto, o expoente 1)

Regra 2 Para converter ns menor do que 1 com um n inteiro vezes uma potncia de
10 desloca-se vrgula para a direita. A seguir multiplica-se o n pr 10 e elevado a
uma potncia negativa.
Ex 0,006 = 0006, (A vrgula deslocada trs casas para a direita)
= 6 x 10
-3
(Portanto, a potncia ou o expoente 3)

0,435 = 04,35 (A vrgula deslocada uma casa para a direita)
= 4,35 x 10
-1
(Portanto, o expoente 1)

0,00092 = 000092, (A vrgula deslocada cinco casas para a direita)
= 92 x 10
-5
(Isto , o expoente 5)

8


Regra 3 Para converter um n expresso em potncia positiva de 10, em um n deci-
mal desloca-se casa decimal para a direita tantas casas ou posies igual ao valor do
expoente.
Ex 0,615 x 10
3
= 0615, (O expoente 3. Portanto, desloca-se a vrgula trs
casas para direita)
= 615

0,615 x 10
6
= 0615000 (Desloca-se a vrgula trs casas para a direita)
= 615000

0,0049 x 10
3
= 0004,9 (Desloca-se a vrgula trs casas para direita)
= 4,9

84 x 10
2
= 8400, (Desloca-se a vrgula duas casas para direita)
= 8400


Regra 4 Para converter um n expresso em potencial negativa de 10 num n inteiro
decimal, desloca-se vrgula para a esquerda tantas casas o valor do expoente.
Ex 70 x 10
-3
= 0,070 (O expoente 3. Portanto, desloca-se a vrgula trs casas
para esquerda)
= 0,07

82,4 x 10
-2
= 0,824 (Desloca-se a vrgula seis casas para a esquerda)
= 0,824

60000 x 10
-6
= 0,060000 (Desloca-se a vrgula seis casas para a esquerda)
= 0,06

0,5 x 10
-3
= 0,0005 (Desloca-se a vrgula trs casas para esquerda)
= 0,0005

Regra 5 Para multiplicar dois n expressos em potncia de 10 multiplica-se os coefi-
cientes e somam-se os expoentes.
Ex 10
2
x 10
4
= 10
2+4
= 10
6


10
-1
x 10
4
= 10
-1+4
= 10
3


(40 x 10
4
)(25 x 10
2
) = 40 x 25 x 10
3
x 10
2
(40 x 25 = 10000 e 2 + 3 =
5)
logo temos: = 1000 x 10
5
(mas 1000 = 10
3
)
9

= 10
3
x 10
5

= 10
8


(2 x 10
-2
)(50 x 10
2
) = 2 x 50 x 10
-2
x 10
2

= 100 x 10
0
(mas 100 = 10
2
)
= 10
2
x 1
= 10
2

(3 x 10
-4
)(6 x 10
6
) = 3 x 6 x 10
-4
x 10
6

= 18 x 10
2


Regra 6 Para dividir usa-se a formula.
1/10
n
= 1x10
-n
onde n, o valor do expoente.
Podemos assim mover qualquer potncia de 10 do numerador para o denominador ou
vice-versa simplesmente mudando-se o sinal do expoente.
150 10 15
10
15
1
1
= =

x 15 , 0 10 1500
10
1500
4
4
= =

x

15000 10 15
10
15
3
3
= =

x 100 10 0 , 1
10
4 25 , 0
2
2
= =

x
x



ELETRICIDADE
O homem consegue, hoje dominar perfeitamente a eletricidade. Consegue ger-
la em grandes quantidades transport-la atravs de fios ou cabos por distncias enor-
mes.
Usamos a eletricidade em uma grande quantidade de aplicaes sem nos preocupar-
mos com sua natureza ou origem.
Mas o que eletricidade?
Todo o efeito da eletricidade est em uma partcula minscula chamada el-
tron. O Eltron a unidade de carga eltrica.
Para lhe dar uma idia melhor do que um eltron teremos que recorrer a teo-
ria eletrnica.

MATRIA E SUBSTNCIA.
A matria algo que possui massa e ocupa lugar no espao tudo aquilo que constitui
todos os corpos e pode ser percebido por qualquer um dos nossos sentidos.
A ela se relaciona com uma variedade grande de coisas. Cada tipo particular de mat-
ria uma substncia. E, portanto, existem milhares de substncias diferentes.

10

MOLCULAS E TOMOS.

Qualquer substncia formada por partculas muitssimas pequenas e invis-
veis chamadas molculas.
A molcula a menor parte em que se pode dividir uma substncia, e que apresenta
toda a caracterstica da mesma.
As molculas so constitudas de tomos. O numero de tomos que compem uma
molcula varia de acordo com a substncia.

Estrutura de um tomo.


















Fig. 1-11

Um tomo constitudo de partculas subatmicas(eltrons,prtons e nutrons) um
ncleo central, que contm prtons e nutrons e em torno giram os eltrons.

13 P
K
L
M 2
8
3
3 eltrons numa camada in-
completa de 18 eltrons.
Camada eletrnica completa
Camada eletrnica completa
11

Os tomos de uma molcula podem ser iguais ou no, se iguais, uma molcula
simples.
Ex. (ferro cobre alumnio).
Quando diferentes, uma substncia composta.
Ex. (gua, cidos).
Atualmente so conhecidos mais de 103 tomos diferentes.
Para nosso estudo inicial, importante que no esqueam:
O prton tem carga positiva
Eltron tem carga negativa.
Nutron no tem carga.


ESTRUTURA DO CRISTAL
A figura abaixo ilustra um bloco de silcio onde seus tomos esto ligados em co-
valncia de tal forma a formar uma trelia cristalina pura, compartilhando seus eltrons
de valncia.



Cada rbita possui um nmero mximo de eltrons, determinando assim as caractersticas do elemento.

A tabela abaixo mostra as rbitas de um tomo e a quantidade mxima de eltrons
por rbita.

RBITA OU
CAMADA
N MXIMO DE EL-
TRONS
K 2
L 8
M 8 ou 18
N 8, 18 ou 32
O 8 ou 18
P 8 ou 18
Q 8

Pode se notar que ambos possuem em sua camada de valncia quatro eltrons.

tomos com 8 eltrons na ltima camada apresentam uma
configurao estvel, isto , no tendem a doar e nem re-
ceber eltrons a no ser em condies especiais como
calor, luz, campo eltrico, etc
RESUMINDO:
12

tomos estveis: so tomos com a ltima camada saturada;
tomo quimicamente ativo: so tomos que no possuem a ltima camada saturada;
Eltrons de valncia: so os eltrons da ltima camada ou rbita de um tomo;
Eltrons livres: so os eltrons que participam da corrente eletrnica.

NVEIS DE ENERGIA
Voc precisa imaginar que um eltron pode percorrer uma rbita de qualquer raio, desde
que sua velocidade tenha valor certo. Por outro lado, a Fsica Moderna afirma que so-
mente certas dimenses de rbitas so permitidas.
Lacunas.
Os eltrons livres so capazes de produzir correntes altas. Com a aplicao de uma e-
nergia externa a um cristal, fora os eltrons a deslocar-se deixando uma lacuna. Ou se-
ja,quando um Eltron elevado para um nvel de energia mais alto deixa uma lacuna.

