03 Capítulo 1

Instituto Tecnolgico de Mrida DGEST
RNC 20 Propiedades de los Materiales I

Captulo 1

1. Estructura atmica y cristalina de los materiales.

Introduccin.

En el captulo anterior se definieron los cuatro niveles estructurales de los cuales dependen
las propiedades de los materiales. Sin embargo, puesto que el objetivo que se persigue en este
tema de estudio, es el de comprender y controlar los niveles de la micro y macroestuctura de
los diversos materiales, con el fin de mejorar sus propiedades y hacerlos tiles en ciertas
aplicaciones especiales; resulta necesario conocer en principio, la estructura atmica y la
cristalina ya que ambas influyen en la forma en que los tomos se enlazan y se arreglan;
permitiendo as clasificarlos en metales, cermicos y polmeros.

Estructura atmica.

En teora el tomo puede ser considerado como un pequeo cuerpo esfrico; el cual esta
constituido por un ncleo que contiene pequeas partculas denominadas protones y neutrones.

El ncleo esta rodeado por partculas ms diminutas llamadas electrones, los cuales se
encuentran alrededor del ncleo, ocupando niveles energticos distintos. Por ser el tomo en
su conjunto elctricamente neutro, la carga de cada protn y electrn tiene el mismo valor y es
igual a 1.6 x 10
19
C.

El nmero atmico de un tomo en particular, se define como el nmero de protones o de
electrones contenidos en l. Adems, toda la masa del tomo (M), se encuentra en el ncleo y
es un valor promedio entre los protones y neutrones; y tiene como unidad al (gm/gm.mol).

La figura 1.1 muestra el caso de la estructura atmica del aluminio, el cual segn la tabla
peridica tiene un nmero atmico de 13; es decir, contiene 13 protones y 13 electrones. Y
cuya masa atmica es de 26.98 gm/gm.mol.

Figura 1.1 Estructura atmica del aluminio mostrando los electrones
en las capas K, L, M
Segn la figura anterior la configuracin electrnica del aluminio puede ser escrita como:
1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
1
, por lo tanto la valencia de este elemento es +3; y tiene la capacidad de ceder
sus 3 electrones de valencia.

Cuando un tomo presenta la tendencia de ganar electrones, es decir completar su nivel
externo de energa, se dice que es electronegativo. Por el contrario, si tiene la tendencia de
ceder sus electrones y con ello dejar su nivel externo de energa vaco es electropositivo. Si su
nivel externo esta completo, es decir tiene 8 electrones, su valencia es cero y el elemento es
inerte o qumicamente estable.

1.1 Enlace atmico de slidos.

Existen cuatro mecanismos por medio de los cuales se enlazan o unen los tomos. En los
tres primeros la unin se logra cuando los tomos llenan sus niveles externos s y p. Estos son:

1.1.1 Unin metlica: Los elementos metlicos que exhiben una valencia baja, puede
ceder con facilidad sus electrones para formar un mar o nube de electrones que rodea a los
centros de tomos. El aluminio es un ejemplo tpico de esta clase de elementos, pues al liberar
sus tres electrones de valencia; deja un cuerpo central o ndulo constituido por el ncleo y los
electrones internos.

Dicho cuerpo central se convierte en un in con carga positiva igual a 3. Los electrones de
valencia que forman la nube, se ligan a diversos ndulos de tomos, mantenindolos unidos
por atraccin mutua, producindose as la fuerte unin metlica. La figura 1.1.1 muestra la
unin entre los tomos del aluminio. Los enlaces metlicos son no direccionales, los electrones
que mantienen unidos a los ndulos no estn fijos en una posicin.

Cuando se dobla un metal y los tomos intentan cambiar su relacin entre ellos; la
direccin del enlace se desliza en lugar de romperse. Esto permite que estos materiales sean
conformados en configuraciones tiles. Adems al ceder con facilidad sus electrones, permite
tambin que sean buenos conductores elctricos.

1.1.2 Enlace covalente: Este tipo de enlace es muy fuerte debido a que se comparten
electrones entre dos o ms tomos. El germanio con valencia + 4, acepta ocho electrones en su
nivel externo (ley del octeto); cuando comparte electrones con otros cuatro tomos vecinos. La
figura 1.1.2.a, muestra el enlace covalente del germanio.
Figura 1.1.1 Unin metlica del aluminio.
En este tipo de enlace los tomos se acomodan de tal manera que los enlaces covalentes
tengan una relacin direccional fija entre ellos. En el caso del germanio los tomos se
acomodan formando un tetraedro con ngulos de 109 entre los enlaces covalentes. La figura
1.1.2.b ilustra la estructura tetradrica del germanio.

Debido a que las uniones covalentes son muy fuertes, los materiales slidos enlazados de
este modo tienen poca ductilidad y escasa conductividad elctrica. Al pretender doblar una
barra de germanio los enlaces covalentes se rompen debido a que los tomos cambian su
relacin entre ellos. Al igual, para que fluya o se mueva un electrn, y se forme una corriente
elctrica es necesario que se rompa el enlace; siendo necesario aplicar altas temperaturas o
voltajes en el material.

Por lo tanto los materiales enlazados covalentemente son frgiles en vez de dctiles,
comportndose como aislantes elctricos y no como conductores. Muchos cermicos y
polmeros estn unidos por este tipo de enlace; lo que explica, el porqu una loza se rompe al
ser golpeada y porque el ladrillo es mal conductor del calor y de la electricidad.

1.1.3 Enlace inico: Existen materiales como el Cloruro de sodio (NaCl) o sal comn, en
el cual se encuentran presentes ms de un tipo de tomos. Estos elementos tienen la facilidad
de poder donar o aceptar electrones. Al tomo que dona electrones se le conoce como
electropositivo, y el que los acepta como electronegativo.

En este compuesto, el tomo de sodio con valencia +1 dona su electrn al tomo de cloro y
se convierte en un in cargado positivamente, mientras el cloro con valencia -1 acepta un
electrn y se convierte en un in negativo. En estas condiciones, ambos tomos tienen su nivel
energtico externo lleno o vaco.

Figura 1.1.2.a Enlace covalente del germanio, mostrando a los
electrones compartidos entre los tomos, con el nivel
externo completo.
Figura 1.1.2.b Estructura tetradrica del germanio, con un ngulo de
enlace de aproximadamente 109.
El tomo que aporta el o los electrones se le conoce como catin, y el que lo o los acepta,
como anin. As, los iones con cargas opuestas se atraen entre s, producindose el enlace
inico. La figura 1.1.3 muestra el tipo de enlace en el cloruro de sodio.

Cuando se aplica una carga a un cristal de cloruro de sodio, se rompe el equilibrio elctrico
entre los iones; por esta razn los materiales enlazados inicamente se comportan como
frgiles. Adems tienen baja conductividad elctrica, ya que la carga elctrica es transportada
por el movimiento de iones enteros y no de electrones, lo que resta movilidad.

Muchos materiales cermicos y minerales, estn parcialmente unidos en forma inica.
Sin embargo se debe notar que muchos materiales incluyendo los metales se unen combinando
los tres mecanismos de enlace. Como ejemplo citemos al hierro, el cual adems de estar unido
por el enlace metlico, tambin tiene enlaces covalentes, lo cual le proporciona cierta
fragilidad.

1.1.4 Enlace de Van der Waals: Este enlace une molculas o grupos de tomos mediante
atracciones electrostticas dbiles. Molculas de plsticos, cermicos, gases como el metano,
el agua y otras sustancias ms, presentan la tendencia de polarizarse permanentemente o
instantneamente en alguna parte o porcin. Es decir, parte de una molcula adquiere carga
positiva y la otra negativa. La atraccin electrosttica entre las porciones positivas y negativas
entre ellas, produce el dbil enlace de Van der Waals. La figura 1.1.4 muestra la unin de la
molcula de agua mediante la polarizacin intermolecular.

