La TV Codificada Mtodos de Codificacin y Decodificacin

Mtodos de Codificacin y Decodificacin

Circuito Decodificador

de Sonido

Los Circuitos de

Conmutacin
SABER
EDICION ARGENTINA

ELECTRONICA
Los Superconductores

Enciclopedia V isual de la Electrnica

INDICE DEL CAPITULO 21
cargas en un semiconductor...................327 Dispositivos especficos de disparo ..........................329 LA TV CODIFICADA Diagrama en bloques del modulador de sonido.......323 Recuperacin del audio en el decodificador..........324 Circuito decodificador de sonido............................325 LA SUPERCONDUCTIVIDAD Y SUS APLICACIONES CIRCUITOS DE CONMUTACION Qu se entiende por Introduccin.......................327 superconductividad ........333 Circuitos de aplicacin ....327 Comportamiento de las Caractersticas de los superconductores .............333
Cupn N 21 Guarde este cupn: al juntar 3 de stos, podr adquirir uno de los videos de la coleccin por slo $5 Nombre: ____________________
para hacer el canje, fotocopie este cupn y entrguelo con otros dos.

Aplicaciones de los superconductores .............334 Generacin de energa elctrica .............................335 Mejores dispositivos electrnicos........................335 Transportacin terrestre ....335 Aplicaciones .....................336

Rectificador controlado de silicio ..............................329 Triac .....................................330 Diac.....................................331

Captulo 21

Captulo 21

La TV Codificada
NOTA: EL PRESENTE CAPITULO SE INCLUYE PARA FACILITAR LA INVESTIGACION SOBRE LAS TECNICAS DE CODIFICACION Y DECODIFICACION DE SEALES DE TV. TANTO LA EDITORIAL COMO EL AUTOR RECUERDAN A TODOS LOS LECTORES QUE LA FABRICACION Y COMERCIALIZACION DE DECODIFICADORES CLANDESTINOS ESTA SEVERAMENTE PENADA POR LA LEY. LO QUE SI ES PERFECTAMENTE LEGAL ES LA TAREA DE INVESTIGACION CONDUCENTE AL DISEO DE CODIFICADORES Y SUS DECODIFICADORES OFICIALES PARA REALIZAR TRANSMISIONES Y RECEPCIONES CODIFICADAS DE TV CON LA CONSIGUIENTE AUTORIZACION DE LA SECRETARIA DE COMUNICACIONES. MAS AUN, ESTA ACTIVIDAD DEBE SER PROMOVIDA COMO UNA FUENTE DE RECURSOS PARA NUESTRA VAPULEADA INDUSTRIA ELECTRONICA.

Fig. 1

siempre se elige la modulacin de frecuencia para poder transmitir seales de control de codificacin de video en la banda base de audio, es decir entre 0 y 15kHz.

INTRODUCCIN La Secretara de Comunicaciones obliga a transmitir el sonido de los canales erticos en forma codificada. Como en general la misma frecuencia (el mismo canal) es utilizada tambin para las emisiones deportivas, todas resultan codificadas del mismo modo para evitar que el sonido de las emisiones deportivas pueda ser recibido en un TV sin decodificador. Si se trata de evitar que un TV normal reciba el sonido codificado, lo ms adecuado es interponer un modulador de sonido con una subportadora fuera de la banda de audio. Esta subportadora puede estar modulada en amplitud o en frecuencia, pero DIAGRAMA EN BLOQUES DE UN MODULADOR DE SONIDO En una transmisin normal, el modulador de sonido de la emisora es un modulador de frecuencia con una frecuencia portadora que se encuentra 4,5MHz por encima de la portadora de video. En un transmisor codificado se mantiene este mismo esquema, pero la seal modulante ya no es la seal de audio sino una subportadora con una frecuencia superior a 20kHz. Ver figura 1. El camino de la transmisin de audio de un hipottico canal que emite la portadora de video en 300MHz, sera el siguiente: La seal de audio se enva a un mo-

dulador de frecuencia que recibe adems una subportadora de 31.250Hz (u otra frecuencia superior a 20kHz para que sea inaudible). La salida del primer modulador ser entonces una portadora de 31.250Hz modulada en frecuencia por la seal de audio. Esta seal se enva a un sumador, en donde se agregan seales de control de la codificacin de video comprendidas en la banda de frecuencias de 0 a 15kHz. El espectro de la seal compuesta de audio y control puede observarse en la figura 2. A su vez, el espectro de la seal de nuestro canal hipottico de 300MHz se puede observar en la figura 3. Observe que las portadoras se transmiten con diferente amplitud; la portadora de sonido se transmite con la mitad de energa que la de video en un canal sin codificar. En un canal codificado se suele aumentar el nivel de la portadora de sonido para que in-

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La TV Codificada
terfiera con el video en un TV normal; luego se compensa esto con un filtro de superficie en la FI del decodificador. El ancho de banda del sonido es tambin mayor para un canal codificado, ya que se transmiten frecuencias ms altas, por lo general, llega hasta 50 kHz, siendo este detalle a considerar en el diseo de la FI de sonido del decodificador. El oscilograma muestra una portadora de 31.250Hz modulada en frecuencia y, sumada a ella, una seal llamada puerta vertical y algunos pulsos que se presentan aleatoriamente. La puerta vertical es una seal rectangular que, en perodo de inactividad, coincide con el pulso de sincronismo vertical que dibujamos debajo de la seal de audio. Olvidemos por un momento la seal de puerta vertical y pense-

Fig. 2

RECUPERACIN DE AUDIO EN EL DECODIFICADOR Si se observa con un osciloscopio la salida de audio del detector de FI de sonido del decodificador , se observa una forma de seal como la indicada en la figura 4.

