Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.

3. Introduccin a los dispositivos de unin.

3.1 Fabricacin de uniones p-n.
Antes de comprender como funciona una unin p-n, se discutir como es que se
forma la unin p-n. Para fabricar las uniones p-n se necesita de un amplio conocimiento
acumulado y de la experiencia de muchos grupos de investigacin. En el siguiente estudio
no se pretende dar una descripcin completa de las tcnicas usadas industrialmente y nada
ms se abordarn algunos mtodos de los ms bsicos.
3.1.1. Crecimiento de la Unin.
Esta tcnica de crecimiento de la unin era muy aplicada en los inicios del
desarrollo de los semiconductores para fabricar diodos, en la actualidad nada ms se utiliza
en los laboratorios. Los diodos se formaban a partir de la tcnica de Czochralski. Por
ejemplo, en el crisol se tiene silicio fundido al cual se le agregaron impurezas de Arsnico (
Impurezas donadoras, Nd = 1 x 10
15
tomos/cm
3
) para obtener un material extrnseco tipo n
(figura 3.1). El proceso contina haciendo girar lentamente el fundido y al mismo tiempo
retirndolo. Posteriormente se detiene el crecimiento y a continuacin se le agregan
impurezas del tipo aceptoras ( Aluminio en una cantidad de 5 x 10
15
tomos/cm
3
) para
formar el material extrnseco tipo p.
La concentracin neta de portadores suministrados por los tomos de impureza es
igual a la diferencia entre las concentraciones de tomos donadores y tomos aceptores. La
siguiente expresin nos da el valor de la concentracin de donadores en exceso N:
a
N
d
N N
Si el valor de N resulta ser positivo, existe una mayor concentracin efectiva de
donadores que suministran al material de electrones de conduccin. Por otra parte, si N
resulta ser negativa, hay ms cantidad de tomos aceptores y, por lo tanto, habr una
concentracin efectiva de aceptores mayor que suministran huecos de conduccin.
68
(3.1)
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
Figura 3.1 Fabricacin del crecimiento de la unin.
Aplicando esta frmula a las impurezas que se agregaron a la fusin del ejemplo
anterior, resulta:

