Haute cole Technique et Informatique HTI Section lectricit et systmes de communication

Laboratoire lectrotechnique 1re semestre / exercice 4

1.4 Capteurs de temprature 1 Introduction

Des capteurs sont des lments (systmes) qui transforment une quantit physique (force, temprature etc.) en gnral en signaux lectriques. La temprature est une grandeur dont l'influence est importante et dont les effets doivent tre corrigs. Dans les domaines comme la rgulation ou les 'process control' pour viter ces inconvnients on tient la temprature constante. Dans cet exercice nous prsentons quelques mthodes de mesure connues.

Gnralits concernant les capteurs de temprature

Le choix du capteur est influenc par diffrents facteurs : la matire(gaz, liquide, surface etc.) la gamme de temprature la prcision le signal lectrique dsir Ainsi le type de capteur est souvent dtermin par les circonstances. Par exemple dans un four pour la cuite de la cramique dont la temprature monte jusqu' 1400 C un capteur bas sur des semi-conducteurs ne sera pas utilisable, mais plutt on utilisera un thermocouple.

2 Thorie
Thermocouples
Si on met en contact entre eux deux matriaux diffrents on observe une tension de contact (d aux diffrents niveaux de Fermi) . Cette tension n'est pas mesurable avec un seul couple de matriaux en contact entre eux. On peut observer cette tension en mettant en srie deux couples, placer des tempratures diffrentes. La tension totale entre les couples est proportionnelle la diffrence de temprature.

Application d'un thermocouple

HTI Bienne / Laboratoire lectrotechnique

1/5

jkt1 ; snd1 / 27.9.2005 / V 2.0f

Haute cole Technique et Informatique HTI Section lectricit et systmes de communication

Laboratoire lectrotechnique 1re semestre / exercice 4

On dtermine la temprature T2 partir de la diffrence de tension mesure et de la temprature de rfrence T1. Souvent on utilise pour la rfrence un mlange de l'eau et de la glace, qui correspond avec une bonne prcision 0 C. Les avantages de cette mthode sont : les capteurs sont de petite taille avec certaines matriaux on peut atteindre des tempratures leves (~1500 C) robustes bon-marchs Les dsavantages : c'est ncessaire d'avoir une temprature de rfrence les tensions observes sont petites (1..100 V / C) chaque branchement (contact) dans le circuit de mesure se manifestent galement des tensions parasitaires (en particulier dans le voltmtre!)

Rsistance de platine Pt 100

Souvent on trouve des capteurs sous forme de rsistance de platine. On utilise le fait que le coefficient de temprature soit connu avec une grande prcision. = 3.85 10-3 K-1 La rsistance du Pt 100 est donc 100 0 C et 138.5 100 C.

Avantages : trs rpandu il y a des configurations applicables dons tous les domaines une rsistance d'env. 100 ne pose pas de problmes pour tre mesurer avec une bonne prcision.

Dsavantages:

le courant de mesure peut chauffer la rsistance en platine la rsistance montre une dpendance linaire de la temprature qu'en premire approximation

HTI Bienne / Laboratoire lectrotechnique

2/5

jkt1 ; snd1 / 27.9.2005 / V 2.0f

Haute cole Technique et Informatique HTI Section lectricit et systmes de communication

Laboratoire lectrotechnique 1re semestre / exercice 4

Capteurs la base de semi-conducteurs

Pour les capteurs bass sur des lments semi-conducteurs on utilise les effets suivants : A. la tension directe d'une diode B. le courant inverse d'une jonction p-n Pour ce qui concerne la tension directe voir dernier page.

La chute de tension aux bornes de la diode varie en fonction de la temprature En pratique on utilise un transistor avec botier mtallique (par ex. BC 107). Le botier mtallique garanti une bonne conduction de la chaleur de l'environnement au cristal. Pour la mesure on relie le collecteur la base, de telle faon que c'est seulement la diode base-metteur qui joue un rle. Ce principe est largement utilis pour mesurer la temprature du cristal dans les circuits intgrs. Pratiquement on trouve une jonction p-n chaque entre ou sortie de l'IC. L'utilisation de cette mthode de mesure est meilleure que celle qui prvoit la mesure de la temprature du botier. La relation suivante montre que IR est dpendant aussi de la temprature : IR proportionnel avec (T4 e-EB/kT)1/m T : temprature absolue en K k : constante de Boltzmann (1.38 10-23 J / K) EG : Bandgap nergie (Si 1.12 eV) pour la jonction p-n des transistors pour la jonction p-n des diodes m 1 ... 1.1 m 1.8 ... 2.0

HTI Bienne / Laboratoire lectrotechnique

3/5

jkt1 ; snd1 / 27.9.2005 / V 2.0f

Haute cole Technique et Informatique HTI Section lectricit et systmes de communication

Laboratoire lectrotechnique 1re semestre / exercice 4

3 Tches
1. Mesurez la caractristique d'un thermocouple entre 0 C et 100 C. (Observez aussi l'effet si vous chauffez par votre main un des connecteurs (par exemple l'entre du voltmtre)!) 2. Mme chose pour une rsistance Pt 100. Ajustez le courant de mesure 1 mA en augmentant ou diminuant la tension d'alimentation. 3. Dterminez en fonction de la temprature la dpendance de la tension de passage d'une diode entre 0 C et 100 C. 4. Quelle sera l'erreur due l'chauffement du transistor par le courant de mesure? Utilisez la rsistance thermique du transistor (RTH jonction-case 0.2 K / mW). 5. Calculez pour chaque caractristique les coefficients de la droite de rgression.

4 Matriaux (recommand)

cubes de glace thermoplongeur et verre pyrex cruche isolant, chauffe eau capteurs Pt 100, semi-conducteur et thermocouple alimentation multimtres hp 34401A

HTI Bienne / Laboratoire lectrotechnique

4/5

jkt1 ; snd1 / 27.9.2005 / V 2.0f

Haute cole Technique et Informatique HTI Section lectricit et systmes de communication

Laboratoire lectrotechnique 1re semestre / exercice 4

Dpendance de tension aux bornes de la diode en fonction de la temp. ambiance

L'quation Shockley dcrit la relation entre le courant passant dans une diode IF et la tension aux bornes de cette diode UF. quation (I): IF = IR (eUF/mUTh - 1) avec IF: le courant passant dans la diode UF: la tension aux bornes de la diode IR: le courant inverse de la diode m: un paramtre avec une valeur entre 1.0 et 2.0 UTh = kT/e ~ 25.2 mV (T = 295 K) e: 1.610-19 C, Elektronenladung K: 13.810-24 J / K, Bolzmann Konstante Le courant inverse de la diode peut tre calcule avec une bonne approximation par l'quation suivante. quation (II): IR = K(T4 e-EB/kT)1/m avec K: un coefficient de proportion inconnu EB: Bandgap nergie (EB Si= 1.12 eV) De l'quation (I) quation (III): UF = m UTh ln(IF / IR + 1)

L'quation (III) est drive par rapport T en maintenant le courant de passage dans la diode IF constant. Le rsultat de cette drivation est introduit dans l'quation (II) en menant au rsultat suivant. dUT/dT - 2 mV / K La graphique suivante montre une excellente corrlation entre la tension aux bornes de la diode UF et la temprature ambiante T. Tension passant d'une diode en fonction de la temprature ambiante.

HTI Bienne / Laboratoire lectrotechnique

5/5

jkt1 ; snd1 / 27.9.2005 / V 2.0f