Figura 1.1.3 La unin inica ocurre cuando el sodio y el cloro quedan
con distintos tipos de carga. Siendo el sodio un catin y el
cloro un anin. En la figura se muestra con rojo al electrn
cedido por el sodio y aceptado por el cloro.
Figura 1.1.4 El enlace de Van der Waals se forma mediante la polarizacin de molculas o grupos de tomos. En el agua los
electrones de oxgeno tienden a concentrarse lejos del hidrgeno. Esta diferencia de carga resultante permite la
dbil unin.
Por lo tanto este tipo enlace es secundario, puesto que los tomos estn unidos por enlaces
covalentes formando molculas; y estas a su vez por el enlace de Van der Waals.

Como ejemplo consideremos la formacin del polietileno a partir de las molculas de
etileno. El etileno, un gas, cuya frmula es C
2
H
4
, tiene sus tomos de carbono unidos por
enlaces covalentes dobles con los de hidrgeno, para formar la molcula o monmero de
etileno. En presencia del calor, presin o un catalizador la doble unin covalente entre los
tomos de carbono se rompe, ocasionando que cada tomo de carbono tenga un enlace
incompleto, ahora la molcula de etileno se denomina mero o unidad. Estos enlaces se
completan cuando se enlazan dbilmente (Van der Waals) los meros de etileno, formando largas
cadenas moleculares o polmeros.

El cromo, que tiene un nmero atmico igual a 24; presenta cuatro istopos: 4.31% de los
tomos de cromo tienen 26 neutrones, 83.76% tienen 28 neutrones, en 9.55% existen 29
neutrones, y en 2.38% hay 30 neutrones. Calcule la masa atmica (M) del cromo.

Respuesta: Como los tomos de cromo tienen diferente nmero de neutrones en el ncleo,
ste se comporta como un istopo, y su masa atmica puede calcularse como el promedio de
las masas atmicas de los diversos tomos (istopos), por lo que su valor puede no ser un
nmero entero; as:

La masa atmica de los tomos con 26 neutrones es; (M) = 24 + 26 = 50 gm/gm.mol.

Y la masa atmica del cromo es:

(M) = (0.0431) (50) + (0.8376) (52) + (0.0955) (53) + (0.0238) (54) = 52.0569 gm/gm.mol.

Para un tomo cualquiera, calcule el nmero mximo de electrones en la capa O, y
determine su nmero atmico si estn completos todos los niveles de energa en las capas K,
L, M, N y O.

Respuesta: Para este tomo hay cinco capas cunticas, as (n = 5); aplicando la frmula 2n
2

para encontrar los electrones en cada capa, se tiene: 2 (5)
2
= 50 electrones.

Otra manera de encontrar el nmero de electrones en la capa O, es a travs del nmero
de niveles de energa que hay en cada capa cuntica; aplicando la frmula 2 (l ) + 1 as: l = 0,
1, 2, 3, 4.
Ejemplo 1
Ejemplo 2

Entonces para l = 0, se tiene: 2 (0) + 1 = 1 orbital.
l = 1, se tiene: 2 (1) + 1 = 3 orbitales.

Como la suma total de orbitales es igual 25, entonces el nmero total de electrones en la
capa O, es:

Total de electrones = (25 orbitales) (2 electrones/orbital) = 50.
El nmero atmico de ese elemento, es el nmero de electrones ubicados alrededor del
ncleo del tomo, en los cinco orbitales, estando completos todos los niveles de energa; as:

En las cinco capas estarn ubicados segn la frmula 2n
2
.

Capa K = 1 --------------------- 2 electrones.
L = 2 ---------------------- 8 electrones.
M = 3 --------------------- 18 electrones.
N = 4 ---------------------- 32 electrones.
O = 5 ---------------------- 50 electrones.

Por lo tanto, hay un total de 110 electrones en el tomo.

Calcular el nmero de tomos en 100 gm. de aluminio, si todos los electrones de valencia
pueden conducir corriente elctrica. Determine tambin, el nmero de estos portadores en los
100 gm. de aluminio.

Respuesta: Puesto que en un gm.mol de aluminio hay 6.02 x 10
23
tomos, y segn la tabla
peridica tiene una masa atmica de 26.98 gm/gm.mol, con una valencia de +3; entonces:

. 10 31 . 22
.) 98 . 29 (
) . (
) . (
) 10 02 . 6 (
) 100 ( min .
23
23
tomos x
gm
mol gm
mol gm
tomos x
gm io alu de tomos de No = =

Y el nmero de portadores de carga elctrica es:

. 10 693 . 6
) (
) 3 (
) 10 31 . 22 ( .
24 23
electrones x
tomo
electrones
tomos x electrones de No = =

Ejemplo 3

Sin recurrir a la tabla peridica, utilizar la estructura electrnica para determinar si un
elemento con nmero atmico 35; es electropositivo, electronegativo o inerte. Considere que
todos los niveles internos de energa estn ocupados.

Respuesta: Utilizando el siguiente recurso nemotcnico, podemos obtener la estructura
electrnica del elemento, as:

1 s
2

2 s
2
p
6

3 s
2
p
6
d
10

4 s
2
p
6
d
10
f
14

5 s
2
p
6
d
10
f
14

6 s
2
p
6
d
10

7 s
2

Puesto que, en la cuarta capa cuntica solo hay 7 electrones, el elemento es
electronegativo.

1.2 Estructura cristalina.

La mayora de los materiales tecnolgicos, excepto la mayora de los vidrios y los
polmeros; son de naturaleza cristalina. Es decir poseen un arreglo bidimensional o
tridimensional repetitivo entre sus tomos. Este arreglo o disposicin de los tomos,
desempea un papel importante en las propiedades y el comportamiento de un material slido.
Como por ejemplo en los metales, cierto tipo de ordenamiento permite una excelente
ductilidad; mientras que en otros producen una gran resistencia. Los materiales tecnolgicos
pueden organizar sus tomos de tres maneras distintas a saber, sin considerar las
imperfecciones naturales en el material.

Desordenamiento: En gases inertes y en la mayora de los lquidos, los tomos y
molculas se distribuyen aleatoriamente, es decir carecen de un arreglo ordenado. En el argn,
los tomos se distribuyen de manera aleatoria ocupando el espacio donde se confina el gas. La
figura 1.2.1 muestra el desordenamiento bidimensional atmico del argn.

Ejemplo 4
X
35
= 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
3d
10
4s
2
4p
5

Figura 1.2.1 El argn por ser un gas inerte, no presenta un ordenamiento regular
entre sus tomos.
Ordenamiento de corto alcance: En los cristales cermicos como el vidrio (SiO
2
), cada
molcula formada por cuatro tomos de oxgeno y uno de silicio; tiene un ordenamiento
particular entre sus tomos, con un ngulo de aproximadamente 109 entre los enlaces
covalentes, describiendo una estructura tetradrica. Sin embargo las molculas no presentan
un arreglo espacial definido, sino que tienden a unirse de manera aleatoria. La figura 1.2.2
muestra la forma en que se ordenan bidimensionalmente los tomos y molculas del vidrio.

Por lo consiguiente, un material presenta ordenamiento de corto alcance si el arreglo
caracterstico entre sus tomos se restringe solamente a tomos circunvecinos. El vapor de
agua, algunas cermicas y la mayora de los polmeros presentan un ordenamiento de corto
alcance.

Ordenamiento de largo alcance: Cuando los tomos se distribuyen por todo el slido,
formando un patrn reticular repetitivo, se dice que los tomos o agrupan en un ordenamiento
general o de largo alcance. La figura 1.2.3 ilustra un arreglo bidimensional de los tomos de un
material slido.

La red o retcula (ltice) esta formada por un conjunto de puntos o nodos (puntos
reticulares), los cuales siguen un mismo patrn regular, de manera que las inmediaciones de
cada punto en la red son idnticas. Adems uno o ms tomos pueden estar asociados con cada
punto de red.

As, cada tomo tiene un ordenamiento particular de corto alcance respecto a los otros,
pero adems, existe un ordenamiento general o de largo alcance al estar la red distribuida
uniformemente en todo el material.

