CAPITULO II:

2.1.- Diodos.

POLARIZACION DIRECTA: Flujo de corriente en el sentido de la flecha, se reduce la regin de agotamiento, dando como resultado una circulacin de corriente; que depender de la capacidad del diodo y de R.

POLARIZACION INVERSA: El voltaje aplicado aumenta la regin de agotamiento dando como resultado un corte de corriente, es un circuito abierto.

REGION ZENER: Si se incrementa el voltaje de polarizacin inversa esto genera un proceso de ionizacin, adquiriendo suficiente energa hasta el punto en el cual se establece una gran corriente de avalancha destruyendo al diodo. Antes de llegar a la regin ZENER existe un voltaje que no compromete su integridad denominado P.I.V - P.R.V V (BR) Comparacin VT Temperatura PIV Silicio 0.7V 200 grados C 1000V Germanio 0.3V 100 grados C 400V

2.2.- Efectos de la temperatura.

Silicio utilizado para app. Donde la temperatura puede aumentar hasta 200 C, mientras que el de Ge hasta 100 C La temperatura tiene un mar, cada efecto sobre la caracterstica del Si y en menor grado al Ge. An a mayores temperaturas los diodos a Si no alcanzan los altos niveles Is de los de Ge. Por lo tanto su estabilidad es mejor (Si)

RESISTENCIA ESTATICA O DC:

, resistencia en un punto cualquiera de la caracterstica, que no cambia con el tiempo. RESISTENCIA DINAMICA

Cuando se aplica una seal senoidal el punto de operacin se desplazar hacia arriba y hacia abajo y Q ser el punto referencial. (Calculado para 25 grados C)

RESISTENCIA PROMEDIO

Utilizado para grandes desplazamientos de seales en ingresos.

CIRCUITO EQUIVALENTE PARA DIODOS

Simplificado R red >> r av

Comportamiento como un interruptor cerrado.

Comportamiento como un interruptor abierto

ESPECIFICACIONES DE LOS DIODOS 1.- Voltaje directo Vf (Aumenta corriente y temperatura especfica) 2.- Corriente directa If (Aumenta temperatura especfica) 3.- Corriente inversa IR (para VR y temperatura especificada) 4.- Valor de P.I.V P.V.R V(BR) ruptura. 5.- Mxima disipacin de potencia a una temperatura particular. 6.- Tiempo de recuperacin inversa tvr.

7.- Rango de temperatura de operacin:

Los valores se obtienen de: a) Valores mximos nominales (temperatura, potencia, voltaje y corriente) b) Caractersticas elctricas: Caractersticas elctricas (25C temperatura ambiente a menos que se observe lo contrario)

simbolo Vf

caracteristica voltaje directo

BAY73 MIN MAX 0.85 1.00 0.81 0.94 0.78 0.88 0.69 0.80 0.67 0.75 0.60 0.68 500 5 1

BA129 MIN MAX

UNIDADES

0.78 0.69 0.60 0.51

IR

corriente inversa

Bv C trr

voltaje de ruptura Capacitancia tiempo de recuperacion inversa

125 8 3

200

V V 1.00 V 0.83 V V 0.71 V 0.60 V nA nA uA 10 nA 5 uA V 6 pF us

CONDICIONES DE PRUEBA If = 200mA If = 100mA If = 50mA If = 10mA If = 5mA If = 0.1mA If = 0.1mA VR = 20V , T = 125C VR = 100V VR = 100V , T = 125C VR = 180V VR = 180V , T = 100C IR = 100uA VR = 0V , f = 1.0 MHz If = 10uA , VR = 35V RL = 1 a 100 K CL = 10pF , JAN 256

RECTA DE CARGA: define el punto de trabajo del dispositivo

E = ID x R + VD Para VD = 0 ; ID = E/R Para ID = 0 ; E = VD

Ejemplos:

-82.91mA 9.146V 10.00V

-82.91mA

8.291V D1 1 2 V11N4500 82.91mA D2 1 2 1N4500 82.91mA 0V

10Vdc

R1 100 82.91mA

82.91mA

7.734mA -7.734mA 7.734mA D1 1 10.00V 7.734mA 10Vdc V1 D2 1 R4 2 R3 2 1k 9.281V 1K 1.547V R1 15.47mA 100 7.734mA

15.47mA

0
-7.734mA

-111.2mA 111.2mA D1 1 12.00V -3.762nA 12Vdc 5Vdc V1 1 2 V3 3.762nA R1 111.2mA 100 2 11.12V

111.2mA

3.762nA

41.67mA 10.00V D3 1 D4 1 -41.67mA 2 1N4500 2 -41.67mA D5 2 83.35mA 1 9.189V

83.35mA 2 R4 100 1 83.35mA 854.8mV

10Vdc

V2 41.67mA 1N4500

-83.35mA 1N4500

-74.51mA -82.98mA 9.146V D6 D7 1 2 1 2 R6 74.51mA 1N4500 82.98mA V3 8.472mA 100

10.00V 10Vdc

8.298V 82.98mA R5 100

82.98mA