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OBJETIVOS
• Medida de la resistencia directa e inversa de un diodo.
• Trazado de la curva característica tensión-corriente
• Análisis del rectificador de media onda.
MATERIAL
• Unidad básica para sistema IPES (Unidad de alimentación mod. PS1-
PSU/EV, Caja de soporte de los módulos mod. MU/EV, Unidad de
control individual mod. SIS1/SIS2/SIS3)
• Módulo de experimentación mod. MCM3/EV
• Multímetro
• Osciloscopio con sonda diferencial
fig. B03.1
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Lección B03: Características del diodo
q·V
I = Io·(en·K·T - 1)
donde:
Io es la corriente inversa
q es la carga del electrón que vale 1.63·10-19 C
V es la tensión ánodo-cátodo
n es una constante que depende del tipo de semiconductor
K es la constante de Boltzmann que vale 1.38·10-23 J/K
T es la temperatura del semiconductor en grados Kelvin
fig. B03.2
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Lección B03: Características del diodo
fig. B03.3
Vm = VM / π = 0.318⋅⋅VM
Vrms = VM / 2
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