,
_

,
_

3
15
10 5
3
15
10 1
cm
toms
X
cm
tomos
X N
3
15
10 4
cm
tomos
X N
Este valor nos dice que hay una cantidad mayor de huecos en la fusin; as que el
material que se form al agregar aluminio al fundido es un material tipo p (figura 3.1b). Se
pueden ir alterando las impurezas en la fusin de una manera alternada, hasta que la fusin
est totalmente impurificada. Una vez que el proceso se ha completado, se comienza por
cortar secciones transversales del lingote para formar obleas de silicio que contienen solo
69
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
uniones p-n. Estas obleas son posteriormente cortadas en pequeos cuadros (figura 3.1c),
los cuales sern los futuros diodos. Esta tcnica permite obtener un gran nmero de diodos
( a veces hasta miles de ellos).
El rea que tienen los diodos es lo suficientemente grande para poder soportar
elevados niveles de corriente pero, esto agregar tambin valores capacitivos indeseables en
la unin.
3.1.2 Uniones por Aleacin.
Este mtodo se ha venido utilizando desde los aos 50s; un ejemplo del proceso es
el siguiente. A una muestra de material tipo n de germanio, se le coloca encima un punto de
Indio (impureza tipo aceptora, figura 3.2a), a continuacin se calientan a una temperatura
de aproximadamente 160C (para estos dos elementos, figura 3.2b) formndose una
pequea fusin local aleacin entre los dos materiales. A continuacin, la temperatura
se disminuye y el germanio comienza a crecer fuera de la mezcla de la aleacin (despus de
la unin); este recrecimiento tiene la misma estructura del retculo del germanio original
pero ahora est fuertemente impurificado con tomos de Indio y, por lo tanto, es un
material tipo p (figura 3.2c).
Figura 3.2 Proceso de Aleacin.
Para prevenir la formacin de oxido en la superficie del cristal y en la aleacin
durante el calentamiento, el proceso se realiza en atmsferas reducidas (como hidrgeno o
70
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
incluso con gases inertes o al vaco); debido a que el oxido puede inhibir el proceso de
aleacin.
La parte superior de la pelotita de indio se puede utilizar como contacto hmico
(para colocar una terminal) en la regin tipo p. Para el otro contacto hmico en la regin
tipo n se debe evaporar una mezcla de oro con antimonio (aproximadamente 0.1% Sb) a
una temperatura aproximada de 400C para formar una regin tipo n fuertemente dopada y
que permita una menor resistencia.
3.1.3. Mtodo de Difusin.
La tcnica ms comn para grandes volmenes de produccin es el proceso de
difusin de impurezas. Existen dos mtodos en esta tcnica; la primera es la difusin slida
y la segunda, la difusin gaseosa. En cuestiones de duracin, este ltimo proceso requiere
de un tiempo mayor que el de aleacin, pero es relativamente ms barato y se puede
controlar el proceso de fabricacin con bastante precisin. La mayor diferencia que existe
entre el mtodo gaseoso y el de aleacin es que la licuefaccin no se presenta en el mtodo
de difusin. En este ltimo mtodo se utiliza el calor para aumentar la actividad de los
elementos involucrados.
En el primer mtodo, el de la difusin slida (figura 3.3a), se colocan las impurezas
aceptores sobre toda la superficie de un material tipo n y ambos se calientan hasta lograr
que las impurezas se difundan dentro del material tipo n y as, formar una capa de material
tipo p.
En la difusin gaseosa en lugar de colocar las impurezas sobre el material tipo n,
estas ya se encuentran en forma gaseosa. El material tipo n se introduce dentro de esta
atmsfera gaseosa y posteriormente se calientan (figura 3.3b); as, las impurezas se
difunden dentro del material tipo n y forman una capa de material tipo p.
71
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
Figura 3.3 Proceso de Difusin.
3.1.4 Mtodo fotolitogrfico.
A una oblea base de material tipo n
+
, se le agrega una capa de material tipo n; la n
+
significa que es un material fuertemente dopado que tiene la caracterstica de presentar una
resistencia muy pequea y por lo tanto, actuar como una extensin semiconductora del
conductor (capa metlica) y no como el material tipo n de la unin p-n (paso 1). La oblea se
coloca en un horno que contiene gas de O
2
para hacer crecer una capa de SiO
2
con un
espesor de apenas 1 micra (paso 2). Luego se aplica una capa de fotoresina (FR), paso 3;
esta capa se puede polimerizar con luz ultravioleta. Despus se coloca una mscara con los
motivos del dispositivo y se hace pasar luz ultravioleta quedando la capa FR polimerizada
excepto en los crculos de la mscara (paso 4). A continuacin se quitan las reas
despolimerizadas (crculos), paso 5. Utilizando cido hydrofluorico se remueve el SiO
2
sin
alterar o perturbar al Si (paso 6). El material que qued de PR se remueve y, se evapora
directamente por las ventanas tomos de Boro que pueden difundirse directamente hacia el
material tipo n y formar el diodo (paso 7). A continuacin se evapora sobre toda la
superficie aluminio (paso 8). Por ltimo, se coloca otra mscara B y se repiten los pasos 2,
3 y 4; este ltimo paso es para tener un rea sobre el material tipo p en la cul se puede
tener un contacto hmico que acte como una terminal del diodo. Entonces los dispositivos
individuales pueden ser separados por rayado de la oblea.
72
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
Figura 3.4 Proceso del mtodo Fotolitogrfico.
3.2 Diodo en estado de equilibrio.
Anteriormente hemos visto como se fabrican las uniones p-n; ahora, centraremos
nuestra atencin en el estudio de los materiales cuya densidad de impurezas puede variar de
un punto a otro y, en particular, en materiales que contienen una regin extrnseca tipo p y
tipo n separadas por una zona de transicin relativamente angosta
73
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
3.2.1 Tipos de Uniones.
Existen dos tipos de uniones p-n: una se le llama unin abrupta y a la otra unin
graduada. En la primera existe una concentracin de impurezas aceptoras constante a todo
lo largo de la regin p y lo mismo sucede en la regin n pero, de impurezas donadoras. En
la unin graduada, las impurezas aceptoras en la regin p comienzan con un valor grande
de concentracin y van decreciendo conforme se acerca a la unin; en la regin n cerca de
la unin comienza con un valor pequeo y aumenta de concentracin conforme se aleja de
la unin. La figura 3.5 ilustra estos dos casos.
Figura 3.5 Concentracin de tomos de impurezas de una unin p-n abrupta y una unin p-n
gradual.
Se le dar un mayor nfasis a las regiones abruptas debido a que son ms fciles de
analizar matemticamente y, para la mayora de los dispositivos ms importantes una
representacin aproximada de sta unin es aceptable.
3.2.2 Proceso de recombinacin.
La recombinacin de electrones y huecos es un proceso en el cual ambos portadores
(electrones y huecos) se aniquilan entre s; los electrones se desploman en uno o varios
pasos hacia el estado vaco (huecos) y ambos portadores desaparecen mas tarde en el
74
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
proceso. La diferencia de energa entre el estado inicial y final del electrn se emite, esto
lleva a una clasificacin de los procesos de recombinacin. La figura 3.6 muestra los
procesos bsicos de recombinacin.
Figura 3.6 Procesos de recombinacin. (a) banda a banda (radiactivo o de Auger), (b)
Recombinacin de nivel simple, (c) recombinacin multi-nivel.
75
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
La figura 3.6a muestra la recombinacin banda a banda que ocurre cuando un
electrn se cae de su estado en la banda de conduccin a un estado vaco (hueco) en la
banda de valencia. Esta transicin de un electrn de la banda de conduccin a la banda de
valencia se hace posible por la emisin de un fotn (proceso radioactivo) o por
transferencia de la energa a otro electrn o hueco libre (proceso de Auger).
La figura 3.6b muestra la recombinacin de nivel simple de trampa asistida y
ocurre cuando un electrn entra en una trampa, es decir, un nivel de energa dentro de la
banda prohibida causado por la presencia de un tomo extranjero o un defecto estructural.
Una vez que la trampa est llena no puede aceptar otro electrn. El electrn que ocupa la
energa de la trampa puede en un segundo paso caer en un estado vaco en la banda de
valencia, de este modo se competa el proceso de recombinacin. Uno puede prever este
proceso como una transicin de dos pasos de un electrn de la banda de conduccin a la
banda de valencia o tambin como la aniquilacin del electrn y el hueco que se encuentran
en la trampa. Se hace referencia a este proceso por varios autores como la recombinacin
Shockley-Read-Hall (SRH).
Por ltimo la figura 3.6c muestra la recombinacin de nivel mltiple en la cual ms
de un nivel de trampas est presente en la banda prohibida.
La recombinacin de nivel simple puede describirse por cuatro procesos: captura del
electrn, emisin del electrn, captura del hueco y emisin del hueco. La recombinacin U
(en unidades de cm
-3
/seg) est dada por:
1
1
1
1
1
]
1

+ +
1
1
1
1
1
]
1

,
_

,
_

,
_

kT
i
E
t
E
e
i
n p
p
kT
i
E
t
E
e
i
n n
n
t
N
i
n pn
th
v
n p
U


2
donde:

p
y
n
Secciones transversales de captura de hueco y electrn respectivamente.
76
(3.1)
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
v
th
Velocidad trmica del portador que es igual a
*
/ 3 m kT
N
t
La densidad de trampas.
E
t
Nivel de energa de la trampa.
E
i
Nivel de Fermi intrnseco.
n
i
Densidad intrnseca de portadores.
En equilibrio trmico, pn =
2
i
n y U = 0. Adems, bajo la condicin simplificada

p n , la ecuacin anterior se reduce a:

,
_

+ +

kT
i
E
t
E
i
n p n
i
n pn
t
N
th
v U
cosh 2
2

La aproximacin de la recombinacin a un mximo como el nivel de energa del

centro de recombinacin se aproxima a la mitad de la banda. ( E
t
E
i
). As los centros de
recombinacin ms efectivos son aquellos localizados cerca de la mitad de la banda
prohibida.
Bajo condiciones de baja inyeccin, esto es, cuando los portadores inyectados ( n
= p ) son mucho menores en nmero que los portadores mayoritarios, el proceso de
recombinacin puede ser caracterizado para un semiconductor tipo p como:
p
n
p
n
p
p
U

y semejante para los huecos en un semiconductor tipo n:

n
p
n
p
n
n
U

77
(3.2)
(3.3a)
(3.3b)
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
donde p
n0
y n
p0
son la concentracin de portadores minoritarios en equilibrio y
p
y
n
es
el tiempo de vida de los portadores minoritarios.
El tiempo de vida de los portadores minoritarios de las ecuaciones anteriores para
un semiconductor tipo n est dado por:
t
N
th
v
p
p

Similarmente para un semiconductor tipo p:

t
N
th
v
n
n

Muchas impurezas tienen los niveles de energa cercanos a la mitad de la banda

prohibida (Apndice H). Estas impurezas son centros de recombinacin eficientes. Un
ejemplo tpico es el Oro en el Silicio; el tiempo de vida de los portadores minoritarios
decrece linealmente con la concentracin de Oro sobre el rango de 10
14
a 10
17
cm
-3
, donde
decrece desde cerca de 2x10
-7
seg a 2x10
-10
seg. Este efecto es importante es algunas
aplicaciones para dispositivos de conmutacin donde se desea un tiempo de vida corto. En
los puntos 3.3 y 3.4 se retomar este tema.
3.2.3 Potencial de contacto en la Unin.
Supongamos que se tienen dos regiones de materiales tipo p y n separadas entre s,
las cuales presentan niveles de Fermi distintos y que posteriormente se unen por medio de
alguno de los mtodos antes mencionados. En el instante de la formacin de la unin, existe
una concentracin uniforme de portadores mayoritarios n
no
(electrones libres) y de
portadores minoritarios p
no
(huecos) en la regin n que se extiende hasta la unin y, en el
78
(3.4a)
(3.4b)
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
lado p, una concentracin uniforme de portadores mayoritarios p
po
(huecos libres) y de
portadores minoritarios n
po
(electrones) que tambin se extienden hasta la unin. Dichas
concentraciones se pueden analizar utilizando las ecuaciones (2.30), (2.31), (2.32) y (2.33)
del apartado 2.2.2; en tanto que en ambos lados de la unin las densidades de electrones y
huecos satisfacen la ecuacin (2.22):
2
i
n np
2
i
n
po
n
po
p
no
p
no
n
Como la concentracin de electrones n
no
en el lado n es mucho mayor que la
concentracin de electrones n
po
del lado p y la concentracin de huecos p
po
en el lado p es
mucho mayor que la concentracin de huecos p
no
del lado n, se presenta un gradiente
enorme en la concentracin de electrones y huecos en la unin entre ambas regiones. Estos
gradientes de concentracin iniciales forman corrientes de difusin que hacen que los
portadores mayoritarios de ambas regiones fluyan descendiendo por los gradientes de
concentracin respectivos hasta la regin del tipo contrario (figura 3.5a) haciendo que los
tomos donadores y aceptores cercanos a la uniones se conviertan en iones (
+
d
N
y

a
N
) ya
que han perdido o ganado electrones, dejando a la regin cercana a la unin carente de
portadores mayoritarios, por lo tanto, se crea una regin llamada de empobrecimiento o
llamada tambin regin de vaciamiento (figura 3.6a).
79
(2.22)
(3.5)
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
Figura 3.6a Regin de empobrecimiento.
Con este proceso, la energa del nivel de Fermi en el material tipo p aumenta y la del tipo n
disminuye hasta lograr un equilibrio quedando los dos niveles alineados (Figura 3.6b).
Figura 3.6b Ajuste del nivel de Fermi despus de la unin metalrgica.
80
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
3.2.4 Campo elctrico en la unin.
Conforme se incrementa el nmero de iones en ambos lados de la unin se crea una
regin de carga espacial negativa en el lado p y una regin de carga espacial positiva en el
lado n (figura 3.7a), que da lugar a la formacin de una capa dipolar elctrica de iones
donadores no compensados del lado n e iones aceptores no compensados del lado p
haciendo que se establezca un campo elctrico (xi) cuya direccin se opone al flujo de
los electrones que salen del lado n y al flujo de los huecos que salen del lado p, logrando
que la regin de empobrecimiento no crezca ms.
Para encontrar el valor del campo elctrico se debe de utilizar la ecuacin de
Poisson, la cual se muestra a continuacin:
( )
a
N
d
N n p
S
q
dx
d
+

2
asumiendo que en la regin de empobrecimiento no hay portadores libres (huecos y
electrones) la ecuacin anterior tomar la siguiente forma:

,
_

a
N
d
N
s
q
dx
d
2
81
(3.6a)
(3.6b)
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
Figura 3.7a Campo elctrico en la unin y regiones de carga espacial.
Si de la figura 3.7b hacemos que
+
(phi) represente la regin de carga espacial
para x > 0 y
-
la regin de carga espacial para x < 0 y, si asumimos que todos los tomos
en la regin de empobrecimiento se encuentran ionizados, podemos omitir la concentracin
de los portadores p y n, adems si se asignan los valores de x
n
y x
p
a los puntos de los
bordes de la regin de empobrecimiento en los lados n y p respectivamente, la ecuacin de
Poisson toma la siguiente forma:
d
N
S
q
dx
d

