11"

+- Experimento de laboratorio 8
Transistores de efecto de campo
'" , metal-oxido-semiconductor
~

I
Entr
N Vert
:r osc
2
'r' . ~,

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<J
>
0
;;

Objetivos
A. Mostrar y medir Ia caract!:ristica depolari-
zacian cero de un transis~or de efecto de
campo metal-oxido-semiconductor.
B. Mostrar y medir 131 caracteristicas del
modo de empobrecimiento de un transistor
de efecto de campo metal.oxido-semicon-
ductor.
C. Mostrar y medir 131caracteristicas del modo
de enriquecimiento de un transistor de efec-
to de campo metal.oxido-semiconductor.
Conceptos bcisicos
1. En un transistor de eJecto de campo metal-
oxido-semiconductor. (Metal oxide semicon-
ductor field effect transistor-MOSFET) Ia
compuerta esta aislada del canal.
2. Un MOSFET tambien se conoce como un
FET de compuerta aislada (insulated gate
FET-IGFET).
3. Los MOSFET son de canal No canal P.
4. Cuando la polaridad de la polarizacion de
compuerta-fuente requerida es tal que pro-
duce una reduccion en la corriente de canal,
se dice que el MOSFET funciona en el
modo de empobrecimiento.
5. Cuando la polaridad de la polarizacion de
compuerta-fuente requCfrida es tal que pro-
duce. un aun1ento en la corriente de canal,
se dice que el MOSFET funciona en el
modo de enriquecimiento. I
6. Algunos MOSFETs pueden operar en ambos
modos, de emprobrecimiento y enriqueci- I
miento. I
7. Un MOSFET puede tener dos compuertas; ,I
I
I

"'"

