MATERIALES SEMICONDUCTORES Los primeros semiconductores utilizados para fines tcnicos fueron pequeos detectores diodos empleados a principios

del siglo 20 en los primitivos radiorreceptores, que se conocan como de galena. Ese nombre lo tom el radiorreceptor de la pequea piedra de galena o sulfuro de plomo (PbS) que haca la funcin de diodo y que tenan instalado para sintonizar las emisoras de radio. La sintonizacin se obtena moviendo una aguja que tena dispuesta sobre la superficie de la piedra. Aunque con la galena era posible seleccionar y escuchar estaciones de radio con poca calidad auditiva, en realidad nadie conoca que misterio encerraba esa piedra para que pudiera captarlas. En 1940 Russell Ohl, investigador de los Laboratorios Bell, descubri que si a ciertos cristales se le aada una pequea cantidad de impurezas su conductividad elctrica variaba cuando el material se expona a una fuente de luz. Ese descubrimiento condujo al desarrollo de las celdas fotoelctricas o solares. Posteriormente, en 1947 William Shockley, investigador tambin de los Laboratorios Bell, Walter Brattain y John Barden, desarrollaron el primer dispositivo semiconductor de germanio (Ge), al que denominaron transistor y que se convertira en la base del desarrollo de la electrnica moderna. Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), por ejemplo, constituyen elementos que poseen caractersticas intermedias entre los cuerpos conductores y los aislantes, por lo que no se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo determinadas condiciones esos mismos elementos permiten la circulacin de la corriente elctrica en un sentido, pero no en el sentido contrario. Esa propiedad se utiliza para rectificar corriente alterna, detectar seales de radio, amplificar seales de corriente elctrica, funcionar como interruptores o compuertas utilizadas en electrnica digital, etc. Lugar que ocupan en la Tabla Peridica los trece elementos con. caractersticas de semiconductores, identificados con su correspondiente. nmero atmico y grupo al que pertenecen. Los que aparecen con fondo. gris corresponden a metales, los de fondo verde a metaloides y los de. fondo azul a no metales.

Esos elementos semiconductores que aparecen dispuestos en la Tabla Peridica constituyen la materia prima principal, en especial el silicio (Si), para fabricar diodos detectores y rectificadores de corriente, transistores, circuitos integrados y microprocesadores. Los tomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres, cuatro o cinco electrones en su ltima rbita, de acuerdo con el elemento especfico al que pertenecen. No obstante, los elementos ms utilizados por la industria electrnica, como el silicio (Si) y el germanio (Ge), poseen solamente cuatro electrones en su ltima rbita. En este caso, el equilibrio elctrico que proporciona la estructura molecular cristalina caracterstica de esos tomos en estado puro no les permite ceder, ni captar electrones. Normalmente los tomos de los elementos semiconductores se unen formando enlaces covalentes y no permiten que la corriente elctrica fluya a travs de sus cuerpos cuando se les aplica una diferencia de potencial o corriente elctrica. En esas condiciones, al no presentar conductividad elctrica alguna, se comportan de forma similar a un material aislante.

Incremento de la conductividad en un elemento semiconductor La mayor o menor conductividad elctrica que pueden presentar los materiales semiconductores depende en gran medida de su temperatura interna. En el caso de los metales, a medida que la temperatura aumenta, la resistencia al paso de la corriente tambin aumenta, disminuyendo la conductividad. Todo lo contrario ocurre con los elementos semiconductores, pues mientras su temperatura aumenta, la conductividad tambin aumenta.

En resumen, la conductividad de un elemento semiconductor se puede variar aplicando uno de los siguientes mtodos: Elevacin de su temperatura Introduccin de impurezas (dopaje) dentro de su estructura cristalina Incrementando la iluminacin. Con relacin a este ltimo punto, algunos tipos de semiconductores, como las resistencias dependientes de la luz (LDR Light-dependant resistors), varan su conductividad de acuerdo con la cantidad de luz que reciben.

Resistencia dependiente de la luz (LDR), conocida tambin como fotoresistor o clula fotoelctrica. Posee la caracterstica de disminuir el valor de su resistencia interna cuando la intensidad de luz que incide sobre la superficie de la celda aumenta. Como material o elemento semiconductor utiliza el sulfuro de cadmio (CdS) y su principal aplicacin es en el encendido y apagado automtico del alumbrado pblico en las calles de las ciudades, cuando disminuye la luz solar. En dependencia de cmo varen los factores de los puntos ms arriba expuestos, los materiales semiconductores se comportarn como conductores o como aislantes.

SEMICONDUCTORES "INTRNSECOS" Los materiales semiconductores, segn su pureza, se clasifican de la siguiente forma: Intrnsecos Extrnsecos Se dice que un semiconductor es intrnseco cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida ser igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conduccin. Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrnseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atraccin que ejerce el ncleo del tomo sobre los mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de conduccin y all funcionan como electrones de conduccin, pudindose desplazar libremente de un tomo a otro dentro de la propia estructura cristalina, siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una corriente elctrica.

Como se puede observar en la ilustracin, en el caso de los semiconductores el espacio correspondiente a la banda prohibida es mucho ms estrecho en comparacin con los materiales aislantes. La energa de salto de banda (Eg) requerida por los electrones para saltar de la banda de valencia a la de conduccin es de 1 eV aproximadamente. En los semiconductores de silicio (Si), la energa de salto de banda requerida por los electrones es de 1,21 eV, mientras que en los de germanio (Ge) es de 0,785 eV.

Estructura cristalina de un semiconductor intrnseco, compuesta solamente por tomos de silicio (Si) que forman una celosa. Como se puede observar en la ilustracin, los tomos de silicio (que slo poseen cuatro electrones en la ltima rbita o banda de valencia), se unen formando enlaces covalente para completar ocho electrones y crear as un cuerpo slido semiconductor. En esas condiciones el cristal de silicio se comportar igual que si fuera un cuerpo aislante.

SEMICONDUCTORES "EXTRNSECOS" Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteracin, esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente elctrica por su cuerpo en una sola direccin. Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los tomos de silicio o de germanio con pequeas cantidades de tomos de otros elementos o "impurezas".

Generalmente los tomos de las impurezas corresponden tambin a elementos semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su ltima rbita [como el galio (Ga) o el indio (In)], o que poseen cinco electrones tambin en su ltima rbita [como el antimonio (Sb) o el arsnico (As)]. Una vez dopados, el silicio o el germanio se convierten en semiconductores extrnsecos y sern capaces de conducir la corriente elctrica.

la actualidad el elemento ms utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la industria electrnica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente relativamente barato de obtener. La materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio es la arena, uno de los materiales ms abundantes en la naturaleza. En su forma industrial primaria el cristal de silicio tiene la forma de una oblea de muy poco grosor (entre 0,20 y 0,25 mm aproximadamente), pulida como un espejo.

A la izquierda se muestra la ilustracin de una oblea (wafer) o cristal semiconductor de. silicio pulida con brillo de espejo, destinada a la fabricacin de transistores y circuitos. integrados. A la derecha aparece la cuarta parte de la oblea conteniendo cientos de. minsculos dados o chips, que se pueden obtener de cada una. Esos chips son los. que despus de pasar por un proceso tecnolgico apropiado se convertirn en. transistores o circuitos integrados. Una vez que los chips se han convertido en. transistores o circuitos integrados sern desprendidos de la oblea y colocados dentro. de una cpsula protectora con sus correspondientes conectores externos. El segundo elemento tambin utilizado como semiconductor, pero en menor proporcin que el silicio, es el cristal de germanio (Ge).

Entre esas combinaciones se encuentra la formada por el galio (Ga) y el arsnico (As) utilizada para obtener arseniuro de galio (GaAs), material destinado a la fabricacin de diodos lser empleados como dispositivos de lectura en CDs de audio.