Figura 1.2.2 Ordenamiento particular de los tomos del vidrio (enlace covalente), sin
embargo las molculas tienden a unirse de manera aleatoria.
Figura 1.2.3 Representacin bidimensional del ordenamiento de largo
alcance.
Los metales, la mayora de las cermicas y ciertos polmeros, presentan este tipo de
ordenamiento, y son de naturaleza cristalina. La configuracin de la retcula (red) difiere de un
material a otro en forma y dimensin, dependiendo del tamao de los tomos y del tipo de
enlace interatmico. La retcula (red) cristalina de un material se refiere al tamao, forma y
ordenamiento atmico dentro de la red.

1.2.1 Sistemas cristalogrficos.

La celda unitaria es la menor subdivisin, que conserva todas las caractersticas generales
de la retcula o red. Los puntos o nodos reticulares, se encuentran en los vrtices (esquinas) de
la celda unitaria, y en algunos casos en el centro, caras y bases de la celda. Los parmetros que
describen el tamao y la forma de la celda unitaria son las dimensiones de los lados y los
ngulos que forman los ejes. Por ser la celda unitaria microscpica las dimensiones de los
lados suelen medirse en ngstrom, el cual tiene una equivalencia de:

1 Angstrom ( A
) = 1 x 10
-8
cm = 1 x 10
-10
m = 1 x 10
-1
. m

Segn el tipo de geometra que tenga la celda unitaria, sern las dimensiones de los lados
que se necesiten para definirla: as, para la cbica simple slo se requiere un lado para
describirla completamente, puesto que los tres ngulos son iguales a 90. En la hexagonal se
requieren dos dimensiones; los lados de las bases y la altura del hexgono, adems de dos
ngulos de 90 y uno de 120. Mientras ms compleja sea la geometra de la celda mayor ser
el nmero de dimensiones requeridas, como de ngulos diferentes.

Existen ciertas caractersticas distintivas en la celda unitaria, como por ejemplo: El
parmetro de red, el nmero de tomos o puntos de red contenidos en la celda, el radio del
tomo, la relacin entre el radio del tomo y el parmetro de red, el nmero de coordinacin,
el factor de empaquetamiento y la densidad, las cuales coadyuvan en la descripcin de la
estructura del material y su comportamiento. Aunque existen catorce tipos de celdas unitarias
o redes de Bravais, agrupadas en siete sistemas cristalinos; como se indican en la tabla 1.2.1.1,
solo nos concentraremos en los sistemas cbico y hexagonal, debido a que incluyen a casi
todos los materiales tecnolgicos cristalinos de importancia comercial.

Tabla 1.2.1.1 Caractersticas de los siete sistemas cristalinos.
Sistema

Longitud de los ejes ngulos axiales.
Cbico a
1
= a
2
= a
3
Todos los ngulos son de 90.
Tetragonal a
1
= a
2
a
3
Todos los ngulos son de 90.
Ortorrmbico a
1
a
2
c Todos los ngulos son de 90.
Hexagonal a
1
= a
2
c Dos ngulos de 90 y uno de 120.
Rombodrico a
1
= a
2
= a
3
Todos los ngulos son iguales y diferentes de 90.
Monoclnico a b c Dos ngulos de 90 y uno diferente de 90.
Triclnico a b c Todos los ngulos distintos entre s y diferentes de 90.

La figura 1.2.1.1 ilustra las catorce retculas o redes de Bravais en tres dimensiones,
haciendo hincapi en las variantes de los sistemas cbico y hexagonal.


Cbico simple. Cbico centrado en
el cuerpo
Cbico centrada en las
caras.
Tetragonal centrado en
el cuerpo
Tetragonal simple.
Hexagonal.
Ortorrmbico simple.
Ortorrmbico
centrado en el
cuerpo.
Ortorrmbico
centrado en las
bases.
Ortorrmbico
centrado en
las caras.

1.2.2 Estructuras cristalogrficas.

Sistema cbico simple (CS). Este sistema o retculo no es representativo de ningn tipo de
material metlico tecnolgico, sin embargo es un modelo excelente para introducir ciertos
conceptos de inters concernientes a la celda unitaria, debido a su simplicidad.

Parmetro de red: Bsicamente el cristal cbico simple (CS), es una caja cuadrada con los
tomos ubicados en los ocho vrtices. Los ocho tomos localizados en los vrtices se arreglan
de modo que la distancia entre sus centros sea a. A esta distancia se le denomina parmetro de
Figura 1.2.1.1 Los siete sistemas cristalinos con sus variantes, suman las catorce retculas o redes de Bravais.
Rombodrico
Monoclnico simple. Monoclnico centrado
en las bases.
Triclnico.
red o constante de retcula ( )
0
a . La figura 1.2.2.1 muestra al cristal cbico en forma
esquemtica y compacta en tres dimensiones.

Radio atmico: Se define como la distancia del centro de un tomo a su periferia y se
denota por la letra (R).

Relacin entre el parmetro de red y el radio atmico: Para determinar esta relacin es
necesario considerar el sistema cristalino en forma compacta, y observar la arista del cubo,
diagonal del cubo o diagonal de la cara, para saber en cual de ellos los tomos se juntan o
estn en contacto ntimo. En el caso del sistema cbico simple, en la figura 1.2.2.2 se observa
que los tomos se juntan en las aristas del cubo. Por lo consiguiente, por simple inspeccin
tenemos que a = 2R.

Nmero de tomos o puntos de red contenidos en la celda unitaria: Puesto que en cada
vrtice de la CS, hay situado un tomo, ste es compartido por ocho cubos (octantes), por lo
tanto, a cada celda unitaria le corresponde un tomo; es decir:

unitaria celda
tomo
unitaria celda
vrtices
x
vrtice
tomo
1 8
8
1
=

La figura 1.2.2.3 muestra en color rojo la fraccin de cada tomo por vrtice incluido en la
celda unitaria.

Figura 1.2.2.1 Celda unitaria cbica simple
esquematizada y compactada.
R a 2 =
Figura 1.2.2.2 Relacin entre el parmetro de red y el radio atmico para una
celda cbica simple.

Nmero de coordinacin: Se define como el nmero de tomos en contacto o los tomos
ms cercanos a un tomo en particular, situado en la celda unitaria o en la red. Este nmero de
coordinacin indica la eficiencia con la que los tomos se acomodan para formar la estructura.

En el caso de la celda cbica simple la cual contiene slo un tomo o punto de red por
celda unitaria, por simple inspeccin se observa que tiene un nmero de coordinacin de 6; es
decir, cada tomo de la celdilla esta en contacto con otros 6. Esto se ilustra en la figura 1.2.2.4.

Factor de empaquetamiento: Se entiende por factor de empaquetamiento (FE), a la
fraccin del volumen de la celdilla que ocupan los tomos; considerando que estos son esferas
slidas. La siguiente expresin sirve para calcular el factor de empaquetamiento de cualquier
celda unitaria.

Calcule el factor de empaquetamiento para la celda cbica simple (CS).

Figura 1.2.2.3 Celda unitaria cbica simple en la cual se muestra en color rojo la
fraccin de cada tomo (1/8 de tomo) por vrtice que se incluye en
la celda.
Figura 1.2.2.4 El tomo rojo en la celdilla de referencia tiene seis vecinos en color azul,
tres correspondientes a la misma celdilla y los restantes a celdillas
contiguas a la de referencia.
unitaria celda la de volumen
tomo cada de volumen celda tomos de nmero
FE
) )( / (
=
Ejemplo 5
Respuesta: Puesto que existe un tomo o punto de red en la celda unitaria, adems de que
el volumen de un tomo considerndolo como una esfera slida es (4 R
3
/3), y siendo el
volumen de la celda unitaria a
3
y teniendo en cuenta la relacin a = 2R, se tiene:

52 . 0
) 2 (
) 3 / 4 )( 1 (
3
3
= =
R
R
FE

En los materiales metlicos, el factor de empaquetamiento ms eficiente tiene un valor de
0.74 y corresponde a los metales con estructura cristalina centrada en las caras (CCC) y
Hexagonal compacta (HC).

Las celdas con estructura centrada en el cuerpo (CC) tienen un factor de 0.68 y la cbica
simple un factor de 0.52. La tabla 1.2.2.1 muestra algunas de las caractersticas de cristales
metlicos comunes.

