Ensenanza pr ctica de electronica de a componentes

Raul Alcaraz Martnez, C sar S nchez Mel ndez e a e Septiembre 2009

 Indice

1. El Diodo Recticador 1.1. C lculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 1.2. Simulacion en Pspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3. Desarrollo de la pr ctica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 2. Diodos Z ner, Leds y Fotodiodos e 2.1. C lculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 2.2. Simulacion en Pspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3. Desarrollo de la pr ctica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 3. Fuente de Alimentacion 3.1. C lculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 3.2. Simulacion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3. Desarrollo de la pr ctica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 4. Transistor Bipolar (I) 4.1. C lculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 4.2. Simulacion en Pspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3. Desarrollo de la pr ctica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 5. Transistor Bipolar (II) 5.1. C lculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 5.2. Simulacion en Pspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.3. Desarrollo de la pr ctica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a

7 8 9 10 13 14 15 16 19 20 21 22 23 24 24 26 29 30 30 31

NDICE I

6. Transistor Unipolar 6.1. C lculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 6.2. Simulacion en Pspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.3. Desarrollo de la pr ctica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 7. Diseno de un Amplicador 7.1. Diseno . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.2. Simulacion con Pspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.3. Medidas en el laboratorio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A. Ejemplo de Resolucion de una Pr ctica a A.1. C lculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a A.2. Simulacion en Pspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.3. Desarrollo de la pr ctica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a

35 36 36 38 41 42 42 43 45 46 49 52

 Indice de Figuras

1.1. Circuitos de polarizacion de un diodo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2. Circuito recortador a dos niveles. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3. Circuito jador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.1. Circuito con un diodo z ner. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . e 2.2. Circuito estabilizador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3. Circuito con un LED. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4. Circuito con un optoacoplador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5. Modicacion del modelo del diodo z ner gen rico incluido en la version e e de estudiante de Pspice. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1. Etapa de recticacion conectada al transformador. . . . . . . . . . . . . . 3.2. Fuente de alimentacion sin regulador de tension. . . . . . . . . . . . . . . 3.3. Fuente de alimentacion completa. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.1. Circuito b sico de polarizacion en un transistor NPN. . . . . . . . . . . . a 4.2. Circuito b sico de autopolarizacion en un transistor NPN. . . . . . . . . a 4.3. Circuito polarizacion en un transistor NPN. . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.1. Circuito b sico de polarizacion para la obtencion de la caracterstica de a salida de un transistor NPN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.2. Circuito b sico de polarizacion para la comprobacion de las zonas de a funcionamiento de un transistor NPN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.3. Funcionamiento de un transistor NPN como interruptor. . . . . . . . . . 5.4. Funcionamiento de un transistor NPN como fuente de corriente. . . . .

8 9 9 14 14 15 15 16 20 20 21 25 25 26

32 32 33 34

NDICE DE FIGURAS I

6.1. Circuito b sico de polarizacion en un transistor unipolar JFET canal N. . a

37

6.2. Funcionamiento de un transistor unipolar JFET canal N como interruptor. 37 6.3. Funcionamiento de un transistor unipolar JFET canal N como interrup tor controlado por tension. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.1. Circuito de polarizacion de un transistor bipolar. . . . . . . . . . . . . . . A.2. Simplicacion del circuito de la Fig. A.1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38 47 48

A.3. Resultado de editar el modelo (en formato texto) del transistor Q2N2222. 49 A.4. Esquem tico en Pspice correspondiente al circuito de la Fig. A.1. . . . . . a A.5. Valores de tension obtenidos por PSpice tras el an lisis del punto de a polarizacion. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.6. Valores de corriente obtenidos por PSpice tras el an lisis del punto de a polarizacion. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.7. Patillaje correspondiente al transistor 2N2222 obtenido a partir de sus hojas de caractersticas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.8. Detalle del encapsulado del transistor 2N2222 y medicion del valor con polmetro. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.9. Montaje en laboratorio del circuito de la Fig. A.1. Detalle de conexiones. A.10.Detalle de medicion de tension base-emisor en laboratorio. . . . . . . . . A.11.Detalle de medicion de tension colector-emisor en laboratorio. . . . . . . A.12.Detalle de medicion de tension colector-base en laboratorio. . . . . . . . A.13.Detalle de medicion de tension en bornas de la resistencia de emisor en laboratorio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.14.Detalle de medicion de tension en bornas de la resistencia de colector en laboratorio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.15.Detalle de medicion de tension en bornas de la resistencia de 39k en laboratorio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.16.Detalle de medicion de tension en bornas de la resistencia de 4.7k en laboratorio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 50 51 52 53 53 54 54 55 56 56 57 57