En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge) cuando se encuentran en estado puro, es decir, como elementos intrnsecos, los electrones de su ltima rbita tienden a unirse formando "enlaces covalentes", para adoptar una estructura cristalina. Los tomos de cualquier elemento, independientemente de la cantidad de electrones que contengan en su ltima rbita, tratan siempre de completarla con un mximo de ocho, ya sea donndolos o aceptndolos, segn el nmero de valencia que le corresponda a cada tomo en especfico. Con respecto a los elementos semiconductores, que poseen slo cuatro electrones en su ltima rbita, sus tomos tienden a agruparse formando enlaces covalentes, compartiendo entre s los cuatro electrones que cada uno posee, segn la tendencia de completar ocho en su rbita externa. Al agruparse de esa forma para crear un cuerpo slido, los tomos del elemento semiconductor adquieren una estructura cristalina, semejante a una celosa. En su estado puro, como ya se mencion anteriormente, esa estructura no conduce la electricidad, por lo que esos cuerpos semiconductores se comportan como aislantes.

CONVERSIN DEL SILICIO EN SEMICONDUCTOR "TIPO-N" O EN "TIPO-P"

Tanto los cristales de silicio (Si) como los de germanio (Ge) en estado puro se pueden convertir en dispositivos semiconductores, capaces de conducir la corriente elctrica si para ello alteramos su estructura molecular cristalina introduciendo ciertas cantidades de "impurezas".

Para realizar ese cambio ser necesario introducir tomos de otros elementos semiconductores apropiados que posean tres electrones en su banda de valencia o ltima rbita (tomos trivalentes) o tambin cinco electrones en esa propia rbita (tomos pentavalentes). A tales efectos se consideran impurezas los siguientes elementos con tomos trivalentes: aluminio (Al), galio (Ga) e indio (In). Tambin se consideran impurezas los tomos pentavalentes de arsnico (As), fsforo (P) o de antimonio (Sb).

Cuando aadimos a la estructura cristalina del silicio o del germanio una pequea cantidad de tomos de un elemento pentavalente en funcin de impurezas, estos tomos adicionales reciben el nombre de "donantes", porque cada uno dona o cede uno de sus cinco electrones a la estructura cristalina del semiconductor. Si, por el contrario, los tomos que se aaden como impurezas son trivalentes, se denominan entonces "aceptantes, porque cada uno tendr que captar o aceptar un electrn procedente de la propia estructura cristalina del silicio o del germanio.

La conductividad que presente finalmente un semiconductor dopado depender de la cantidad de impurezas que contenga en su estructura cristalina. Generalmente para una proporcin de un tomo de impureza que se aade por cada 100 millones de tomos del elemento semiconductor, la conductividad aumenta en 16 veces.

SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-N" Como ya conocemos, ni los tomos de silicio, ni los de germanio en su forma cristalina ceden ni aceptan electrones en su ltima rbita; por tanto, no permiten la circulacin de la corriente elctrica, por tanto, se comportan como materiales aislantes. Pero si la estructura cristalina de uno de esos elementos semiconductores la dopamos aadindole una pequea cantidad de impurezas provenientes de tomos de un metaloide como, por ejemplo, antimonio (Sb) (elemento perteneciente los elementos semiconductores del Grupo Va de la Tabla Peridica, con cinco electrones en su ltima rbita o banda de valencia), estos tomos se integrarn a la estructura del silicio y compartirn cuatro de sus cinco electrones con otros cuatro pertenecientes a los tomos de silicio o de germanio, mientras que el quinto electrn restante del antimonio, al quedar liberado, se podr mover libremente dentro de toda la estructura cristalina. De esa forma se crea un semiconductor extrnseco tipo-N, o negativo, debido al exceso de electrones libres existentes dentro de la estructura cristalina del material semiconductor.

Si a un semiconductor tipo-N le aplicamos una diferencia de potencial o corriente elctrica en sus extremos, los electrones libres portadores de cargas negativas contenidos en la sustancia impura aumentan. Bajo esas condiciones es posible establecer un flujo de corriente electrnica a travs de la estructura cristalina del semiconductor si le aplicamos una diferencia de potencia o corriente elctrica. No obstante, la posibilidad de que al aplicrseles una corriente elctrica los electrones se puedan mover libremente a travs de la estructura atmica de un elemento semiconductor es mucho ms limitada que cuando la corriente fluye por un cuerpo metlico buen conductor.

SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-P" Si en lugar de introducir tomos pentavalentes al cristal de silicio o de germanio lo dopamos aadindoles tomos o impurezas trivalentes como de galio (Ga) (elemento perteneciente al Grupo IIIa de la Tabla Peridica con tres electrones en su ltima rbita o banda de valencia), al unirse esa impureza en enlace covalente con los tomos de silicio quedar un hueco o agujero, debido a que faltar un electrn en cada uno de sus tomos para completar los ocho en su ltima rbita. En este caso, el tomo de galio tendr que captar los electrones faltantes, que normalmente los aportarn los tomos de silicio, como una forma de compensar las cargas elctricas. De esa forma el material adquiere propiedades conductoras y se convierte en un semiconductor extrnseco dopado tipo-P (positivo), o aceptante, debido al exceso de cargas positivas que provoca la falta de electrones en los huecos o agujeros que quedan en su estructura cristalina.

MECANISMO DE CONDUCCIN DE UN SEMICONDUCTOR Cuando a un elemento semiconductor le aplicamos una diferencia de potencial o corriente elctrica, se producen dos flujos contrapuestos: uno producido por el movimiento de electrones libres que saltan a la banda de conduccin y otro por el movimiento de los huecos que quedan en la banda de valencia cuando los electrones saltan a la banda de conduccin.

Si analizamos el movimiento que se produce dentro de la estructura cristalina del elemento semiconductor, notaremos que mientras los electrones se mueven en una direccin, los huecos o agujeros se mueven en sentido inverso. Por tanto, el mecanismo de conduccin de un elemento semiconductor consiste en mover cargas negativas (electrones) en un sentido y cargas positivas (huecos o agujeros) en sentido opuesto. Ese mecanismo de movimiento se denomina "conduccin propia del semiconductor", que para las cargas negativas (o de electrones) ser "conduccin N", mientras que para las cargas positivas (de huecos o agujeros), ser "conduccin P".

DIODOS
PRIMEROS TIPOS DE DIODOS En la actualidad, la prctica totalidad de los equipos y dispositivos electrnicos que utilizamos cotidianamente incluyen en sus circuitos varios tipos diferentes de semiconductores de estado slido, entre los que se encuentran los diodos, elementos imprescindibles para que todos esos equipos puedan funcionar. Sin embargo, antes del uso masivo de esos pequeos elementos tal como lo conocemos hoy en da, durante la primera mitad y principios de la segunda mitad del siglo pasado era muy comn emplear vlvulas electrnicas de vaco en los circuitos electrnicos analgicos de radios, televisores y otros dispositivos domsticos e industriales.

Diferentes diodos de silicio como los empleados en circuitos de equipos y dispositivos electrnicos actuales: A.- Diodo de unin o juntura p-n. B.- Diodo de punta de contacto.

Esas vlvulas se conocan tambin por el nombre de vlvulas termoinicas, debido a que requeran un calentamiento previo y constante de un ctodo situado en el interior de una ampolla de vidrio al vaco (o tambin con revestimiento metlico en lugar de vidrio en algunos tipos de vlvulas), para que comenzara la emisin electrnica que las pona en funcionamiento. La emisin electrnica se estableca siempre desde el ctodo (negativo) en direccin a un nodo (positivo), que se encontraba tambin colocado en el interior de la vlvula.

Antigua vlvula electrnica o termoinica de vaco del tipo doble diodo. Esta vlvula que se muestra en la foto era de cristal y meda 12 cm del alto aproximadamente (sin considerar. las patas). Fue una vlvula muy utilizada en los radiorreceptores domsticos de los aos 40 del siglo pasado para rectificar la corriente alterna y convertirla en directa. Uno de los primeros tipos de vlvulas de vaco que se emplearon en el siglo pasado en los primeros circuitos electrnicos analgicos fue la vlvula diodo, inventada por Sir Ambrose Fleming (1849 1845). Esa vlvula slo se poda emplear en las siguientes funciones: 1.- Cmo rectificadora, para convertir la corriente alterna (C.A.) en pulsante o en corriente directa (C.D.). 2.- Como detectora de las seales moduladas de alta frecuencia o radiofrecuencia que emiten las estaciones de radio, televisin y otras emisiones inalmbricas. La deteccin consiste en separar o demodular el sonido de baja frecuencia (audiofrecuencia) que viaja con las ondas portadoras de alta frecuencia, para que se puedan convertir de nuevo en audibles despus de ser amplificadas.