Fig. 3

mos slo en la seal de 31.250Hz modulada en frecuencia. La manera ms sencilla de recuperar el audio es con un circuito integrado PLL cuya teora de funcionamiento se encuentra en un apndice del libro TV Codificada II. Sin embargo, en ese apndice se trata a los circuitos integrados PLLs ms desde el punto de vista de la recuperacin de los pulsos horizontales, en tanto que aqu los usaremos como detectores de FM. De cualquier manera se trata de los mismos integrados pero conectados de otro modo. Aqu vamos a utilizar el circuito integrado de NATIONAL LM565CN o sus reemplazos (por ejemplo, el SIGNETICS NE565 y otros que llamaremos 565 genricos). En la figura 5 mostramos el diagrama en blo-

Fig. 4

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Fig. 5

ques. Expliquemos el funcionamiento como detector de FM con fuente nica. Si queremos detectar una seal de 31.250Hz modulada en frecuencia se requiere que el VCO oscile libre en esa frecuencia. El fabricante indica que la frecuencia se puede calcular con la frmula Fo=1,2/(4xR2xC1) y en

donde el valor ptimo de R2 es de 4000 ohm pero puede variar entre 1K y 20K sin mayores problemas. Adoptando R2=10k se obtiene un valor de C1=1,2/4xR2xFo=1,2/4x10.000x31.250=960pF. Se adopta entonces un valor de 1000 pF +-5% NP0 del tipo cermico disco. En estas condiciones y con

slo conectar una tensin de fuente en la pata 10 de 12V, el VCO oscila en las cercanas de 31.250Hz. Conectando la pata 4, que es la salida del VCO, a la 5 que es la entrada de referencia, el circuito queda preparado para recibir la seal de muestra por la pata 2 o la 3. Lo que llamamos muestra no es otra cosa que

Fig. 5

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Circuitos de Conmutacin
la entrada de audio codificada. Tanto la pata 2 como la 3 son entradas, porque el circuito integrado tiene entrada diferencial. Como nosotros tenemos una seal de entrada referida a masa basta con conectar la pata 3 a masa e ingresar la seal por la pata 2. Pero esa masa que mencionamos debe ser, en realidad, una masa virtual debido a que vamos a alimentar al integrado slo con tensin positiva de 12 V (si Ud. realiza pruebas con fuente partida de +6 V entonces debe realizar el circuito con la pata 3 conectada a la unin de las fuentes). Y eso es todo, por la pata 7 obtendr audio decodificado porque el detector de fase va a generar una tensin continua de error que, debidamente amplificada y filtrada por R1 (interno) y C2 externo, queda aplicada al VCO corrigiendo su frecuencia, de modo que se enganche con la frecuencia de entrada. Si el VCO est enganchado en fase por la portadora de 31.250Hz modulada en frecuencia, es porque la tensin continua de control tiene la misma forma que la seal de modulacin de audio utilizada en el transmisor. En la figura 6 le ofrecemos el circuito completo del decodificador de audio en donde observar que se ha agregado un transistor que opera como separador para obtener baja impedancia de salida y poder cargar una entrada de audio de un TV.

Circuitos de Conmutacin

uando se estudia el comportamiento del transistor como parte componente de un circuito electrnico, debe realizarse el anlisis, ya sea para seales dbiles (pequeas) o para seales fuertes, que hagan que el semiconductor trabaje en la zona de corte o en la zona de saturacin de sus curvas caractersticas. Se dice, en este ltimo caso, que el transistor acta como un interruptor (cuando pasa desde la regin de corte a la de saturacin y vuelve luego al corte). Los circuitos "interruptores" con transistores o de conmutacin se usan en sistemas de radar, televisin, instrumentacin electrnica, telefona, circuitos digitales, etc. El circuito caracterstico de un transistor conmutador no difiere de los ya estudiados, tal como se puede ver en la figura 1, dado que lo que vara es el nivel de la seal aplicada a la entrada. En la figura 2 se representa cmo vara la corriente de emisor, detallando los tiempos de

Fig. 3

"encendido" y "apagado" del transistor, debido a que la respuesta a la seal de entrada no es inmediata, sino que sufre un cierto retraso, que quedan definidos por dos tiempos, uno de conexin (tON) y otro de desconexin (tOFF). La falta de respuesta de un transistor a los tiempos reales de conmutacin se debe a que, en la saturacin, existen cargas en exceso, de portadores minoritarios almacenados en la base. Por esta razn, cuando se emplean transistores en conmutacin, se debe reducir el tiempo de almacenamiento. Ahora bien, si se desean componentes ms rpidos, se deben utilizar componentes con estructuras distintas. Para ello, es preciso dar algunos conceptos. En la superficie de los semiconductores y de los metales existen estados de energa adicionales, que surgen de la rotura de la continuidad de la estructura cristalina. En la figura 3 se reproduce la estructura de un componente, que permite el movimiento de cargas con mayor facilidad y disminuye, de esta manera,

Fig. 1

Fig. 2

los tiempos de almacenamiento. Se trata de un diodo Schottky, cuyas caractersticas tensin-corriente son similares a las de un diodo de juntura P-N normal, tal como se puede apreciar en la figura 4. Los diodos Schottky tienen un tiempo de almacenamiento despreciable, porque la corrien-