RECOMBINAO.
O desaparecimento de um eltron livre e de uma lacuna chamado de recombinao a-
contece sempre no semicondutor

DOPAGEM

o processo para introduzir tomos de Impurezas em um cristal puro de Silcio (Si) ou
Germnio (Ge) para aumentar tanto o numera de eltrons como de lacunas. A finalidade
da dopagem aumentar a quantidade de cargas livres (positivas ou negativas), que po-
dem mover-se mediante uma tenso externa O processo de dopagem em um cristal in-
trnseco cria no mesmo cargas livres (eltrons ou lacunas), dependendo do tipo de impu-
reza usada no processo; aps a dopagem o cristal intrnseco recebe o nome de cristal
extrnseco.

No processo de dopagem so utilizadas impurezas do tipo trivalente e pentavalen-
te; as impurezas trivalentes possuem 3 eltrons de valncia e as pentavalentes 5 eltrons
de valncia.

IMPUREZAS
Entende-se por impureza todo elemento que no seja Si ou Ge (alumnio Borio, etc.)
Quando o cristal puro chamado de semicondutor Intrnseco
Quando dopado Semicondutor Extrnseco.


ELEMENTOS TRIVALENTES
Entende por trivalente todo elemento que possui trs eltrons na sua ultima camada de
valncia. diminuindo o nmero de eltrons livres o semicondutor torna-se do tipo P Desta
forma no semicondutor dopado do tipo P prevalecem as cargas positivas.





13



FORMAO DOS ELEMENTOS DO TIPO N e P.
Formao do elemento do tipo P
Para formao do material do tipo P, adicionada
uma impureza trivalente no material de Si ou de Ge
deixando-os com falta de eltrons tornando-os posi-
tivos.(alumnio).



FORMAO DO ELEMENTO DO TIPO
N.
ELEMENTOS PENTAVALENTES.

Entende-se por pentavalente todo ele-
mento que possui cinco eltrons em sua
ultima camada ds valncia
O processo semelhante ao anterior me-
nos na impureza que deve ser pentava-
lente (fsforo), se no Si ou no Ge for introduzida uma impureza pentavalente a formao
de um cristal tipo N pode ser visualizada conforme a figura ao lado.
Os elementos que atravs do processo de dopagem fornecem eltrons so denominados
doadores.
Os elementos que atravs do processo de dopagem da origem a lacunas so chamados
receptores.
Quando o nmero de eltrons livres (cargas negativas) aumentado, o semicondutor do
tipo negativo ou tipo N
Desta forma no semicondutor dopado do tipo N prevalecem as cargas negativas
Todo material cujo processo de dopagem da origem a formao de eltrons excedentes
denomina-se material tipo n.
Ao material cujo processo de dopagem resulta na formao de lacunas denomina-se ma-
terial tipo p.
Nos condutores com o aumento da temperatura teremos um movimento desordenado de
eltrons > resistncia.
CARACTERSTICAS DO SEMICONDUTOR

Nos semicondutores teremos < (menor) resistncia devido s impurezas.
a) resistncia maior do que dos condutores metlicos, porm menor do que isolantes;
b) coeficiente negativo, isto , a resistncia diminui com o aumento da temperatura;
c) a valncia dos tomos que constituem esses semicondutores 4; isto significa que
a ltima camada desses tomos possui 4 eltrons.



JUNO P N.
14

Se unirmos substancia do tipo p e n de maneira a fazer um nico cristal esta combinao
ser chamada de juno PN.
Os elementos tipo n (eltrons) sero denominados de portadores majoritrios do lado n.
Os elementos do tipo P (lacunas) sero os portadores majoritrios do lado p.

DIFUSO DE CARGA.
Difuso de carga pode ser entendido como sendo a distribuio regular e homognea
dos tomos de uma impureza atravs dos cristais puros. Um semicondutor dopado ainda
possui resistncia. Chamamos a esta resistncia de resistncia de corpo. Um semicondu-
tor levemente dopado possui uma resistncia de corpo alta. medida que a dopagem
aumenta a resistncia de corpo diminui. A resistncia de corpo tambm chamada de
resistncia hmica porque obedece a lei de ohm.
PORTADORES MAJORITRIOS E MINORITRIOS
Em um cristal dopado os portadores majoritrios ocorrem devido a adio de impu-
rezas, enquanto que os portadores minoritrios so provenientes da quebra das ligaes
covalentes, principalmente quando ocorre elevao da temperatura.
TIPO DE
CRISTAL
PORTADORES MA-
JORITRIOS
PORTADORES MINORI-
TRIOS
P Lacunas Eltrons
N Eltrons Lacunas

O aumento da temperatura provoca a quebra de mais ligaes covalentes, aumentando a
quantidade de portadores minoritrios cujo fluxo contrrio ao dos portadores majorit-
rios, que neste caso ir interferir no fluxo dos portadores majoritrios.
JUNO PN - DIODO DE JUNO
Ao se combinar um cristal do tipo P com um cristal do tipo N obtm-se um diodo.




DIODO NO POLARIZADO.
possvel produzir um Cristal metade do tipo p e metade do tipo n.
Juno onde as duas regies p e n se encontram.
Um cristal PN comumente conhecido como diodo.

15


CAMADA DE DEPLEO. ANLISE DE UMA JUN-
O PN.
Ao analisar uma juno encontramos trs situaes
diferentes.
1. No polarizao
2. Com polarizao direta
3. Com polarizao reversa.




Do lado n com o acumulo de material n apresenta um grande n de Eltrons.
Do lado p apresenta um grande n de lacunas. Com o deslocamento de eltrons de n para
p e lacunas de p para n haver uma recombinao na rea de difuso.
Com o acumulo de on positivo de um lado e de on negativo do outro cria uma barreira de
potencial (ddp) na juno.



O valor desta barreira em torno de 0,7v para o
Silcio e de 0,3v para o germnio. A temperatura
ambiente.
Id = corrente direta.

POLARIZAO DIRETA(Vd > 0)

A juno acha-se diretamente polarizada nesta
situao temos:
Uma alta corrente direta (Id) porque o plo negati-
vo repele os eltrons, medida que o eltron en-
contra uma lacuna torna um eltron de valncia e
escoa pelo plo positivo da bateria.
- Depois de sair do terminal negativo da bateria ele entra pela extremidade direita do cris-
tal.
-
Percorre a regio n como eltron livre.
- Prximo juno recombina-se, torna se um
eltron de valncia.

-Passa pela regio p como eltron de Valencia.
-Depois de sair pelo terminal esquerdo do cristal ele
segue para o terminal positivo da fonte ou bateria.
A barreira de potencial diminui. (cce).

Na polarizao direta a resistncia interna do diodo (juno) assume um valor extrema-
mente baixo e o diodo comporta-se como uma chave eletrnica fechada
16

a) os eltrons livres do cristal N so impelidos juno pelo plo negativo da bateria;

b) as lacunas do cristal P so impelidos juno pelo plo positivo da bateria;

c) na juno ocorre ento a combinao dos portadores;

d) para cada lacuna do cristal P que se combinar com um eltron do cristal N, um
eltron de uma unio das proximidades do terminal positivo da bateria deixa o cristal e
penetra no polo positivo da bateria, originando uma lacuna que tambm impelida jun-
o;

e) simultaneamente um novo eltron penetra no cristal N atravs do terminal nega-
tivo da bateria e se difunde at a juno; como resultado, a regio de transio torna-se
significativamente mais estreita;

f) com o aumento da tenso externa gradualmente vencida a barreira de potenci-
al e a corrente aumenta; uma vez vencida a barreira de potencial a corrente aumenta
bruscamente;

g) essa corrente e denominada corrente direta (I
D
)

e seu sentido do cristal N para
o cristal P (sentido real), ou seja, do catodo para o anodo.





