Experimento de laboratorio 10
Estabilizaci6n de la polarizacion
,
Objetivos del experilnento
A. Determinar 105efectos de la temperatura en
la corriente de fuga del colector para un
transistor de germanio. . suIado.
B. Determinar los efectos de Ia temperatura
Ia corriente de fuga de colector para un
transistor de silicio.
C. Mostrar 105efectos de Ia temperatura en la
corriente directa de colector en un circuito
amplificador de emisor comUn.
D. Mostrar la importancia de 105 metodos
apropiados de polarizacion en un amplifi-
cador de emisor comUn.
Conceptos bisicos
1. Las corrientes del transistor tienden a au-
mentar con la,temperatura.
2. La corriente leBo de fuga d~1 colector se
duplica af.roximadamente con cada aumen-
to de 10 C en la temperatura para los tran-
sistores de germanio.
3. La corriente leBO de fuga del colector Ie
duplica aproJ;.imadamente concada aumen.
to de 6°C en la temperatura para los transis-
tores de silic£o.
....
4. Cada transistor tiene una disipaci6n de po- I
tencia maxima.
5. Cada transistor tiene una clasificaci6n de
temperatura maxima de union 0 de encap-
I
en Informacion preliminar
,
Como semiconductor, el transistor es un disposi-
tivo sensible al calor. Un cambio en la temperatu-
ra ambiente puede tener un. efecto adveno en la
operacion de un transistor, haciendo que cambien
ICBO (corricnte de fuga de colector a base) y
VBE (voltaje de base a emisor). Todo cambio en
la corriente de base, provodado por cualquiera de
los mencionados, se amplifica por la ganancia If
(beta) del transistor. Ad, 105cambios en la tempe-
ratura p,ueden provocar cambios relativamente
grandes en la corriente del colector, haciendo que
el transistor sea inestabJe. Si se permite que la
corriente del colector aumente con la tempera-
tura, puede ocurrir una fuga, en que la mayor
corriente de colector provoque mayor aumento
en la corriente de fuga debido al aumento en la
potencia disipada (calor); la mayor corriente pro-
voca un mayor aumento en !as corrientel de fuga
y de colector, hasta que el transistor Ie destruy~ a
sl mismo.
I
I
1
 -- -
Estabilizacion de ia polarizacion

-vcc Fuente de energia 6.3 Vea, 150mA

R, miliamperimetro O-lOmAed
C2 VTVM
C1 0 Dispositivo de capacitaci6n en electronic a
0 ~
~

Q1 - Transistor NPN 2N1302 (de

~
germanio)
ENTRADA
SALIDA Q2 -Transistor NPN 2N2219A (de
lit RI
silicio)
R1 - 6.8kO, 1W
R2' - 470, 1W
+ R3 - 1.5kO, 1W .
R4 - Potenei6metro de 500kO,
Fig. 28-1
1/2 W;tablero M de eomponentes
Para contrarrestar el aum~nto cumulativo de co- R5 - 1kO, lW .
mente debido a una elevacion en la temperatura R6 - 270n, lW
(fuga termica), se utilizan circuitos de retroali- Tablero universal K para experimentos
mentaci6n degerlerativa, que tambien se ccnocen
como circuitos de estabilizacion de polarizacion. Pr6cedimiento del experimento
En la fig. 28-1 se muestra uno de los que se usan
con mas frecuencia para estabilizacion de polari- Objetivo A. Detenninar los efectos de la tempera-
zacion. Debera reconocer el circuito amplificador tura en la corriente de fuga del colector para un
de emisor comim usado en el experimento ante- transistor de germanio.
rior ,de laboratorio. La resistencia RL es la resls-
tencia de carga del colector, y 10s capacitores C1 0 1. a) Examine el circuito de prueba de co-
y C2 son de acoplamiento. Las resistencias R1 y rriente de fuga del ttansistor mostrado en la fig.
R2 forman un divisor de voltajes y tharcan el nivel 28-2. Note, que el emisor del transistor Q1 NPN
de voltaje fijo de polarizacion. Usted ya sabe que de germanio esta abierto (no esta conectado)
la corriente del emisor es la suma de las corrientes cuando se hacen mediciones de Ic Bo. La union
de base y de colector (IE = IB + Ie>. El flujo de
de colector a base de Q1 esta polarizada inversa-
la corriente de emisor a traves de RE desarrolla mente para la operacion normal del transistor.
una disminucion de voltaje a traves de RE que Toda corriente de fuga de colector a base es indi-
opone la polarizacion fija en la base. De esa mane- cada por el microamperimetro en serle con la ba-
ra, cualquier aumento en la corriente ~el colector, se. R1 solo se incluye como dispositivo de pro-
debido a cambios de temperatura, mueve el volta- teccion, y limita la corriente a un valor seguro.
je en el emisor, 10 que mantiene la c(jrriente del +
colector relativamente constante. 6Vcd
ELECT"O.-
EI factor de estabilidad S es la medida de estabili- NICA
VTVM
dad de polarizacion para un amplificador de tran-
sistor. Asimismo es la relacion del cambio en la
corriente Ic del colector al cambio en ta corriente Q1 C
de fuga ICBO (Mc/McBO). Este niunero varia
entre uno y fj para cualquier transistor dado. Con-
8 f?'<. - R2 Ullca