2
2

y
a
N
S
q
dx
d

2
2

82
Para (0 < x x
n
)
Para (-x
p
x < 0)
(3.7a)
(3.7b)
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
Figura 3.7b Representacin de los lmites de la regin de carga espacial.
Las ecuaciones anteriores representan una pendiente del campo elctrico en ambos
lados de la unin respectivamente como se muestra en la figura 3.7c.
Figura 3.7c Distribucin del campo elctrico.
Por lo tanto, el campo elctrico se obtiene entonces integrando las ecuaciones (3.7a)
y (3.7b) como se muestra en la figura 3.7b, quedando:
( )
S
p
x x
a
qN
x

,
_

+

y
83
Para (-x
p
x < 0)
(3.8a)
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
( ) ( )
n
x x
S
d
qN
S
x
d
qN
m
x

+
donde
m
es el campo elctrico mximo que existe en x = 0 y esta dado por :
S
p
x
a
qN
S
n
x
d
qN
m

en la figura 3.7c se muestra este valor.
Uno de los resultados ms conocidos de la electrosttica es que se produce una
diferencia de potencial entre los dos lmites extremos de una capa dipolar elctrica, que se
relaciona con la intensidad; a continuacin se desarrolla este potencial.
3.2.5 Potencial Interconstruido.
La figura 3.6a muestra las regiones de carga espacial creadas por la difusin de los
portadores mayoritarios en ambos lados de la unin producindose una diferencia de
potencial entre los dos lmites extremos de la regin de carga espacial (regin de
empobrecimiento) que se expresa mediante la siguiente frmula:

,
_

p
V
n
V q
bi
V
a esta diferencia de potencial se le conoce como potencial de contacto, potencial
interconstruido o barrera de potencial V
bi
. Ms all de las regiones de carga espacial no
existe un flujo de cargas, por lo tanto, tiene un potencial electrosttico constante. Podemos
calcular el valor del potencial de contacto V
bi
a partir de la ecuacin (2.10) del apartado
2.2.1, esta ecuacin puede rescribirse quedando de la siguiente manera:
kT
f
E
Cn
E
e
C
N
no
n

84
Para (0 < x x
n
)
(3.8b)
(3.9)
(3.11a)
(3.10)
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
para la densidad de electrones en el lado n y, para la densidad de electrones del lado p se
tiene:
kT
f
E
Cp
E
e
C
N
po
n

De las ecuaciones anteriores se pueden despejar los trminos E

Cn
y E
Cp
y, utilizando
la ecuacin (3.2) que como se puede observar en la figura 3.6b no es ms que la diferencia
de los potenciales de los bordes de la regin de carga espacial; la ecuacin queda:
po
n
no
n
kT
Cn
E
Cp
E
bi
qV ln
esta ecuacin se puede escribir de otra forma utilizando la ec (3-1) para expresar n
po
en
funcin de p
no
, obteniendo:
2
ln
i
n
no
p
no
n
q
kT
bi
V
Si hacemos que todos los tomos donadores y receptores de ambas regiones n y p se
ionicen y si las dos regiones estn fuertemente dopadas (n
no
N
d
y p
po
N
a
), entonces la
ecuacin anterior se convierte en:
2
ln
i
n
a
N
d
N
q
kT
bi
V
Esta ltima frmula se puede utilizar para describir la distribucin de equilibrio de
los portadores, tanto en la regin p como en la n.
3.2.6 Carga espacial en la unin.
Hemos visto como se comportan los portadores de carga al unirse dos tipos de
semiconductores extrnsecos diferentes pero, en la mayora de los casos la densidad de
impurezas aceptoras y donadoras no es la misma (N
d
N
a
) y la regin de empobrecimiento
puede extenderse de una manera desigual en ambos lados de la unin. Por ejemplo en la
85
(3.11b)
(3.12)
(3.13)
(3.14)
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
figura 3.7a existe un nmero ligeramente mayor de impurezas donadoras (electrones) en el
material tipo n que de impurezas aceptoras en el material tipo p (N
d
> N
a
) por lo tanto, la
regin de carga espacial debe ser ms grande en el lado p que en el lado n (b), como se
puede ver en la figura 3.8. Esto se puede expresar como:
d
N
n
qAx
a
N
p
qAx
donde:
A = Area.
x
p
= Penetracin de la regin de carga espacial en el material tipo p.
x
n
= Penetracin de la regin de carga espacial en el material tipo p.
Figura 3.8 Distribucin de carga espacial.
Se puede obtener una relacin entre el campo elctrico
m
y el potencial
interconstruido, lo cual queda:

,
_

+
p
x
n
x
m
W
m bi
V
2
1
2
1
Una frmula que relaciona las impurezas y el potencial interconstruido (en el
Apndice G se muestra el desarrollo de la frmula) es el siguiente:
86
(3.15)
(3.16)
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.

,
_

2
ln
i
n
d
N
a
N
q
kT
bi
V
Podemos obtener una frmula que relacione la anchura de la regin de
empobrecimiento y el potencial de contacto interconstruido:
bi
V
d
N
a
N
d
N
a
N
q
s
W

,
_

2
Tambin podemos calcular la penetracin en la regin de empobrecimiento en los
materiales n y p como:
d
N
a
N
a
WN
n
x
+

d
N
a
N
d
WN
p
x
+

Ejemplo: Considerando una unin p-n abrupta de silicio, con las siguientes
caractersticas V
r
= V
f
= 1.5V, N
d
= 3.45x10
18
y N
a
= 2x10
17
, determine: V
bi
, W, x
n
, x
p
, a una
temperatura de 300K.
En primer lugar se calcula la permitividad del semiconductor mediante la siguiente
frmula:
0

s
r
0

r s
( )
,
_

14
10 85418 . 8 9 . 11 x
s
87
(3.17)
(3.18)
(3.19a)
(3.19b)
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
cm F x
s
/
12
10 0536 . 1


Considerando la ecuacin 3.7 se puede calcular el potencial interconstruido de tal forma
que:

,
_

2
ln
i
n
d
N
a
N
q
kT
bi
V
( )
1
1
1
1
]
1

,
_

,
_

2
10
10 45 . 1
18
10 45 . 3
17
10 2
ln
19
10 6 . 1
300
23
10 38066 . 1
x
x x
x
x
bi
V
V
bi
V 924 . 0
Habiendo encontrado el valor de V
bi
y de
s
podemos determinar el valor de W
considerando la ecuacin 3.8 quedando:
bi
V
d
N
a
N
d
N
a
N
q
s
W

,
_

2
( ) 924 . 0
18
10 45 . 3
17
10 2
18
10 45 . 3
17
10 2
19
10 6 . 1
12
10 0536 . 1 2
1
1
1
]
1

,
_

,
_

x x
x x
x
x
W
cm x W
6
10 019 . 8

Ahora mediante las relaciones 3.9a y 3.9b podemos proceder a calcular los valores de x
p
y
x
n
.
d
N
a
N
d
WN
p
x
+

88
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
18
10 45 . 3
17
10 2
18
10 45 . 3
6
10 019 . 8
x x
x x
p
x
+

,
_

cm x
p
x
6
10 57 . 7

d
N
a
N
a
WN
n
x
+

18
10 45 . 3
17
10 2
17
10 2
6
10 019 . 8
x x
x x
n
x
+

,
_

cm x
n
x
7
10 39 . 4

Por ltimo, se calcula el campo elctrico mximo.

s
n
x
d
qN
m


12
10 0536 . 1
7
10 39 . 4
18
10 45 . 3
19
10 6 . 1

,
_

,
_

x
x x x
m

cm
V
x
m
5
10 3 . 2
Analizando los resultados anteriores podemos concluir que al existir un mayor
nmero de impurezas donadoras en el material tipo n y al difundirse estas en la regin de
empobrecimiento del material tipo p hacen que x
p
sea mayor que x
n
. El potencial elctrico
mximo es relativamente bajo en comparacin del que se presenta en un diodo polarizado
inversamente como se muestra en el siguiente captulo.
3.3 Polarizacin inversa.
89
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
En el apartado anterior se vio el comportamiento de las cargas sin ningn tipo de
excitacin externa en los extremos del diodo formado por las dos uniones, ahora se vera
como se comportan los portadores de carga al conectar una batera externa al dispositivo
semiconductor. Si se conecta una batera de tal manera que la terminal positiva se conecte
al material tipo n y la terminal negativa se conecte al material tipo p, los electrones libres
(portadores mayoritarios) en el material tipo n sern atrados por el potencial positivo de la
batera; de la misma forma, los huecos (portadores mayoritarios) en el material tipo p son
atrados por la terminal negativa. El efecto que se obtiene es un ensanchamiento de la
regin de agotamiento, debido al aumento de la cantidad de iones en ambos lados de la
unin. De esta forma se crea una barrera demasiado grande como para que los portadores
mayoritarios puedan superarla (figura 3.9a).
Figura 3.9 Regiones de transicin con polarizacin inversa a) Estructura del dispositivo (unin p-n).
b) Diagrama de bandas de energa correspondiente.
90
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
En la polarizacin inversa, la barrera de potencial se incrementa como se muestra
en la figura 3.9b. Las bandas de energa se separan no permitiendo que los electrones del
lado n puedan recombinarse con los huecos del lado p debido a la gran pendiente que se
forma en las bandas (figura 3.9c).
Sin embargo, se presenta un flujo de corriente inversa creada por los portadores
minoritarios que se encuentran en los dos materiales. Algunos electrones del material tipo p
se liberan por excitacin trmica y en el material tipo n algunos electrones se liberan y
producen huecos. Los potenciales de la batera repelen a los portadores minoritarios hacia
la unin, en donde se recombinan; sta corriente es muy pequea, del orden de los
microamperes. A esta corriente se le llama corriente de saturacin inversa; el trmino
saturacin proviene del hecho que alcanza su valor mximo en forma muy rpida y no
cambia de forma significativa con el incremento del potencial inverso.
Ejemplo: Con los mismos valores de V
r
= V
f
, N
a
, N
d
del ejemplo anterior y
encuentre: W, x
n
, x
p
y
m
para un voltaje en polarizacin inversa.
Primero podemos encontrar el valor de la anchura de la regin de empobrecimiento,
como sigue:
r
V
bi
V
d
N
a
N
d
N
a
N
q
s
W +

,
_

2
( )
( )
5 . 1 924 . 0
10 45 . 3 10 2
10 45 . 3 10 2
10 6 . 1
10 0536 . 1 2
18 17
18 17
19
12
+
1
]
1

x x
x x
x
x
W
cm x W
5
10 29 . 1

A continuacin, las regiones de empobrecimiento tipo p y n.

91
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
d
N
a
N
d
WN
p
x
+

18
10 45 . 3
17
10 2
18
10 45 . 3
5
10 29 . 1
x x
x x
p
x
+

,
_

cm x
p
x
5
10 21 . 1

d
N
a
N
a
WN
n
x
+

18
10 45 . 3
17
10 2
17
10 2
5
10 29 . 1
x x
x x
n
x
+

,
_

cm x
n
x
7
10 06 . 7

Finalmente calculamos el valor del campo elctrico.