Fig. 4

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Captulo 21
Fig. 5
elctrico de una compuerta NAND de dos entradas fabricada con tecnologa Schottky. Los circuitos integrados que emplean esta tecnologa son los ms rpidos dentro de los TTL y utilizan diodos Schottky que resultan fciles de fabricar y, como ya se ha estudiado, son muy rpidos. La subfamilia de circuitos integrados con esta tecnologa, se denomina HTTL y con ella se tienen tiempos de propagacin inferiores a los 3 nanosegundos, lo que permite operar con frecuencias de oscilacin superiores a los 100MHz. El consumo suele ser bajo y la disipacin de potencia rara vez supera los 20mW. Los fabricantes de circuitos integrados se esfuerzan para conseguir componentes rpidos de muy baja disipacin; con esta filosofa se tiene otra subfamilia TTL Schottky de baja potencia, denominada LSTTL, que posee resistores internos de mayor valor con el objeto de reducir la corriente de circulacin interna. Suelen emplear una configuracin diferente a la entrada, reemplazando el transistor multiemisor por un sistema ms veloz, con lo cual se consiguen tiempos de propagacin tpicos de unos 10 nanosegundos y un consumo por compuerta de tan slo 2mW. Como puede observar, el consumo se ha reducido considerablemente, pero como contrapartida, la frecuencia mxima de reloj slo alcanza los 35MHz, lo cual es bastante importante si se lo compara con la frecuencia mxima que se obtiene con otras familias. Volviendo al anlisis del transisitor en conmutacin, conectar una juntura significa que por ella circule una corriente superior a la de mantenimiento, lo cual demandar un tiempo para que la tensin y la corriente se estabilicen. A este tiempo se lo denomina rgimen transitorio de conexin. Del mismo modo, cuando el transistor conduce, para bloquear la tensin y anular la corriente, ser necesario un tiempo denominado rgimen transitorio de desconexin. En una juntura ideal, los tiempos de conexin y desconexin son nulos, lo que implica una resistencia nula durante la conduccin e infinita cuando se quiere practicar el bloqueo. Dicho de otra manera, no existira en este caso almacenamiento de cargas en el material que forma la juntura (en la zona neutra). Si se realizara el anlisis que permita explicar el comportamiento de la juntura, podramos asemejar la misma a un circuito rc paralelo, dado que hara falta que el capacitor se cargue completamente para que la juntura entre en un rgimen permanente. El tiempo de establecimiento de la corriente de colector depender del tiempo que precise la base para almacenar una carga determinada. De aqu que adquiere vital importancia tanto la resistencia de entrada como la capacidad base-emisor de un transistor, a la hora de establecer el comportamiento del semiconductor en alta frecuencia. El mismo procedimiento se puede seguir para estudiar a los transistores de efecto de campo, unijuntura, Schottky, etc, procedimiento del cual nos ocuparemos en lecciones futuras.

te est producida principalmente por portadores mayoritarios, ya que los electrones entran desde el lado N hacia el aluminio y, por consiguiente, no pueden diferenciarse de los electrones del metal, con lo que no se produce almacenamiento en la proximidad de la unin. De la misma manera que se puede reducir el tiempo de retardo de un diodo, se podra reducir el tiempo de establecimiento de un transistor. El componente as formado recibe el nombre de transistor Schottky, y su smbolo, tanto como el modelo equivalente, se muestran en la figura 5. Si se intenta saturar el transistor aumentando la corriente de base, la tensin del colector disminuir, por lo cual el diodo Schottky conducir y, como la unin del colector est polarizada en sentido directo a una tensin menor que la de umbral (V<0,7 V), el transistor no entrar en saturacin.

CIRCUITO DE APLICACIN Se puede reducir el retardo de una compuerta lgica TTL (transistor, transistor, lgico), si se elimina el tiempo de almacenamiento o establecimineto de todos los semiconductores que la integran. Como se ha visto, esto se consigue evitando que los transistores estn totalmente saturados. La mayora de los circuitos integrados digitales de la familia de los llamados de "alta velocidad", emplean semiconductores Schottky con el objeto de aumentar la velocidad de operacin, lo que es altamente beneficioso en componentes, tales como las memorias. En la figura 6 se da el circuito

COMPORTAMIENTO DE LAS CARGAS EN UN SEMICONDUCTOR Para "conectar" una juntura PN se debe hacer circular por ella una corriente, teniendo un

Fig. 6

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Circuitos de Conmutacin
Fig. 7
Se observa que a partir del tiempo t = comienza el proceso de conexin. Si suponemos que la resistencia R del circuito es muy superior a la resistencia de la juntura base-emisor y que la tensin aplicada a la juntura es muy superior a la tensin de conduccin (0,7V para el silicio), puede decirse que la corriente ser: V I = R Para explicar el proceso de almacenamiento de cargas, supondremos que la juntura P-N est compuesta por una zona P, fuertemente dosificada, y una zona N de dosificacin ms dbil. Por lo tanto, la inyeccin de portadores en la juntura consistir, casi exclusivamente, en lagunas o huecos que irn de la zona P+ hacia la zona N. Adems, los electrones que se inyectan en sentido contrario sern muy pocos, debido a la baja contaminacin de la zona N. Para calcular la corriente circulante, sabemos que la misma estar dada por la cantidad de cargas inyectada en la juntura N por unidad de tiempo; matemticamente se tiene: Qp I = Tp Es fcil deducir que la juntura se comporta como un circuito RC paralelo, tal como se muestra en la figura 9. En base a la frmula anterior y a la asociacin recin hecha, se deduce que: Q I = _______ C y T = RC En la figura 10 se ha reemplazado el efecto de almacenamiento de cargas en la juntura por el equivalente RC, por lo cual el tiempo de establecimien-

Fig. 9

rgimen transitorio de conexin, que representar el tiempo necesario para que la tensin y la corriente se estabilicen, permitir llevar el sistema a un rgimen permanente. Para "desconectar" la juntura, se debe disminuir la tensin con el objeto de anular la corriente circulante por el circuito. Entonces, el rgimen transitorio de la desconexin representa el tiempo necesario para que en la juntura se anule la corriente y el sistema permanezca en rgimen permanente. En la figura 7 se reproduce un esquema circuital que utilizaremos como base para explicar este tema, consideraremos al transistor en conmutacin. El generador VG suministra una tensin de forma de onda cuadrada. En el tiempo el generador entrega la tensin +V. luego, en el tiempo 1 se establece una tensin -V y as sucesivamente. Se busca que la juntura base-emisor del transistor permita el paso de la corriente, a partir del tiempo t = , y que la corriente sea nula durante el tiempo t = 1, tal como se muestra en la figura 8. En dicha figura se ha supuesto una juntura de comportamiento ideal, en la cual se tendra una resistencia nula, en el sentido directo de conduccin, e infinita, en el sentido inverso, y no existira en ella el almacenamiento de cargas en las zonas neutras del material que forma parte de la juntura, ni en la zona de "carga espacial" de la misma. Lgicamente, existen tiempos de demora para que se produzca el establecimiento de las cargas, con lo cual la situacin real es diferente, tal como muestra la grfica de respuesta de la figura 8.