forme sea menor el niunero, mayor sera la esta- - E

- 470

bilidad. Otra forma deaproximar el factor de

estabiIidad S es sumando uno a la relacion de la
resistencia del circuito emisor a la resistencia del
circuito de entrada extema. En este caso, S = (R1
II R2)/RE' ya que (R1 U'R2) -:s casi igual a la
resistencia de etttrada del circuito. Siemprese de-
be de tener en cuenta el factor S de estabilidad
cuando se operen los circuitos de transistores a
temperaturas variables. Un buen factor de estabi-
lidad es S = 100 menor.
Equipo y materiales.
CIRCUITO
CALEFACTOR
Fig; 28-2
0 b) Conecte el circuito como se muestra.
Fije el V1VM en la £unclon de amperimetro, en el
rango de 151tAcd. No conecte todavia la resisten-
ciaR2 de 470.
0 c) Ajuste la ,fuente de energia a 6Vcd y
mida la corriente de fuga del colector a tempera-
tura ambiente.

Fuente de energia 0-6 Ved, 10mA ICBO - ItA ed 51

-- ---
 - ......
./

Estabilizadon de la polarizacion

0 d) ~aje el vo~taje a cero. 0 c) Repita los pasos (f) a (i) del procedi-
miento 1'0 anotando sus mediciones en ia tabla
0 e) Anote su valor rnediode ICBO en la .28-1 bajo Q2.
tabla 28-1 bajo Ql y en la hilera marcada TIEM- 0 \ d) lndique si I C B 0 para el transistor Q2
pO= O. d~ silicio aumenta con la temperatura' um._---
0 f) Conecte R2, la res~stencia de 47n, 1W~
a traves de la fuente de energ{a de 6.3V ca como 0 e) lC\iaI transistor, el de germanio 0 el de
se muestra en la fig. 28-2. Use un par de puntas silicio, tiene menos eorriente de fuga a mayores
flexibles de puente para haeer suceonexion. R2 temperaturas? u_---
s6lo se usa como dispositivo de !=alentamien to.
Deje que la resistencia se ealiente durante apro- Objetivo C. Mostfa!' 105efect05 de la temperatura
ximadamente dos minu~os. No la toque, se puede en la corriente de colector ~recta, en un circuito
quemar. ampIificador de emisor com..m.
Vcc - 8Vcd
0 g) Ajuste lei fuente de energla de cd a +
6Vcd y cuidadosamente coloque el cuerpo de R2
O-IOmAcd
contra el encapsulado de Q1. 114
IiOOK
0 h) Mida y anote en la tabla 28-1 el valor
de Ic BO a cada intervalo especifieado.
0 i) Baje todos los!voltajes a cero y q,uite el
cuerpo de R2 de Q1. - RI
UK