 Practica

El Diodo Recticador
1.1. C lculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 1.2. Simulacion en Pspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3. Desarrollo de la pr ctica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 8 9 10

Objetivos En las proximas dos practicas se pretende conocer el comportamiento de los dis positivos semiconductores basicos: diodos recticadores, diodos zener y diodos leds. Por lo que se recomienda al alumno que repase la parte teorica correspondiente a diodos. En el transcurso de esta practica se estudiaran los diodos recticadores y se de bera: Identicar una serie de diodos, as como obtener algunos de sus parametros mas importante, utilizando para ello los catalogos disponibles. Obtener la curva que dene el comportamiento de un diodo. Montar y vericar el funcionamiento de una serie de circuitos basicos, tal como el recortador a dos niveles y el jador de nivel.

E LECTR ONICA I

1.1.

C lculos teoricos a

Antes de realizar las medidas pr cticas en el laboratorio se deben resolver los sia guientes ejercicios teoricos. 1. Buscar en los cat logos de los fabricantes, los cuales se pueden obtener desde a internet, las caractersticas principales (aplicacion o tipo, corriente m xima en a directa y corriente m xima en inversa) de cuatro diodos diferentes. a 2. En los dos circitos de la Fig. 1.1, si E vale 2 V : a) Calcular la tension que cae en el diodo y la corriente que circula a trav s de e el. b) Como est polarizado el diodo en cada circuito?. a

Figura 1.1. Circuitos de polarizacion de un diodo.

3. En el circuito de la Fig. 1.1(a), calcular el valor de la corriente que circula a trav s e del diodo para los casos en que la fuente de entrada E est a 0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, a 0.5, 0.6, 0.8 y 1 V . 4. En el circuto de la Fig. 1.1(b), calcular el valor de la corriente que circula a trav s e del diodo para los casos en que la fuente de entrada E est a 0, 0.5, 1, 2, 3, y 4 V . a 5. Representar la corriente que circula por el dido en funcion de la tension de la fuente de entrada E a partir de los datos calculados en los dos puntos anterio res. Puesto que la resistencia tiene un valor muy pequeno, esta gr ca se puede a considerar como la funcion caracterstica tensioncorriente del diodo. 6. El circuito de la Fig. 1.2 es un circuito recortador a dos niveles. Obtener: a) Su funcion de transferencia, es decir, la variacion de la tension de salida vs en funcion de la tension de entrada ve . b) La representacion temporal de vs si ve es una senal triangular de 1 kHz de frecuencia y 16 Vpp de amplitud.

 P R A CTICA 1. E L D IODO R ECTIFICADOR

1K

+ ve

D1 5V

D2 2V

vs

Figura 1.2. Circuito recortador a dos niveles.

7. En el cirucito de la Fig. 1.3, el cual es un jador de nivel: a) Explique detalladamente el funcionamiento del circuito. b) Dibuje vs cuando ve es una senal sinusoidal de 1 kHz de frecuenca y 5 Vpp de amplitud, y el condesador C tiene un valor de 0.56 nF . c) Repita el punto anterior cuando C vale 1 F .

Figura 1.3. Circuito jador.

1.2.

Simulacion en Pspice

En esta seccion se simular n los ejercicios analizados teoricamente en la seccion a anterior. La memoria de esta parte de la pr ctica se debe completar con capturas de los a esquem ticos realizados y las gr cas obtenidas con Pspice. a a 1. Simule independientemente los circuitos de la Fig. 1.1, e indique el valor de ten sion que cae en el diodo y la corriente que lo atraviesa en cada uno de ellos. El diodo que se emplear en la realizacion pr ctica ser el 1N4007. a a a 2. Simule el circuito de la Fig. 1.1(a) e indique el valor de la corriente que circula a trav s del diodo para los siguientes valores de E: 0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.8 y e 1 V.

10

E LECTR ONICA I

3. Simule el circuito de la Fig. 1.1(b), e indique el valor de la corriente que circula a trav s del diodo para los siguientes valores de E: 0, 0.5, 1, 2, 3 y 4 V. e 4. Eligiendo el adecaudo an lisis de simulacion obtener la caracterstica tension a corriente del diodo en el circuito de la Fig. 1.1(a). 5. Simule el circuito de la Fig. 1.2, y obtenga la variacion temporal de vs cuando ve es una senal triangular de 1 kHz y 16 Vpp . 6. Simule el circuito de la Fig. 1.3, y obtenga la variacion temporal de vs cuando ve es una senal sinusoidal de 1 kHz y 5 Vpp y: a) C vale 0.56 nF . b) C vale 1 F .