Fig. 10

Fig. 8

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Fig. 11
ta o tcnico debe conoFig. cer, para poder seleccionar el componente adecuado, a la hora de trabajar con un circuito electrnico. Con este tema damos por finalizado el estudio simplificado del transistor en conmutacin. Como sntesis, podemos decir que un transistor en conmutacin se comporta como una llave electrnica, que permite el manejo de una corriente elevada entre emisor y colector, cuando se aplica una tensin suficiente a la juntura base-emisor. Estudiaremos ahora, los dispositivos especficos de disparo, comnmente conocidos como "rels electrnicos".

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to de la corriente de colector depender del tiempo necesario para almacenar en la base una carga QB, lo cual podemos escribir como: Qb Ic = ______ Tb

Como VG >> VBE, puede conDISPOSITIVOS ESPECFICOS siderarse que el capacitor Cb soDE DISPARO porta la totalidad de la tensin "escaln +V" en forma casi instanLos semiconductores controtnea. La carga almacenada en el lados de disparo, tales como el rectificador controlado de silicio, capacitor est dada por: el diac y el triac, se utilizan en sistemas de encendido de automQb = Cb . V viles, controles de iluminacin, de La base del transistor, que est motores, electrnica de potenen serie con el capacitor Cb, al- cia en general, calefaccin, etc. macena una carga igual, como Estudiaremos cada uno de estos se esperara de dos capacitores componentes en forma sencilla, pero lo suficientemente profunda conectados en serie. Para este anlisis, considera- como para contar con herramos la entrada del transistor (en- mientas vlidas de trabajo. tre base y emisor), de naturaleza puramente capacitiva, por lo RECTIFICADOR CONTROLADO que: DE SILICIO (SCR) Tb = Cb . Rb Es un dispositivo semiQuiere decir que el tiempo Tb conductor, formado por es el mnimo necesario para que cuatro capas de estrucFig. 13 se establezca un rgimen perma- tura (PNPN), que se utiliza nente, como condicin funda- como interruptor electrmental que debe cumplir la nico. Esto quiere decir constante de tiempo del circuito que su comportamiento CR de entrada, para compensar tiene dos estados: uno la constante de tiempo intrnseca de bloqueo (como una del transistor y, por consiguiente, llave abierta) y otro de anular el tiempo de estableci- conduccin (como una llave cerrada). En la figumiento. El anlisis efectuado se realiza ra 11 se representa en con fines demostrativos, dado forma esquemtica un que el fabricante de semicon- componente de estas ductores suele dar los tiempos de caractersticas con el establecimiento que el proyectis- smbolo correspondiente.

G es la compuerta, A el nodo y K el ctodo. Si se analiza detalladamente la estructura de este componente, mostrada en la figura 11, se puede deducir que el rectificador controlado de silicio se comporta como dos transistores conectados en cascada, tal como se muestra en la figura 12. El ctodo (K), que generalmente es de material N muy contaminado acta como emisor. La zona de compuerta (G), que es de material P poco contaminado, acta como base del mismo transistor, cuyo colector se completa con una zona de bloqueo de material N. Por otro lado, la zona de nodo (A), que es de material tipo P, muy contaminada cerca de la conexin y poco contaminada en la proximidad de la juntura, completa el dispositivo. Se observa que el SCR est compuesto por dos transistores uno PNP y otro NPN, conectados en cascada. Supongamos que se alimenta el nodo (A) con una tensin positiva con respecto al ctodo (K) y que la compuerta (G) no est polarizada. El transistor T2 estar

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Circuitos de Conmutacin
Fig. 14
do del SCR es muy baja, por lo que la corriente debe ser limitada por el circuito externo. En base al mecanismo recin explicado, en la figura 13 se muestra la curva caracterstica de este dispositivo. Con una tensin aplicada en sentido inverso (con el nodo negativo respecto al ctodo), el dispositivo bloquea la corriente que por l circula y queda un componente muy pequeo de saturacin inversa normal a toda juntura semiconductora. La tensin mxima de bloqueo, en el sentido directo VBO, se obtiene con la compuerta en circuito abierto; vale decir, IG = 0. Si se aplica una corriente de excitacin en la compuerta, la tensin de bloqueo disminuye, hasta llegar un momento en que se produce el disparo del SCR, en que la corriente aumenta hasta un valor mximo limitado por los componentes externos y ya no se establece un control desde la compuerta, es decir que no es posible controlar la corriente de nodo con variar la corriente de compuerta. Para poder obtener un nuevo control desde la compuerta, se debe eliminar o invertir la tensin de nodo. Es lgico suponer que, en circuitos de corriente alterna, el disparo se produce cada medio ciclo, dado que en los restantes se aplica una tensin inversa al nodo. Para producir el desbloqueo, se debe aplicar a la compuerta, en el instante preciso, un impulso de muy corta duracin que gatilla el dispositivo. sario controlar ambos semiciclos de la seal, se emplea el triac, que es un dispositivo que puede conducir en ambas direcciones. La figura 14 representa la estructura de capas constructiva simplificada de un triac y su smbolo esquemtico. Este dispositivo posee tres terminales, denominados: terminal principal N 1, terminal principal N 2 y compuerta. Un circuito equivalente que surge del anlisis de la estructura del triac, se puede ver en la figura 15, donde se observa que son dos pares de transistores conectados en cascada e interconectados entre s. En consecuencia puede considerarse el triac como dos SCR conectados en paralelo y en sentidos opuestos, segn lo mostrado en la figura 16. Con polarizacin directa o polarizacin inversa, el triac presenta un primer estado de bloqueo (que llamaremos estado NO) y un segundo estado de conduccin (llamado estado SI). El punto en el cual el dispositivo realiza la transicin entre los dos estados corresponde a la tensin de ruptura; dicha tensin de ruptura, de la misma forma que ocurra con un SCR, puede variarse mediante la aplicacin de un impulso de corriente, positivo o negativo, al terminal de compuerta. A medida que aumenta la amplitud del impulso de compuerta, disminuir la tensin de ruptura. Los valores necesarios para producir el disparo (sensibilidad del componente) son diferentes para cada caso y el fabricante suele especificarlos en los manuales de datos.