s
n
x
d
qN
m


12
10 0536 . 1
7
10 06 . 7
18
10 45 . 3
19
10 6 . 1

,
_

,
_

x
x x x
m

cm V x
m
/
5
10 69 . 3
Comparando estos resultados con los del ejemplo anterior se nota que existe un
aumento significativo del campo elctrico mximo que tiene relacin con el aumento de la
penetracin en las regiones de empobrecimiento de las cargas en las regiones tipo p y n.
Esta caracterstica es importante recordar debido a que estas propiedades se usan para
fabricar un dispositivo semiconductor que se ver en la siguiente unidad.
92
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
3.4 Polarizacin directa.
ara poder tener un gran flujo de electrones en un diodo es necesario conectar un
potencial externo; se debe conectar la terminal positiva en la regin p y la terminal
negativa en la regin n. Con esta configuracin, se logra que la terminal positiva atraiga a
los electrones libres (portadores mayoritarios) del material tipo n y la terminal negativa
atraiga a los huecos (portadores mayoritarios) del material tipo p hacia la unin. Los
electrones que han sido repelidos se difunden y atraviesan la unin y llenan los huecos que
han sido liberados por la terminal positiva. De esta manera se reduce la regin de
empobrecimiento (figura 3.10a).
P
Por cada electrn libre que llena un hueco, existir otro electrn libre que llegar al
material tipo n desde la terminal negativa de la batera y un electrn de valencia saldr
desde la seccin p para pasar a la terminal positiva de la batera. De esta manera existe un
flujo de corriente en el diodo. Un electrn entrara al material tipo n para tomar el lugar de
cada uno de los electrones que atraviesan la unin; al mismo tiempo, un electrn abandona
el material tipo p y produce un hueco por cada uno de los que se pierden en la unin. La
ecuacin 3-8 puede usarse para calcular W, x
p
, x
n
, si V
bi
se reemplaza por la nueva altura de
la barrera como V
bi
V
f
(figura 3.10b).
Con la polarizacin directa se logra que se reduzca la inclinacin de la pendiente de
la figura 3.10c. La batera hace que el nivel de energa de los electrones libres aumente y
equivale a empujar las bandas de energa del material tipo n hacia arriba; as, los electrones
adquieren la energa suficiente para difundirse a la regin p, la direccin de la corriente se
toma de p a n (corriente convencional). Las caractersticas generales del diodo se pueden
expresar tanto en la polarizacin directa como en la polarizacin inversa mediante la
siguiente frmula:

,
_

1
nkT
qV
e
SAT
I I
93
(3.20)
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.

,
_

1
0
nkT
qV
e I
D
I
En la ecuacin anterior, el voltaje aplicado puede ser positivo o negativo, V = V
f
V
= -V
r
. Como podemos observar la corriente aumenta en forma exponencial con polarizacin
directa. Cuando V es negativo (polarizacin inversa), el trmino exponencial se aproxima a
cero y la corriente es I
0
.
Figura 3.10 Regiones de transicin con polarizacin directa a) Estructura del dispositivo
(unin p-n). b) Diagrama de bandas de energa correspondiente.
Ejemplo: Con los mismos valores de V
r
= V
f
, N
a
, N
d
del ejemplo anterior encuentre:
W, x
n
, x
p
y
m
para un voltaje en polarizacin directa.
f
V
bi
V
d
N
a
N
d
N
a
N
q
s
W

,
_

2
94
(3.21)
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
5 . 1 924 . 0
18
10 45 . 3
17
10 2
18
10 45 . 3
17
10 2
19
10 6 . 1
12
10 0536 . 1 2

1
1
1
]
1

,
_

,
_

x x
x x
x
x
W
cm x W
6
10 33 . 6

d
N
a
N
d
WN
p
x
+

18
10 45 . 3
17
10 2
18
10 45 . 3
6
10 33 . 6
x x
x x
p
x
+

,
_

cm x
p
x
6
10 98 . 5

d
N
a
N
a
WN
n
x
+

18
10 45 . 3
17
10 2
17
10 2
6
10 33 . 6
x x
x x
n
x
+

,
_

cm x
n
x
7
10 46 . 3

s
n
x
d
qN
m


12
10 0536 . 1
7
10 47 . 3
18
10 45 . 3
19
10 6 . 1

,
_

,
_

x
x x x
m

cm V x
m
/
3
10 875 . 181
95
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
Al reducirse la anchura de la regin de empobrecimiento se logra hacer pasar una
mayor cantidad de electrones de la regin n a la regin p, producindose una corriente
elctrica mayor que en los casos anteriores.

Figura 3.11 Representacin esquemtica de: a) densidad de carga, b) campo elctrico y c) el
potencial en las cercanas de la unin abrupta.
En la figura 3.11 se presenta un resumen de los resultados de los ejemplos anteriores
aqu, se presentan las grficas de la densidad de carga espacial (a), el campo elctrico (b) y
las variaciones del potencial electrosttico tal y como se present la teora anterior en
polarizacin directa (V
0
> 0), inversa (V
0
< 0) y en equilibrio (V
0
= 0).
De acuerdo con las figuras se obtiene lo siguiente:
96
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
1. La capa de carga espacial tiene mayor extensin en regiones tipo p n
levemente impurificadas, que en regiones con impurificacin mayor. Para una
unin dada, la capa de carga espacial se extiende ms adentro de la regin en la
que la impurificacin es menos fuerte.
2. El valor mximo de campo E
0
es muy alto en las uniones en donde las regiones
p n estn fuertemente impurificadas, y mucho ms pequeo en las uniones en
donde una o ambas regiones estn levemente impurificadas.
3. En condiciones de polarizacin inversa las regiones de carga espacial se
extienden hacia fuera dentro del cristal; la extensin de las regiones de carga
espacial pueden hacerse muy grande en uniones en donde la regin n p est
ligeramente impurificada. Para V
0
>> V
bi
(un gran voltaje inverso), la
extensin de las regiones de carga espacial es proporcional a (- V
0
)
1/2
, de acuerdo
con (3.19a) y (3.19b).
4. En condiciones de polarizacin inversa, el campo mximo E
0
se hace muy
grande; a una gran polarizacin inversa, es proporcional a (- V
0
)
1/2
.
Las conclusiones son bastante generales y aceptables para todas las uniones p-n de
semiconductores, ya sean abruptas o graduales (aunque para uniones graduales, la
dependencia de raz cuadrada que se mencion en (c) y (d) ya no es cuantitativamente
correcta).
Las relaciones derivadas son bastante exactas en polarizacin inversa pero, no se
aplican perfectamente en polarizaciones directas elevadas. En este ltimo caso, se tienen
grandes flujos de corrientes y existen cadas de voltaje apreciables en las regiones fuera de
las capas de carga espacial de la unin, que hacen que la cada de voltaje de dicha unin sea
diferente del voltaje externo aplicado.
3.5 Capacitancia en la regin de empobrecimiento.
97
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
3.5.1 Capacitancia de unin.
Los resultados anteriores demuestran que el ancho de la capa de empobrecimiento
W de una unin p-n es una funcin del voltaje a travs del dispositivo. El ancho de la capa
de empobrecimiento se incrementa cuando se aplica una polarizacin inversa a travs de la
unin y disminuye cuando se aplica una polarizacin directa. Cuando la anchura de la capa
de empobrecimiento se incrementa, la carga total dentro de ella tambin se incrementa. As,
la carga almacenada en la capa de empobrecimiento cambia con el voltaje aplicado, en
otras palabras, se comporta como un capacitor. Podemos ver que la regin de
empobrecimiento de una unin p-n se comporta exactamente como un capacitor de platos
paralelos colocados en los bordes de la regin de empobrecimiento. Sin embargo, no es un
capacitor fijo puesto que vara con el voltaje aplicado. En otras palabras, la capacitancia
est en funcin del voltaje aplicado.
Figura 3.12 Consideraciones de la carga en la regin de empobrecimiento; (a) Anchura de la regin
de empobrecimiento; (b) Densidad de carga total en polarizacin directa e inversa.
Existen bsicamente dos tipos de capacitancia, la capacitancia de unin o de
transicin y la capacitancia de difusin almacenamiento. La primera se presenta en
condiciones de polarizacin inversa, mientras que la otra en polarizacin directa. Podemos
hacer una analoga con el capacitor de placas paralelas en donde la capacitancia esta dada
por:
98
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
d
A
C