Estos rectificadores se componan de un conjunto de chapas o placas de aluminio rectangulares que empleaban selenio (Se) como elemento semiconductor. De igual forma se emplearon tambin otros rectificadores similares a los de selenio, pero compuestos por chapas redondas, con la diferencia que empleaban xido de cobre (CuO2) como elemento semiconductor. Para unir todas las chapas que podan contener esos dos tipos diodos rectificadores, se atravesaba un tornillo a travs de un orificio que tena abierto cada una de sus placas en el centro y a continuacin se fijaban y apretaban todas firmemente por medio de una tuerca que se enroscaba a cada uno de los extremos del propio tornillo. La capacidad de carga en amperes que podan soportar esos rectificadores dependa del tamao o rea de cada chapa en particular, as como de la cantidad total que se colocaban unidas en el mismo sentido de circulacin de la corriente. Cada placa individual o cada grupo de ellas unidas en el mismo sentido de circulacin de la corriente elctrica constitua un diodo rectificador de media onda. Sin embargo, cuando se unan cuatro placas en el mismo eje o tornillo, o en su defecto, cuatro grupos de placas unidas y propiamente interconectadas, se obtena un puente rectificador de onda completa. En la actualidad el empleo de los rectificadores de selenio en los circuitos electrnicos ha cado en desuso.

ESTRUCTURA DE UN ELEMENTO SEMICONDUTOR

Un diodo semiconductor de estado slido consta de dos partes, formadas por cristales de silicio (Si) de diferente polaridad. Un cristal de silicio en estado puro constituye un elemento qumico tetravalente por estar compuesto por tomos de valencia +4, pero para obtener dos cristales semiconductores de polaridad diferente es necesario doparlos durante el proceso de produccin del diodo, aadindole a la estructura molecular de cada uno de esos cristales cierta cantidad de impurezas pertenecientes a tomos de otros elementos qumicos (tambin semiconductores), pero de valencias diferentes para cada una de las partes que formarn el diodo, con sus correspondientes polaridades.

Para fabricar un diodo, primeramente uno de los cristales de silicio se dopa aadindole, como impureza, un elemento qumico de valencia +3 (trivalente) como el galio (Ga), por ejemplo. Al final del proceso se obtiene un semiconductor tipo-p, con polaridad positiva (P), que presentar defecto o falta de electrones en la ltima rbita de los tomos de galio aadidos como impurezas. En esas rbitas se formarn huecos en aquellos lugares que deban estar ocupados por los electrones faltantes.

A continuacin, el otro cristal de silicio, que inicialmente es igual al empleado en el proceso anterior, se dopa tambin durante el proceso de fabricacin del diodo, pero aadindole esta vez impurezas pertenecientes a tomos de otro elemento qumico tambin semiconductor, pero de valencia +5 (pentavalente) como, por ejemplo, antimonio (Sb). Una vez finalizado este otro proceso de dopado se obtiene un semiconductor tipo-n, con polaridad negativa (N), caracterizado por presentar exceso de electrones libres en la ltima rbita de los tomos de antimonio aadidos como impurezas.

Cuando conectamos una batera a los extremos de un cristal semiconductor positivo, se establece un. flujo de huecos en sentido opuesto al flujo de electrones que proporciona la fuente de energa elctrica.. En la ilustracin se puede observar tambin que mientras el flujo de electrones o corriente electrnica. se establece del polo negativo al polo positivo de la batera, el flujo de huecos, por el contrario, se. establece en el sentido inverso a travs del cristal de silicio. B.- Semiconductor de silicio de conduccin tipo-n, de polaridad negativa (N), con exceso de. electrones libres en su estructura molecular. Si a este tipo de semiconductor negativo le conectamos. una batera, el flujo electrnico se establecer en el mismo sentido de circulacin de la propia fuente de. suministro elctrico, o sea, del polo negativo al polo positivo

RECTIFICACION DE MEDIA ONDA Y ONDA COMPLETA

ENTRADAS SENOIDALES; RECTIFICACION DE MEDIA ONDA anlisis de los diodos se ampliar para incluir las funciones variables en el tiempo tales como la forma de onda senoidal y la onda cuadrada. red ms simple que se examinar con una seal variable en el tiempo aparece en la figura No. 1. Por el momento se utilizar el modelo ideal para asegurar que el sistema no se dificulte por la complejidad matemtica adicional.

A travs de un ciclo completo, definido por el periodo T de la figura 1, el valor promedio (la suma algebraica de las reas arriba y abajo del eje) es cero. El circuito de la figura No. 1, llamado rectificador de media onda, generar una forma de onda Vo , la cual tendr un valor promedio de uso particular en el proceso de conversin de ac a dc. Cuando un diodo se usa en el proceso de rectificacin, es comn que se le llame rectificador. Sus valores nominales de potencia y corriente son normalmente mucho ms altos que los diodos que se usan en otras aplicaciones, como en computadores o sistemas de comunicacin.

Durante el intervalo t= 0 T/2 en la figura No. 1, la polaridad del voltaje aplicado Vi es como para establecer "preciso" en la direccin que se indica, y encender el diodo con la polaridad indicada arriba del diodo. Al sustituir la equivalencia de circuito cerrado por el diodo dar por resultado el circuito equivalente de la figura No. 2, donde parece muy obvio que la seal de salida es una rplica exacta de las seal aplicada. Las dos terminales que definen el voltaje de salida estn conectadas directamente a la seal aplicada mediante la equivalencia de corto circuito del diodo. Para el periodo T/2 T, la polaridad de la entrada Vi es como se indica en la figura No. 3, y la polaridad resultante a travs del diodo ideal produce un estado "apagado" con un equivalente de circuito abierto. El resultado es la ausencia de una trayectoria para el flujo de carga y Vo= iR= (0)R=0 V para el periodo T/2 T. La entrada Vi y la salida Vo se dibujaron juntas en la figura No. 4 con el propsito de establecer una comparacin. Ahora, la seal de salida Vo tiene un rea neta positiva arriba del eje sobre un periodo completo, y un valor promedio determinado por:

Al proceso de eliminacin de la mitad de la seal de entrada para establecer un nivel dc se le llama rectificacin de media onda.

El efecto del uso de un diodo de silicio con VT= 0.7 V se seala en la figura 5 para la regin de polarizacin directa. La seal aplicada debe ser ahora de por lo menos 0.7 V antes que el diodo pueda "encender". Para los niveles de Vi menores que 0.7 el diodo an est en estado de circuito abierto y Vo = 0 V, como la misma figura. Cuando conduce, la diferencia entre Vo y Vi se encuentra en un nivel fijo de VT= 0.7 V y Vo = Vi VT, segn se indica en la figura. El efecto neto es una reduccin en el rea arriba del eje, la cual reduce de manera natural el nivel resultante del voltaje dc. Para las situaciones donde Vm >> VT, la siguiente ecuacin puede aplicarse para determinar el valor promedio con un alto nivel de exactitud.

Vm es suficientemente ms grande que VT, la ecuacin (1.0) es a menudo aplicada como una primera aproximacin de Vdc.

RECTIFICACION DE ONDA COMPLETA Puente de diodos El nivel de dc que se obtiene a partir de una entrada senoidal puede mejorar al 100% si se utiliza un proceso que se llama rectificacin de onda completa, La red ms familiar para llevar a cabo la funcin aparece en la figura 6 con sus cuatro diodos en una configuracin en forma de puente. Durante el periodo t= 0 a T/2 la polaridad de la entrada se muestra en la figura 7. Las polaridades resultantes a travs de los diodos ideales tambin se sealan en la figura 7 para mostrar que D2 y D3 estn conduciendo, en tanto que D1 y D4 se hallan en estado "apagado". El resultado neto es la configuracin de la figura 8, con su corriente y polaridad indicadas a travs de R. Debido a que los diodos son ideales, el voltaje de carga Vo = Vi, segn se muestra en la misma figura.

Para la regin negativa de la entrada los diodos conductores son D1 y D4, generando la configuracin de la figura No. 9. El resultado importante es que la polaridad a travs de la resistencia de carga R es la misma que en la figura 7, estableciendo un segundo pulso positivo, como se indica en la figura 9. Despus de un ciclo completo los voltajes de entrada y de salida aparecern segn la figura. 10.