Fig. 15

al corte, por lo cual la corriente Ic2 ser nula, lo mismo que la corriente de base Ib1, en el transistor T1, por ser la misma que Ic2. El transistor T1 se encuentra, por lo tanto, al corte y no circular corriente entre el nodo y el ctodo del dispositivo (IA = 0). Si ahora polarizamos la compuerta (G), en forma directa con respecto al ctodo (K), el transistor T2 sale del corte. La corriente de colector Ic2, deja de ser nula, al igual que la corriente de base Ib1, ya que Ic2 es igual a Ib1; en consecuencia, el transistor T1 deja el estado de corte y provoca la circulacin de corriente de colector Ic1, que se cierra por la base del transistor T2, como Ib2. El transistor T2 es, de esta manera, excitado por el transistor T1, independientemente de la polarizacin externa, aplicada en la compuerta (G), que slo fue necesaria para el "arranque" o encendido del RCS. Se observa, entonces, que el transistor T2 excita al transistor T1 y ste, a su vez, al T2. Esta relacin TRIAC de realimentacin lleva a ambos transistores a la condicin de saEl SCR permite la conduccin turacin. En este estado, la cada de un solo semiciclo de la code tensin entre el nodo y cto- rriente alterna; cuando es nece-

Fig. 16

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Captulo 21
bloqueo al estado de conduccin, con cualquier polaridad de la tensin que se aplique entre sus terminales. En la figura 18 se representa la estructura de capas de este componente y su smbolo correspondiente. La curva caracterstica se reproduce en la figura 19 y corresponde a la de un transistor simtrico (el colector es igual al emisor), con la base abierta. El emisor se denomina Figura 18 nodo 1 y el colector, nodo 2. Cuando se aplica tensin positiva o negativa de bajo valor sobre los electrodos del diac, se establece un flujo pequeo de corriente de fuga (Is), hasta que la tensin llega al punto de ruptura VBO. A partir de ese momento, la juntura polarizada en sentido inverso sufre una ruptura por avalancha y, por encima Figura 19 de ese punto, la caracterstica tensin-corriente equivale a una "resistencia negativa", lo que significa que la corriente aumenta con una disminucin de la tensin. Los diac se usan principalmente en dispositivos de disparo para control de fase del triac y otras aplicaEn la figura 17 se reproduce la ciones similares, donde es nececurva caracterstica del triac, sario establecer una tensin dedonde se observa la conduccin terminada en los dos sentidos de en ambos sentidos: es decir, per- disparo. mite conducir los dos semiciclos de una seal alterna, cuando est excitada la compuerta. Circuitos de Aplicacin

Figura 17

DIAC Es un dispositivo semiconductor de dos junturas, de construccin similar a la del transistor bipolar que, muchas veces, es llamado "diodo para corriente alterna", pero que funciona, bsicamente, como un diodo de ruptura por avalancha bidireccional y que puede pasar del estado de

Una aplicacin tpica para el triac como control de potencia es la que aparece en la figura 20. En este circuito, un resistor de valor apropiado limita la Figura 20 corriente por la compuerta, de modo que, con una corriente pequea, se puede obtener un control de grandes potencias en un circuito de carga. Las corrientes tpi-

cas para los triacs comerciales, que deben ser aplicadas a la compuerta, varan entre 20 y 50mA y las corrientes principales de control varan entre 5 y 50 ampere. Del mismo modo que en el caso de los SCRs, podemos usar los triacs como eficientes controles de potencia, cortando los semiciclos de alimentacin en momentos oportunos, de modo que apenas una parte sea conducida hacia la carga. Es evidente que, en el caso de los triacs, conduciendo estos componentes, la corriente en los dos sentidos, obtenemos una banda mucho mayor de variacin de potencia, que puede estar entre cero y 95%, para los casos comunes. La configuracin usada para un circuito de control de potencia, en este caso, es semejante a la de los SCR, con la diferencia del diodo usado en la compuerta. Tenemos, entonces, un componente adicional que sera un diac, obteniendo la configuracin de la figura 21. Como los triacs pueden conducir corriente en los dos sentidos, son especialmente indicados para ser usados en circuitos de corriente alterna. Es lgico que habiendo un nico sentido de corriente, en los circuitos de corriente continua, la utilizacin de un triac en lugar de un SCR sera un desperdicio, pues habra una parte de no conduccin para este componente. El circuito ms simple con triac se muestra en la figura 20, en la que este componente se usa para permitir el control de una corriente intensa con un interruptor de pequea capacidad. La corriente de disparo del triac est determinada por el resistor R que debe, entonces, dimensionarse de acuerdo con su

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La Superconductividad y sus Aplicaciones

den de 10 a 20A tenemos una corriente de disparo en la banda de los 20 a los 50mA, hasta pueden usarse con eficiencia "reedswitches" , o tambin pequeos rels. Otra aplicacin aparece en la figura 22, en que tenemos un control de dos Fig. 22 intensidades para una carga que puede ser una lmpara o un motor. En el caso de un motor, tendremos 2 velocidades, segn la posicin de la llave, y en el caso de la lmpara, dos brillos. En la posicin en que queda el diodo, fuera del circuito, la corriente dispaFig. 23 ra el triac en los dos semiciclos y toda la potencia es aplicada a la carga. En la posicin en que el diodo es colocado en el circuito, ste permite el disparo del triac solamente en la mitad de los semiciclos. La carga recibe entonces la mitad de la potencia. Vea que, en este circuisensibilidad y con la capacidad to, el diodo usado puede ser de del interruptor. capacidad de corriente bastanComo para un triac de capa- te pequea.

Fig. 21 cidad de corriente del or-

Una tercera posicin de la llave permite que el circuito sea inactivado. La tercera aplicacin es del conocido control de potencia, en que podemos hacer uso, como carga, de un motor (perforadora elctrica, ventilador, etc.) o bien de una lmpara en cuyo caso tendremos el llamado "dimmer" (atenuador). El circuito aparece en la figura 23 con los valores para la red de 220V, observndose el uso de diac, que puede estar, o no, incorporado al triac (entre parntesis se dan los valores para 220V). Como en todas las aplicaciones el triac desarrolla una cierta cantidad de calor, que depende de la intensidad de la corriente circulante, es preciso montarlo en un disipador de calor. Las cubiertas de los triacs ya estn dotadas de recursos que facilitan su montaje en estos disipadores. La cantidad de calor desarrollada por un triac, como en los SCRs, puede calcularse fcilmente multiplicando la intensidad media de la corriente conducida por 2,0V, que es la cada de tensin en este componente. Por ejemplo, un triac que conduzca una corriente de 5A desarrolla una potencia de 10W.