donde:
= permitividad del dielctrico.
A = rea de las placas.
d = distancia entre placas.
En el caso del diodo, la permitividad del dielctrico ser la permitividad del
semiconductor
S
y la distancia ser el ancho de la regin de agotamiento W; por lo tanto,
la nueva frmula queda de la siguiente manera:
W
S
A
j
C

sta frmula nos dar el valor de la capacitancia en una unin gradual y lineal expresada
de otra forma como:
( )

,
_

d
N
a
N
d
N
a
N
a
V
bi
V
s
q
j
C
2
Para el caso en el que exista un dopaje asimtrico (unin abrupta de un solo lado), la
capacitancia por unidad de rea esta dada por:
2
1
2
2

,
_

q
kT
V
bi
V
B
N
S
q
j
C
en donde N
B
= N
d
N
a
dependiendo si N
a
>> N
d
viceversa, y los signos t son para las
condiciones de polarizacin directa (+) e inversa (-).
99
(3.21)
(3.22a)
(3.23)
F/cm
2
F/cm
2
(3.22b)
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
Podemos decir que en las uniones fuertemente impurificadas, tanto en la regin p
como n, tendrn una capacitancia muy alta; por el contrario, si estn levemente
impurificadas ambas regiones, la capacitancia ser mucho menor. Para voltajes inversos
que sobrepasen notablemente el potencial interconstruido V
bi
, se encuentra de acuerdo a la
ecuacin 3.22b, que C vara casi proporcionalmente a (- V
bi
)
1/2
. Esta caracterstica se
encuentra en las uniones abruptas en dispositivos fabricados mediante el mtodo de
aleacin (captulo 3.1.2). Las uniones graduales o no abruptas tales como las que se
encuentran en muchos dispositivos elaborados mediante la difusin de impurezas presentan
una capacitancia que vara con el voltaje inverso de un modo ms lento que aqulla. En
estas uniones, la capacitancia vara con el voltaje como (- V
o
)
1/3
.
3.5.2 Capacitancia de difusin.
La capacitancia de unin anterior se considera ms cuando la unin se polariza
inversamente. Cuando existe una polarizacin directa en la unin, existe una contribucin
adicional significativa a la capacitancia de unin. Esto surge de la carga almacenada de la
densidad de portadores minoritarios. Cuando la polarizacin directa se incrementa, la carga
tambin se incrementa. El cambio en la carga almacenada con el voltaje proporciona una
capacitancia adicional llamada capacitancia de difusin. Bajo condiciones de polarizacin
directa, la capacitancia de difusin domina sobre la capacitancia de unin y esta ltima se
ignora.
La carga almacenada de portadores en exceso en una unin abrupta de un lado (p
+
n)
est dada por:
kT
qV
e
n
p
p
qAL
p
Q
para V >>26 mV = kT/q en donde, T=300K.
As, la capacitancia de difusin,
dV
p
dQ
s
C
est dada por:
100
(3.24)
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
p
I
kT
q
kT
qV
e
n
p
p
AL
kT
q
S
C
2
donde:
A = Area.
L
p
= Longitud de difusin de huecos: p p
D
p
L
D
p
= Constante de difusin de huecos:
p
q
kT
p
D
que es una de las relaciones de
Einstein.

