Lista de Exerccios Semicondutores 8.1 A que principalmente devemos o sucesso dos semicondutores?

? R= Existncia de tcnicas de sintetizao de materiais semicondutores de alta pureza, com nvel de impurezas bem menor que partes por bilho, ppb. Os semicondutores constituem os materiais de maior pureza usada em aplicaes. Nenhuma outra aplicao requer tamanho nvel de pureza, exceto talvez, alguns materiais nucleares.

Existncia de tcnicas de cristalizao de materiais semicondutores com alto nvel de perfeio cristalina.

Disponibilidade de tcnicas de dopagem (adio de pequena quantidade deimpurezas especficas) controlada, em nvel e local no semicondutor, permite assim alterar localmente as propriedades do semicondutor. Isto por sua vez permite o desenvolvimento de inmeros dispositivos, eletrnicos, pticos e sensores.

8.2 D exemplos de semicondutores compostos III-V, sendo 2 binrios e 2 ternrios. R= Binrios: GaAs, InP Ternrios: AlXGa1-XAs, InXGa1-XP 8.3 Compare o "bandgap" entre o GaAs, InP, AlGaAs e InGaAs. Quais entre estes podem ter o mesmo parmetro de rede? R= A bandgap de um material a diferena de energia entre os eltrons da camada de valncia do material e aqueles da camada de conduo. essa quantidade de energia que define as propriedades eletrnicas e pticas de cada material.
Do grfico da figura 8.1 temos: o bandgap do GaAs (1.424eV) um pouco maior do que o bandgap do InP(1.35eV); o parmetro de rede do GaAs a=5,6533 enquanto que para o InP o parmetro de rede a= 5,8688 . A liga ternria AlGaAs tem o parmetro de rede prximo mdia dos parmetros dos seus componentes AlAs e GaAs, ou seja, bem prximo de a =5,6572 e bandgap na faixa entre 1,424eV e 2,95eV. A liga ternria InGaAs tem parmetro de rede entre 5,6533 e 6,09 e bandgap entre 0,4eV e 1,4eV. As ligas GaAs, AlGaAs e InGaAs podem ter o mesmo parmetro de rede do GaAs; a liga InP pode ter o mesmo parmetro de rede que a liga InGaAs.

Tambm o parmetro de rede de cada cristal semicondutor especifico, onde lembramos que parmetro de rede o valor da dimenso do lado da clula unitria da sua rede cristalina. Os grficos da Fig. 8.1 apresentam valores de E G e de parmetros de rede de vrios semicondutores. As linhas representam ligas formadas pela mistura dos materiais dos semicondutores dos extremos das mesmas. Observa-se que tanto a banda proibida como o parmetro de rede varia gradualmente entre os valores dos dois semicondutores, dependendo diretamente da frao dos dois componentes na liga.

8.4 Explique fisicamente porque o nmero de portadores minoritrios diminui com o nvel de dopagem. R= Os elementos dopantes tornam-se substitucionais na rede cristalina aumentando a quantidade de portadores tipo n ou tipo p de uma rede e com pouca energia (trmica, por exemplo), a taxa de recombinao de portadores aumenta e conseqentemente h a reduo na concentrao dos portadores minoritrios. Onde a taxa R n p G f(T, EG) dependente da temperatura e da largura da banda proibida. Um semicondutor tipo n apresenta alta concentrao n e baixa concentrao p e vice-versa para o semicondutor tipo p. Independente do nvel de dopagem, o produto n.p constante e dado pela relao n.p ni2 (8.5), desde que o material esteja em equilbrio trmico. Por equilbrio trmico entende-se que o material est em temperatura uniforme e que no h outra forma de energia sendo fornecida ao material. A relao coerente com os argumentos usados acima, pelos quais, pelo aumento artificial de um dos portadores reduz-se concomitantemente a concentrao do portador complementar. imediato observar que a relao vale tambm para o caso particular do semicondutor intrnseco. 8.5 Defina semicondutor intrnseco e extrnseco. R= Semicondutor intrnseco o semicondutor puro, sem impurezasem que o nmero de eltrons e de lacunas sempre ser igual, j que os dois so gerados (termicamente) aos pares. Semicondutor extrnseco - Semicondutores dopados, pela adio de impurezas que alterem a concentrao dos portadores, so chamados de semicondutores extrnsecos.