La Superconductividad y sus Aplicaciones

a superconductividad, es una propiedad que presentan ciertos materiales slidos de perder sbitamente toda resistencia al paso de la corriente elctrica al sobrepasar un nivel umbral trmico denominado temperatura crtica. Si bien este fenmeno se conoce desde principios del presente siglo, es hasta aos recientes cuando se estn encontrando nuevas y fascinantes aplicaciones. El presente captulo tiene como objeto precisamente mostrarle el grado de desarrollo que tiene la tecnologa superconductora, y qu se puede esperar de ella en un futuro cercano.

UN POCO DE HISTORIA Desde que comenzaron a estudiarse los fenmenos elctricos y fue descubierta por George Ohm la ley que tomara su nombre, algunos experimentos demostraron que la resistencia elctrica de los materiales sufre variaciones si se exponen a cambios de temperatura. De hecho, al medirse estas variaciones, lleg a calcularse un parmetro conocido como coeficiente de temperatura, el cual indica qu tanto se modifica el valor de la resistencia de un material al aplicarle una variacin

de temperatura. Tambin se descubri que casi todos los materiales conductores (especialmente los metales) presentan un coeficiente de temperatura positivo, esto es: cuando aumenta su temperatura aumenta su resistencia y, al contrario, cuando la temperatura desciende, la resistencia elctrica del material tiende a disminuir (este comportamiento es el comn en la mayora de los materiales, aunque los semiconductores llegan tener un coeficiente de temperatura negativo, situacin que se aprovecha para la fabricacin de los termistores).

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Captulo 21
Figura 1
diversos materiales en esas condiciones. Fue el fsico holands, de la Universidad de Leyden, Heike Kamerlingh Onnes (el mismo que logr licuar el helio por primera vez), quin descubri en 1911 el fenmeno que posteriormente se llamara superconductividad. Por este importante hallazgo, Onnes recibi en 1913 el premio Nobel de Fsica. es decir, en que no hay disipacin de energa, se le llam superconductividad. Pero adems, en estas condiciones, los materiales exhiben otras importantes caractersticas, segn veremos enseguida.

CARACTERSTICAS DE LOS SUPERCONDUCTORES Veamos ahora dos propiedades que hacen tan especiales a los superconductores. 1) La principal, y ms obvia, es su nula resistencia, y por consiguiente la posibilidad de ofrecer una virtualmente infinita velocidad de propagacin de la energa elctrica sin prdida alguna por calor disipado. Esto se comprende mejor si recordamos que la potencia que disipa un conductor, es una funcin de la corriente que circula por l y de la resistencia del mismo. Analicemos sobre la siguiente frmula algebraica que nos permite expresar el razonamiento anterior: P = R x I2 Donde: P = potencia disipada (watt) R = resistencia elctrica I = corriente circulando Es obvio entonces que si la resistencia es igual a cero, la potencia disipada tambin ser igual a cero. 2) Impenetrabilidad del flujo magntico en el material superconductor. Esto es muy importante, dado que el efecto se

Simultneamente al estudio de las propiedades conductoras de los materiales, en el siglo pasado, la comunidad cientfica se encontraba verdaderamente fascinada con la investigacin de los fenmenos criognicos. La criogenia es la rama de la fsica que se ocupa de la aplicacin de los fenmenos que se producen en la materia al ser sometida a bajas temperaturas. Los experimentos realizados entonces, se orientaban principalmente a la licuefaccin de los gases que componen la atmsfera terrestre (oxgeno, nitrgeno, bixido de carbono, hidrgeno, helio, etc.). Se pens que si se enfriaban lo suficientemente, pasaran de su estado gaseoso al lquido, lo que permitira investigar nuevas propiedades de dichas sustancias. Durante toda la segunda mitad del siglo pasado, se logr licuar casi todos los gases, gracias a que se perfeccionaron los mtodos para conseguir temperaturas muy bajas, cercanas al 0K (cero grados Kelvin es igual a 273,16 grados centgrados) nivel conocido como cero absoluto. El nico gas que no pudo ser licuado, sino hasta el siglo XX, en 1908, fue el helio, que tuvo que ser llevado a una temperatura de 4,22K (slo como curiosidad cientfica, en la actualidad se ha conseguido llevar a todos los gases incluso a su estado slido, exceptuado al helio, el cual no parece solidificarse ni siquiera a temperaturas de apenas una fraccin de grado por encima del cero absoluto). Ya que se dispona de la tecnologa para obtener temperaturas tan bajas, a muchos cientficos se les ocurri investigar qu suceda con las propiedades de

Qu se Entiende por Superconductividad Como se mencion, los cientficos saban ya que la resistencia elctrica de la materia disminuye conforme baja la temperatura. Onnes quiso averiguar hasta qu punto se poda reducir dicha resistencia, y si fuese posible lograr que desapareciera por completo. Por uno de esos extraordinarios golpes de suerte o de intuicin, eligi al mercurio como material a investigar (adems de que era uno de los metales que ms fcilmente se obtena en estado puro). Al enfriarlo por debajo de los 4,22K (en esos niveles ya en estado slido), Onnes not que la resistencia era tan pequea que ya no se poda medir, y dedujo un comportamiento perfectamente lineal de la resistividad elctrica del mercurio ante cambios en la temperatura. Observe en la grfica de la figura 1 cmo se va reduciendo la resistencia a medida que baja la temperatura, hasta que llega a 0, justo en un nivel de 4,22K. Sin embargo, investigaciones posteriores permitieron determinar que en realidad la variacin s era lineal pero hasta poco arriba de los 4,22K, y que llegado a este punto de temperatura exista un salto descendente sbito, como se muestra en la figura 2. A este estado en que desaparece la oposicin al paso de la corriente elctrica,