POLARIZAO REVERSA (V
D
<0) Se um potencial externo
de V volt, aplicado atravs da juno p-n tal que o material
positivo conectado ao material tipo n e o terminal negativo
ligado ao material tipo p, conforme a figura abaixo. Tere-
mos um aumento dos eltrons no lado n e de lacunas no
lado p, fazendo com que a barreira de potencial aumente.

- Na polarizao reversa teremos:





- Aumento da barreira de depleo
- Diminuio dos elementos majoritrios de carga atravs da juno.
- Aumento dos portadores minoritrios que ira de negativo para positivo.
- A juno polarizada reversamente apresenta uma Z(impedncia) muito alta.
- Surgimento da corrente sob polarizao reversa chamada de corrente de satura-
o reversa e representada por Is.

- A corrente Is raramente maior do que poucos microamperes.

17

- A corrente Is dobra de valor a cada 10

graus de temperatura.
- Ex. se tem 5mA a 25

ser de 10mA a 35

.
- Is muito menor no diodo de Si, do que no diodo de germnio
-
Na polarizao reversa a resistncia interna do diodo assume valores elevadssimos e o
mesmo comporta-se como uma chave eletrnica aberta

TENSO DE RUPTURA.
a tenso mxima aplicada reversamente ao diodo. No h um padro para representar
a tenso de ruptura.
Temos alguns.
V(Br)= tenso de ruptura
Bv =tenso de ruptura
PRV= tenso rever de pico.
PIV =tenso inversa de pico
VRWM= tenso reversa mxima de trabalho
VRM =tenso reversa mxima.
CURVA CARACTERSTICA DE UM DIODO DE JUNO DE SILCIO


I
D
= corrente direta
I
R
= corrente reversa
V
D
= tenso direta
V
R
= tenso reversa

SMBOLO DE UM DIODO

GRFICO DO DIODO.
18


Ao aplicar uma tenso direta em um diodo este no conduz intensamente at esta tenso
no ultrapasse a barreira de potencial
A corrente pequena para os 1 dcimos de tenso.
Ao aproximar de 0,7v para o silcio ou 0,3v para o germnio, os eltrons livres e as lacu-
nas comeam a atravessar a barreira de potencial em grandes quantidades.
A tenso na qual a corrente I comea a aumentar rapidamente chama tenso de joelho.

Curva do diodo.
Na regio de ruptura tambm conhecida como regio zener (Vz) onde o diodo pode ser
destrudo com o aumento de uma tenso reversa.

ESPECIFICAO DE POTNCIA.
Os limites mximos indicam a carga qual o diodo pode ser submetido. So valores per-
missveis de grandezas eltricas que no devem ser excedidos individualmente ou simul-
taneamente.
Um diodo um condutor de uma nica direo.Para destru-lo basta:
- Aumentar sua tenso reversa.
- Aumentar sua potncia.
so definidas duas classes de diodos.
- Diodos para pequenos sinais
- Diodos para retificao.



NVEIS DE RESISTNCIA DO DIODO.
medida que o ponto de operao de um diodo move-se de uma regio para outra, a
resistncia do diodo tambm ser alterada devido forma no-linear da curva caracters-
tica.

RESISTNCIA DC. OU ESTTICA
RD
VD
RD =
Os nveis de resistncia DC no joelho e abaixo deste
sero maiores do que os nveis de resistncia obtidos
para a regio de aumento vertical da curva.

19

Pela lei de ohm temos que a corrente atravs de um resistor comum proporcional ten-
so aplicada ao resistor. Isto quer dizer que para um resistor, o grfico da corrente versus
tenso linear.
Ex.1 determine os nveis de resistncia dc para o diodo com as seguintes caractersticas.
Id=2mA, 20mA ,1uA
Vd= -10V, 0,5V, 0,8V
Faa o grfico.

A RESISTNCIA AC OU DINMICA (R
D
)
A resistncia rd calculada pela seguinte formula.

Id
mV
Id
Vd
Rd
26
= =

LINHAS DE CARGA OU RETA DE CARGA.
uma ferramenta utilizada para determinar o valor exato da corrente e da tenso do dio-
do.

Equao para a reta de carga em um diodo.
Determinar a tenso e a corrente exata do diodo da figura abaixo.

Neste circuito temos uma fonte Vs ligada em srie com um resistor limitador de
corrente Rs polarizando diretamente o diodo.
Onde temos:
Vs= tenso da fonte ou bateria
V = tenso do diodo 0,3v para o diodo de germnio e 0,7v para o diodo de silcio.
Rs= resistor limitador de corrente
A diferena de potencial (ddp) atravs do resistor Vs -V, e a corrente
Rs
V Vs
I

=
Pelo fato do circuito da figura ser se- rie, a corrente
a mesma atravs de todo circuito.
Exemplo.
Determine o valor da corrente I.
dados. Vs=2V Rs=100O diodo de silcio.
100
7 , 0 2 V V
Rs
V Vs
I

= mA I 20 =
20

A representao deste ponto (I=20ma,V=0) d o ponto no eixo vertical do grfico este
ponto chamado saturao porque ele representa a corrente mxima. Para determinar
outro ponto basta substituir os valores de V.

PONTO Q
Referimo-nos ao ponto Q como o ponto de operao
porque ele representa a corrente atravs do resistor do
diodo.
Fazendo a leitura das coordenadas do ponto Q temos
para uma tenso V= 0,75v uma corrente do diodo de a-
proximadamente de 12,5mA.
Para v = o temos que a corrente do diodo mxima e
este esta na saturao.
Par V=Vs a corrente I=0V e o diodo esta no corte.
Obs. Uma forma de se lembrar dos extremos da linha de carga o seguinte:
- Fazer V igual a zero ou colocar o diodo em curto circuito e determinar a corrente do
diodo que ser Vs/Rs, esta ser a corrente de saturao, no extremo superior da reta
de carga.
- Da mesma forma, fazer I igual a zero equivale abrir o diodo e determinar qual o valor
da tenso atravs do diodo a tenso do diodo ser igual tenso aplicada (Vs).


- DIODO IDEAL
- O que um diodo faz? Ele conduz muito bem quando polarizado diretamente e conduz
mal no sentido reverso.

- V
D
= 0V

-
- Um diodo ideal age como um condutor perfeito (tenso zero) quando polarizado dire-
tamente, e como um isolante perfeito (corrente zero) quando polarizado reversamente.



SEGUNDA APROXIMAO DO DIODO.
Precisamos de cerca de 0,7v de limiar antes que o diodo de silcio comece a conduzir
No diodo ideal uma chave fechada representa o circuito equivalente.
21

Na segunda aproximao a chave em serie com a bateria forma o circuito equivalente.
2 APROXIMAO

V
D
= 0,7V



TERCEIRA APROXIMAO DO DIODO.
Na terceira aproximao de um diodo, inclumos a resistncia do corpo r
B
, ao ligarmos o
diodo aparece uma tenso de 0,7v em serie com uma tenso interna adicional atravs da
resistncia interna r
B
de modo que a tenso total do diodo maior do que 0,7v.