FILTROS EN LA RECTIFICACION DEL VOLTAJE Filtrado con capacitor (condensador) La tensin de salida del rectificador de 1/2 onda anterior (una onda pulsante) muestra con claridad un voltaje en corriente continua que se pueda aprovechar (no es constante). Pero si incluimos a la salida de este y antes de la carga un condensador (capacitor), este ayudar a aplanar la salida.Cuando el diodo conduce (semiciclo positivo) el capacitor se carga al valor pico del voltaje de entrada. En el siguiente semiciclo, cuando el diodo est polarizado en inversa y no hay flujo de corriente hacia la carga, es el condensador el que entrega corriente a la carga (el condensador se descarga a travs de la resistencia de carga).

El condensador al entregar corriente a la carga se descarga (disminuye el voltaje en sus terminales). Ver la figura anterior y la siguiente, donde se puede ver con claridad la carga del condensador y descarga del condensador. (la lnea roja)

La tensin de rizado
A la variacin del voltaje (v) en los terminales del condensador (capacitor) debido a la descarga de este en la resistencia de carga se le llama tensin de rizado. La magnitud de este rizado depender del valor de la resistencia de carga y al valor del capacitor.

el semiciclo positivo el transformador entrega corriente (a travs del diodo) al condensador C y a la resistencia RL, en el semiciclo negativo es el capacitor el que entrega corriente a la resistencia (se descarga). Si el capacitor es grande significa menos rizado, pero an cumplindose esta condicin, el rizado podra ser grande si la resistencia de carga es muy pequea (corriente en la carga es grande)

Resistencia Interna (Ri) de las fuentes de alimentacin

Las fuentes de tensin, sean estas bateras, generadores, etc. no son ideales (perfectas). Una fuente de tensin real est compuesta de una fuente de tensin ideal en serie con una resistencia llamada resistencia interna. Esta resistencia interna, no existe en la realidad de manera de que nosotros la podamos ver. Es una resistencia deducida por el comportamiento de las fuentes de tensin reales. Ver diagramas de fuente de tensin ideal y de fuente de tensin real. VI = Voltaje en la resistencia interna VL = Voltaje en la resistencia de carga RI = Resistencia interna RL = Resistencia de carga

Tomando los siguientes valores: - I = 4 Amperios - RI = 3 Ohmios - RL = 5 Ohmios En cada uno de los resistores habr una cada de tensin. - VI = I x RI = 4 A x 3 W = 12 Voltios - VL = I x RL = 4 A x 5 W = 20 Voltios La cada total de tensin ser: VI + VL = 12 V + 20 V = 32 Voltios (igual a la tensin de la fuente ideal) (ley de tensiones de Kirchoff).

Se puede ver con claridad que solamente 20 de los 32 voltios se aplican a la Carga (RL), la tensin restante se pierde en la resistencia interna. esta tensin (la de 20 Voltios) se llama tensin terminal, debido a que se mide en los terminales de la fuentes de tensin. Cmo se obtiene la resistencia interna? 1- Se mide la tensin en los terminales de una fuente de voltaje sin carga (sin RL). El voltaje medido ser Vsc (voltaje sin carga) 2- Se conecta una carga y se mide el voltaje en esta. El voltaje medido ser Vcc (voltaje con carga) 3- Se mide la corriente al circuito con carga. La corriente medida ser I una vez que se tienen estos valores se aplica la siguiente ecuacin: RI = (VscVcc)/I Ejemplo:

Si Vsc = 12 Voltios , Vcc = 11.8 Voltios e I = 10 Amperios RI = 0.05 Ohms Con lo expuesto se puede concluir que a ms corriente demande la carga (RL), menor ser el voltaje terminal, debido a la mayor cada en la resistencia interna (RI).

DIODO ZENER

Caractersticas del diodo Zener El diodo zener es un tipo especial de diodo, que siempre se utiliza polarizado inversamente. Recordar que los diodos comunes, como el diodo rectificador (en donde se aprovechan sus caractersticas de polarizacin directa y polarizacin inversa), conducen siempre en el sentido de la flecha. En este caso la corriente circula en contra de la flecha que representa el diodo. Si el diodo zener se polariza en sentido directo se comporta como un diodo rectificador comn. Cuando el diodo zener funciona polarizado inversamente mantiene entre sus terminales un voltaje constante.

En el grfico se ve el smbolo de diodo zener (A - nodo, K - ctodo) y el sentido de la corriente para que funcione en la zona operativa se analizar el diodo Zener, no como un elemento ideal, si no como un elemento real y se debe tomar en cuenta que cuando ste se polariza en modo inverso si existe una corriente que circula en sentido contrario a la flecha del diodo, pero de muy poco valor.

Curva caracterstica del diodo Zener

Analizando la curva del diodo zener se ve que conforme se va aumentando negativamente el voltaje aplicado al diodo, la corriente que pasa por el aumenta muy poco.

Pero una vez que se llega a un determinado voltaje, llamada voltaje o tensin de Zener (Vz), el aumento del voltaje (siempre negativamente) es muy pequeo, pudiendo considerarse constante. Para este voltaje, la corriente que atraviesa el diodo zener, puede variar en un gran rango de valores. A esta regin se le llama la zona operativa. Esta es la caracterstica del diodo zener que se aprovecha para que funcione como regulador de voltaje, pues el voltaje se mantiene prcticamente constante para una gran variacin de corriente. Qu hace un regulador con Zener? Un regulador con diodo zener ideal mantiene un voltaje predeterminado fijo a su salida, sin importar las variaciones de voltaje en la fuente de alimentacin y/o las variaciones de corriente en la carga. Nota: En las fuentes de voltaje ideales (algunas utilizan, entre otros elementos el diodo zener), el voltaje de salida no vara conforme vara la carga. Pero las fuentes no son ideales y lo normal es que el voltaje de salida disminuya conforme la carga va aumentado, o sea conforme la demanda de corriente de la carga aumente.

Fuente estabilizada regulable de 1.2 a 25V / 4A

Todo taller o laboratorio que se precie de tal debe tener una fuente de alimentacin para propsitos generales capaz de suministrar suficiente tensin y corriente como para permitir funcionar a los montajes que se realicen. En esta ocasin tenemos un circuito que nos han enviado desde Espaa que permite obtener en una salida una tensin comprendida entre 1.2 y 25V con una capacidad de corriente mxima de 4A.

Como se observa en el circuito se puede decir que consta de tres etapas. La primera (formada por el transformador, el puente rectificador y el capacitor electroltico de 10000F) se encarga de aislar y reducir la tensin de red, rectificar y filtrar. La segunda etapa (formada por el transistor de BC327, el circuito integrado y los componentes anexos) se encarga de proporcionar una tensin de referencia la cual ser empleada para determinar, junto con el potencimetro y sus resistencias de tope, la tensin a aplicar sobre el transistor driver y ste sobre el de potencia. La tercera etapa (formada por los transistores BD137 y 2N3055) se encargan de dejar pasar la corriente en forma controlada, por as decirlo, haciendo las veces de reguladores serie. Cabe aclarar que stos efectan una regulacin resistiva y no conmutada (switching) por lo que la tensin en el emisor no es pulsante. Luego tenemos un pequeo filtro de salida formado por el capacitor electroltico y los bornes.