Figura 2

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La Superconductividad y sus Aplicaciones

de decenas e incluso cientos de kilmetros, su resistencia ya no puede despreciarse. Si a esto aadimos que dicho cable debe transportar miles de kilowatts de potencia, el problema es realmente complejo. La solucin que se ha dado hasta hoy, es la utilizacin de lneas de muy alto voltaje (220 440kV), lo cual disminuye de manera significativa la corriente que circula por los cables y, por consiguiente, la prdida de energa por calor disipado. Actualmente se han desarrollado cables superconductores para la transportacin y distribucin de energa elctrica, mas no se han generalizado. Este tipo de cables requieren de una cubierta refrigerante a su alrededor para mantenerlos a una temperatura inferior al nivel crtico. Sin embargo, tal cubierta no sera necesaria si se dispusiera de un elemento conductor que trabajara a la temperatura ambiente, de ah el inters de los fsicos en la bsqueda de superconductores cermicos. En la figura 3 se muestra la estructura de este tipo de cables. Esta aplicacin ha despertado el inters de la comunidad cientfica internacional, ya que podra reducir considerablemente los costos de generacin y distribucin de energa elctrica, al grado de que con un cable de muy pequeo calibre podran circular varios cientos o miles de amperes sin prdida apreciable de energa en forma de calor. En la actualidad ya se estn haciendo experimentos en dicho campo, y se calcula que en la primera dcada del siguiente siglo se instalarn las primeras lneas de transmisin de este tipo en los Es-

Fig. 3
puede aprovechar para la fabri- de obtener. Este alcance ha esticacin de sistemas realmente mulado a los investigadores en la asombrosos. bsqueda de superconductores an ms calientes, que haga Aunque existen otras propie- factible su aplicacin masiva sin dades interesantes en los super- un gasto excesivo en sistemas de conductores, las dos anteriores refrigeracin. son las que ms se pueden aproConcretamente, el descubrivechar en diversas reas de la miento de materiales supercontcnica. Ahora bien, por qu se ductores de tipo cermico fue ha desatado en todo el mundo realizado por J. Georg Bednorz y tal inters por los superconducto- K. Alexander Mller, en un laborares, si se descubrieron hace ms torio de la IBM de Zurich, Suiza, lo de 80 aos? La respuesta es sim- que les vali el premio Nobel de ple: hasta hace no muchos aos, Fsica de 1987. Otro investigador los nicos superconductores que que tambin ha aportado imporse conocan eran metlicos y pa- tantes avances en este campo saban a dicho estado solamente es el doctor Paul Chu, de la Unisi se sometan a temperaturas ex- versidad de Houston (quien de tremadamente bajas, lo que los hecho descubri el primer superconverta en una rareza de labo- conductor de alta temperaturatorio sin ninguna aplicacin ra, alrededor de 179C). prctica inmediata. Sin embargo, con los aos se han descubierto aleaciones cermicas que APLICACIONES DE LOS SUPERCONDUCTORES se comportan como superconductores a temperaturas relativaTransmisin y distribucin mente altas, alcanzando en alde energa elctrica gunos casos cerca de los 100 Sabemos que la resistencia de grados Kelvin, es decir, bastante arriba de la temperatura de ebu- un cable puede considerarse de llicin del nitrgeno lquido, que cero a distancias cortas; pero si es un refrigerante barato y fcil consideramos un cable que mi-

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Captulo 21
tados Unidos (en Europa y Japn se tiene un inters similar, as que estamos frente a una verdadera carrera tecnolgica entre todas estas naciones para ver quin desarrolla primero y ms eficientemente esta aplicacin). Generacin de energa elctrica Los generadores elctricos no trabajan a los elevados voltajes de la lnea de transmisin; por lo tanto, para que la potencia generada sea grande, es necesario que por los bobinados circulen corrientes muy elevadas. Para poder manejar estas corrientes, los generadores se construyen con cables muy gruesos, capaces de soportar esas condiciones de trabajo, lo que redunda en un volumen y peso excesivos (el rotor de un generador elctrico puede pesar varias toneladas, lo que implica que se necesita un enorme volumen de agua circulando, y por consiguiente una presa enorme, para poder moverlo e iniciar la generacin de electricidad). Si estas unidades se construyeran con tecnologa superconductora, tanto el tamao como el peso se reduciran considerablemente, disminuyendo los costos de construccin, montaje y mantenimiento, permitiendo incluso obtener de presas relativamente pequeas una cantidad apreciable de energa elctrica. En este campo (y en el anterior), destacan los compuestos con base en Bismuto, que ya se estn investigando y comenzando a aplicar en forma experimental. Estos compuestos han venido a sustituir las tradicionales aleaciones de Niobio y Titanio, que fueron ampliamente utilizadas a partir de los aos 60. Mejores dispositivos electrnicos Dos de las limitaciones que enfrentan los investigadores en la miniaturizacin de los dispositivos electrnicos, son: 1) la disipacin de energa en espacios cada vez ms reducidos y 2) el delicado problema de la terial superconductor un imn, cooperacin entre componentes quedar flotando o levitando. muy numerosos y cercanos entre Este fenmeno se debe a s. que, como el superconductor tiene en su interior un campo magEn la miniaturizacin, se debe ntico igual a cero, al acercar el tomar en cuenta que las lneas imn (y por consiguiente su campor donde circular la corriente po magntico asociado) el maelctrica tambin se reducirn, terial crea un contracampo, de con su consiguiente aumento de modo que la suma en su interior resistencia y de calor disipado. Ya siga siendo cero. Esto es como si sumado, el calor de todas las l- en el superconductor se creara neas que conducen corriente un imn idntico al que se est puede llegar a afectar seriamen- acercando, como la imagen de te el desempeo del integrado, e un espejo. A este fenmeno se le inclusive destruirlo. Si bien se han conoce como efecto Meissner. difundido tecnologas nuevas Como se puede apreciar en que consumen mnima corriente, la figura 4, al ser ambos imanes como los circuitos CMOS de alta de la misma polaridad, tienden a escala y muy alta escala de inte- repelerse, lo que hace que el gracin, la colocacin de diga- imn quede suspendido sobre mos un milln de dispositivos en el superconductor a una cierta un chip de un micro-procesador, distancia que ser determinada produce tal disipacin de calor por el peso del propio imn y la que debe ser tomada en cuenta potencia de su campo magntien el diseo (de hecho, desde co. hace aproximadamente 10 aos Una aplicacin del efecto que los microprocesadores de las Meissner se presenta en el diseo computadoras deben utilizar sis- de vehculos para transportacin temas para eliminar el calor re- ultra-rpida. Por los principios elemanente de su operacin, como mentales de la fsica sabemos disipadores y ventiladores adosa- que una de las principales limitados directamente en el dispositi- ciones que presenta un transporvo). te superficial, es la friccin contra En este campo, estn siendo el pavimento o contra los carriles, probados diversos materiales, so- la cual tiende a frenarlo. bre todo basados en aleaciones Tambin sabemos que conforde Ytrio y Talio, los cuales pueden me aumenta la velocidad de un convertirse fcilmente en placas vehculo, se va perdiendo capadelgadas ideales para usarse co- cidad de maniobra, esto es, se mo base para la fabricacin de necesita crecientemente ms escircuitos integrados. Con la apa- pacio para cambiar la trayectoricin de superconductores cer- ria. Un vehculo que aproveche micos, es posible alcanzar un alto las propiedades de levitacin grado de miniaturizacin, que magntica, contrarrestara amtendra casi como nico lmite la bas limitaciones. pureza de los materiales empleaAl respecto, se han diseado dos. Los especialistas consideran trenes que pueden desplazarse que con esta tecnologa pronto flotando sobre rieles super-conse podrn fabricar computado- ductores, gracias a generadores ras ms poderosas, ms rpidas, magnticos y a que se impulsan y ms baratas. por medio de un motor de induccin lineal. El hecho de que se Transportacin terrestre desplacen flotando evita el rozaEste campo es uno de los ms miento entre partes; adems, por interesantes y de los que reciben la propiedad de imagen en esms atencin por los investigado- pejo de los superconductores, res y los gobiernos. Aqu se apro- cualquier desviacin en la travecha la propiedad de impene- yectoria sera autocorregida, es trabilidad de los campos magn- decir, se trata de vehculos exticos en los superconductores. cepcionalmente estables, lo que Si dejamos caer sobre un ma- redunda en una gran seguridad