O circuito equivalente para a terceira aproximao constitudo por uma chave em srie
com uma bateria de 0,7v e uma resistncia de r
B.
Terceira aproximao.
3 APROXIMAO - DIODO REAL

V
D
= 0,7V + V
rB

V
D
= 0,7V + I
D
.rB


Qual delas usar.
Na maioria dos casos vamos usar a segundo aproximao para resolver os problemas
com diodo, ou seja, considerar uma queda de 0,7v para os clculos se o diodo for de sil-
cio e de 0,3v se de germnio.

Exemplo 2.0
Utilize a segunda aproximao para determinar a corrente do diodo na figura abai-
xo.


Soluo.
O diodo ser polarizado diretamente, portanto, h uma queda de 0,7V.a tenso
atravs do resistor a diferena entre a tenso da fonte e a tenso do diodo(10v-0,7v),
que igual a 9,3V. portanto a corrente no diodo
I= mA
V V V
Rs
VD Vs
86 , 1
5000
3 , 9
5000
7 , 0 10
=


22

Exemplo 2.1
Calcule a corrente atravs do resistor de 100O da figura abaixo.

Soluo
Quando voc encontrar um circuito com mais de uma malha pense no Thvenin ou pelo
menos pense na possibilidade de utilizar o teorema de Thvenin.a forma mais fcil de re-
solver este problema utilizar Thvenin no divisor de tenso fazendo o circuito equivalen-
te abaixo.


I= mA
V V V
1 , 1
300
3 , 3
300
7 , 0 4
=

REGIAO ZENER
O potencial de polarizao reversa que resulta uma brusca mu-
dana na caracterstica da curva chamada potencial zener, e
dado pelo smbolo V
Z.

A tenso mxima de polarizao reversa permitida para que o
diodo no entre na regio Zener, chamado de tenso de pico
inversa (TPI) ou tenso de pico reversa (TPR).
Grfico da regio Zener.
Silcio X germnio.
Diodos de silcio apresentam, em geral, TPI, correntes nominais e faixas de temperatura
maiores do que os diodos de germnio.

Temp TPI TPD n
Silcio 200
0
1000V 0,7V 2
germnio 100
o
C 400V 0,3V 1

Configuraes srie de diodos com entrada DC.

Para cada configurao, o estado de cada diodo deve ser inicialmente determinado.
Quais diodos esto ligados e quais diodos esto desligados
Em geral, um diodo esta no estado ligado se a corrente estabelecida pelas fontes tal
que sua direo est no mesmo sentido que a seta do smbolo do diodo, e V
D
>0,7V para
o silcio e de 0,3V para o germnio.
Exemplo.
Se no circuito anterior for aplicada uma tenso (E) de 8V e R=2,2KO. Determine os
valores de V
D
, V
R
, e I
D.
23



Soluo.
Uma vez que a tenso aplicada estabelece uma corrente no sentido horrio (dire-
to), de acordo com a seta do smbolo do diodo, o diodo esta no estado ligado.
V
D
= 0,7V Silcio
V
R
= E V
D
= 8V 0,7V = 7,3V
I
D
= . 32 , 3
2200
3 , 7
mA
V
R
VR
= =

CONFIGURAES PARALELAS E SRIE/PARALELA.
Os mtodos aplicados no item anterior podem ser estendidos anlise de configuraes
paralela e srie paralela. Para que cada situao adapte.as etapas seqenciais utilizadas
nas configuraes paralelas com diodo.

determine a corrente em R.


CIRCUITOS COM DIODOS.
A maioria dos circuitos eletrnica precisa de uma tenso
CC para poder trabalhar adequadamente. Como a tenso da
linha e alternada, a primeira coisa a ser feita em qualquer equi-
pamento eletrnico converter a tenso AC em tenso CC.



A ONDA SENOIDAL.

A onda senoidal o mais bsico dos sinais eltricos.
Observando a grfico abaixo temos.





V = V
p
sen u








Onde:
V = tenso instantnea
V
P
= tenso de pico
24

u = ngulo em graus ou radianos
Observe como a tenso aumenta de zero at um mximo positivo de 90
o
, diminui para
zero em 180
o
, atinge um mximo negativo em 270
o
e volta a zero em 360
o
.
VALORES DE UMA SENOIDE
u
V
0
o
0V
30
o
0,5V
P
45
o
0,707V
P
60
o
0,866V
P
90
o
V
P

VALOR DE PICO A PICO DE UM SINAL SENOIDAL..
Valor de pico a pico de qualquer sinal a diferena entre o
seu valor mximo e valor mnimo algbrico.

V
PP
= V
MAX
- V
MIN




Para senoide o valor de pico a pico

V
pp
= V
p
(-V
p
) Ou seja,
V
pp
= 2 V
p
Em outras palavras, o valor de pico a pico de uma senoidal o dobro do valor de pico.
Exemplo.
Uma senoide de 18V de pico o valor pico a pico de 36V.

Vpp = 18Vp (-18Vp)
Vpp = 36V

VALOR EFICAZ OU RMS.
O valor rms (raiz mdia quadrtica) (root mean square) de uma onda senoidal,
tambm conhecida como valor eficaz, a tenso que realmente executa um trabalho.


V
rms
= 0,707V
P.

TENSO DE LINHA

As companhias de energia eltrica geralmente fornecem uma tenso de linha de 115Vrms
com uma tolerncia de 10% por cento
e com uma freqncia de 60 Hz. Com a equao Vrms=0,707V
P
pode se calcular o valor
de pico da seguinte forma.
115V = 0,707V
P
V
P
=
707 , 0
115 V
V
P
= 163Vac
25

VALOR MDIO
O valor mdio de uma onda senoidal ao longo de um ciclo zero. Isto porque a onda se-
noidal simtrica: cada valor positivo da primeira metade do ciclo compensado por um
valor igual negativo da segunda metade.


TRANSFORMADOR.

Transformador

Relao transformao =
Vp
=
Np
e
P.sada = P.ent.
Vs Ns Vs x Is = Vp x Ip
Vp = Tenso primrio (entrada)
Np = Nmero de espiras no primrio
Ip = Corrente primrio (entrada)

Vs = Tenso secundrio (sada)
Ns = Nmero de espiras no secundrio
Is = Corrente secundrio (sada)
Tipos de transformadores
Transformador de alimentao
Transformador de udio
Transformador de corrente
Transformador de RF:


RETIFICAO - PRINCPIOS BSICOS

Retificar encerra a idia de converter uma tenso alternada em tenso contnua.
No processo de retificao deve-se levar em conta as caractersticas de chaveamento
eletrnico do diodo, ou seja, conduz corrente em apenas um sentido (quando diretamente
polarizado).

RETIFICAO DE ONDA:

26

Tomemos como exemplo o circuito a seguir, destinado a retificar uma tenso alter-
nada.

A tenso a ser retificada de 40Vrms, ou 40Vef. Como sabemos a corrente alter-
nada tem a propriedade de mudar de polaridade periodicamente, segundo uma determi-
nada freqncia.



