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LABORATORIO DE ELECTRNICA ANALGICA II PRCTICA # 1 TCNICAS DE POLARIZACIN DE BJTs (CIRCUITOS DE MXIMA VARIACIN SIMTRICA).
OBJETIVO: El alumno reforzar los conocimientos adquiridos acerca de la recta de carga y del punto de operacin y comprobar el comportamiento prctico de circuitos diseados para operar en Mxima Excursin Simtrica.
I DESARROLLO TERICO. I.1 MARCO TERICO. I.2 DISEO. Se calcula el valor de las resistencias de polarizacin de los diferentes circuitos. I.3 PREREPORTE. Simular en EWB o PSPICE los circuitos amplificadores diseados para operar en mxima excursin simtrica, determinar los diferentes puntos de operacin y tabular los resultados.
II DESARROLLO PRCTICO. II.1 MATERIAL Y EQUIPO A UTILIZAR. Transistores bipolares con hojas de datos. Resistencias. Tablilla de pruebas (Protoboard). Alambre para interconexiones y puntas de prueba.
A.1.- Disee y arme el circuito de la Figura 1.1 para M. E. S. con un Transistor __________, VCE de 5 V y una ICQ de 5 mA. Consulte en las hojas de datos las caractersticas del transistor. T* 2N2222 2N3904 BC337 BC548 MPS A05 etc.
A.2.- Con un multmetro de CD realice las mediciones de todas las caractersticas de Corriente y Voltaje del amplificador y tablelos en la Tabla 1.1 junto con los valores tericos calculados y simulados.
A.3.- Sustituya RB con una resistencia de aproximadamente el 80 % del valor calculado y un potencimetro del 30 al 40 % y vare este hasta obtener exactamente el punto de operacin para M. E. S.. Mida el valor total de RB y anote sus observaciones.
B.1.- Disee y arme el circuito de la Figura 1.2 para M. E. S. con un Transistor __________, VCE de 5 V y una ICQ de 5 mA.
RB
RC T* RE VCC
B.2.- Con un multmetro de CD realice las mediciones de todas las caractersticas de Corriente y Voltaje del amplificador y tablelos en la Tabla 1.2 junto con los valores tericos calculados y simulados.
B.3.- Sustituya RB con una resistencia de aproximadamente el 80 % del valor calculado y un potencimetro del 30 al 40 % y vare este hasta obtener exactamente el punto de operacin para M. E. S.. Mida el valor total de RB y anote sus observaciones.
C.1.- Disee y arme el circuito de la Figura 1.3 para M. E. S. con un Transistor __________, VCE de 5 V y una ICQ de 5 mA.
Vcc
C.2.- Con un multmetro de CD realice las mediciones de todas las caractersticas de Corriente y Voltaje del amplificador y tablelos en la Tabla 1.3 junto con los valores tericos calculados y simulados.
C.3.- Sustituya R1 con una resistencia de aproximadamente el 80 % del valor calculado y un potencimetro del 30 al 40 % y vare este hasta obtener exactamente el punto de operacin para M. E. S.. Mida el valor total de R1 y anote sus observaciones.
III CUESTIONARIO.
1.- En donde se encuentra localizado el punto de operacin para M. E. S.? 2.- Qu ocurre al variar la Resistencia de Base en los amplificadores anteriores? 3.- Cul de estos amplificadores es el ms adecuado para trabajar en Mxima Excursin simtrica? 4.- Qu ocurre al variar la temperatura? 5.- Las caractersticas reales cumplieron lo indicado en las hojas de datos? 6.- Qu diferencias y qu similitudes encontr con el transistor complementario (PNP)?
IV CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES.
V BIBLIOGRAFA Y SOFTWARE.