El transistor

Dispositivo semiconductor que permite el control y la regulacin de una corriente grande mediante una seal muy pequea. Existe una gran variedad de transistores. En principio, se explicarn los bipolares. Los smbolos que corresponden a este tipo de transistor son los siguientes:

Transistor NPN

Transistor PNP
El transistor es un componente electrnico activo, un dispositivo que puede Amplicar una corriente, produciendo una seal de salida mucho ms potente que la seal de entrada. Esta potencia adicional proviene de una fuente externa. Es el Ingrediente esencial de todo circuito electrnico, desde el amplicador ms sencillo hasta la computadora digital ms elaborada. Por ejemplo, los circuitos integrados son circuitos construidos con transistores y otros componentes sobre una pequea pastilla de material semiconductor.

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los aparatos domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, cecgrafos, reproductores mp3, telfonos mviles, etc. Como amplificador

Funcionamiento En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin base-colector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el colector. Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo compartida. En una operacin tpica, la juntura base-emisor est polarizada en directa y la juntura base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la juntura base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base est dopada con material P, los cuales generan "hoyos" como portadores mayoritarios en la base.

La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la juntura base-colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusin de los electrones.

Tipos de transistores. Simbologa Existen varios tipos que dependen de su proceso de construccin y de las aplicaciones a las que se destinan. Aqu abajo mostramos una tabla con los tipos de uso ms frecuente y su simbologa: Transistor bipolar de unin (BJT)

Transistor de efecto de campo, de unin (JFET)

Transistor de efecto de campo, de metal oxido Semiconductor (MOSFET)

Fototransistor

3. ZONAS DE TRABAJO CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor tambin es nula. La tensin entre Colector y Emisor es la de la batera. El transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto. SATURACION.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de colector considerable. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De esta forma, se

puede decir que la tensin de la batera se encuentra en la carga conectada en el Colector. ACTIVA.- Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos corriente.
Resumen de la Teora del Transistor A vista de esa prueba realizada este dispositivo ha de tener tres electrodos o bornes, uno por cada uno de los cristales de que se compone. Al cristal que recibe la corriente, el primero de los tres, se distingue con el nombre de emisor; el cristal del centro como base, y al cristal de salida de la corriente, colector. Entonces, en un transistor de tipo NPN, la primera N ser el emisor, P ser la base, y la otra N, el colector. Estos nombres se suelen abreviar con las letras E, B y C respectivamente. Para comprender bien el funcionamiento del transistor debemos recordar la teora atmica, donde el cristal N es un cristal que tiene exceso de electrones, y el cristal P, es un cristal con exceso de huecos. Por ejemplo un transistor de tipo NPN, siguiendo la imagen en la que una fuente de alimentacin (B) provee de corriente al emisor, conectado al polo negativo en el cristal N, negativo tambin. En estas condiciones se forman como unas barreras Z1 y Z2 en las uniones con el cristal P de base, que impiden el paso de la corriente. La base est llena de huecos que pasan a ser ocupados por los electrones ms prximos de los cristales contiguos, formndose estas barreras de tomos en equilibrio que impide el paso de la corriente (salvo una muy dbil corriente de fuga de escassimo valor). Pero si se polariza la fuente del mismo signo que ella, es decir, con una tensin positiva respecto al emisor, lo que se llama en sentido contrario, la barrera Z1 desaparece porque el potencial positivo aplicado a la base repele los huecos hacia los cristales N y penetran en la zona de resistencia. Los electrones libres del emisor la atraviesan siendo atrados por los potenciales positivos de la base y del colector. Dado que el potencial positivo del colector es mucho ms elevado que el de la base, los electrones se sentirn ms atrados por el primero, por lo que se obtendr una elevada corriente del colector (que abreviaremos IC) y una pequea corriente de base (IB). La corriente del emisor (IE) ser por tanto igual a la suma de la corriente de colector y la corriente de base, tal como se deduce de las leyes de Kirchhoff. Es decir: IE = IC + IB De esto se deduce que la corriente que sale por el colector no va incrementada con la corriente de base.

De hecho, la corriente que pasa por emisor y que se designa IE se compone de la corriente de la base y del colector que luego circularn en diferente sentido. En la imagen vemos un esquema de circuito elemental de un transistor en el que se designa tambin el nombre de las tensiones (V). As tenemos que VBE es la tensin base-emisor, VCE es la tensin colectoremisor. Como puede verse, en el emisor las corrientes de base colector se suman, tal como dice la ley de Kirchhoff.

Prueba del Transistor

IDENTIFICACION DEL TRANSISTOR BIPOLAR

1.- Identificacin de los terminales

Con un ohmmetro en la escala de Rx1 y teniendo cuidado que los terminales externos del ohmmetro coincidan con la polaridad de la batera o pila interna, se efecta lo siguiente: Se numeran las patitas al azar. ver Fig. A Se coloca el ohmmetro tal como se indican las figuras B, C, D, etc., hasta obtener dos lecturas de baja resistencia con un punto comn tal como sealan las figuras B y D, en donde el punto comn es el contacto nmero 2. En caso de no obtener las dos lecturas de baja resistencia, intercambie las puntas de prueba y repita las mediciones indicadas en las figuras B, C, D. El contacto comn (en este caso la patita 2) viene a ser la BASE del transistor. Para ubicar el contacto de colector, de las dos lecturas de baja resistencia se selecciona la menor. La diferencia es de solamente algunos ohmios; en algunos casos son dcimos de ohmio. Supongamos que la Fig. B tenga una resistencia mucho menor que la Fig. D; en este caso el COLECTOR viene a ser el contacto nmero 1. El contacto restante (o sea la patita nmero 3) ser la conexin de EMISOR. Si el transistor posee cuatro patitas, generalmente una de ellas hace contacto con el recubrimiento metlico del transistor (contacto de masa). Esta patita se descarta y se considera nicamente las tres restantes.

2.- Identificacin del tipo de transistor Utilizamos las mediciones anteriores observando la polaridad del terminal del ohmmetro que le correspondi a la BASE. En el ejemplo de las Figuras notamos que la BASE le correspondi el polo positivo luego, el transistor ser del tipo NPN. Si le hubiera correspondido el polo negativo a la BASE, el transistor sera PNP.