Deduz-se ento que durante o semiciclo positivo o diodo estar polarizado direta-
mente, atuando como uma chave eletrnica fechada e durante o semiciclo negativo, por
estar reversamente polarizado atuar como uma chave eletrnica aberta, conforme mos-
tra os circuitos equivalentes a seguir.


Como o diodo comporta-se como uma chave
eletrnica fechada, somente circular corrente
pela carga durante o semiciclo positivo.

Logo, aparecer na carga a tenso corres-
pondente ao semiciclo positivo.


Como o diodo comporta-se como uma chave
eletrnica aberta, no circular corrente pela
carga.

Logo, no aparecer nenhuma corrente na
carga.


Desta forma, circular corrente na carga somente durante os semiciclos positivos,
caracterizando assim a retificao de onda. Ao se ligar nos extremos da carga um osci-
loscpio, ser visualizado uma tenso cuja forma de onda mostrada na figura abaixo.


27



A tenso na carga contnua pulsante e o valor medido dessa tenso denomina-
do valor retificado mdio (Vm ou Vdc), que pode ser calculado pela frmula:

Vm ou Vdc = (Vp - V
D
) . 0,318

onde:
Vp = valor de pico da tenso ou valor mximo da tenso (Vmax)
Vm = Vdc = valor retificado mdio
V
D
= queda de tenso direta no diodo (0,55 a 0,7V)
0,318 = constante = 1/t

Podemos calcular o valor mdio retificado pela frmula:

Vm ou Vdc =
Vp ou Vmax
t
( para V
D
= 0, diodo ideal)


EXEMPLO: Um retificador de onda deve retificar uma tenso de 40Vrms para
alimentar uma carga de 500O.
Determine:
a) valor retificado mdio na a carga;
b) corrente na carga;
c) valor mximo da tenso na carga.

Soluo:
a) devemos calcular o valor mximo da tenso (Vp ou Vmax):

Vp = Vrms . 1,41
Vp = 40 . 1,41 = 56,4V

calculando o valor retificado mdio na carga:

Vm = (Vp - V
D
) . 0,318
Vm = (56,4 - 0,7) . 0,318 = 17,71V

b) a corrente na carga ser a corrente mdia:

Im ou Idc =
17,71V
500O
= 35,42mA

c) o valor mximo da tenso na carga: Vp - V
D
= 56,4 - 0,7 = 55,4V

28

TENSO DE TRABALHO DO DIODO:
Na retificao de onda a tenso de trabalho do diodo a prpria tenso de pico
da tenso a ser retificada, na condio de polarizao reversa, conforme ilustra a figura
abaixo.



A tenso de trabalho do diodo normalmente defini-
da como tenso inversa de pico (TIP)



Como o diodo est reversamente polarizado, compor-
ta-se como uma chave aberta e nos seus extremos estar presente o valor de pico da
tenso a ser retificada, que no caso : 40 . 1,41 = 56,4V.

Como no circula corrente pelo circuito, a tenso nos extremos de R ser zero.

CAPACIDADE DE CORRENTE DIRETA:
Deve ser pelo menos igual a corrente mdia atravs do mesmo.

Im ou Idc =
Vm ou Vdc
R

RETIFICAO DE ONDA COMPLETA (COM PONTO DE NEUTRO):
Na retificao de onda completa com ponto de neutro, deve-se utilizar um trans-
formador com secundrio dotado de tomada central (CT, do ingls center tap), de forma a
fornecer duas tenses de amplitudes iguais porm defasadas 180 entre si.



As tenses Es1 e Es2 so medidas a partir do CT (referencial). A tenso total do
secundrio (Es) a soma das mesmas.

No instante 1 o diodo D1 estar diretamente polarizado e conduzindo, enquanto
que D2 estar cortado e no conduzindo; no instante 2 ocorre o contrrio, ou seja, D1 es-
tar cortado e D2 estar conduzindo.

29


A tenso retificada mdia na carga pode ser calculada pela frmula:

Vm ou Vdc = (Vp - V
D
) . 0,637
Onde:
Vp = valor de pico da tenso ou valor mximo da tenso (Vmax


Vm = Vdc = valor retificado mdio
V
D
= queda de tenso direta no diodo (0,55 a 0,7V)
0,637 = constante = 2/t

Podemos tambm calcular o valor mdio retificado pela frmula:

Vm ou Vdc =
2Vp ou 2Vmax
t
(para diodo ideal, onde V
D
= 0)

Circuito equivalente no instante 1



Na carga aparecer uma tenso (semiciclo) devido a conduo de D1, por estar
diretamente polarizado.

Circuito equivalente no instante 2

30



No instante 2 estar presente na carga uma tenso (semiciclo) devido a conduo
de D2.

Desta forma, circular corrente na carga durante os semiciclos positivos e negati-
vos, caracterizando assim a retificao de onda completa. Ao se ligar nos extremos da
carga um osciloscpio, ser visualizada uma tenso cuja forma de onda mostrada na
figura a seguir.


TENSO DE TRABALHO DOS DIODOS:
Na retificao de onda completa a tenso de trabalho De cada diodo (TIP) eqivale
a duas vezes o valor de pico da tenso a ser retificada. Portanto:

TIP = 2Vp

CAPACIDADE DE CORRENTE DIRETA:
Deve ser pelo menos igual a corrente mdia atravs do mesmo. Como cada diodo
opera como um retificador de onda teremos:

Im ou Idc =
Vm ou Vdc
R
2


CORRENTE DE PICO ATRAVS DO DIODO (Ip):
Deve ser menor do que a corrente de pico especificada pelo fabricante. Como cada
diodo opera como um retificador de onda teremos:

31

Ip =
Vp ou Vmax
R


EXEMPLO: Dado o circuito abaixo, calcule:
a) tenso mdia na carga;
b) corrente mdia na carga;
c) tenso de pico na carga;
d) tenso de trabalho nos diodos;
e) corrente de pico nos diodos.



Soluo:
a) tenso mdia na carga:
Como Es = 100V, teremos: Es1 = Es2 =
Es
2
= 50V
Vm = (Vp - V
D
). 0, 637
Vp = Vef. 1,41 = 70,5V
Vm = (70,5 - 0,7). 0, 637
Vm = 69,8. 0,637 = 44,46V

b) corrente mdia na carga:
Im =
Vm
R
=
44,46V
500O
= 88,92mA

c) tenso de pico na carga:

TIP = 2Vp = 2 . 69,8 = 139,6V


d) tenso de trabalho dos diodos:

cada diodo deve suportar no mnimo uma tenso reversa da ordem de 140V

e) corrente de pico nos diodos:

Ip =
Vp
500O
=
69,8V
500
= 139,6mA

RETIFICAO DE ONDA COMPLETA EM PONTE:
32

A grande vantagem da retificao de onda completa em ponte deve-se ao fato de
no ser necessrio utilizar dois sinais de amplitudes iguais defasados 180 entre si; isto
significa que pode-se obter uma retificao de onda completa a partir da rede domiciliar.

O circuito bsico mostrado na figura abaixo.


A anlise do funcionamento de um retificador de onda completa, baseia-se como
nos casos anteriores, no chaveamento eletrnicos dos diodos.

Devem ser levados em considerao os semiciclos positivo e negativo da tenso
alternada a ser retificada.