p
= Tiempo de vida de portadores mayoritarios:
t
N
th
v
p
p

p
= Conductividad de huecos.
v
th
= Velocidad trmica de portadores:
*
3
m
kT
th
v
N
t
= Densidad de trampas.
As, podemos ver de estas ecuaciones que la capacitancia de difusin puede ser
minimizada reduciendo el tiempo de vida de los portadores minoritarios en exceso. Los
valores del tiempo de vida varan en un rango de 1 a 10, 000 nseg.
Rompimiento Zener.
Cuando una unin fuertemente dopada es polarizada inversamente, las bandas de
energa comienzan a cruzarse a voltajes relativamente bajos (por ejemplo, la banda de
conduccin del lado n aparecer opuesta a la banda de conduccin del lado p). Como se
muestra en la figura 4.12, las bandas se alinean de tal forma que la gran cantidad de huecos
en la banda de conduccin en el lado n queda de frente a la gran cantidad de electrones de
la banda de valencia del lado p. Si la distancia que separa estas dos bandas es estrecha,
puede ocurrir que se habr un tnel para los electrones. Al abrirse el tnel los electrones de
la banda de valencia del lado p pasan a la banda de conduccin del lado n y constituyen una
corriente inversa del lado n al p; este es el efecto Zener.
101
(3.25)
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
Los requerimientos bsicos para la corriente del tnel son un gran nmero de
electrones separados por un gran nmero de huecos por una barrera estrecha de altura
finita. Entonces la probabilidad del tnel depende del ancho de la barrera (d en la figura
4.12), es importante que la unin metalrgica sea abrupta y el nivel de impurezas alto, de
tal forma que la regin de transicin W se extienda solamente una distancia muy corta para
cada lado de la unin. Estos requerimientos pueden ser reunidos, por ejemplo, formando
una regin p unida a una muestra tipo n fuertemente impurificada. Si la unin no es
abrupta, o si cada lado de la unin est ligeramente dopada, la regin de transicin W ser
demasiado ancha para que se forme el tnel.
Figura 4.12 Se produce la ruptura Zener cuando los electrones establecen un tnel a travs de la
delgada barrera, desde la banda de valencia a la de conduccin.
Cuando las bandas estn cruzadas (en unas dcimas de volt para una unin
fuertemente dopada), la distancia de tnel d puede ser demasiado grande para apreciar el
tnel. Sin embargo, d comienza a ser pequea cuando la polarizacin inversa se incrementa.
As asumimos que el ancho de la regin de transicin W no aumenta apreciablemente con la
polarizacin inversa. Para bajos voltajes y dopaje fuerte en cada lado de la unin, esta es
una buena suposicin. Sin embargo, si el rompimiento Zener no ocurre con la polarizacin
inversa de unos pocos volts, el rompimiento de avalancha puede empezar a dominar.
La densidad de la corriente de tnel est dada por:
102
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.

,
_

q
E m
g
t
g
e
E
V q m
J
3
2 4
2 2
3 *
2
3
*
2
1
4
2
donde es el campo elctrico en la unin, E
g
es la banda prohibida, V el voltaje aplicado
y, m
*
la masa efectiva.
Debido a que la energa de las bandas prohibidas del Ge, Si y GaAs decrece con el
incremento de la temperatura (referirse a la unidad 1, ecuacin 1.2), el voltaje de
rompimiento son estos semiconductores debido al efecto tnel tiene un coeficiente de
temperatura negativo; es decir, el voltaje se reduce con el incremento de la temperatura.
Esto se debe a que la corriente J
t
puede alcanzarse a voltajes inversos ms pequeos a altas
temperaturas, ecuacin 4.14. Un ejemplo tpico se muestra en la figura 4.13. Este efecto de
temperatura es usado para distinguir el mecanismo de tnel del mecanismo de avalancha, el
cual tiene un coeficiente positivo de temperatura; es decir, el voltaje de rompimiento se
incrementa con el incremento de la temperatura.
Figura 4.13 Curvas caractersticas de corriente-voltaje del rompimiento de tnel.
103
(4.14)
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.
Rompimiento de Avalancha.
La multiplicacin de avalancha (o impacto de ionizacin) es el mecanismo ms
importante en el rompimiento de la unin, debido a que el voltaje de rompimiento de
avalancha impone un lmite superior en polarizacin inversa para muchos diodos. Este
mecanismo se presenta en uniones ligeramente dopadas. La ruptura de la unin se produce
cuando los electrones y huecos liberados por energa trmica adquieren una cantidad de
energa suficiente entre colisiones, debido a un campo elctrico elevado (polarizacin
inversa) para generar pares de electrn-hueco. Los pares de electrn-hueco generados de
esta forma, pueden a su vez, adquirir suficiente energa del campo elctrico para crear oros
pares de electrn-hueco por ionizacin de impacto, provocando una reaccin en cadena que
conlleva a corrientes inversas muy elevadas. Por ejemplo, si el campo elctrico E en la
regin de transicin es grande, un electrn entrando desde el lado p puede ser acelerado con
una energa cintica bastante elevada para causar una colisin ionizada con el retculo. Una
sola interaccin resulta en una multiplicacin de portadores; el electrn original y el
electrn generado son barridos al lado n de la unin, y la generacin de huecos es barrida al
lado p. El grado de multiplicacin puede ser muy alto si los portadores generados entre la
regin de transicin tambin tienen colisiones ionizadas con el retculo.
El voltaje real de la ruptura de avalancha en una unin abrupta se puede obtener de
una forma aproximada, utilizando la siguiente ecuacin:
1
1 1 8

,
_

a d r
b
B
N N
qV
q
V

donde V
b
esta dado por:
( )

,
_

a d
r
b
N N q
V
1 1
8
2 3
2

de donde esta dado por:

104
(4.15)
(4.16)
Unidad 3 Tcnicas de Fabricacin de diodos.

b
qV
Se observa que las densidades de impurificacin moderadas producen voltajes de
ruptura elevados y viceversa. Se utilizan semiconductores con bandas grandes de energa
prohibida para los dispositivos que deben resistir una ruptura de avalancha en altos voltajes
inversos. En resumen, los dispositivos con uniones muy abruptas y con densidades de
impurezas muy elevadas en ambos lados de la unin, presentan el mecanismo de ruptura
Zener, por el contrario, los dispositivos que tienen uniones graduales o uniones abruptas, en
las que una de las regiones tiene una impurificacin moderada, predomina el mecanismo de
avalancha.
Si las uniones p-n se disean y fabrican debidamente, se obtienen caractersticas de
ruptura muy ntidas, hacindose con precisin y en forma reproducible a un voltaje dado,
que puede ser insensible a la temperatura. Estos dispositivos se denominan diodos Zener,
aunque a pesar de la nomenclatura, el mecanismo de ruptura utilizado es a menudo el efecto
de avalancha.
105
(4.17)