El transformador debe proporcionar una tensin de 25V con una capacidad de corriente de 6A y la tensin de su primario deber ser escogida de acuerdo a la red elctrica de tu zona. El transistor 2N3055 deber estar montado sobre un buen radiador de calor, mientras que para el BD137 bastar con un radiador del tipo clip. El capacitor de 100nF, conectado en paralelo con la alimentacin del A741 deber estar lo mas prximo posible a ste para optimizar el filtrado de la fuente. Si bien en el esquema no lo hice, en el modelo que uso en mi taller le he colocado un LED con una resistencia de 2.2Kilos en serie, tomado desde la salida del puente rectificador para indicar su funcionamiento. El color de la lmpara queda a vuestro antojo. Pero no le pongis de las parpadeantes porque producen ruido e interferencia, aunque mnimo siempre estorba. Si desea conectar un voltmetro para tener medicin permanente de la tensin deber colocarlo en paralelo con los bornes, siempre verificando la correcta polaridad de dicho instrumento. Si quiere conocer la corriente que circula por el circuito alimentado deber colocar un ampermetro en serie con la va positiva de la salida de esta fuente. Recuerde que la actual salida ingresa al terminal negativo del instrumento y el termina positivo del instrumento representa la nueva salida. Si en alguno de los medidores (o en ambos) optase por colocar instrumental electrnico (que requiera alimentacin) sta deber ser tomada siguiendo el siguiente esquema terico: A la salida del transformador colocar un pequeo puente de diodos con capacidad para 1A. Filtrar la continua resultante con un electroltico de 4700F y con un cermico de 100nF. Colocar un regulador de tensin en serie de la lnea 78xx de acuerdo a la tensin requerida por el o los instrumentos. Es aconsejable, a la salida del regulador de tensin, colocar otro capacitor cermico de 100nF en paralelo para filtrar el posible rizado que genere el circuito regulador. Si bien era mas fcil colocar un regulador a la salida del puente rectificador de potencia; si la fuente fuese cargada al lmite de su capacidad el puente entrara en calor, haciendo caer ligeramente la tensin continua y esto puede afectar la operacin de los instrumentos. Recordad que la mayora de estos instrumentos utilizan tensiones de referencia que cogen desde la lnea de alimentacin y no desde la va a medir. Y que peor que un instrumento de taller que est descalibrado o malo en la lectura ?

TRANSISTORES

Componentes electrnicos.Se denomina componente electrnico a aquel dispositivo que forma parte de un circuito electrnico. Se suele encapsular, generalmente en un material cermico, metlico o plstico, y terminar en dos o ms terminales o patillas metlicas. Se disean para ser conectados entre ellos, normalmente mediante soldadura, a un circuito impreso, para formar el mencionado circuito. Hay que diferenciar entre componentes y elementos. Los componentes son dispositivos fsicos, mientras que los elementos son modelos o abstracciones idealizadas que constituyen la base para el estudio terico de los mencionados componentes. As, los componentes aparecen en un listado de dispositivos que forman un circuito, mientras que los elementos aparecen en los desarrollos matemticos de la teora de circuitos. De acuerdo con el criterio que se elija podemos obtener distintas clasificaciones. Seguidamente se detallan las comnmente ms aceptadas. 1. Segn su estructura fsica Discretos: son aquellos que estn encapsulados uno a uno, como es el caso de los resistores, condensadores, diodos, transistores, etc. Integrados: forman conjuntos ms complejos, como por ejemplo un amplificador operacional o una puerta lgica, que pueden contener desde unos pocos componentes discretos hasta millones de ellos. Son los denominados circuitos integrados . 2. Segn el material base de fabricacin. Semiconductores. No semiconductores. 3. Segn su funcionamiento. Activos: proporcionan excitacin elctrica, ganancia o control Pasivos: son los encargados de la conexin entre los diferentes componentes activos, asegurando la transmisin de las seales elctricas o modificando su nivel. 4. Segn el tipo energa. Electromagnticos: aquellos que aprovechan las propiedades electromagnticas de los materiales (fundamentalmente transformadores e inductores). Electroacsticos: transforman la energa acstica en elctrica y viceversa (micrfonos, altavoces, bocinas, auriculares, etc.).

Optoelectrnicos:transforman la energa luminosa en elctrica y viceversa (diodos LED, clulas fotoelctricas, etc.). Transistores de diversas potencias los de arriba son de mayor potencia Tipo Semiconductor Configuracin Emisor, base y colector El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, ordenadores, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, telfonos mviles, etc. El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio.

Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de transistor. El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el grfico de transistor. El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra (emisor) , una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin. Este factor se llama (beta) y es un dato propio de cada transistor.

Entonces: - Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a (factor de amplificacin) por Ib (corriente que pasa por la patilla base). - Ic = * Ib - Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, slo que, la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de l, o viceversa. Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se cambia Vcc. Ver figura.

Funcionamiento de Transistores.
En el ao 1942, los fsicos norteamericanos Bardeen, Brattain y Shockley investigando con semiconductores, descubrieron el transistor. Debido a la gran importancia de dicho descubrimiento, se les concedi en 1956 el Premio Nbel de Fsica. Exteriormente est formado por un caparazn o cpsula que puede tener diferentes formas, del que salen tres patillas metlicas, o mstcnicamente dicho, tres electrodos o terminales y en algunos casossolamente dos ya que el tercer terminal lo forman el recubrimientometlico de la cpsula.

Internamente, el transistor es un componente semiconductor formado por un cristal que contiene una regin P entre dos regiones N (transistor NPN), o una regin N entre dos regiones P (transistor PNP).

La diferencia que hay entre un transistor PNP y otro NPN radica en la polaridad de sus electrodos.

APLICACIONES La primera consecuencia del descubrimiento del transistor, fue que los aparatos electrnicos pudieron hacerse mucho ms pequeos, al ocupar el transistor un volumen mucho menor que las vlvulas electrnicas anteriormente empleadas.

En la figura se muestra el dibujo de una vlvula en su tamao real y el correspondiente tamao de un transistor.

Se redujo tambin mucho el consumo de corriente, porque las vlvulas necesitaban calentamiento y el transistor no. El transistor puede emplearse como interruptor y como amplificador. EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR El transistor funciona como interruptor CERRADO cuando le aplicamos una corriente a la base y como interruptor ABIERTO cuando no le aplicamos corriente a sta. EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR Los fsicos que descubrieron el transistor se dieron cuenta que mediante la variacin de una corriente dbil aplica a la base podan gobernar otra mucho ms intensa entre colector y emisor. Esto significa que pequeas corrientes elctricas pueden ser amplificadas, o lo que es lo mismo, que seales dbiles pueden transformarse en otras suficientemente fuertes.

La intensidad que atraviesa el emisor es igual a la intensidad que pasa por el colector ms la intensidad que pasa por la base.

FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR Quizs el modo de trabajar de un transistor puedes fcilmente comprenderlo con un ejemplo ms fcil que podramos llamar: el transistor hidrulico Por la tubera O llega presin de agua y puede seguir dos caminos: 1. Por C que no puede pasar ya que se lo impide el tapn.

2. Por B que al estar cerrada la llave L tampoco puede pasar.

Por lo tanto por la tubera E no sale agua y podemos decir que el transistor est bloqueado. Si abrimos un poco la llave L comienza a salir agua por el tubo B y sta empuja la palanca que unida al tapn permite el paso de agua por la tubera C. Por la tubera E ahora sale el agua que pasa por C ms el agua que pasa por B. Esta figura muestra como si abrimos ms la llave de paso L por la tubera B sale ms agua y por lo tanto empuja mas fuerte a la palanca y abre completamente el paso por la tubera C.

Como se puede comprobar nos encontramos con tres situaciones: 1. Est totalmente cerrada: no circula agua. 2. Cuando esta algo abierta, pero no lo suficiente para que el tapn este abierto del todo: Se puede regular el caudal por C abriendo ms o menos la llave L. 3. Cuando se abre L lo suficiente para que este el tapn totalmente abierto y por C pasa prcticamente todo el caudal, ya que lo que pasa por B es despreciable frente a lo que pasa por C. Esto mismo es lo que tenemos en los transistores elctricos, cambiando caudal de agua por corriente: 1. Por la base no se le suministra corriente: transistor no deja conducir entre colector y emisor 2. Por la base se le suministra una pequea corriente: Se puede controlar el paso de corriente entre el colector y el emisor. La corriente que pasa entre colector y emisor es mucho mayor que la corriente que le suministramos a la base. 3. Se le suministra suficiente corriente a la base para que circula la mximo corriente entre colector y emisor, se dice que el transistor est saturado y la corriente que se le suministra a la base es la necesaria para producir la saturacin del transistor. Cuando trabaja como interruptor el transistor trabaja en corte y en saturacin, mientras que cuando trabaja como amplificador trabaja con corrientes en la base menores para controlar la corriente entre colector y emisor.