Durante o semiciclo positivo os diodos D1 e D4 estaro conduzindo por estarem
diretamente polarizados, enquanto que D2 e D3 estaro cortados.
Durante o semiciclo negativo os diodos D2 e D3 estaro conduzindo e D1 e D4 es-
taro cortados.

Veja nas figuras abaixo as ilustraes do que foi dito acima, para uma melhor com-
preenso.

D1 e D4 conduzindo; D2 e D3 cortados.
Observa-se que os diodos D1 e D4 ficam em srie
com a carga.

Ento V
D
= V
D1
+ V
D4

TIP = Vp


D2 e D3 conduzindo; D1 e D4 cortados.
Neste caso, os diodos D2 e D3 esto em srie
com a carga.

Ento V
D
= V
D2
+ V
D3


TIP = Vp

A forma da tenso na carga mostrada abaixo.



33



O valor retificado mdio na carga pode ser calculado pela frmula:

Vm ou Vdc = (Vp - 2V
D
) . 0,637

EXEMPLO: Calcule a tenso e potncia mdias em uma carga de 500O, em um
retificador de onda completa em ponte, cuja tenso de entrada 50Vrms.

Soluo:
valor de pico da tenso a ser retificada: 50 . 1,41 = 70,5V
Vm = (70,5 - 1,4) . 0,637 = 44,02V
Pm (carga) = 44,02
2
/ 500 = 3,88W
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA SIMTRICO:
O retificador de onda completa simtrico fornece duas tenses retificadas simtri-
cas com polaridades opostas, sendo muito til quando deseja-se projetar retificadores
para alimentao de amplificadores operacionais que na sua maioria necessitam de ten-
ses positivas e negativas.

Para a obteno de um retificador simtrico necessita-se de um transformador com
secundrio dotado de ponto neutro (CT).

Seu circuito bsico mostrado na figura abaixo.


A anlise de seu funcionamento similar a do retificador de onda completa em
ponte. Note que o ponto B o referencial e est ligado ao CT. Com isto a tenso de sada
ter polaridades opostas a partir desse referencial.

Veja a figura abaixo.
34

No instante 1, o ponto x torna-se positivo e o ponto y negativo. Isto far os di-
odos D1 e D4 conduzirem enquanto que D2 e D3 estaro cortados.

No instante 2, o ponto x torna-se negativo e o ponto y positivo. Isto far D2 e
D3 conduzir enquanto D1 e D4 estaro cortados.

Como resultado, em cada carga aparecer uma tenso retificada de onda
completa de amplitudes iguais porm com polaridades opostas, devido ao referencial
representado pelo ponto B, o qual est interligado ao CT.

Entre os pontos A e C ser medida uma tenso que a soma das tenses
entre os pontos A - B e B -C.



Observe na figura acima que entre os pontos A e C a tenso positiva, visto
que o ponto A mais positivo do que o ponto C; evidentemente, esta tenso estaria
invertida se fosse tomada entre os pontos C e A.

A tenso retificada mdia na carga pode ser calculada pela frmula:

Vm ou Vdc =
( )
| |
Es . 1,41 - 2V . 0,637 D
2
ou

Vm ou Vdc = [(Es1 . 1,41) - V
D
] . 0,637 ou ainda

35
Vm ou Vdc = [(Es2 . 1,41) - V
D
] . 0,637

importante lembrar que a simetria das tenses na sada do retificador ser
obtida somente se as tenses no secundrio Es1 e Es2 forem iguais, mesmo que as
correntes no o sejam.


EXEMPLO:
Para o circuito abaixo, calcule a tenso e a corrente mdias em cada uma das
cargas.



Soluo:

tenso retificada mdia nas cargas:
Vm = [(50 . 1,41) - V
D
] . 0,637
Vm = [(50 . 1,41) - 0,7] . 0,637
Vm = 44,46V

teremos:
em R1 + 44,46V
em R2 - 44,46V

corrente mdia nas cargas:

Im
R1
=
44,46V
500O
= 88,92mA

Im
R2
=
44,46V
1,2kO
= 37,05mA

FORMULRIO AUXILIAR:
Clculo de potncia:
P = E . I
36

P =
E
R
2
E = P . R
P = R . I
2

I =
P
R

Clculo do valor de pico ou valor mximo de uma tenso:

Vp ou Vmax = Vef . 1,41


OBS: Vef = valor eficaz = Vrms

Clculo do valor de pico a pico de uma tenso (Vpp):

Vpp = 2Vp ou
Vpp = Vef . 2,82

Clculo do valor eficaz de uma tenso:

Vef = Vp . 0,707

Clculo do valor instantneo de uma tenso senoidal:

Vinst = Vp . senu



FORMULRIO AUXILIAR:
Clculo de potncia:
P = E . I

P =
E
R
2
E = P . R
P = R . I
2

I =
P
R

Clculo do valor de pico ou valor mximo de uma tenso:

Vp ou Vmax = Vef . 1,41

OBS: Vef = valor eficaz = Vrms

Clculo do valor de pico a pico de uma tenso (Vpp):

37
Vpp = 2Vp ou
Vpp = Vef . 2,82

Clculo do valor eficaz de uma tenso:

Vef = Vp . 0,707

Clculo do valor instantneo de uma tenso senoidal:

Vinst = Vp . senu

Resumo do formulrio


















38
EXERCCIOS PROPOSTOS
1 - No circuito abaixo, calcule:

a) tenso retificada mdia na carga;
b) corrente mdia na carga;
c) potncia na carga.



2 - No circuito abaixo sabe-se que o valor instantneo de tenso em 60 186V. Cal-
cule o valor retificado mdio na carga.



3 - No circuito abaixo, sabe-se que a tenso Es = 225V. Calcule:

a) tenso retificada mdia nas cargas;
b) corrente nas cargas;
c) potncia nas cargas;
d) qual deve ser a tenso de trabalho (TIP) dos diodos.














39

Dodo Zener
O dodo zener quando polarizado inversamente (nodo a um potencial negativo em
relao ao ctodo) permite manter uma tenso constante aos seus terminais (U
Z
)
sendo por isso muito utilizado na estabilizao/regulao da tenso nos circuitos.

O grfico de funcionamento do zener mostra-nos que, diretamente polarizado (1
quadrante), ele conduz por volta de 0,7V, como um dodo comum. Porm, na ruptura
(3 quadrante), o dodo zener apresenta um joelho muito pronunciado, seguido de um
aumento de corrente praticamente vertical. A tenso praticamente constante, apro-
ximadamente igual a Vz em quase toda a regio de ruptura. As folhas de dados (data
sheet) geralmente especificam o valor de V
z
para uma determinada corrente I
ZT
;

A utilizao do dodo zener limitada pelos seguintes parmetros:

V
z
Tenso de zener (este valor geralmente especificado para uma determinada
corrente de teste IZT)
40
I
zmx
Corrente de zener mxima
I
zmin
Corrente de zener mnima
P
z
Potncia de dissipao (P
Z
= V
Z
x I
Z
)
Desde que a potncia no seja ultrapassada, o dodo zener pode trabalhar dentro da
zona de ruptura sem ser destrudo.
Algumas especificaes do fabricante inclui-se tambm a corrente mxima que um
diodo pode suportar, em funo da mxima potncia que o mesmo pode suportar.
I
ZMax
= P
ZM
/ V
Z

I
ZMax
= mxima corrente de zener especificada
P
ZM
= potncia especificada
V
Z
= tenso de zener
Impedncia Zener Z
ZT

Quando um diodo zener opera na regio de ruptura, um aumento na corrente produz
um ligeiro aumento na tenso. Isto significa que o diodo zener tem uma pequena
resistncia, que tambm denominada impedncia zener (Z
ZT
), tambm
referenciada corrente de teste I
ZT
para medir V
Z
. Assim por exemplo, para um diodo
fictcio 1NZX45, com as especificaes VZT = 12V; IZT = 20mA e ZZT = 5, indica
que o diodo zener tem uma tenso de 12V e uma resistncia de 5 para uma
corrente de 20mA.
Regulao tenso
Para que ocorra o efeito regulador de tenso necessrio que o diodo zener
funcione dentro da regio de ruptura, respeitando as especificaes de corrente
mxima.