Tabla 1.2.2.1 Caractersticas generales de algunos metales tpicos.
Estructura a en funcin
de R
tomos por
celda
Nmero de
coordinacin
Factor de
empaquetamiento
Metales tpicos
Cbica Simple
(CS)
a = 2R 1 6 0.52 Ninguno
Cbica centrada
en el cuerpo (CC)
a = 4R/ 3
2 8 0.68 Fe, Ti, W, Mo,
Nb, Ta, Cr, Zr.
Cbica centrada
en las caras
(CCC)
a = 4R/ 2
4 12 0.74 Fe, Cu, Al, Au,
Ag, Ni.
Hexagonal
Compacta (HC)
a = 2R
c
o
= 1.633 a
o

6 12 0.74 Zn, Co, Mg.

Densidad: La densidad ( ) de un material puede ser definida como real y terica; la
densidad real es aquella en la cul se contemplan las imperfecciones del material, y por lo
tanto resulta ser menor que la terica. La densidad terica puede ser calculada utilizando las
propiedades de la estructura cristalina, mediante la siguiente expresin:

Determine la densidad terica del aluminio CCC, cuyo parmetro de red es de 0.404958
m .

Respuesta: El aluminio CCC, tiene 4 tomos por celda unitaria y una masa atmica de
26.981 gm/gm.mol. As la densidad terica del aluminio es:

) )( (
) )( / (
Avogadro de nmero unitaria celda la de volumen
elemento del atmica masa unitaria celda tomos
=
Ejemplo 6
3
23 3 8
/ 7 . 2
) 10 02 . 6 ( ) 10 04958 . 4 (
) 981 . 26 )( 4 (
cm gm
x x
= =

.

La densidad real es de 2.69 gm/cm
3
. La ligera discrepancia entre las densidades terica y
real, es consecuencia de los defectos o imperfecciones en la red.

La figura 1.2.2.5 ilustra las variantes de las celdas unitarias cbica y hexagonal, en tres
dimensiones tanto en su forma esquemtica como compacta.

Fi gura 1.2.2.5 Modelos di dcti cos de las celdas uni tari as cbi ca y hexagonal en
sus formas esquemti ca y compacta.


Ningn metal tecnolgico tiene la estructura cbica simple (CS); aunque este tipo de
estructura se encuentra en los materiales cermicos.

Determine el factor de empaquetamiento para la celda Hexagonal compacta ilustrada en la
figura 1.2.2.5

Respuesta: La solucin del problema puede facilitarse mediante la determinacin de los
siguientes trminos: Nmero de tomos contenidos en la celda unitaria o red hexagonal, el
volumen de un tomo y el volumen de la celda unitaria.

En primer lugar representemos a la celda hexagonal compacta en forma esquematizada
como se ilustra en la figura siguiente, y observemos que esta formada por tres prismas iguales
coloreados de azul, amarillo y azul turquesa. Adems sus ejes (a
1
, a
2
, a
3
y c
o
) forman dos
ngulos de 90 y uno de 120.

A cualquiera de los prismas se le denomina celda unitaria de la red hexagonal. Dicha celda
(Red) se ilustra enseguida en color azul. En ella hay cuatro tomos o puntos de red, cuyos
vrtices forman ngulos de 120.

Los tomos son compartidos con los otros
prismas y por esta razn solo 1/6 de tomo esta
contenido en el prisma.

De igual forma existen tambin cuatro tomos o
puntos de red, cuyos vrtices forman ngulos de 60.
Estos al ser compartidos con los otros prismas, solo
1/12 de tomo queda encerrado dentro del prima.

De tal suerte que el nmero de tomos que
corresponden al prisma puede ser calculado de la
siguiente forma:

Ejemplo 7
Red Hexagonal Compacta Esquematizada
2 1 )
12
1
( 4 )
6
1
( 4 . = + + = tomos de No

Puesto que la red hexagonal esta compuesta tres prismas,
entonces hay 6 tomos en la red o celda hexagonal compacta
(HC).

Por otra parte el tomo puede ser considerado para
propsitos de clculo como una esfera perfecta, as que su
volumen, se calcula con la siguiente expresin:

3
) (
3
4
R tomo un de Volumen =

Para calcular el volumen de la celda unitaria, es necesario calcular el rea de la base del
prisma y multiplicarla por la altura c
o
, as:

El rea de la base se calcula considerando la figura, en la cual se observa que dicha rea
esta dada por el producto de (a
o
x h), y es igual a (a
o
x a
o
sen 60):

Por lo tanto el rea de la base del prisma es:
A
b
= (a
o
)
2
cos 30

Por ltimo el volumen de la celda unitaria (prisma)
es igual al rea de la base A
b
multiplicada por la altura,
es decir:

30 cos ) (
2
o o
c a unitaria celda la de Volumen =

Una vez encontrados los tres trminos, se sustituyen en la ecuacin correspondiente del
factor de empaquetamiento, como sigue:

unitaria celda la de volumen
tomo cada de volumen celda tomos de nmero
FE
) )( / (
=

74 . 0
30 cos ) 2 633 . 1 ( ) 2 )( 3 (
) (
3
4
) 6 (
30 cos ) 633 . 1 ( ) )( 3 (
) (
3
4
) 6 (
2
3
2
3
= = =
R x R
R
a a
R
FE
o o

Celda unitaria de la red HC
Nota: El trmino co = 1.633 ao se toma de la tabla 2.6.1 y al compactar la red hexagonal, se observa que ao = 2R.
El valor 0.74 indica que el 74% de la red o celda unitaria est ocupado por tomos.

1.2.3 Alotropa y polimorfismo.

El trmino alotropa se adjudica a los materiales que pueden tener ms de una estructura
cristalina, a distintas temperaturas y presiones. Elementos puros, como el hierro y el titanio
pueden presentar ms de una estructura cristalina cuando cambia su temperatura. Por ejemplo
el titanio tiene una estructura HC por debajo de los 882 C y por encima tiene una estructura
CC.

Dicho transformacin estructural va acompaada de un cambio porcentual en volumen,
durante el calentamiento o enfriamiento del material. Sin embargo, s este cambio en volumen;
no se controla adecuadamente, ste puede agrietarse y fallar.

Cabe mencionar que estas transformaciones, son la base para el tratamiento trmico del
hierro y del titanio. El trmino polimorfismo, es de uso ms general; porque muchos
materiales cermicos, tales como el Slice (SiO
2
), son llamados polimrficos.

Por encima de los 882 C, el titanio tiene una estructura cristalina CC; con a
o
= 0.332 m .
Por debajo de esta temperatura tiene una estructura HC con a
o
= 0.2978 m y c
o
= 0.4735 m .
a) Determine el porcentaje de cambio en volumen cuando el titanio CC se transforma en
titanio HC. b) Se trata de una contraccin o de una expansin?

Respuesta: Puesto que el titanio CC, se transforma en titanio HC al descender la
temperatura por debajo de 882 C; entonces observando la figura de la celda unitaria CC, se
tiene:

El volumen de la celda unitaria se calcula como:
Vcc = (a
o
)
3
= (0.332 m )
3
= 0.03659 m
3
. Adems como se sabe
dicha celda contiene 2 tomos o puntos de red.

Por otra parte, la celda unitaria HC est formada por tres prismas
sesgados, como el ilustrado en la figura; as, el volumen de la celda
unitaria HC, puede calcularse como: VHC = (a
o
)
2
c
o
cos 30, as;

VHC= (0.2978 m )
2
(0.4735 m ) cos 30 = 0.03636 m
3
.

Adems la celda unitaria HC, tambin contiene 2 tomos o
puntos de red.

Ejemplo 8
Por ltimo se observa que para formar una celda HC, a partir de una celda CC; se necesita
la misma cantidad de tomos. Por lo tanto:

a) Para calcular el porcentaje de cambio en volumen, se requiere conocer tanto el volumen
final como el inicial, de ambas celdas; as:

% 62 . 0 100
03659 . 0
03659 . 0 03636 . 0
100 =
= A x x
V
V V
V
o
o f
%

b) El signo negativo indica que el titanio se contrae al enfriarse.