PROBLEMAS RESUELTOS DE TRANSISTORES

TEORIA Y ACLARACION DE CONCEPTOS

Podemos clasificar los transistores en 2 grandes grupos: BJT y FET. - BJT (de unin dipolar) Estn formados por dos uniones pn y constan de 3 terminales (colector, base y emisor), que se corresponden con las tres zonas de material semiconductor. Por el emisor entra un flujo de portadores que a travs de la base llega al colector (los sentidos de la corriente estn indicados en la figura).

Los transistores bipolares se suelen usar en configuraciones de emisor comn, para poder controlar la corriente de salida con una pequea corriente de base.

FET (de efecto de campo) Los terminales en este caso son: fuente (F o S), drenaje (D) y puerta (G o P). Cabe distinguir en este grupo dos tipos diferenciados: los JFET (de unin) y los MOSFET (del tipo metal - xido - semiconductor).

Los transistores MOSFET en configuracin de emisor comn presentan una impedancia de entrada muy elevada.

Modelo de gran seal El anlisis de un circuito con transistores se puede realizar con el modelo de gran seal, vlido para transistores bipolares y MOSFET conectados en emisor comn. - CORTE: circuito abierto a la salida y a la entrada - ACTIVA: fuente de corriente de valor iB a la salida y fuente de tensin continua de 0.7 V a la entrada - SATURACIN: cortocicuito a la salida y fuente de tensin continua a la entrada - INTENSIDAD CONSTANTE: fuente de intensidad de valor g(UPF-UT) a la salida y circuito abierto a la entrada RESISTENCIA: resistencia Req a la salida, de valor inversamente proporcional a la tensin de control y circuito abierto a la entrada

Ejemplo TRAN1 Un transistor BJT de tipo npn y = 100 se conecta de la siguiente manera: la base se conecta al terminal positivo de una pila de 5 V a travs de una resistencia de 100 kohmios; el colector se conecta al terminal positivo de otra pila de 10 V a travs de una resistencia de 100 ohmios el emisor se conecta a los terminales negativos de ambas pilas. En estas condiciones calcule la corriente de colector.

Ejemplo TRAN2 Un transistor BJT del tipo NPN con =100, se conecta a una pila de 30 V de la siguiente manera: el colector se conecta al terminal positivo de la pila a travs de una resistencia de 330 ohmios . La base tambin se conecta al mismo terminal positivo de la pila a travs de una resistencia de 560 kohmios. El emisor de conecta directamente al terminal negativo de la pila. Calcule la tensin entre colector y emisor.

Ejemplo TRAN3 Un transistor NPN funciona en zona activa cuando su base se conecta al terminal positivo de una fuente de tensin de 5 V a travs de una resistencia de 10 kohmios, su colector se conecta al terminal positivo de una fuente de 20 V a travs de una resistencia de 100 ohmios y el emisor se conecta a los terminales negativos de ambas fuentes. Si =100, calcule la corriente que circula por el colector.

Ejemplo TRAN4 Si =100 y UCC=20 V cul es la zona de trabajo del circuito de la figura?

Ejemplo TRAN5 Dado el circuito de la figura determine en que zona de trabajo se encuentra el transistor ( =100).

Ejemplo TRAN6 Un transistor BJT del tipo NPN se encuentra en un circuito electrnico y presenta las siguientes tensiones entre sus terminales: UEB=-0.7 V y UCB=-0.7 V. En estas condiciones, en qu zona est trabajando el transistor?.

Seis transistores de conmutacin Responda esto: Por qu las fuentes de alimentacin de los televisores Sony necesitan seis (algunas veces 8 o mas) transistores de conmutacin? Respuesta: El torote ese con el que ha trabajado por las ltimas dos semanas, usted solo tiene espacio para dos transistores, pero por alguna razn siempre termina utilizando seis o mas. Aqu algunos tips para reducir el nmero de transistores que necesita para reparar y darle salida del taller a ese equipo. Siga leyendo. Imagine este escenario: Un televisor Sony de 27 aparece en su diaria orden de trabajo Sntoma: Muerto, no enciende. Usted siempre tiene idea de lo que sigue, remueve la cubierta posterior e inmediatamente checa la resistencia fusible que alimenta el B+ a los transistores de conmutacin , esta abierto, sabemos lo que sigue piensa en hacer el tradicional chequeo de ohmeaje a los transistores de conmutacin, quiz haya posibilidad de que la resistencia fusible se haya abierto sin razn No! Su pequeo sueo se estrella con los tres ceros desplegados en su medidor de ohmios (la aguja al extremo derecho en su viejo medidor anlogo Simpson) mientras checa la unin C-E de los transistores; usted, pacientemente desolde los transistores, la resistencia fusible y los reemplaza con refacciones originales Sony (por supuesto) El tradicional chequeo de ohmios del transistor de salida horizontal est en orden, no hay corto aqu. Piensa en alimentar la fuente con el variac, inicia en cero Corriente Alterna y va subiendo 10...20...30...voltios, todo parece bien. Alrededor de los 65V la unidad empieza a dar seales de vida, zumbando y clickeando el relay. Repentinamente aquel extrao sonido aparece como cuando Homero Simpson abre su lata de cerveza y entonces ..... el silencio. Usted sabe lo que sucedi. Los viejos buenos tiempos de sencillas fuentes de alimentacin anlogas se han ido. Productos con eficiencia de energa es lo de hoy, he ah la razn de las fuentes de alimentacin conmutadas. Nuestros reguladores en modo de conmutacin generalmente aparecen en arreglos de transistores duales estilo Push-Pull. Los chasis de televisin LN-1, AA-1 y AA-2 acompaados con los televisores de proyeccin de los ltimos seis aos utilizan este tipo de fuentes. Las ltimas versiones encapsulan estos dos transistores en un pequeo y confiable empaque de circuito integrado, es actualmente un diseo digno de confianza. Estos rara vez fallan por que uno de los transistores decida que su vida ha sido lo suficientemente mala como para seguir viviendo, los problemas fuera de la fuente son los que causan su fallecimiento. Esta es la causa mas comn de repetidas fallas de los transistores (acompaadas con repetidas llamadas a su tcnico reparador amigo) Lo que planeo es compartir con usted un mtodo probado para prevenir la perdida de los transistores recin instalados. Siga este procedimiento correctamente y nunca volver a or aquel pavoroso sonido de falla de nuevo. Vamos a hablar de pura solucin de fallas, desde este punto, no hay teora de cmo trabajan estas cosas.

Encuentre la causa Los transistores de conmutacin casi siempre fallan por problemas en otra parte. Demasiados voltios de entrada, excesivo consumo de corriente o problemas de polarizacin de los transistores mismos son sospechosos usuales. Esto es por que nunca hay que reemplazarlos y conectar el equipo a ver que pasa, cubra las diferentes causas de su falla. Corriente excesiva La causa mas comn de esto son las lneas de voltios secundario, siendo la de 135 voltios el principal sospechoso. La situacin mas confortable para el tcnico es que los transistores de conmutacin en corto, vienen acompaados por el transistor de salida horizontal en corto tambin. A menos que tenga la causa bien declarada, lo que corresponde en este punto es saber que algo ocasion la falla del salida horizontal. Un transformador fly back daado o excesivas cargas en sus secundarios son lo concerniente. El problema aqu es el potencial dao del transistor de salida horizontal de nuevo y, consecuentemente los transistores. Por supuesto otras lneas del secundario pueden tener excesivas cargas sobre ellos. El procedimiento que veremos en un momento previene que este escenario ocurra. Transitorios Una vez le que un hogar promedio recibe al menos unos 5000 transitorios de voltios al ao y al menos unos 1000 picos de voltios al mes, ellos son muy breves en duracin y usualmente son eliminados por los circuitos de proteccin que acompaan a las fuentes, si usted vive en un rea afectada constantemente por tormentas elctricas probablemente tenga mas transitorios que lo normal, cuando un pico de voltios alto daa a los transistores de conmutacin, hay suficiente evidencia fsica, capacitores partidos por la mitad, diodos y resistencias quemados o recalentados no son raros. El hecho que una tormenta elctrica ocurri recientemente es adems una buena pista. Aunque estemos ciertos que una tormenta reciente puede ser la causa, los sntomas fsicos no siempre aparecen. De nuevo, nuestro procedimiento lo asistir en localizar estos componentes. Polarizacin Esto es lo ms difcil. Una vez que el circuito oscilador utiliza un arreglo de transistores en push-pull (un transistor jala el voltios arriba y el otro lo enva a tierra) ello no puede ser al mismo tiempo. Si el transistor de arriba est encendido y yendo a saturacin, el transistor de abajo tiene que estar apagado y viceversa. Esto se cumple por los embobinados de retroalimentacin fuera de fase que alimentan a las bases de los transistores. La figura 1 ilustra este punto. Los pines 1, 2, 5 y 6 de T603, junto con R609, R610, C609 y C610, conforman la ruta de realimentacin. Cualquier fuga de los condensadores de acoplamiento puede afectar el delicado timing del correspondiente transistor. Como puede ver la realimentacin es muy importante aqu. Inici este sntoma con esto es lo mas difcil ya que es una de las causas por las que el tcnico llama al soporte en lnea, las fallas repetidas de los transistores de conmutacin. Pero aqu no hay evidencias de picos transitorios ocurridos y no hay seas de cargas de corriente en las lneas secundarias. De nuevo, el procedimiento que le describir, le ayudar en esto, pero ya he hablado mucho de el.