41
A corrente que circula por RS que a corrente que circula pelo diodo zener dada
pela frmula:
I
RS
= (V
E
- V
Z
) / R
S

Para entender como funciona a regulao de tenso, suponha que a tenso VE varia
entre 9V e 12V respectivamente. Devemos ento obter o ponto de saturao
(interseo vertical), fazendo com que VZ = 0.
q1 (V
Z
= 0), temos: I = 9/470 = 19mA
q2 (V
Z
= 0), temos: I = 12/470 = 25mA
Para obter o ponto de ruptura (interseo horizontal), IZ = 0.
q1 (IZ = 0), temos: VZ = 9V
q2 (IZ = 0), temos: VZ = 12V

Analisando o grfico, observa-se que embora a tenso V
E
varie entre 9V e 12V
respectivamente, haver mais corrente no dodo zener. Portanto embora a tenso V
E

tenha variado de 9 a 12V, a tenso zener ainda aproximadamente igual a 6V.

Clculo Componentes Dodo Zener

42



Exerccio em casa.
individual
D o significado de cada elemento envolvido com os semicondutores.
Aceitador=
Anodo=
tomos de impureza=
Avalanche=
Banda de conduo=
Banda de energia=
Banda de Valncia =
Banda proibida=
Barreira de potencial =
Camada de valncia=
Carga espacial =
Ctodo =
Coeficiente de emisso
Condutividade
Constante= de Boltzmann
Contato hmico=
Corrente de deriva=
Corrente de difuso=
Corrente de Eltrons=
Corrente de fuga=
Corrente de lacunas=
Corrente de saturao
Corrente direta
Densidade de corrente
Densidade de eltrons
Densidade de lacunas
Densidade de portadores
Diodo de barreira
Diodo
Diodo zenner
Doador
Dopagem
43
Eltron de Valencia
Eltron livre
Eletronvolt
Equao do diodo
Extrnseco
Gap de energia
Ge
Intrnseco
Is.
Junao MS.
Ligao covalente
Material N
Material P
Nutron
Ncleo
N
+
rbita
P
+
- P
i

Polarizao direta
Polarizao reversa
Portador minoritrio
Polarizao
Portador de carga
Portador majoritrio
Potencial de difuso
Protons
Junao PN
Kelvin
Lacuna
Tenso de barreira
Tenso de ruptura
Recombinao
Regio de depleo
Tenso de barreira
Tenso de ruptura
Tenso trmica
Resistividade
Ruptura de uma ligao covalente
Semicondutor
Subcamada
44
Calcule a corrente em cada diodo dos circuitos abaixo.



Exemplo. 2
Determine V
o
, I1, ID1, Id2 para a configurao a-
baixo.





Exemplo3
Determine a corrente I para o circuito da fig abaixo



















45


SEGUNDO BIMESTRE

Transstor
O transistor bipolar o transistor mais importante do ponto de vista histrico e o de
utilizao mais corrente. No entanto, convm referir os transstores de efeito de cam-
po (FET, Field Effect Transistor), nomeadamente, os transstores FET de juno
unipolar, os transstores MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transis-
tor), e os CMOS (complementary MOSFET), os quais so muito usados na elec-
trnica integrada de alta densidade.


O material semicondutor mais usado no fabrico de transstores o silcio. Contudo, o
primeiro transstor foi fabricado em germnio. O silcio prefervel porque possibilita
o funcionamento a temperaturas mais elevadas (175 C, quando comparado com os
~75C dos transstores de germnio) e tambm porque apresenta correntes de fuga
menores. O transstor bipolar formado por duas junes p-n em srie, podendo a-
presentar as configuraes p-n-p e n-p-n . Os transstores n-p-n so os mais co-
muns, basicamente porque a mobilidade dos eltrons muito superior das lacunas,
isto , os eltrons movem-se mais facilmente ao longo da estrutura cristalina o que
traz vantagens significativas no processamento de sinais de alta frequncia. E so
mais adequados produo em massa. No entanto, deve-se referir que, em vrias
46
situaes, muito til ter os dois tipos de transstores num circuito.

O transstor de juno bipolar um dos componentes mais importantes na Eletrni-
ca. um dispositivo com trs terminais. Num elemento com trs terminais possvel
usar a tenso entre dois dos terminais para controlar o fluxo de corrente no terceiro
terminal, i.e., obter uma fonte controlvel. O transstor permite a amplificao e co-
mutao de sinais, tendo substitudo as vlvulas termo - inicas na maior parte das
aplicaes. A figura da pgina seguinte mostra, de forma esquemtica, um transstor
bipolar p-n-p. Este transstor formado por duas junes p-n que partilham a regio
do tipo n (muito fina e no representada escala). Neste aspecto, o dispositivo cor-
responde sanduche de um material
do tipo n, entre duas regies do tipo p. Existe tambm a estrutura complementar
(npn). Dependendo da polarizao de cada junes (direta ou inversa), o transstor
pode operar no modo ativo/linear, estar em corte ou em saturao. Verifique e simule
a polarizao e funcionamento de um transstor bipolar .

Um transstor bipolar (com polaridade NPN ou PNP) constitudo por duas junes
PN (juno base-emissor e juno base-coletor) de material semicondutor (silcio ou
germnio) e por trs terminais designados por Emissor (E), Base (B) e Coletor (C).

