Generalidades de los Diodos, Circuitos Rectificadores, Diodos Zener, otros Diodos

MATERIALES SEMICONDUCTORES
Los semiconductores son materiales cuya conductividad vara con la temperatura, pudiendo comportarse como conductores o como aislantes. Como se quiere controlar no por temperatura sino por electricidad se introducen tomos de otros elementos en el semiconductor. Estos tomos se llaman impurezas y tras su introduccin, el material semiconductor presenta una conductividad controlable elctricamente. Se denomina semiconductor puro aqul en que los tomos que lo constituyen son todos del mismo tipo, es decir no tiene ninguna clase de impureza.

El material semiconductor ms utilizado es el Silicio (Si), pero hay otros semiconductores como el Germanio (Ge) que tambin son usados en la fabricacin de circuitos.
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Material Tipo n Se crea al introducir elementos impuros que cuenten con cinco electrones de valencia como es el caso del antimonio, el arsnico o el fsforo. Estas impurezas se denominan tomos donores. Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina "portadores minoritarios".

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Al aplicar una tensin al semiconductor de la figura, los electrones libres dentro del semiconductor se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. Cuando un hueco llega al extremo derecho del cristal, uno de los electrones del circuito externo entra al semiconductor y se recombina con el hueco.

Los electrones libres de la figura circulan hacia el extremo izquierdo del cristal, donde entran al conductor y fluyen hacia el positivo de la batera. El nmero de electrones libres se llama n .

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Material tipo p
Se forma mediante el dopado con tomos de impureza que cuenten con tres electrones de valencia. Los elementos que se utilizan de forma ms frecuente son: el boro, el galio y el indio. Estas impurezas se denominan tomos aceptores.

Como el nmero de huecos supera el nmero de electrones libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios.

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Al aplicarse una tensin, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. En la figura, los huecos que llegan al extremo derecho del cristal se recombinan con los electrones libres del circuito externo.

En el circuito hay tambin un flujo de portadores minoritarios. Los electrones libres dentro del semiconductor circulan de derecha a izquierda. Como hay muy pocos portadores minoritarios, su efecto es casi despreciable en este circuito. Hay tantos huecos como impurezas de valencia 3 y sigue habiendo huecos de generacin trmica (muy pocos). El nmero de huecos se llama p
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Diodo Semiconductor
Anteriormente se presentaron los materiales p y n, el diodo semiconductor se forma al unir estos materiales (Construidos a partir de la misma base: Ge o Si). En cada zona la carga total es neutra: por cada electrn hay un ion positivo, y por cada hueco un ion negativo, es decir, no existen distribuciones de carga neta, ni campos elctricos internos. En el momento en que los dos materiales se "unan", los electrones y los huecos en la regin de unin se combinarn y como consecuencia se originar una carencia de portadores en la regin cercana a la unin. Electrones de la zona N pasan a la zona P. Huecos de la zona P pasan a la zona N.
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Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto. Analicemos la regin de la zona P cercana a la unin: El electrn que pasa la unin se recombina con un hueco. Aparece una carga negativa, ya que antes de que llegara el electrn la carga total era nula. Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga positiva en la zona P, con lo que tambin aparece una carga negativa. El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos se puede realizar para la zona N. En consecuencia, a ambos lados de la unin se va creando una zona de carga, que es positiva en la zona N y negativa en la zona P Zona P: Semiconductora, con una resistencia Rp Zona N: Semiconductora, con una resistencia Rn Zona de agotamiento: No es conductora, puesto que no posee portadores de carga libres.
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Polarizacin Directa Unin pn

La tensin emplea en: aplicada se

Vencer la barrera de potencial. Mover los portadores de carga.

Polarizar un diodo PN en directa es aplicar tensin positiva a la zona P y negativa a la zona N. Un diodo PN conduce en directa porque se inunda de cargas mviles la zona de agotamiento.
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Polarizacin inversa Unin pn. Corriente De Fuga o corriente de saturacin inversa Is.

No hay paso de portadores mayoritarios, pero el nmero de portadores minoritarios que entran en la regin de agotamiento no cambian creando una corriente Is.

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Ecuacin del Diodo

El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:

Donde: I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo VD es la diferencia de tensin entre sus extremos. IS es la corriente de saturacin (aproximadamente 10 12A) q es la carga del electrn T es la temperatura absoluta de la unin k es la constante de Boltzmann n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).
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DIODO ZENER
Los diodos zener o diodos de avalancha, se diferencian de los dems diodos semiconductores por el comportamiento de la caracterstica inversa, que presenta una regin en la cul la tensin es casi independiente de la corriente por el diodo. Esto lo hace muy til en las aplicaciones en que se requiere una referencia de voltaje.

