POLARIZACION Y AMPLIFICACION DE TRANSISTORES BJT EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN

INFORME DE LABORATORIO N1

CURSO PROFESOR ALUMNOS:

: :

CIRCUITOS ELECTRONICOS I Dr. FIGUEROA SANTOS LUIS LEONCIO CODIGO: 040600J 090584H 082646H 090043G 080052C 080059H 090603B

Alarcn Cunayapa No Alit Escorza Usquiza Cesar Eduardo Flores Pacheco Alonso Mario Gutierrez Azalde Giancarlo Junior Huamn Candia Carlos Braulio Huanasca Guevara Anthony Ral Risco Carrero Henreli CICLO : 2011-B

Pgina 1

POLARIZACION Y AMPLIFICACION DE TRANSISTORES BJT EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN

INFORME N1 I.- INTRODUCCION El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS. Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones: Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de extensin mucho mayor. La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad. II.-FUNCIONAMIENTO Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.

FIGURA N 1

Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde se puede apreciar como la unin base-colector es mucho ms amplia que la base-emisor.

Pgina 2

POLARIZACION Y AMPLIFICACION DE TRANSISTORES BJT EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN

La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la regin de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran . El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de y en modo inverso sean mucho ms pequeos que los que se podran obtener en modo activo; muchas veces el valor de en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est altamente dopado, mientras que el colector est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de reversa en la unin colector-base antes de que esta colapse. La unin colector-base est polarizada en inversa durante la operacin normal. La razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin baseemisor deben provenir del emisor. El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo que significa que no hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo inverso. Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensin, pero son caracterizados ms simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base. Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los BJT modernos estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de stos (los transistores bipolares de heterojuntura) estn hechos de arseniuro de galio, especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad. III.- REGIONES OPERATIVAS DEL TRANSISTOR Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente por la forma en que son polarizados: Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren

Pgina 3

POLARIZACION Y AMPLIFICACION DE TRANSISTORES BJT EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN

conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal. Regin inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los BJT son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo activo. Regin de corte: Un transistor est en corte cuando: corrientedecolector = corrientedeemisor = 0,(Ic = Ie = 0) En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0) Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando: corrientedecolector = corrientedeemisor = corrientemaxima,(Ic = Ie = Imaxima) En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces ms grande. (recordar que Ic = * Ib)

IY.- EXPERIMENTACION Y SIMULACION Experimento para la autopolarizacin del emisor Procedimiento del experimento: (1) Inserte la grapa de cortocircuito refirindose a la Fig 6-22 (b) de la gua de laboratorio y al diagrama de ubicacin de la grapa de cortocircuito 23003-bloque a.2 del mismo. (2) Conecte el ampermetro para medir . (3) Ajuste VR1 (VR 1 k) a 0 . PRIMERA PARTE (VR1 = 0 )

Pgina 4

POLARIZACION Y AMPLIFICACION DE TRANSISTORES BJT EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN

FIGURA N 2

(4) a. Ajuste VR4 (1 M) tal que

, luego observe el valor de .

FIGURA N 3

10.7 A 0

1.07 mA
Tabla N 1

VR1 0

VR4 1 M

b. Ajuste VR4 (1 M) tal que

alcance su valor mximo (

), observe el estado de

Pgina 5

POLARIZACION Y AMPLIFICACION DE TRANSISTORES BJT EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN

FIGURA N 4 (sat) VR1 5.41 mA 0 Tabla N 2 VR4 30 k

145 A

c. Cuando es la corriente de saturacin, ajuste VR4 tal que si ( ) aumenta tambin.

aumente, luego observe

FIGURA N 5 VR1 5.41 mA 0 Tabla N 3 VR4 0

238 A

(5) Ajuste VR4 y use el voltmetro para medir observe y anote los resultados.

) tal que

, luego

Pgina 6

POLARIZACION Y AMPLIFICACION DE TRANSISTORES BJT EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN

FIGURA N 6 VR1 0 VR4 370 k

0.8 V

6.09 V

26.9 A 2.69 mA Tabla N 4

(6) Conecte el generador de seal en la terminal de estrada (IN) y conecte el osciloscopio (posicin AC) en la terminal de salida (OUT), luego ajuste el generador de seal tal que el osciloscopio despliegue una seal sinusoidal mxima sin distorsin de 1 kHz, y anote los resultados.

FIGURA N 7

0.8 V

6.81 V

30.2 A

3.02 mA

VR1 0

VR4 370 k

Tabla N 5

(7) Cuando la forma de onda mxima sin distorsin es generada en OUT, use el osciloscopio para medir la seal de entrada, luego anote los resultados.

Pgina 7

POLARIZACION Y AMPLIFICACION DE TRANSISTORES BJT EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN

FIGURA N 8 Onda IN (verde), onda OUT (roja). ( ) 40 mV ( ) 9.3 V Tabla N 6

-232.5

(8) Mantenga la seal de entrada y ajuste VR4 (VR 1 M), luego observe si la forma de onda de la salida est distorsionada.

FIGURA N 9 VR1 VR4 0 1 M Tabla N 7 ( ) 40 mV ( 4V ) -100

0.77 V

9.72 V

12.1 A

1.21 mA

Pgina 8

POLARIZACION Y AMPLIFICACION DE TRANSISTORES BJT EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN

FIGURA N 10 Onda IN (verde), onda OUT (roja).

(9) Ajuste VR1 (VR 1 k) a su mximo.