47
Smbolos Transstores

Zonas Funcionamento Transstores
Em cada transstor bipolar existem duas junes que iro apresentar zonas de
funcionamento diferentes, consoante as junes base-emissor e base-coletor se
encontram polarizadas direta ou inversamente.
Os transstores tm trs zonas de funcionamento distintas:
Corte - Ambas as junes esto polarizadas inversamente
Ativa - Juno base-emissor polarizda diretamente e juno base coletor polarizada
inversamente
Saturao - Ambas as junes esto polarizadas diretamente










48

NPN PNP
Zona Condies Modelo Condies Modelo
Corte V
BE
< 0.7V
V
BC
< 0.7V
I
C
= 0, I
E
= 0,
I
B
= 0
V
EB
< 0.7V
V
CB
< 0.7V
I
C
= 0, I
E
= 0,
I
B
= 0
Ativa V
BE
=0.7V
V
BC
<0.7V
V
BE
=0.7V
I
C
= * I
B

I
E
= I
C
+I
B
ou
I
E
= (+1)*I
B

V
EB
= 0.7V
V
CB
< 0.7V
V
EB
=0.7V
I
C
= x I
B

I
E
= I
C
+I
B
ou
I
E
= (+1)*IB
Saturao V
BE
=
0.8V
V
BC
=
0.7V
V
BE
=0.8V
V
CE
=0.1V
I
E
= I
C
+I
B

V
EB
= 0.8V
V
CB
= 0.7V
V
EB
=0.8V
V
EC
=0.1V
I
E
= I
C
+I
B

Ganho de um transstor
O ganho de um transstor, uma caracterstica do transstor, o fator de multiplica-
o da corrente de base (I
b
)ou Beta ou hfe do transstor.
A formula matemtica que permite efetuar o clculo :
I
c
= I
b
x

* I
c
: corrente de coletor
* I
b
: corrente de base
* : beta (ganho)
49

Existem algumas especificaes definidas pelo fabricante:
Ref ou Tipo: o nome do transistor.
VCEO: tenso entre coletor e emissor com a base aberta.
VCER: tenso entre coletor e emissor com uma resistncia no emissor.
Pol: polarizao; N=NPN e P=PNP.
PTOT: Potncia mxima que o transistor pode dissipar
Ft: Frequncia mxima.
Encapsulamento: Cpsula do transstor que define cada um dos terminais.
Determinar Tenses e Correntes TJB (Transstor Juno Bipolar)




Considerando o circuito da figura em que o transstor bipolar NPN caracterizado
por =100 (ganho)

Determinar tenses e correntes do transstor.
Considerando que o transstor est na zona ativa, consideramos o circuito seguinte
Circulando pela malha da base:
-V
1
+ R
B
* I
B
+ V
BE
= 0
ou
50
I
B
= (V
1
- V
BE
) / R
B

I
B
= (10-0,7)/220
I
B
= 42,27A
I
C
=*I
B
ou I
C
=4,23mA
para as tenses temos:
V
E
=0 V
B
=0,7 V
C
=10-R
C
*I
C
ou V
C
=5,7 onde V
BE
=0,7 e
V
BC
=-6,4 < 0,7
Podemos concluir que o transstor se encontra na zona
ativa.
Frmulas e simulao de funcionamento de transstor

Transistor - Emissor Comum
A montagem de um transistor em emissor comum um estgio baseado num
transistor bipolar em srie com um elemento de carga. O termo "emissor comum"
refere-se ao fato de que o terminal do emissor do transistor tem uma ligao
"comum", tipicamente a referncia de 0V ou Terra. O terminal do coletor ligado
carga da sada, e o terminal da base atua como a entrada de sinal.
O circuito do emissor comum constitudo por uma resistncia de carga RC e um
transistor NPN; os outros elementos do circuito so usados para a polarizao do
transistor e para o acoplamento do sinal.
Os circuitos emissor comum so utilizados para amplificar sinais de baixa voltagem,
como os sinais de rdios fracos captados por uma antena, para amplificao de um
sinal de udio ou vdeo

51
Caractersticas de um amplificador com transstor em emissor comum:
IMPEDNCIA DE ENTRADA (Ze): igual ao quociente entre a tenso de entrada
(Ee = tenso CA do sinal de entrada) e a corrente de entrada (Ie = corrente CA do
sinal de entrada). A impedncia de entrada est compreendida entre 10K e 100K
Ze=Ee / Ie
IMPEDNCIA DE SADA (Zs): igual ao quociente entre a tenso CA do sinal de
sada (Es), quando a sada esta em vazio (isto , Is = 0) e a corrente CA do sinal de
sada (Is), quando a sada est em curto-circuito (Es =0).A impedncia de sada esta
situada entre 10Ke 100K.
Zs= Es (sada em vazio) / Is (sada em curto)

AMPLIFICAO DE CORRENTE (Ai): o quociente entre a corrente CA do sinal de
sada e a corrente CA do sinal de entrada. A amplificao de corrente est compre-
endida entre 10 e 100 vezes.
Ai = Is / Ie
AMPLIFICAO DE TENSO (Av): o quociente entre a tenso CA do sinal de
sada e a tenso CA do sinal de entrada. A amplificao de tenso est situada entre
100 e 1000 vezes.
Av = Es / Ee

AMPLIFICAO DE POTNCIA (Ap): igual ao produto entre a amplificao de
corrente e a amplificao de tenso. A amplificao de potncia est compreendida
entre 1.000 e 100.000 vezes.
Ap = Ai x Av

RELAO DE FASE: Ocorre uma defasamento de 18Oentre a tenso do sinal de
sada e a tenso do sinal de entrada (180= 180 graus).
52
Transstor - Coletor Comum
O circuito com um transstor com coletor comum possui um ganho de tenso muito
prximo da unidade, significando que os sinais em CA que so inseridos na entrada
sero replicados quase igualmente na sada, assumindo que a carga de sada no
apresente dificuldades para ser controlada pelo transistor. O circuito possui um
ganho de corrente tpico que depende em grande parte do hFE do transistor. Uma
pequena mudana na corrente de entrada resulta em uma mudana muito maior na
corrente de sada enviada carga. Deste modo, um terminal de entrada com uma
fraca alimentao pode ser utilizado para alimentar uma resistncia menor no
terminal de sada. Esta configurao comumente utilizada nos estgios de sada
dos amplificadores Classe B e Classe AB, o circuito base modificado para operar o
transstor no modo classe B ou AB. No modo classe A, muitas vezes uma fonte de
corrente ativa utilizada em vez do RE para melhorar a linearidade ou eficincia.

Caractersticas de um amplificador com transstor em coletor comum:
IMPEDNCIA DE ENTRADA: de 100K a 1M .
IMPEDNCIA DE SADA: de 50 a 5000.
AMPLIFICAO DE CORRENTE: de 10 a 100 vezes.
AMPLIFICAO DE TENSO: menor do que 1. Neste tipo de amplificador no h
amplificao de tenso.
53
AMPLIFICAO DE POTNCIA: de 10 a 100 vezes.
RELAO DE FASE: no h desfasamento entre a tenso do sinal de sada e a
tenso do sinal de entrada.
Transistor - Base Comum
A ligao de um transistor em base comum uma configurao de um transstor na
qual sua base ligada ao ponto comum do circuito.
Esta montagem utilizada de forma menos frequente do que as outras configura-
es em circuitos de baixa de baixa frequncia, utilizada para amplificadores que
necessitam de uma impedncia de entrada baixa. Como exemplo temos o pr-
amplificador de microfones.
utilizado para amplificadores VHF e UHF onde a baixa capacitncia da sada en-
trada de importncia crtica.

Caractersticas de um amplificador com transstor em base comum:
IMPEDNCIA DE ENTRADA: entre 10e 100 .
IMPEDNCIA DE SADA: entre 100 K e 1M .
AMPLIFICAO DE CORRENTE: um pouco inferior unidade (entre O,95 e
O,99).Portanto, neste tipo de circuito no h amplificao de corrente.
AMPLIFICAO DE TENSO: entre 500 e 5.000 vezes.
AMPLIFICAO DE POTNCIA: entre 100 e 1.000 vezes.
RELAO DE FASE: no h desfasamento entre a tenso do sinal de sada e a
tenso do sinal de entrada.
54