, l

se Ie conoce como MOSFET de compuerta
doble.
8. La impcdancia de entrada es mas alta y la
capacitancia de entrada mas baja en un
MOSFET que en un JFET.
9. Los MOSFET pueden requerir derta forma
de proteccion de compuerta para impedir el
daiio debido a la carga estatica.
Informacion preliminar
El transistor de eJecto de camfX> metal-oxido-
semiconductor (MOSFET) es un paso mas 'adelan-
te del transistor de efecto de campo de union
OFET). Ya que hay una corriente minima de
compuerta en un transistor de efecto de campo,
es posible aislar el electrodo de la compuerta del
canal. El aislante tiene la forma de un oxido ge-
neralmente bioxido de silicio (5i02). A este tipo
de transistor (MOSFET) tambien se Ie conoce
como transistor de efecto de campo de Ciompuer-
ta aislada (IGFET).
La figura 8-1 muestra la construccion de un MOS-
FET tipico de canal N. La compuerta es un elec-
trodo met3.lico colocado sobre el canal. La com-
puerta no hace contacto con el canal debido a
una capa de 5i02 , un material semejante al vidrio
con excelentes propiedades de aislantt. EI canal
es continuo de fuente a drenaje y esta incrustado
en un material de base semiconductora "dopado"
opuestamente y que se conace como sustr~to.
La figura 8-1 tambien muestra el simbolo esque-
matico del MOSFET de canal N. La direccion de
la flecha en la punta del substrato muestra que el
dispositivo tiene un canal N. Un dispositivo de ca-
nal P se representa haciendo que la £lecha apunte
en la direccion opuesta. La terminal del sustrato
puede sacarse del encapsulado mediante una pun-
0 mente estan encendidos. Se puede variar la con-
G~Sustratol
s
Sustrato
Simbolo de
Mosfet de
canal N en
modo de
empobrecimiento
Fig. 8-1
.
TranliltoNI de etecto de campo
ta por separado 0 puede estar conectada.en forma
intema a la fuente como se muestra en la figura
8-1.
El 'Cuncionamiento del MOSFET de canal N es
semejante a la del JFHT de canal N que se estu-
dio antes. Con un voltaje extemo aplicado a tra-
ves del canal (positivo de drenaje a fuente), se
crea la conduccion. El canal N contiene portado-
res de corriente por 10 que el dispositivo normal-
mente esta encendido. El canal puede empobre-
cer-se de portadores de corriente mediante un vol-
taje negativo en la compuerta. Las cargas iguales
se repelen, por 10 que los electrones del canal
pueden desplazarse por la compuerta negativa. En
efecto, si la compuerta se hace suficientemente
negativa, el canal puede estrangularse de tvJas sus
portadoras y la corriente de drenaje decae a cero.
A este modo de operacioil se Ie conoce como
modo de empobrecimiento. El canal normalmente
es conductor pero aplicando suficiente polariza-
cion de compuerta puede quedar estrangulado sin
sus portadores.
,
La corriente de compuerta £luye si se polariza di-
rectamente el diodo de canal de compuerta de un
JFET.o El MOSFET no necesita tener un diodo de
compuerta, 10 que no constituye un problema.
Esto se utiliza en el modo de operacion de realce,
que significa que la terminal de compuerta se uti-
liza para mejorar la conductividad del canal. Los
FETs en modo de enriquecimiento normalmente
son dispositivos apagados. Se pueden encender
aplicando suficiente polarizacion directa a la ter-
minal de la compuerta.
Algunos' MOSFETs pueden funcionar tanto en el
modo de empobrecimiento como en el de enri-
quecimiento. Tienen un canal completo y normal-
ductividad del canal mediante la magnitud y pola-
ridad adecuadas del voltaje de compuerta. El es-
pesor del canal determina si el dispositivo tiene
ambas caracteristicas de empobrecimiehto y enri-
quecimiento. Para este tipo de dispositivo normal-
mente se utiliza el diagrama esquematico del
modo de empobrecimiento.
.
41
 T1tln,iltores th efecto de campo
0
Metaly--\
Fuente...Compuer.tarDrenaje
.~ "'''''to
s
Canal N ~imbolode
inducido. Mosfet de
(Sustrato) canal N en
modo de
Fig. 8-2 enriquecimiento
La figura 8-2 muestra los detalles de un MOSFET
de tipo de enriquecimiento canal N. No hay un
canal N completo desde la terminal de fuente a la
terminal de drenaje. Si se conecta una fuente de
voltaje externo a traves de la fuente y drenaje
habra poca 0 ningu~a conduccion. Este es un dis-
positivo .rtormalmente apagado. Sin. embargo, se
puede .inducir un canal N aplicando la carga apro-
pi~da a la terminal de la compuerta. Si se hace
positiva 1a compuerta con respecto a la fuente, se
atraen las portadoras de tipo N hacia laregion
bajo el electro do de la compuerta. Este canal N
inducido mantiene el flujo de corriente y el dis-
positivo conducira.
. En la figura 8.2 tambien aparece el simb6lo es.
quematico para el FET de modo de enriqueci-
miento canal N. Note que el canal esta formado
por guiones 0 una linea interrumpida, 10 que sig-
nifica que -no esta completo y que el dispositivo
normalmente esta apagado hasta que se aplica el
voltaje adecuado de compuerta. Un dispositivo de
canal P tendria la flecha del sustrato apuntando
en la direccion opuesta. Con frecuencia se aco-
plan los dispositivos de enriquecimiento del tipo P
con los dispositivos de enriquecimiento de tipo
N en un arreglo complementario que se conoce
como CMOS. Los dispositivos CMOS se caracte-
rizan por su uso muy eficiente de la fuente de
energia.
Algunos MOSFET tienen dos compuertas sepa-
radas y cUalquiera 0 ambas pueden controlar la
corriente del canal. A este, tipo del MOSFET se
conoce como MOSFET de doble compuerta. Dos
compuertas por separado perrniten efectos espe-
dales 0 que un MOSFET realice funciones de
42
....
control multiple. Por 10 general se muestran dos
compuertas scparadas en el simbolo esquematico.
En el JFET de canal N, la polarizaci6n inversa del
diodo de compuerta imp ide la corrientc de com-
puerta. En el MOSFET, cl oxido aislante imp ide
la corriente de compuerta (aunque no es raro
tener una corriente de compuerta en el rango de
picoamperes ,a nanoamperes). El aislante es mu-
cho mas perfecto que el diodo y la impedancia de
entrada del MOSFET puede llegar hasta a un mi-
110n de megohms. La estructura de compuerta de
MOSFET tambicn tiene la ventaja de una capaci-
tancia mas baj~ de entrada. La menor capacitan-
cia del MOSFET mejora su funcionamiento a al-
tas frecuencias. .
Una dificultad con los MOSFETs es el peligro de
dano a la compuerta debido a la pcrforacion. La
delgada capa de bioxido de silicio puede perfo-
rarse en presencia de campos electricos estaticos.
Las cargas estaticas, no se drenan debido a la
impedancia de entrada extremadamente alta y
pueden acumularse hasta el punto de que ocurra
ruptura de compuerta, 10 que perfora el aislante.
de oxido yde.struye el dispositivo. Para impedir
que s-uceda eso, ahora se fabrican unos MOSFETs
con una proteccion de diodo Zener interno entre
la compuerta y la fuente, 10 que naturalmente
sacrifica parte de la extremadamente alta impe-
dancia de entrada del dispositivo. Los MOSFETs
no protegidos deben manejarse con cuidado. Du-
ran~e su transportacion y manejo se deben poner
sus puntas en corto. El material para poner en corto
\ !as puntas debe quitarse solo despues de conec-
tar el dispositivo al circuito 0 dispositivo de
prueba.
Lecturas complementarias
Para mayor informacion sobre el tema, consulte
la bibliograHa al final de este capitulo.
Equipo y materiales \
Fuente de energia O-lOVca
Fuente de energia 0-2Vcd, 5mA
- --- -
Transistor.! de .f.cto de ernIf,'"