1.3 Puntos, direcciones y planos cristalogrficos.

Ciertas direcciones y planos en la celda unitaria revisten particular importancia. Los
materiales, principalmente los metales se deforman, en aquellas direcciones a lo largo de las
cuales los tomos estn en contacto ms estrecho. De igual forma, estos se deforman a travs
de aquellos planos de tomos que estn empaquetados ms estrechamente.

1.3.1 Direcciones en la celda unitaria.

Una direccin representada dentro de un cristal o celda unitaria, es un vector dirigido de un
punto o posicin de algn tomo a otro tomo o punto de red. Para ello es necesario localizar
ciertos puntos, los cuales estn representados por coordenadas (x, y, z), en un sistema
dextrgiro.

La figura 1.3.1 ilustra una celda cbica, cuyo
origen es el sistema coordenado dextrgiro.

Para localizar los puntos o posicin de los
tomos, es conveniente medir las distancias en
funcin del parmetro de red a partir del origen
y moverse en cada una de las coordenadas x, y,
z; las coordenadas de los puntos se expresan
como tres distancias numricas encerradas entre
parntesis circular y separndolas por comas.


Trace una celda cbica y localice los puntos o posicin de los tomos en todos los vrtices.

Respuesta: Los puntos localizados en todos los
vrtices se muestran en la figura siguiente, note como
las distancias fueron medidas en funcin del parmetro
de red, a partir del origen.

Trace una celda cbica y localice los siguientes puntos:

a). (, 0, 0) b). (, 1, 0) c). (0, 0, ) d). (0, , 1) e). (, 1, 0)

Respuesta: Los puntos localizados se muestran en la figura. Note que todos ellos son
positivos y por lo tanto se encuentran localizados en el primer octante del sistema cbico
tridimensional. En caso de alguna distancia sea negativa es necesario trasladar el origen a otro
punto que convenga, como se mostrar mas adelante.

Para trazar una direccin dentro de una celda unitaria, es necesario cumplir con los
siguientes pasos:

Ejemplo 9
Ejemplo 10
1. Utilizando un sistema de coordenadas dextrgiro, localizar las coordenadas de dos
puntos que estn en esa direccin.
2. Restar las coordenadas del punto inicial (cola), a las coordenadas del punto final
(cabeza); para obtener el nmero de parmetros de red recorridos en la direccin de
cada eje del sistema de coordenadas.
3. Reducir las fracciones y/o los resultados obtenidos de la reta a los mnimos enteros.
4. Encerrar los nmeros entre corchetes | |, no utilice comas. En caso de obtener un
signo negativo, represntelo con una barra sobre el nmero.

Es importante recalcar que la direccin puede estar representada en la celdilla y por
consiguiente el problema se reduce en encontrar los nmeros encerrados entre corchetes; es
decir la notacin de la direccin, o en su caso dada la notacin trazar la direccin dentro de la
celdilla.

Determine la notacin para las siguientes direcciones mostradas en el sistema cbico
mostrado en la figura 11.a

Respuesta: Para encontrar la notacin de cada direccin, es necesario localizar las
coordenadas de los puntos cola y cabeza de cada vector, midiendo el valor de cada coordenada
a partir del origen O, los cuales se ilustran en la figura 11.b.

Ejemplo 11
Figura 11.a
Posteriormente se procede a restar las coordenadas de los puntos, las cuales sern
encerradas entre corchetes, testando la o las coordenadas negativas para que finalmente se
eliminen fracciones si es necesario. Por lo tanto:

Direccin A: (0, 1, 0) (1, 1, 1) = -1, 0, -1 = [1 0 1]; no hay fracciones que eliminar.

Direccin B: (1/2, 0, 0) (0, 0, 1) = , 0, -1 = [,0 1]; si hay fracciones que eliminar.

2[,0 1] = [1 0 2 ]

Direccin C: (1, 0,1/2) (1/2, 1, 0) = , -1, = [,1, ]; si hay fracciones que eliminar.

2 [,1, ] = [1 2 1]

Trace la direccin [1 3 3]; en un sistema cbico. Traslade el origen si es necesario.

Respuesta: Para trazar esta direccin, es necesario en primer lugar; convertir los valores
enteros a fracciones. Esto es con el propsito de ocupar un solo octante o bien que la direccin
quepa dentro de la celdilla. As:

[1 3 3] = () [1 3 3]= [ 1 1]

Posteriormente se observa, que hay dos coordenadas negativas,
lo cual intuye trasladar el origen como se ilustra en la figura; a
partir del cual se medirn los valores de las coordenadas,
obtenindose finalmente el trazo del vector.

1.3.2 Planos en la celda unitaria.

Dado un plano en el interior de una celdilla se requiere encontrar una notacin que
represente dicho plano, para ello debe utilizarse el procedimiento siguiente:

1. Identificar los puntos en los cuales el plano interseca a los ejes coordenados x, y,
z; en funcin del nmero de parmetros de red. Si el plano pasa a travs del
origen, el origen del sistema de coordenadas deber ser trasladado.
2. Enseguida, tomar los recprocos de estas intersecciones.
3. Elimine las fracciones pero no reduzca a los mnimos enteros.
4. Encierre el resultado entre parntesis ( ), no utilice comas. De nuevo, los
nmeros negativos se testarn.

Ejemplo 12

Un sistema cbico contiene el siguiente plano, como se muestra en la figura. Encontrar la
notacin correspondiente para dicho plano.

Respuesta: Utilizando el procedimiento anterior, se tiene que las intersecciones del plano
con los ejes, a partir del origen O son: x =1, y =1, Z = . Obsrvese que el plano no pasa por el
origen. En seguida se toman los recprocos de estas intersecciones, quedando de esta manera:

2
2
1
1 1
1
1
1 1
1
1
1 1
3
2
1
= = =
= = =
= = =
z
a
y
a
x
a

En el siguiente paso no hay fracciones que eliminar, y por ltimo estos recprocos (valores),
se encierran entre parntesis; quedando el plano representado por la siguiente notacin: ( ). 2 1 1

Un sistema cbico contiene el siguiente plano, como se muestra en la figura. Encontrar la
notacin correspondiente para dicho plano.

Ejemplo 13
Ejemplo 14
Respuesta: En este caso, se sugiere trasladar el origen O, al origen (0, 0, 0); entonces a
partir de este nuevo origen, se tiene que las intersecciones son: x = -1/2, y = , Z = 1. Observe
que la coordenada y es un valor muy grande, es decir; el plano es paralelo al eje y.

As los recprocos de las coordenadas son:

1
0
2
3
2
1
=
=
=
a
a
a

Puesto que no hay fracciones que eliminar, el plano tendr la notacin ( ) 1 0 2 .

Dada la notacin ( ) 1 0 1 en un sistema cbico, trace el plano correspondiente.

Respuesta: Segn la notacin del plano, tenemos que 1 , 0 , 1
3 2 1
= = = a a a ; entonces los
recprocos de estos valores darn las intersecciones del plano con los ejes x, y, z; as dichas
intersecciones son: x = 1, y = , z =1. Por lo tanto el plano queda representado, de la
siguiente manera.

Note que el origen del plano es el punto (0, 0, 0) y que
adems el plano es paralelo al eje y.

Recuerde tambin, que cuando el plano pasa por el origen del
sistema coordenado, es necesario trasladar dicho origen, segn
convenga a nuestro inters.

Direcciones y planos cristalogrficos en la celda hexagonal compacta.

Se ha diseado una notacin especial para las celdas hexagonales compactas, debido a la
simetra singular que presenta este cuerpo geomtrico. En
el caso de las direcciones cristalogrficas el procedimiento
empleado es el mismo que para la celda cbica; sin
embargo, puede utilizarse tanto un sistema coordenado de
tres ejes como uno de cuatro; como se indica en la figura
siguiente.

En este sistema coordenado a
1
representa al eje x, a
2
al
eje y, y a
3
es un eje redundante, el cual complementa la
profundidad de la celda HC. En la figura se observa que la
Ejemplo 15
Figura 1.3.2 Sistema coordenado
de cuatro ejes.
suma vectorial de a
1
+ a
2
= -a
3
, donde el eje a
3
es redundante.