8.6 Indique a posio aproximada de estados associados s impurezas doadoras e aceitadoras. Justifique. Porque os representamos por linha tracejada e no contnua? R= QUESTO CURIOSA ...QUE EQUAO8.6 AQUELA?? Um defeito cristalino, tipo tomo de impureza substitucional ou outros, causa uma perturbao no potencial peridico da rede. Esta perturbao altera a soluo local da equao de Schrdinger, podendo resultar inclusive num estado permitido dentro da banda proibida do cristal. Isto realmente acontece no caso dos dopantes doadores e aceitadores. No caso dos dopantes doadores, introduzido um estado prximo e logo abaixo do mnimo da banda de conduo. Uma interpretao e clculo aproximado da posio do nvel da energia deste estado so apresentados como segue. O quinto eltron do tomo doador no forma par de ligao qumica e fica orbitando em torno do seu tomo com baixa energia de ligao e raio bem grande, como ilustrado na Fig. 8.8. Este sistema pode ser visto como um par on positivo (de arsnio na Figura) e um eltron, similar ao tomo de hidrognio. Assim, em primeira aproximao, pode-se usar os resultados dos clculos da energia de ligao do eltron ao ncleo de hidrognio (relao 2.20),

substituindo agora a constante dieltrica do vcuo pela constante dieltrica do Si e a massa do eltron pela massa efetiva do eltron no Si. Desta forma, obtm-se:

Portanto, os tomos doadores introduzem um estado em nvel de energia de aproximadamente 0.1 eV abaixo do mnimo da banda de conduo. Por clculos mais precisos e por medidas experimentais obtm-se os valores apresentados na Tabela 8.3, para tomos doadores e aceitadores. No caso dos tomos aceitadores, a energia refere-se distncia do nvel em relao ao topo da banda de valncia do Si e acima desta. A Fig. 8.8 uma ilustrao dos nveis dos tomos de fsforo introduzidos no cristal de Si. Nota-se que os estados so representados por linhas tracejadas. Isto se deve ao fato dos tomos dopantes estarem em concentraes bem menores que a densidade dos tomos de Si, ou seja, tem-se tomos dopantes distantes entres si de vrias dezenas a milhares de distncias atmicas do cristal. Os dopantes no formam um contnuo de tomos mas sim uma distribuio discreta de tomos localizados.

8.7 Dado um diagrama de bandas de um semicondutor, com dada densidade de estados, e a probabilidade de ocupao dada pela funo de Fermi. Expresse a densidade de eltrons e de lacunas em funo destas relaes, justificando os limites de integrao. R= Dado um diagrama de bandas temos as densidades de estados (curvas) de gv e gc. Usamos as integrais a seguir para calcular o nmero total de eltrons na banda de conduo e de lacunas na banda de valncia. Como a funo de Fermi tende a zero rapidamente para valores de energia maiores que Ef, ento os limites de integrao Ec,sup e Ev,inf que mesmo no sendo conhecidos podem ser

considerados valores de energia para as quais a funo de Fermi tender a zero rapidamente se as mesmas forem consideradas + ou - .

Assim, temos as densidades de eltrons e lacunas:

8.8 Qual a motivao para usarmos a estatstica de Boltzmann ao invs da de Fermi? Qual a definio de semicondutor degenerado e no degenerado? R= Sabemos que as expresses da estatstica de Maxwell-Boltzmann valem apenas no caso de semicondutores no degenerados (no caso de termos E > EF + 3 kT) e as mesmas so expresses analticas simples se comparadas com as funes de Fermi Dirac para as concentraes dos portadores. Por isso procura-se sempre que possvel usar as expresses de Boltzmann que relacionam facilmente os nveis de energia, temperatura etc, grandezas importantes para termos uma viso analtica, e sabermos fazer alteraes simples, o que nos ajuda a prevermos resultados sem a necessidade de clculos. As relaes de Boltzmann que podem ser escritas de quatro formas diferentes:

Onde 8.22 e 8.23 podem ser obtidas a partir das relaes 8.20 e 8.21. Define-se o material como sendo degenerado se o nvel de Fermi estiver com distncia menor que 3kT da banda de conduo ou de valncia. Define-se o material como sendo no-degenerado se o nvel de Fermi estiver com distncia maior que 3kT da banda de conduo ou de valncia.

PAREI NA PGINA 15

8.9 Demonstre a partir das relaes de Boltzmann que o produto np igual a ni2 e qual a relao de ni com o parmetro EG do semicondutor e a temperatura.

8.10 D as relaes de concentraes de portadores para materiais tipo n e tipo p no degenerados.

8.11 A partir das relaes de Boltzmann, determine a posio do nvel de Fermi versus nvel de dopagem.

8.12 Use o modelo de bandas de energia em semicondutores e ilustre: a) um eltron, b) uma lacuna, c) posies de doadores, d) posies de aceitadores, e) congelamento de portadores majoritrios nos stios de doadores ao reduzirmos a temperatura em direo a 0 K, f) idem para aceitadores, g) a distribuio de portadores em energia na respectiva banda, h) um semicondutor intrnseco, i) um semicondutor tipo n, j) um semicondutor tipo p, l) um semicondutor degenerado, m) um semicondutor no degenerado.

8.13. Considere o nvel de Fermi em Ec e calcule a probabilidade de ocupao do estado em Ec + kT.

8.14. Considere um semicondutor no degenerado. Determine o nvel de energia nas bandas de conduo e de valncia onde o nmero de portadores mximo.

8.15. Considere uma distribuio hipottica de estados nas bandas de conduo e de valncia, dados por: gc(E) = cte = Nc/kT p/ E > Ec gv(E) = cte = Nv/kT p/ E < Ev Desenvolva a relao de concentrao de portadores nas duas bandas em funo do nvel de Fermi, considerando o material no degenerado.