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La Superconductividad y sus Aplicaciones

dos Unidos (pruebas realizadas han demostrado que objetos que poseen en su interior un pequeo aparato formado por cermicas superconductoras sufren un pequeo decremento en su peso); si se comprueba la efectividad de estos mtodos, la propulsin de naves espaciales futuras puede sufrir una revolucin total. Por ltimo, cabe sealar que el fenmeno de la superconductividad es muy importante para el desarrollo tecnolgico futuro y que, en las condiciones actuales, no requiere de un complejo laboratorio para ser reproducido; en otras palabras, esta tecnologa se encuentra al alcance de pases como el nuestro y no es viable desdearla. De hecho, algunos investigadores tanto de la Universidad Nacional Autnoma de Mxico como del Instituto Balseiro en Argentina, ya han producido muestras de cermicas superconductoras y han realizado trabajos muy interesantes al respecto. Si desea informacin adicional puede consultar los siguientes ttulos y direcciones en Internet: Magaa, Sols L:F: Los superconductores, serie La ciencia desde Mxico. Fondo de Cultura Econmica, 1991. Mxico. Rhodes, R.G. and Mulhall, B.E. Magnetic Levitation for Rail Transport, serie Monographs on cryogenics, Oxford University Press, 1981, Inglaterra. Superconductive Components Inc. (http://www.superconductivecomp.com/) Oak Ridge National Laboratory (http://www.ornl.gov/) Sandia National Laboratory (http://www.sandia.gov/)

Fig. 4
para los pasajeros.Como punto adicional, un vehculo de este tipo no produce ningn tipo de contaminacin ambiental, ya que se impulsa por medio de electricidad y no produce ruido, puesto que no hay contacto entre el vehculo y la superficie. mente metlica, posee todas las propiedades de ductilidad que caracterizan a estos materiales. Seguramente conforme se perfeccione la fabricacin de alambres delgados utilizando compuestos de Bismuto, pronto se reemplazar la tecnologa Nb-Ti, lo que pondr este tipo de estudios ms al alcance del pblico en general. Otras aplicaciones Como podr suponer, un fenmeno tan especial como la superconductividad potencialmente posee una enorme variedad de aplicaciones; entre las ms interesantes y que actualmente ya se estn investigando podemos encontrar el almacn de energa en forma de una rueda volante, una especie de toroide de material superconductor en el que se pone a circular una corriente considerable, de tal manera que al no haber ninguna resistencia por parte del material que la conduce, dicha corriente se queda circulando por tiempo indefinido, como un almacn de energa (esta aplicacin est siendo estudiada muy cuidadosamente por la comunidad europea). Otra aplicacin que parece extrada de la cienciaficcin es el desarrollo de escudos contra gravedad, que estn siendo investigados por la NASA en Esta-

Aplicaciones mdicas Este es un campo en el cual los dispositivos superconductores ya se estn utilizando intensivamente; por ejemplo, en la obtencin de imgenes por resonancia magntica (una tcnica que permite explorar el interior del cuerpo humano con gran precisin, pero que requiere de la generacin de un campo magntico muy intenso, el cual se produce por medio de una corriente tan alta que fundira a un embobinado tradicional), se utilizan cables superconductores fabricados con una aleacin de Niobio y Titanio (material que se descubri a mediados del presente siglo, y que se vuelve superconductor a solo 253C 20K). La razn por la que an no se emplean los nuevos materiales cermicos que se mencionaron anteriormente, es que hasta el momento no se ha encontrado un mtodo efectivo para convertir en un delgado alambre estos compuestos, mientras que la aleacin de Nb-Ti, al ser total-

Es una publicacin de Editorial Quark, compuesta de 24 fascculos, preparada por el Ing. Horacio D. Vallejo, quien cuenta con la colaboracin de docentes y escritores destacados en el mbito de la electrnica internacional. Los temas de este captulo fueron escritos por Horacio D. Vallejo y Leopoldo Parra Reynada.

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