Por ltimo c, representa al eje z. Recordemos que todos estas distancias estn medidas en
funcin del nmero de parmetros de red.
Las direcciones en las celdas HC, se denotan mediante el sistema de tres ejes, pudiendo
cambiar la notacin de ste, al de cuatro ejes, utilizando las siguientes ecuaciones:

c c
a a a
a a a
a a a
' =
' ' =
' ' =
' ' =
) (
3
1
) 2 (
3
1
) 2 (
3
1
2 1 3
1 2 2
2 1 1

Trace la direccin | | 1 2 2 en una celda hexagonal, utilice el sistema coordenado de cuatro
ejes; y compruebe que se obtiene una direccin
equivalente si se utiliza un sistema de tres ejes.

Respuesta: Puesto que la direccin est en
coordenadas para tres ejes, donde , 2
1
= ' a , 2
2
= ' a 1 = c ;
enseguida se obtiene a partir de las ecuaciones las
coordenadas para cuatro ejes; as:
. 1 , 0 , 2 , 2
3 2 1
= = = = c a a a Por lo consiguiente la
direccin queda denotada para cuatro ejes como
| | 1 0 2 2 ; sin embargo es necesario reducir a los
mnimos enteros, por lo tanto la direccin queda
| | 2 / 1 0 1 1 .

Para trazar la direccin se traslada el origen O hacia
abajo en direccin de ,
1
a un parmetro de red; y a partir
de este nuevo origen se recorre un parmetro de red sobre el eje ,
1
a un parmetro de red
sobre el eje ,
2
a ninguno sobre el eje ,
3
a y medio parmetro de red sobre el ; c este recorrido
se hace uniendo la cabeza del primer vector con la cola del segundo, y as sucesivamente. Por
ltimo se une el nuevo origen con la cabeza del ltimo vector; como se muestra en la figura en
color azul turquesa.

Donde ( ) c a a a , , ,
3 2 1
son las coordenadas para el sistema de cuatro
ejes y ( ) c a a ' ' ' , ,
2 1
son para el sistema de tres ejes.

Despus de la transformacin, los valores de ( ) c a a a , , ,
3 2 1
, Pueden
requerir simplificacin de fracciones o reduccin a los mnimos enteros.

Ejemplo 15
Por otra parte, si trazamos la direccin en tres ejes, solo debemos de seguir el mtodo
convencional a partir del origen O y se obtiene el vector en color rojo. Por lo tanto la
direccin | | 2 / 1 0 1 1 es equivalente a la direccin | | 1 2 2 .

Distancia de repeticin, densidad y fraccin de empaquetamiento lineal.

Anteriormente se menciono que los materiales se deforman en aquellas direcciones en las
cuales los tomos estn en contacto ms estrecho. Es decir, una direccin puede ser ms
compacta que otra; si sus tomos estn ms juntos o ms separados.
Para determinar ste hecho, se define la distancia de repeticin, como el recorrido a lo largo
de la direccin, medido de centro a centro de los tomos contenidos en ella. La densidad lineal
es el nmero de tomos o puntos de red por unidad de longitud a lo largo de una direccin en
particular. Asimismo se define la fraccin de empaquetamiento lineal, como la fraccin de la
direccin verdaderamente cubierta por tomos.

Calcular la distancia de repeticin, la densidad lineal y la fraccin de empaquetamiento
para el hierro CC., que tiene un parmetro de red . 2866 . 0
0
m a = en la direccin | | 1 0 1 .

Respuesta: En primer lugar se traza la celda cbica centrada en el cuerpo, enseguida se
representa la direccin en dicha celda, junto con los tomos que contenidos a travs de su
longitud.

En la figura se muestra que la direccin es la diagonal de la cara lateral izquierda del cubo
y que la distancia de repeticin medida es solo una (centro a centro de los tomos). Observando que
la direccin tiene como longitud ( 2
0
a ). La densidad
lineal se calcula como el cociente que resulta de dividir
el nmero de distancias de repeticin contenidas a lo
largo de la direccin, entre la longitud de la direccin;
segn la relacin:

2
1
.
tan
0
a direccin la de Longitud
repeticin de cias dis de Nmero
l
= =

( ) m
red de puntos
l
467 . 2
2 2866 . 0
1
= =

La densidad lineal, tambin puede calcularse en funcin de los tomos que contiene la
direccin por cada cm. de su longitud. Observe que hay medio tomo en un vrtice y otro
medio tomo en el otro vrtice; por consiguiente hay un tomo contenido en dicha direccin.
La relacin para el clculo es la siguiente:
Ejemplo 16

( ) cm
tomos
x
x direccin la de Longitud
direccin la en contenidos tomos de nmero
l
7
8
10 467 . 2
2 10 866 . 2
1
= = =

Por ltimo para calcular la fraccin de empaquetamiento lineal en la direccin, es decir; la
fraccin de la direccin verdaderamente cubierta por tomos, se multiplica la densidad lineal
por el dimetro del tomo correspondiente (dos veces el radio atmico en . m ); as:

612 . 0 1241 . 0 ) 2 ( 467 . 2 =
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
=
red de punto
m
m
red de puntos
Fe
l

El resultado indica que el 61% de la longitud de la direccin esta cubierta por tomos, y el
39% restante est vaca; por lo tanto los tomos no estn en contacto estrecho en esta
direccin.
Densidad y fraccin de empaquetamiento planar.

Se define la densidad planar como el nmero de tomos por unidad de superficie cuyo centro
est sobre el plano. La fraccin de empaquetamiento planar es el rea sobre dicho plano cubierta
por dichos tomos.

Calcule la densidad planar y el factor de empaquetamiento planar, para el magnesio HC;
que tiene como parmetro de red A a

2087 . 3
0
= y una altura A c
o

209 . 5 = , en el plano
| | 0 1 1 2 .

Respuesta: Se traza la celda hexagonal compacta, luego con los recprocos de las
coordenadas del plano, se obtienen las intersecciones del plano con los ejes; estos valores son:
= = = = c a a a , 1 , 1 ,
2
1
3 2 1

Es decir, el plano corta al eje
1
a en
2
1
, al eje
2
a en 1, al eje
3
a en 1 y es paralelo al eje c .

La figura ilustra tanto la celda como el plano. Observe que en
el plano, se muestran los tomos o puntos de red contenidos en
l.

Observe que no todos los tomos corresponden al plano, por
ejemplo; en los vrtices solo est contenido una cuarta parte del
tomo correspondiente, mientras en el lado derecho del plano
Ejemplo 17
existe uno. Note que este tomo, corresponde a uno de los tres tomos que forman el tringulo
equiltero interno en dicha celda. Esto quiere decir que el plano contiene un total de:

Nmero de tomos contenidos en el plano = ( ) 2 1
4
1
4 = + |
.
|
\
|

El rea del plano se calcula multiplicando la base por la altura, esto es: h x b A
p
=

La base del plano corresponde a la base de un tringulo issceles, como se ilustra en la
misma figura. ste tringulo tiene dos lados iguales, cuyo valor es
0
a y uno desigual cuyo
valor es desconocido; adems tiene dos ngulos de 30 y uno de 120.

Aplicando principios de geometra plana y trigonometra, se obtiene el valor desconocido,
el cual corresponde a la base del plano. Dicho valor es A b

557 . 5 = . As, el rea del plano es
( )( )
2 15 8 8
10 89 . 2 10 209 . 5 10 557 . 5 cm x x x A
p

= = .

Con el nmero de tomos contenidos en el plano y el rea del plano, se calcula la densidad
planar con la siguiente relacin:

2
14
15
10 92 . 6
10 89 . 2
2
cm
tomos
x
x plano del rea
plano el en contenidos tomos de Nmero
p
= = =

Para calcular la fraccin de empaquetamiento planar, es necesario considerar la geometra
del tomo como una esfera perfecta cuya rea es
2
r A
a
= . Puesto que el radio atmico es
1.604 A
, entonces el rea de un tomo es

2 16
10 08 . 8 cm x A
a
= . As, la fraccin de
empaquetamiento planar se calcula a travs de la relacin:

( )( )
56 . 0
10 89 . 2
10 08 . 8 2
15
16
= = =

x
x
plano del rea
tomos los ocupan que rea
Fe
p

Este valor indica que el 56% del rea del plano esta ocupada por tomos, mientras el 44%
esta vaca. Siendo este un plano donde los tomos no estn en contacto estrecho.