SEGUNDA PARTE (VR1 = 1 k)

FIGURA N 11

Pgina 9

POLARIZACION Y AMPLIFICACION DE TRANSISTORES BJT EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN

9.78 A 0

VR1 0.98 mA 1 k Tabla N 8

VR4 1 M

(10)Repita los pasos (5), (6), (7) y (8). (11)Ajuste VR4 y use el voltmetro para medir observe y anote los resultados. y ( ) tal que , luego

FIGURA N 12

0.79 V

6.08 V

18.4 A 1.84 mA Tabla N 9

VR1 1 k

VR4 360 k

(12)Conecte el generador de seal en la terminal de estrada (IN) y conecte el osciloscopio (posicin AC) en la terminal de salida (OUT), luego ajuste el generador de seal tal que el osciloscopio despliegue una seal sinusoidal mxima sin distorsin de 1 kHz, y anote los resultados.

Pgina 10

POLARIZACION Y AMPLIFICACION DE TRANSISTORES BJT EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN

FIGURA N 13 VR1 1 k VR4 360

0.79 V

6.08 V

18.4 A 1.84 mA Tabla N 10

(13)Cuando la forma de onda mxima sin distorsin es generada en OUT, use el osciloscopio para medir la seal de entrada, luego anote los resultados.

FIGURA N 14 Onda IN (verde), onda OUT (roja). ( ) ( ) 40 mV 80 mV -2 Tabla N 11

(14)Mantenga la seal de entrada y ajuste VR4 (VR 1 M), luego observe si la forma de onda de la salida est distorsionada.

Pgina 11

POLARIZACION Y AMPLIFICACION DE TRANSISTORES BJT EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN

FIGURA N 15 VR1 VR4 1 k 1 M Tabla N 12 ( ) 40 mV ( ) 80 mV

0.77 V

8.86 V

9.78 A

0.98 mA

-2

FIGURA N 16 Onda IN (verde), onda OUT (roja).

Experimento para el divisor de voltaje Esquematizamos el siguiente circuito y obtenemos sus respectivos valores medidos por cada uno de los instrumentos vistos en la presente figura; siguiendo los pasos del procedimiento indicado.

Pgina 12

POLARIZACION Y AMPLIFICACION DE TRANSISTORES BJT EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN

FIGURA N 17 Circuito Amplificador.

Procedimiento del experimento: 1. Ajuste VR2 (10KOhm) tal que Vc = Vcc, luego observar los valores de Ib(uA) y Ic(mA). Solucin: Para el desarrollo de esta premisa lo que se ha realizado es la medicin de distintos valores haciendo variar el divisor de tensin de alimentacin (potencimetro vara de manera creciente en su valor); y as lograr distintas Ib; por tanto as variar el valor de Vc. Por ende para este anlisis hemos logrado la siguiente tabla de valores:
Vcc(V) C2(uF) Ib(uA) 0 0 0.33 2 3.84 5.64 7.38 9.04 10 12.1 Ic(mA) 0 0 0.03 0.2 0.38 0.56 0.74 0.9 1.06 1.21 Tabla N 13 Vi(V) 0.25 0.49 0.72 0.93 1.14 1.33 1.51 1.68 1.85 2 Vbe(V) 0.25 0.49 0.69 0.73 0.75 0.76 0.77 0.77 0.78 0.78 Vce(V) 12 12 11.8 10.9 9.81 8.78 7.79 6.84 6 5.07

12

22

2. Conecte el generador de seal en la terminal de entrada y conecte el osciloscopio en la terminal de salida (out); luego ajuste una inda sinusoidal de 1Khz con el generador de seales de tal manera que el osciloscopio nos muestre una onda sinusoidal sin distorsiones.

Pgina 13

POLARIZACION Y AMPLIFICACION DE TRANSISTORES BJT EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN

Solucin: Nuestro generador de ondas nos presenta una amplitud mnima medible sin distorsiones de 240mV. Y genera la presente onda: Onda In (amarilla- escala: 0.2V/div) Onda out (azul- escala: 1V/div) Resultados:

FIGURA N 18 Onda Out Distorsionada.

Sin embargo si establecemos un divisor de tensiones a la entrada (onda in) le podremos reducir el valor de amplitud(< 26mV). Veamos:

FIGURA N 19 Onda in corregida por divisor de tensin (potencimetro).

Onda In (amarilla- escala: 73mvV/div) Onda In corregida (azul- escala: 27mV/div) Onda out (morado- escala: 0.5V/div)

Pgina 14

POLARIZACION Y AMPLIFICACION DE TRANSISTORES BJT EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN

Resultados:

FIGURA N 20 Onda in; onda in corregida; Onda Out.

3. Desconectamos el C2 (22uF), y observamos:

FIGURA N 21 Circuito con R2 desconectado.

Sea: Onda In (amarilla- escala: 5mV/div) Onda out (azul- escala: 10mV/div) Resultados:

Pgina 15

POLARIZACION Y AMPLIFICACION DE TRANSISTORES BJT EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN

FIGURA N 22 Onda in corregida; Onda Out.

V.- CONCLUSIONES La corriente de colector es aproximadamente igual a la corriente del emisor. La corriente de base es mucho ms pequea, generalmente menor que el 5% de la corriente de emisor. La razn de la corriente de colector a la corriente de base se llama ganancia de corriente, y se le denota por CD o bien por hFE. Cuando el transistor se usa como amplificador, el transistor opera en la regin activa. Cuando se usa en circuitos digitales, el transistor usualmente opera en las regiones de saturacin y/o corte.

VI.- BIBLIOGRAFIA TITULO ELECTRONICA: Teora de Circuitos y dispositivos Electrnicos DISEO ELECTRONICO Circuitos y Sistemas PRINCIPIOS DE ELECTRONICA CIRCUITOS ELECTRONICOS I AUTOR Robert L. Boylestad & Louis Nashelsky C. J. Savant Jr. Albert Paul Malvino Fernando Lpez A. & Rolando Julin M.

Pgina 16