YOM electronico 28
Osciloscopio - 24
Sistema de capacitacion en electronica ,
CR1 Diodo de silicio, 1N4004 120
(21 -
MOSFET, canal N, protegido en £116
at
compuerta, 40841 i

R1 -lMn, lW '~ 12
"0 .
R2
.

- 47n, lW
Tablero universal K, para e~perimentos
Objetivo A. Mostrar y medir la caracteristica de
polaftzacion cero de un transistor de efecto de
campo metal-oxido-semiconductor.
CI 1. a) Conecte el circuito mostrado en la figura
8-S. Para impedirdaiio al MOSFET, todavia no
aplique energia electrica.
NOTA: EI MOSFET 40841 es de tipo de com-
puma doble. Las compuertas se conectan entre 51
en CIte experimento de laboratorio para simular
un dispositivo de compuerta simple. En un expe-
rimento. posterior se exploran las caracteristicas
de Ia compuerta doble del dispositivo.
0 b) Utilice la entrada horizontal externa y la
sei\al de prueba calibrada y calibre el amplificador
horizontal del osciloscopio para 2.5V /cm como
en los experimentos anteriores.
CI c) Ajuste el osciloscopio para de flexion ver-
tical de 0.02V/cm.
CI d) Ajuste el voltaje VDD de drenaje de la
fuente de ca variable a 10 volts (rms). EI diodo
CRI permite que solo se aplique la altemacion
pOlitiva del voltaje de ca entre el drenaje y la
fuente del MOSFET.
CR1
II
c 8
at
'E 4
8
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Voltaje drenaje-fuente vcs (volts)
Fig. 8-4
0 e) Conecte el osciloscopio al circuito como
se muestra en Ia. figura 8.3. Use la punta multipli-
cadora XI0 en la entrada vertical. La onda debe
parecer semejante a la CUIva de polarizacion cero
del JFET registrada en el'experimento anterior.
0 f) Dibuje la onda del osciloscopio en 1.
grafica de la figura 8.4. El eje de la coniente Ie
deduce utilizando la ley de Ohm. EI aniplificador
vertical se ajusto a O.02V/cm 10 que queda como
0.2V/cm con una punta de lOX. I = EfR. .
0.2/47 = 4mA/cm. El eje horizontal se calibre.
para 2.5 V/cm. Senale esta curva como VGS
OVcd.
.
0 g) Indique 5i el MOSFET presenta una re-
~6n ohmica a valores baj05 de VDS semejante aI
JFET .
0 h) Indique 5i el MOSFET presenta una re-
gion de corriente constante a valores de VDS m.
alia de Vp en fonna semejante al JFET.
0 i) Lea IDS S de la curva generada en eI
paso f).

IDss = .--............
HOAI

0 j) Apague la fuente de energia.

AI osciloscopio
VERT J 'V) ~o:ca
Objetivo B. Mostrar y mc:dir las caracterutiC81
R2
4711 del modo de empobrecimiento de un transistor'"
efecto de campo metal-6xido-semiconductor.
':'
0 2. a) Modifique su circuito como se muatra
Fig. 8-3 en la figura 8-5.