Note que el empaquetamiento en un plano nunca puede ser igual al 100%, porque an los
tomos estn juntos, estos dejarn siempre espacios vacos.

Adems es comn en la prctica, comparar las densidades lineales y planares de distintas
direcciones y planos; con el propsito de conocer cual de ellas es la ms compacta. Porque al
aplicar una fuerza en esa direccin o plano el material se deformar o deslizar, hasta fallar.

1.3.3 Notacin para direcciones y planos en la celda unitaria.

En el apartado anterior, se utiliz una notacin para representar a las direcciones y los
planos en la celda unitaria. Recordemos que para las direcciones representadas en tres ejes, la
notacin se indic | |
3 2 1
a a a , para cuatro ejes | | c a a a
3 2 1
. Asimismo los planos se
representaron con la notacin ( ) c a a a
3 2 1
, sin embargo esta notacin no resulta prctica. Para
simplificar el problema se ide una notacin abreviada para estos casos, conocida como los
ndices de Miller-Bravais.

1.3.4 Importancia de los ndices de Miller.

Es posible asignar una notacin abreviada para indicar direcciones y planos
cristalogrficos en la celda unitaria. Dicha notacin es conocida como los ndices de Miller-
Bravais, los cuales sustituyen a la notacin anterior.

Utilice la notacin | | l k h para indicar una direccin en un sistema coordenado de tres ejes.
En un sistema de cuatro ejes la notacin para una direccin es | | l i k h . En sistema de cuatro
ejes un plano se representa con la notacin ( ) l i k h . As:

| | l k h = | |
3 2 1
a a a

| | l i k h = | | c a a a
3 2 1

( ) l i k h = ( ) c a a a
3 2 1
; donde i k h = + .

Determine los ndices de Miller para las direcciones mostradas en la celda unitaria cbica,
que aparece en la figura.

Ejemplo 18
Respuesta:

Direccin A: El punto de la cola se resta del de la cabeza, y se obtiene; (0, 0, 1) (1, 0, 0) =
1 0 1

Estos valores se encierran entre corchetes, quedando la direccin representada por | | 1 0 1
. Observando que no hay fracciones que eliminar; los ndices de Miller que representan a la
direccin A, son | | | | 1 0 1 , , = l k h

Direccin B: ste mismo procedimiento se aplica para la direccin B, y se obtiene; (1, 0,
1) (1/2, 1, 0) = , . 1 , 1 As los ndices de Miller para esta direccin son | | 1 1
2
1
.
Eliminando fracciones se tiene finalmente, | | 1 , 2 , 2 que son los ndices de Miller de la
direccin B.

Determine los ndices de Miller para el plano mostrado en la figura.

Respuesta: Encontrando las intersecciones del plano con los ejes coordenados, se tiene; el
plano corta al eje x a una distancia de un parmetro de red, corta al eje y a una distancia de un
parmetro de red y es paralelo al eje z. Es decir:

x = 1, y = 1, z =

Enseguida se obtienen los recprocos de estas intersecciones, obtenindose los ndices de
Miller.

0 , 1 , 1 = = = l k h , encerrando entre parntesis, se obtienen finalmente los ndices de
Miller para el plano, como ( ) 0 , 1 , 1 . No hay fracciones que eliminar.

Ejemplo 19
Imperfecciones cristalinas.

En todos los materiales el arreglo de los tomos contiene imperfecciones. Estas ejercen un
efecto profundo respecto al comportamiento de los materiales, controlando dichas
imperfecciones cristalinas se pueden mejorar las propiedades mecnicas y fsicas y crear ms y
mejores materiales.

Las imperfecciones se clasifican en: defectos de punto, defectos lineales (dislocaciones), defectos de
superficie y defectos de volumen. Es oportuno aclarar que dichas imperfecciones slo representan
defectos en relacin con el arreglo atmico, y no con el material mismo. De hecho estos
defectos pudieran haber sido agregados intencionalmente con el propsito de obtener un
conjunto deseado de propiedades.

Los defectos de punto se clasifican a su vez en:

Vacancias, la cul se produce cuando falta un tomo en un sitio normal de la red o celda
unitaria.

Defectos intersticiales, cuando se inserta un tomo adicional en una posicin normalmente
desocupada dentro de la estructura cristalina.

Defectos sustitucionales, cuando se remplaza un tomo que ocupa una posicin normal en la
red, por otro de tipo distinto, grande o pequeo. S el tomo es grande, los tomos
circundantes se comprimen; s el tomo es pequeo, stos se tensionan.

El defecto Frenkel es un defecto vacancia- intersticio (slo en materiales inicos) formado
cuando un in que ocupa una posicin normal en la red, abandona dicha posicin para ocupar
un sitio intersticial, dejando detrs una vacancia.

El defecto Schottky (slo en materiales inicos) es un par de vacancias; donde a falta de un anin
debe faltar tambin un catin, con el propsito de asegurar la neutralidad elctrica del
material. Este defecto es comn en materiales cermicos.

Dislocaciones o defectos de lnea, hacen presencia en la red durante el proceso de solidificacin
del material o durante su deformacin. Este defecto explica la deformacin y el
endurecimiento en los materiales metlicos, aunque tambin esta presente en los materiales
cermicos y polmeros. Estas se clasifican en dislocaciones de tornillo, de borde y mixtas.

El proceso mediante el cul se mueve una dislocacin causando que se deforme un
material se conoce como deslizamiento. Cualquier tipo de dislocacin puede producir
deslizamiento en el material.

Cualquier defecto puntual altera el arreglo perfecto de la red, distorsionndola a partir
del defecto. Por lo consiguiente, cualquier dislocacin que se mueva a travs de las cercanas
de un defecto puntual, encontrar una red en la cul los tomos no estn en posiciones de
equilibrio.
Este hecho requiere que se aplique un esfuerzo mayor en el material para que la
dislocacin venza al defecto y ste pueda seguir su movimiento; incrementndose as, la
resistencia mecnica del material.

Los defectos superficiales son las fronteras o planos que separan un material en regiones o
zonas que tienen la misma estructura cristalina pero con orientaciones cristalogrficas
distintas.

Dichas regiones o zonas reciben el nombre de granos, las cuales tienen el mismo arreglo
atmico, siendo distinta su orientacin. Los granos estn separados por superficies estrechas
en las cuales los tomos no estn correctamente espaciados denominadas fronteras de grano. En
ellas los tomos pueden estar muy juntos o muy separados creando regiones o zonas de
compresin y tensin respectivamente.

Un mtodo para modificar las propiedades de un material es mediante el control del
tamao de grano. Un grano pequeo implica un mayor nmero de granos, y por ende un
mayor nmero de fronteras de grano y viceversa.

Si cualquier dislocacin se mueve una distancia corta en el interior de un material, se
encontrara enseguida con una frontera de grano la cul le impedir su movimiento,
incrementndose as la resistencia del material. Se puede controlar el tamao de grano a travs
de la solidificacin, la generacin de aleaciones y el tratamiento trmico.

Existe una tcnica conocida como microscopia ptica, la cul es utilizada para detectar
caractersticas microestructurales, como las fronteras de grano que requieren una ampliacin
menor a los 2000 aumentos.

El proceso para preparar una muestra de cierto metal para observar y registrar su
microestructura se conoce como metalografa.

El proceso consiste en lijar y pulir una muestra del material, hasta obtener un acabado
espejo en su superficie. Enseguida, sta se expone a un ataque qumico o grabado; por lo que
las fronteras de grano se disuelven en mayor grado que el resto de cada grano. Un rayo de luz
proveniente de un microscopio ptico se refleja o dispersa sobre la superficie de la muestra.