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Caracterizacin del Zener

El diodo Zener viene caracterizado por:
1. 2. 3. 4. 5. Tensin Zener Vz. Rango de tolerancia de Vz. (Tolerancia: C: 5%) Mxima corriente Zener en polarizacin inversa Iz. Mxima potencia disipada. Mxima temperatura de operacin del Zener.

Coeficiente de temperatura

(1 0 )

x100%

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Aplicaciones Regulador Zener

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Diseo del Regulador Zener

1. La corriente a travs del diodo IZ es mnima cuando la corriente de carga IL es mxima y la fuente de tensin VAA es mnima. 2. La corriente a travs del diodo IZ es mxima cuando la corriente de carga IL es mnima y la fuente de tensin VAA es mxima.
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Teniendo en cuenta que:

Despejando para Izmax

Para tener en cuenta

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Para Recordar

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CIRCUITOS RECTIFICADORES Factor de rizado El porcentaje de rizado en una fuente de potencia de cc se define como la relacin del valor rms de los componentes de ca en el voltaje suministrado, con el valor de cc del voltaje.

*100%

En donde VCArms, es el valor rms de los componentes de ca del voltaje de salida y VCC es el componente de cc del voltaje en la salida. En donde Vrms, es el valor rms del voltaje de salida total y Vcc es la cc o voltaje promedio de salida del rectificador.

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CIRCUITOS RECTIFICADORES

Rectificador de Media Onda

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Rectificador de onda completa El rectificador de onda completa utiliza ambas mitades de la seal senoidal de entrada, para obtener una salida unipolar, invierte los semiciclos negativos de la onda senoidal.

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El devanado secundario es con derivacin central para obtener dos voltajes vs.

Cuando el voltaje de lnea de entrada (que alimenta al primario) es positivo, las seales vs sern positivas; el D1 conduce y D2 esta polarizado inversamente, la corriente que pasa por D1 circulara por R y regresara a la derivacin central del secundario. El circuito se comporta entonces como rectificador de media onda, y la salida durante los semiciclos positivos ser idntica a la producida por el rectificador de media onda.
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Durante el semiciclo negativo del voltaje de CA de la lnea, los dos voltajes marcados como Vs sern negativos; el diodo D1 estar en corte y D2 conduce, la corriente conducida por D2 circulara por R y regresa a la derivacin central. Por lo tanto durante los semiciclos negativos tambin el circuito se comporta como rectificador de media onda, excepto que ahora D2 es el que conduce.

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Rectificador en puente No requiere de transformador con derivacin central

La operacin del rectificador en puente consiste que durante los semiciclos positivos del voltaje de entrada Vs es positivo y la corriente es conducida a travs del diodo D1, el resistor R y el diodo D2. Entre tanto los diodos D3 y D4 estarn polarizados inversamente.

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Durante los ciclos negativos del voltaje de entrada, el voltaje secundario vs ser negativo y entonces -vs ser positivo, forzando la corriente a circular por D3, R y D4; entre tanto los diodos D1 y D2 estarn polarizados inversamente. Cabe anotar que durante los dos ciclos la corriente circula por R en la misma direccin y por tanto V0 siempre ser positivo.

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OTROS TIPOS DE DIODOS

Diodo Varactor (Varicap): Este diodo, tambin llamado diodo de capacidad variable, es, en esencia, un diodo semiconductor cuya caracterstica principal es la de obtener una capacidad que depende de la tensin inversa a l aplicada. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1 V.

Se usa especialmente en los circuitos sintonizadores de televisin y los de receptores de radio en FM.

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Diodo Tnel
Los diodos semiconductores obtenidos con un grado de contaminacin del material bsico mucho mas elevado que lo habitual exhiben una caracterstica tensin-corriente muy particular. Una caracterstica importante del diodo tnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarizacin directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. Este tipo de diodos slo encuentran aplicaciones reducidas como en circuitos osciladores de alta frecuencia.

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REFERENCIAS
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Principios-Basicos-MaterialesSemiconductores.php http://www.uv.es/candid/docencia/ed_prac04.pdf

L. Boylestad , Louis Nashelsky. Teora de circuitos y dispositivos electrnicos.

http://www.forosdeelectronica.com/tutoriales/rectificadores.htm

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