El variac y el amperimetro de c.a. Desde hace tiempo he usado un variac para trabajar con fuentes de poder, lo he usado para correr fuentes (del tipo anlogo) a un reducido nivel y prevenir daos por sobrecalentamiento y quemado. Puedo llamar los sonidos de alerta si est irradiando demasiada corriente por consumo. Si el variac empieza a apagarse, s que tengo un severo problema de carga en la fuente, es una forma de trabajar fino con este tipo de fuentes, pero con la introduccin de las fuentes en modo conmutado, este recurso ha cambiado. Ellos no tienen la robustez de las viejas fuentes de alimentacin anlogas, ellos tienen un ultimtum: oscila o muere, monitorear la corriente fue obviamente necesario. Los tcnicos de hoy da, deben incluir un variac con un medidor de AC (Amperimetro) integrado. Es el nico camino para eliminar efectivamente la falla de un nuevo par de transistores de conmutacin instalados. Todava veo a los tcnicos de la vieja guardia quienes me hablan acerca de cmo utilizan un foco de bajo wattage en serie con la entrada de lnea de AC para propsitos de reparacin de fallas. Eso no es realmente una herramienta para reparacin de fallas, es un dispositivo de seguridad, no se tiene control sobre los niveles de corriente.

Precisamente, monitorear corrientes es un deber cuando se da servicio a fuentes conmutadas. Recuerde lo que hablamos anteriormente: Excesiva entrada de voltios (transitorios de lnea), corriente ( cargas en las lneas de voltios secundarios) y problemas de polarizacin (biasing) son las causas de que estas fuentes fallen. Llevando la fuente hacia arriba con un variac elimina cualquier problema de voltios, monitorear los niveles de corriente de AC, ayuda a prevenir cualquier problema de cargas o polarizacin o un ataque relmpago a los nuevos transistores de reemplazo, con lo ltimo en mente veamos ahora como aplicar el procedimiento paso a paso. Pruebas estaticas Lo primero es buscar signos obvios de componentes fallados, mirar y olfatear son las reglas. Esta debe ser la primera rutina de un efectivo diagnstico de fallas. Cualquier componente requemado u oloroso en el circuito primario del oscilador es un buen indicador de posibles problemas en la lnea de voltios. cualquier otro componente requemado en las lneas de voltios del secundario provee valiosas pistas de cual fue la causa., el tradicional chequeo de ohmeaje a tierra del transistor de salida horizontal as como de las lneas de voltios del secundario, es lo siguiente. Localice y reemplace cualquier componente que est obviamente defectuoso. Una vez que las pruebas estticas nos dan luz verde, es momento de ir alimentando a la fuente. Problemas de osciladores de switcheo Esta es una causa muy comn de repetidas fallas en los transistores de switcheo. Aqu no hay signos de componentes quemados o recalentados y todas las pruebas de resistencia de las lneas de los secundarios, aparecen OK, pero los transistores inmediatamente fallan al aplicar AC. El procedimiento para probarlos difiere significativamente entre televisores de visin directa y televisores de proyeccin por qu? En los televisores de visin directa el oscilador trabaja todo el tiempo que el equipo est conectado a la lnea, mientras que en los de proyeccin solo cuando se da la orden de encendido. Voy a dar dos mtodos de prueba por separado, uno para televisores de proyeccin y otro para televisores de visin directa. Chasis de visin directa La figura 2 muestra un diagrama a bloques de una tpica fuente de poder para uno de los chasis de visin directa. Este ejemplo es del chasis AA-1, otro diseo similar lo incluye el chasis AA-2 y anteriormente el chasis LN-1. Estas fuentes oscilan inmediatamente en cuanto se conectan a la lnea de AC. El oscilador no solo excita a los secundarios de voltios de la lnea principal, sino tambin al transformador de stand by. Note que el transformador principal T604 est nicamente activo cuando el relay de poder est cerrado.

Cuando empiece a aplicar alimentacin de AC a este equipo, no exceda de 30 VAC el oscilador empezar a correr con 5 o 10 VAC. Esto nos permitir checar la apropiada polarizacin del oscilador inmediatamente despus de aplicar la corriente alterna, junto con cualquier potencial problema de cargas en los circuitos alimentados por las lneas de stand by. Puede tener dificultad leyendo niveles de corriente cuando solo los circuitos de stand by estn operando. Una vez que el oscilador ha pasado la prueba inicial, podemos forzar la etapa del secundario para checar potenciales cargas dainas. Mirar de nuevo la figura 1 nos dar una vista ms detallada de cmo opera el oscilador de conmutacin. Fjese como el oscilador es constantemente alimentado por el B+ desde el puente rectificador D602. El circuito oscila desde que se conecta a lnea de AC y excita al transformador de stand by T605. RY602 conecta el oscilador permanente al transformador PIT (Power Input Transformer) T604. Como mencion anteriormente el relay no engancha hasta que la unidad sea encendida va control remoto o presionando el botn al frente del panel.

Paso 1 Empiece aplicando lentamente AC a la televisin con el variac mientras monitorea la corriente de AC es normal ver un pico momentneo de corriente al inicio. Este es los capacitores de filtro cargando y la bobina desmagnetizadora inicializando. El pico de corriente debe desaparecer rpidamente. Entre cero y 40 VAC el consumo de corriente no debe exceder los 100 ma. En algunos variacs le costar determinar cuanta corriente est siendo consumida. Si la corriente sigue aumentando conforme aumenta usted el voltios de entrada, detngase. Tiene un problema en el circuito oscilador o en el circuito de stand by, no exceda de dos amperes o perder los transistores de conmutacin. Algo est mal con la polarizacin del oscilador o hay un corto o carga dinmica pesada en los circuitos de stand by, busque algn corto en las lneas de 12 o 5 voltios. Si las lneas de stand by estn bien, entonces cheque los capacitores de acoplamiento de retroalimentacin conectados a la base de los dos transistores de conmutacin, probablemente tienen fuga. Si poca o ninguna corriente est siendo consumida durante esta prueba, entonces es momento de pasar al paso 2 y checar las cargas del secundario del transformador de entrada (Power Input Transformer) que es donde se generan todos los voltios secundarios para la televisin. Tip Otros sospechosos (particularmente con el chasis AA-1) son los VDR (VDR601, 602 y 603) localizados en los circuitos de stand by y oscilador, los picos transitorios de la lnea de AC fcilmente los daan. Ellos deben ser reemplazados cualquier vez que a una fuente de estas se le da servicio por transistores de switcheo daados. En el dibujo de la figura 2, una resistencia R644 abierta indica un VDR601 defectuoso y una R636 abierta indica un corto en el regulador IC601. El transformador de stand by deber tambin ser revisado buscando posibles bobinas recalentadas y reemplazarlo si es necesario, cualquiera de los componentes mencionados anteriormente puede echar a perder a los transistores de switcheo. En cualquier ocasin que encuentre transistores conmutadores en corto o resistencias abiertas sean encontradas en el stand by o circuitos secundarios, sea cuidadoso. Paso 2 Si el circuito de stand by pasa la prueba, es ahora necesario checar la corriente consumida en las lneas de voltios del secundario. Como mencion anteriormente el problema que encontramos aqu es que esta lnea no se activa hasta que se alcanza por lo menos 60VAC . Esto es suficientemente alto como para poder quemar los transistores conmutadores cuando el relay engancha (en el chasis AA-1). El chasis AA-2 no tiene relay. Todas la lneas estn activas de inmediato, excepto el voltios switcheado de 9 voltios para la jungla (vea el siguiente tip par ver como tratar con este chasis). El chasis LN-1 usa un transistor para completar el retorno del transformador PIT a tierra. Ninguna al menos de estas fuentes debe ser forzada a menos que iniciemos con un nivel bajo de voltios de AC. En el chasis AA-1 , debemos puentear el relay de encendido. En el chasis LN-1 un transistor completa el retorno del transformador principal a tierra, y debemos puentear la unin C-E del transistor.