Dependiendo de la forma en que la superficie fue atacada qumicamente, la luz se dispersa
en mayor grado en las fronteras de grano que en el resto de muestra; apareciendo como lneas
oscuras.

Una forma mediante la cul se especifica el tamao de grano es el nmero de tamao de grano
ASTM (American Society Testing & materials), dado por la siguiente ecuacin:

1
2

=
n
N

Donde: N = Nmero de granos por pulgada cuadrada a partir de una fotografa tomada en una
ampliacin x 100.

n = ndice o tamao de grano. Un ndice grande indica que el material esta constituido por
muchos granos, es decir, los granos son muy pequeos y por lo tanto el material tiene una
resistencia mecnica alta.

Adems de las fronteras de grano, existen otros tipos de imperfecciones de superficie de
menor eficacia, como son los bordes de grano de ngulo pequeo, fallas de apilamiento y bordes de
macla, los cuales pueden ser consultados por el lector en cualquiera de las referencias
bibliogrficas recomendadas al final del captulo.

Los defectos de volumen son producidos durante la solidificacin, y se clasifican en
contraccin y porosidad gaseosa.

Durante la solidificacin el material se contrae y se encoge hasta en un 7% de su volumen
produciendo cavidades, si la contraccin se inicia en la superficie del material.

S una de las superficies se solidifica ms lentamente que las dems, entonces la
contraccin aparece en forma de rechupe.

Es posible controlar la formacin de cavidades y rechupes mediante la tcnica del rebosadero,
la cul consiste en una reserva de metal lquido conectada a la fundicin. Conforme el metal
solidifica y se contrae, fluye metal lquido del rebosadero hacia la fundicin, con el propsito
de llenar el hueco reducido por la contraccin.

La porosidad gaseosa consiste en la disolucin de gases cuando el metal se encuentra en
estado lquido. Es decir, muchos metales tienen la capacidad de permitir la incorporacin de
ciertos gases en solucin. Sin embargo, al solidificarse slo una fraccin de ellos queda
atrapada en su estructura cristalina. La parte excedente queda atrapada en el metal slido
produciendo el defecto de porosidad gaseosa.

Existen diversas formas de controlar la porosidad gaseosa en fundiciones, y son:

- Mantener baja la temperatura del lquido.
- Agregar material al lquido para que se combine con dicho gas formando un slido.
- Mantener baja la presin parcial de dicho gas.

Resumen

Es de importancia notar que las propiedades fsicas, mecnicas y qumicas de los
materiales dependen de los cuatro niveles estructurales, sin embargo la estructura cristalina
ejerce una gran influencia sobre las propiedades mecnicas. La estructura cristalina de los
materiales se resume en catorce tipos de celdas unitarias, o redes de Bravais, agrupadas en
siete sistemas cristalinos. La mayora de los materiales tecnolgicos tienen estructuras del
tipo cbica y hexagonal. Las direcciones y planos compactos en la celda unitaria permiten
conocer si el material se deforma con facilidad o si es altamente resistente. Dichas direcciones
y planos se representan mediante los ndices de Miller-Bravais en coordenadas de tres y
cuatro ejes. El control de las imperfecciones cristalinas permite mejorar las propiedades del
material.
Ejercicios.

1. Calcule el radio atmico en cm. Para un metal CCC., con un parmetro de red de 3.5161 A

y con un tomo por punto de red. De que metal se trata?

2. La densidad del litio que tiene una estructura CC. y un tomo por punto de red es de 6.94
gm/cm
3
. Calcule el parmetro de red y el radio atmico del litio.

3. El bismuto tiene una estructura hexagonal, con m a 4546 . 0
0
= y . 186 . 1 m c
o
= La
densidad es de 9.808 gm/cm
3
. Determine: a) el volumen de la celda unitaria, b) cuantos
tomos existen en cada celda unitaria.

4. Por encima de los 912 C, el hierro tiene una estructura cristalina CCC; con a
o
= 0.3589
m . Por debajo de esta temperatura tiene una estructura CC, con a
o
= 0.2866 m . a)
Determine el porcentaje de cambio en volumen cuando el hierro CC se transforma en
hierro CCC. b) Se trata de una contraccin o de una expansin?

5. Una lmina de cobre tiene un espesor de 3 mm. S todas las celdas unitarias del cobre
estn organizadas de manera que
0
a es perpendicular a la superficie de la lmina.
Determine: a) el nmero de celdas unitarias en la lmina, b) el espesor de la misma en
funcin de celdas unitarias.

6. Dados los siguientes ndices de Miller, trace las direcciones en una celda cbica.

| | 1 0 1 , | | 0 1 0 , | | 2 2 1 , | | 3 1 2 , | | 2 1 3

7. Dados los siguientes ndices de Miller, trace las direcciones en una celda hexagonal
compacta.

| | 0 1 1 0 , | | 0 2 1 1 , | | 1 2 1 1 , | | 0 1 0 1 , | | 0 1 1 2

8. Obtenga los ndices de Miller para las direcciones ilustradas en la celda cbica unitaria,
mostrada en la figura.

9. Obtenga los ndices de Miller para los planos ilustrados en la celda cbica unitaria, mostrada
en la figura.

Problema 8 Problema 9
10. Obtenga los ndices de Miller para las direcciones ilustradas en la celda hexagonal compacta,

11. Obtenga los ndices de Miller para los planos ilustrados en la celda hexagonal compacta,

12. Determine la distancia de repeticin, la densidad lineal, y la fraccin de empaquetamiento
para el aluminio CCC., que tiene un parmetro de red de 0.4049 . m en las siguientes
direcciones: | | | |, 0 1 1 , 0 0 1 y | | 1 1 1 . Cul de estas direcciones es la ms compacta?

13. Determine la densidad planar y la fraccin de empaquetamiento para el hierro CC., en los
planos ( ) ( ), 0 1 1 , 0 0 1 y ( ) 1 1 1 . Cul de estos planos es el ms compacto?

14. Determine la densidad planar y la fraccin de empaquetamiento para el zinc HC., en los
planos ( ) ( ), 0 0 1 1 , 1 0 0 0 y ( ) 2 2 1 1 . Cul de estos planos es el ms compacto?

15. Determine la distancia de repeticin, la densidad lineal, y la fraccin de empaquetamiento
para el magnesio HC., que tiene un parmetro de red de 0.32087 . m y una altura de
0.5209 . m en las siguientes direcciones: | | | |, 0 1 1 , 0 0 1 y | | 1 1 1 . Cul de estas
direcciones es la ms compacta?

16. Suponga que se cuentan 20 granos por pulgada cuadrada en una fotomicrografa tomada en
una ampliacin x 100 de un metal. Determine el ndice de tamao de grano.

17. Suponga que se cuentan 18 granos por pulgada cuadrada en una fotomicrografa tomada en
una ampliacin x 250 de un metal. Determine el ndice de tamao de grano.

18. Haga una investigacin documental referente a las estructuras cristalinas complejas

19. Establezca la diferencia entre un material anisotrpico y uno isotrpico.

Problema 10 Problema 11
20. Mediante principios bsicos demuestre que la distancia entre dos planos de tomos
paralelos adyacentes, con los mismos ndices de Miller denominada distancia interplanar
( )
hkl
d , para los cristales cbicos; est dada por la expresin:

2 2 2
0
l k h
a
d
hkl
+ +
=

Donde
o
a es el parmetro de red y l k h , , son los ndices de Miller de los planos adyacentes
considerados.

Referencias.

Donald R. Askeland, Ciencia e Ingeniera de los Materiales, Internacional Thomsom, 1998.
Schaffer-Saxena-Antolovich-Sanders-Warner, Ciencia y Diseo de Materiales para Ing., CECSA, 1999.
Novelo Coral Ramn, Apuntes de clase, 2003.
Meter A. Thornton &Vito J.Colangelo, Ciencia de materiales para Ingeniera, Prentice-Hall, 1987.
Van Vlack, Materiales para Ingeniera, CECSA, 1985.

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RNC 20 Propiedades de los Materiales I

, entonces el rea de un tomo es

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