. 43 .(
 i
/ Thutlllto..., d.-'uto ,. CtI.PO
I

I CR'
0 b) Ajuste el YOM al rango de 0.5 votted y
NOR' cuidadosarnente ajuste la fuente de energia de cd
AI hasta que VGS = +0.5 volts.
ociiOlCopio 0 c) Registre la curva que aparece en la pan-
VERT
']
'V > t=- talla del osciloscopio utilizando la grafica de la
figura 8 4. Marque esta curva como VGS =
+ +0.5Ved.
0 d) Aumente el rango del YOM Y ajuste la
fuente de energia de manera que VG S = 1.0 volt.
Fit. 8..6 Registre y marque la curva.

0 b) Ajuste el voltaje de la fuente de drenaje 28

de ca variable a 10 volts (nns).
24
0 c) .Use el rango de 0.5 volt cd en 'el YOM y
ajuste la fuente variable de cd hata que VGS = <
.5 20
-0.,2
0
volts.
d) En la figura 8-4, registre la curva q\le
/'
.
916
';r
i 12
VGS=+1.5Vcd
I .1
VGS-+1Vcd
I
aparece en la pantalla del osciloscopio. A esta I,ll
curva identifiquela como VGS = -0.2 volts cd.
.0
a 8
/ VGS=+O.5Vcd
I
! b
'

0 e) lQue sucede ala corriente ID de drenaje ,I VGS

IT
al hacer neg-citivaa la compuerta? ~ 4 y VGS=-o.2Vcd
-j II

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
''''''''''''''''''''''''''''
Voltaje de drenaje.fuente VDS (volts)

0 f) l Con cu31 modo de la operacion del Fig. 8-6

FET se relaciona oeste?'

.n ' , , ....... CJ e) Ajuste la fuente. de energia para VG-S =

+ 1.5 volts.' Registre y marque la curva.
El modo de empobrecimiento. 0 f) Compare su familia de curvas caraete-
ristic~ contra la figura 8-6. De margen para am-
0 g) Lentamente aumente la polarizaci6n nee plias variaciones entre los MOSFETs del mismo
gativa de cd hasta q\1e la corriente de drenaje cai- tipo.
ga a cero (ninguna deflexi6h'vertical en el oscilos- 0 g) lQue sucede cuando VG S se hace po-
copio). Tendri que aumentar el rango del YOM. sitivo \

Mida VGS .en el estrangulamiento:

"... ',"','-',"".",

v, (VQ~J:;:"''''0;'''''''''''' Vccl '~,'" ''';':.:~'~r ~

:',':T!Y'/ ,', \ ,":

ObjetivoC. 'MOs~ i"m~di;' las caracteristicas

del modode~J'IIiqu~ciJlijento de un nansistor de 0 h) lQue modo de operacion repr.es~ta,
esto?
cfecto de cani~ metaI-6xid9-scmiconductor. "

,",''-

0 3.a) Refi~~ase,. ,'.. la:0"'fi~a.'8-5 e' invierta la .

polaridad delafuente,"'decden el circuito de ,
compuem del ¥()SFE!- Tambien invierta la po- 0 i) lLos JFETs operan en el modo de::pri:
laridad del VOM~" "
quecimiento? . ",:~ /'

44
w
I
Resumen
En este experimento de lab oratorio se familiarizo
con el transistor de eJecto de campo metal-ox;-
do-semiconductor (MOSFET). Primero midio la
corriente de drenaje con polarizacion cero de
compuerta bajo condiciones dimimicas. Grafico
una curva caracteristica y encontro que el MOS-
FET tiene una region ohmica y una I:egion de
corriente constante semejante a un J}o'ET. Luego
aplico un voltaje negativo a la compuerta. Vio
q~e la corrie~ite de drenaje disminuye al aumentar
VG S en direccion negativa. Detennino que eso se
debe a que el canal se agpta de electrones. Uego
'Trtlnsi.tDreI d, ,tectO d, campo
a la conclusion de que el MOSFET de canal N
estaba funcionando en e1 modo de empobreci-
miento bajo estas condiciones. Tambien midio el
voltaje de estrangwamiento. Finalmente, aplico
un voltaje positivo a la compuerta. Vio que 1a co-
rriente de drenaje crece al aUlDentar VGS en la
direccion positiva. Determino que la conduccion
de canal se aumenta por elV Gs positivo y Uego a
la conclusion de que el MOSFET de canal N fun-
cionaba en el modo de enriquecimiento. Grafico
una familia de c:urvas caracteristicas para los dis-
tintos valores de VGs. V~rific6 que debido a Ja
compuerta aislada, se puede construir el MOSFET
para que tenga caracteristicas por igual de modo
de enriquecimiento yempobrecimiento.
'""
4S