I CBO (EN MlCROA~ERES) FUERA

IOENTRO
v 'ELECTRO
TIEMPO Q2
Ql (DE NICA I
(MiNUTOS) GERMANIO) (DE SIUCIO) .YriM l 0-
0
.
Fig, 28-3 i

1h 0 3.a) Examine el circuito amplificador de

cmisor comun mostrado en la fig. 28-3. Note que i

Ql cs un transistor NPN de germanlo y que no se I

1 usa resistencia de emisor. EI miliamperlmctro en II
serle con la resistencia de carga R3 de colector
I1f.z I mide la corriente de colector Ic' EI VTVMmide I
I
el voltaJe VB de.base. Ya que no hay resis~encia
de: emisor, a VB tambien se puede llamar VBE
2 (voltajede base'a emisor).
0 b) Conecte el circuito mostrado. Fije el
'i
VTVM en la £uncion de CD en el rango de 0.5
Tabla 28-1 Vcd.
0 c) Ajuste V para 6Vcd.
0 j) Indique 'IiIc b 0 pan ~I tr'Ulsistor Q1 de 0 "d) Ajuste R~ para dar una corriente de co-
germanio aumenta con la temperatur~ ~ector de2mAcd. Algunos transistores 2N1302
tienm una p alta, por lo que es posible que no se
Objetivo B. Oeterminar 105 cfect05 de la tempe- obtmga 2mAcd de corriente de coleetor. En ese
ratura en la corriente de fuga de colectorpara un caso, ~jrese Vee acero,'Y sustitu)'a la resistencia
transistor de silicio. ~
Rl d, 6.8kn por unaresistmcia de 4?Okn.
0 2. a) S~stituya et transistor Q1 de germanio 0 e) Mida yanote en la tabla'28-2 el valor
por el Q2 de silicio. de VB. bajo la columna RE = on.
e f) Use R2 como un ~spositivo calefactor
0 b) Ajuste la fuente de energ{a a 6Vcd y (como en IDs procedimicntos anterlores) y cuida-
mid a la corriente de fuga del colector a tempera- dos~ente col6quela contra el encapsulado de
tura ambiente. (21. '

=' 0 g) Mida y registre en la tabia 28-2 los va-

52 ICBO 1"""'- IJAcd lores de VBE e Ie en cada intervalo especificado.

~
1 Estabilizacion de la polarizacion
I
Vcc- eVed
I
+
RE = 00 RE = 2700
I
TlEMPO Ie VB Ie VB
(MINUTOS) mA V mA V R'
UK
I

0 2
i

FUERA
II
I 1 DENTRO
RI
,It

Hi

2 Fig. 28-4

D j) Calcule eI factor S de estabilidad para

Tabla 28-2
este circuito amplificador.

D h)' Baje t.)dos los voltajes a cero.

D i) Indique si la corriente del colector
s = R5/R6
I
aumento con la temperatura n m------
... - -..
D j) Indique si los voltajes de base a emisor
i
disminuyeron con la temperatura m n_---- -'.'''''''''''''-'-''''.- S = .. .n. --........
j
I
j

NOTA: Aunque ambos transistores escin empa-

I Objetivo D. Mostrar la importancia de los meto- cados. e~ los Qlismos encapsulados TO-5, la espe-
i dos apropiados de polarizacion para un amplifi-
cador de emisor comOn.
cificacion de temperatura maxima de union para
! el transistor 2N2219A de silice es de 200°C, en
D 4. a) Examine el circuito amplificador esta- tanto que el transistor 2N 1302 de germanio solo
esta clasificado para 85° C. La clasificacion de
bilizado de emisor comUn mostrado en la fig.
28-4. Note que el voltaje de polarizacion de base nWrlma disipacion de potencia para el 2N2219A
ahora esta fijo por el circuito divisor de voltajes es de 0.8 watt, en tanto que la dasificacion para
e12N1302 solo es de 0.15 watt.
que consiste en Rl y R5. Se agreg6 la resistencia
R6 de emisor para estabilizar aim mas el circuito.
Db) Cambie su circuito al mostrado en la Resumen
fig. 28-4.
D c) Ajuste Vee a 6Vcd. En este experimento de laboratorio .se midieron
D d) Mida y anote en la tabla 28-210s valores las corrientes de fuga de. colector en transistores
de VB e Ie en la tabla 28-2, bajo la columna RE = de gcrmanio y de silicio a temperatura ambiente.
2700. Luego se aumento la temperatura del encapsulado
De) Use R2 como dispositivo calefactor co- de cada uno y se nota que la corriente de fuga del
mo en el procedimiento 3 (f). transistor de germanio aumenta considerable-
D f) Mida y anote los valores de VB eIc enla mente, en tanto que la corriente de fuga del traii-
tabla 28-2, en cada intervalo especificado. sistor de silicio permanece muy pequeiia. Final-
mente, usando dos distintos circuitos amplifica-
D g) Baje los voltajes a cero. dores de emisor comUn distintos, se aprendio que
D h) Indique si la corriente de colector
,un transistor polarizado por un circuito divisor de
aumento con la temperatura. voltaje, y con una resistencia de eQlisor es mucho
D i) iCambio el voltaje VB de base con la mas estable que un transistor polarizado solo por
temperatura? .----------------..--- resistencia de base.

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