Puentear el relay de encendido, le levantar las cejas a algunos de los lectores, despus de todo, estamos eliminando un dispositivo de seguridad en la unidad. El relay est normalmente apagado durante las condiciones de sobrevoltaje y sobrecorriente y en algunos casos problemas de alto voltios. Recuerde sin embargo que estamos controlando la situacin con un Variac. Cuando uno es cuidadoso, esto puede ser seguro. Adems qu es lo peor que puede ocurrir si no es usted cuidadoso? El televisor explotar y barrera con todo el vecindario, dejndolo inhabitable por los siguientes cientos de aos? Esta usted generando suficiente radiacin X como para afectar a todos los tcnicos de su ciudad? Probablemente no, en el peor de los casos, usted solo perder otro par de transistores. Utilice algunas precauciones razonables y observe la corriente consumida en el medidor de amperes de AC y tendr una jornada tranquila. Con el relay puenteado, aplique lentamente AC a la unidad y vigile algn excesivo consumo de corriente. qu es excesivo? Estos equipos no deben consumir ms de 1.25 amperes con una entrada de corriente alterna baja. Los amperes deben caer conforme se aumenta la entrada de voltios de AC. La corriente normal a 120 VAC est entre 500 y 800 ma para un equipo de 27 pulgadas. Si el amperaje baja mientras usted est elevando la entrada de voltios de AC, entonces tiene va libre para elevar el voltios a 60 VAC. Si con este voltios an tiene un ampere o menos, entonces tiene luz verde para remover el puente del relay y elevar desde cero hasta 120 VAC. Si usted ve que la corriente consumida aumenta conforme va aumentando la corriente alterna proceda al paso No. 3. Si usted tiene problemas en cualquiera de los circuitos del secundario, alcanzar lecturas de corriente de cerca de 1.5 amperes con voltios de corriente alterna menores de 60 voltios. Tip El chasis AA-2 no utiliza un relay de poder para conmutar la alimentacin. Las lneas del secundario, estn calientes todo el tiempo a excepcin de los 9 voltios switcheados para la jungla, hemos enfrentado el mismo problema para otros diferentes tipos de chasis. Los 9 voltios switcheados no pueden correr hasta que se alcanzan 65VAC. Trate esto. Externamente alimente con 9 voltios la lnea de SW9V o puentee la entrada y la salida del regulador de alimentacin. S que algunos brincarn con esto que digo, pero la entrada del regulador es de 10 voltios y estamos trabajando la unidad con corriente alterna baja, as que no veo ningn peligro aqu.

3 Si el consumo de corriente aumenta conforme usted aumenta la entrada de AC (dos amperes debera convencernos de un atrevimiento nuestro) apague y trate las siguientes sugerencias: Cortocircuite la base del transistor de salida horizontal a tierra, si no est seguro de cual es la tierra fra o si el emisor est conectado directamente a tierra, entonces haga un corto entre Base y Emisor, la idea es deshabilitar el circuito de deflexin horizontal, esto dejar un par de cosas fuera de la pantalla por el momento. Lentamente aplique corriente alterna de nuevo y vea si la condicin de sobrecorriente permanece, si no es as, usted tiene un transformador flyback malo o algo est cargndolo. Si la corriente contina aumentando mas all de lo normal (debera tener un consumo de corriente de mximo 250 ma con el circuito horizontal deshabilitado) empiece a desconectar las lneas de las otras fuentes secundarias hasta que el problema desaparezca y encuentre la lnea culpable. Tip Los problemas del circuito horizontal pueden ser molestos si ocurren en estado dinmico ( a menos que el transistor de salida est en corto) esto presenta un problema en que la fuente debe arrancar y correr en orden para activar esta parte de la circuitera. Djeme mostrarle un caso de la vida real con este problema. Un KV27XBR10 fue recibido en el centro de servicio Sony en la localidad en que vivo. La unidad lleg con los transistores de conmutacin en corto, el tcnico reemplazo los componentes daados as como el fusible. La unidad fue conectada y encendida (obviamente no haba platicado el procedimiento previo con l para esa poca), la unidad inmediatamente se apag. Despus de haber sido llamado para examinar el problema, pregunt al tcnico si haba monitoreado la corriente de AC en esta unidad con su variac, el pico de corriente antes que se apagar alcanz los 3 amperes . Note como el variac nos provee de valiosa informacin acerca de lo que caus que el televisor se apagara. Inmediatamente supe que tenamos un exceso de carga en la fuente, le dije al tcnico que colocara un corto entre la base del transistor de salida horizontal y tierra y encendiera el equipo, lo hicimos y sin carga el consumo en la fuente baj a 250 ma, un problema en la seccin horizontal sin duda, me coment que haba reemplazado el fly back (por razones histricas de falla), bueno, es hora de puentear el relay. El relay de encendido fue puenteado y una punta de prueba de osciloscopio fue acercada al colector del transistor de salida horizontal, usamos este mtodo ya que muchos osciloscopios no pueden soportar los picos altos directamente del colector, mientras llevbamos la corriente alterna hacia arriba, notamos que la corriente aumentaba dramticamente. Tenamos 1.75 Amperes a menos de 30 VCA, justo arriba de los 30 VCA el pico de horizontal empezaba a agitarse, una seal clara de secundarios del fly back cargados, la corriente alterna fue removida y tomamos lecturas de resistencia de todas las lneas de voltios derivadas del secundario del fly back, sin aparentes problemas, esto no se vea bien.

La corriente alterna fue reaplicada (con el relay puenteado todava) Subimos el voltios hasta que el pico de horizontal empezaba a bailar, luego lo redujimos hasta que se estabiliz, el consumo de corriente alterna era de 1.5 amperes , seguro por ahora. La idea era checar las lneas de voltios derivados en estado dinmico. Los voltios nos parecieron bien a excepcin de las lneas de +15 y 15, las cuales estaban ligeramente fuera de proporcin con las otras lneas. Mientras me rascaba la cabeza pensando que era lo que segua hacer, un hilillo de humo empez a ascender del chasis BINGO! En nuestras prisas por observar los componentes sospechosos, creamos turbulencia en el aire y no pudimos ver de donde sala el humo, al mismo tiempo la unidad se apag. Trabajar la fuente con exceso de consumo de 1.5 amperes por mas de 30 segundos puede causar que los transistores se sobrecalienten y fallen. Despus de esperar unos pocos minutos a que las cosas se enfriaran, subimos de nuevo el voltios de corriente alterna al punto donde se apag (mientras monitoreamos la corriente y el pulso de horizontal) con paciencia (y ansiedad) esperamos a que el humo reapareciera. El circuito de salida vertical fue el culpable, tena en cortos las lneas de +15 y 15, esto es por que no habamos detectado un corto durante las pruebas de resistencia estticas. El ejemplo anterior demuestra como puede uno utilizar con seguridad un variac para reparacin de problemas. Nosotros echamos a andar un equipo con oscilador de switcheo, con el relay puenteado y un corto entre las lneas de 15 voltios, sin tener que instalar nuevos transistores. Con precaucin usted puede literalmente oler un componente malo en ciertas situaciones. Yo siempre me atrevo a cortocircuitar el colector a tierra y alimentar el equipo con 1.5 amperes con el variac, sin daar el equipo. Es solo cuestin de controlar la corriente.