1.3.

Desarrollo de la pr ctica a

En esta seccion se analizar n en el laboratorio los circuitos estudiados teoricamente a y mediante simulacion en los apartados anteriores. 1. Una vez que ha comprobado en las hojas de caractersticas cuales son las limi taciones el ctricas del diodo 1N4007, conecte ambos terminales del diodo a las e puntas de prueba del multmetro y compruebe con cual de las dos combinaciones posibles se obtiene lectura distinta de rebosamiento. En esta posicion, el terminar conectado al COMUN del multmetro es el c todo. Compruebe que uno de los a dos extremos est marcado, y es el c todo. Adem s: a a a a) Monte el circuito de la Fig. 1.1(a) y ajuste la tension de la fuente a 2 V . Mida la tension entre anodo y c todo del diodo y la corriente que circula a trav s a e de el. b) Monte el circuito de la Fig. 1.1(b) y ajuste la tension de la fuente a 2 V . Mida la tension entre anodo y c todo del diodo y la corriente que circula a trav s a e de el. c) Compare los resultados con los obtenidos en los puntos correspondientes de las dos secciones anteriores. Comente a qu se deben las diferencias encone tradas, si es que las hay. 2. En este apartado se obtendr n varios puntos de la caracterstica tensioncorriente a del 1N4007 polarizado en directa. Para ello, se debe montar el circuito de la Fig. 1.1(a) y colocar el ampermetro en serie con el diodo. Una vez hecho esto, se debe ajustar la fuente de entrada E a 0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.8 y 1 V y anotar la corriente que circuila por el amperim tro en cada caso. e Compare estos resultados con los obtenidos en los puntos correspondientes de las dos secciones anteriores. Comente a qu se deben las diferencias encontradas, e si es que las hay.

 P R A CTICA 1. E L D IODO R ECTIFICADOR

11

3. Para medir puntos de la caracterstica tensioncorriente del diodo polarizado en inversa, se debe realizar el montaje de la Fig. 1.1(b). Al igual que en el caso anterior colocar el amperimetro en serie con el diodo, ajustar la fuente E a 0, 0.5, 1, 2, 3, y 4 V y anotar la corriente que circula por el amperimetro en cada caso. Compare estos resultados con los obtenidos en los puntos correspondientes de las dos secciones anteriores. Comente a qu se deben las diferencias encontradas, e si es que las hay. 4. A partir de los datos obtenidos en los dos apartados anteriores, obtener la gr ca a de tensioncorriente del diodo. Qu diferencias hay con respecto a la obtenida e teoricamente y a la simulada? A qu se deben?. e 5. Realice el montaje de la Fig. 1.2 alimentando el circuito con una forma de onda triangular de 1 KHz, reduzca su amplitud hasta el valor mnimo que sumistra el generador de funciones (tener en cuenta las atenuaciones de -20 y -40 dB), y: a) Conecte el canal A del osciloscopio a la senal de entrada y el canal B a la salida, y vaya aumentado lentamente la amplitud de la senal de entrada comparando la forma de onda en la entrada y en la salida, y anote los va lores de tension en los que se producen diferencias signicativas. Adem s, a represente la senal de entrada y la de salida en una sola gr ca indicando a claramente todos los valores signicativos. b) Vare la frecuencia de la senal de entrada y compruebe que la forma de onda de la salida no depende de esta (a elevadas frecuencias aparecen los efectos debidos a las capacidades internas de los diodos). c) Seleccione otras formas de onda en la entrada y comp relas con las obtenia das en la salida. d) Compare la senal de salida obtenida en el apartado a) con las obtenidas teoricamente y mediante simulacion. Indique a qu se deben las diferencias, e si es que se encuentran. 6. Realice el montaje de la Fig. 1.3 en el que la resistencia de carga ser el mismo osa ciloscopio. Alimente el circuito con una senal sinusoidal de 1 KHz de frecuencia y 5 Vpp de amplitud, visualice en el osciloscopio las senales de entrada (canal A) y de salida (canal B), y: a) Represente ambas formas de onda para un valor de C de 0.56 nF y 1 F . Establezca la inuencia del valor del condensador en la onda de salida del circuito. b) Seleccione otros tipos de onda y compare las senales de entrada y salida. c) Compare estos resultados con los obtenidos teoricamente y mediante simu lacion. Indique a qu se deben las diferencias, si es que se encuentran. e

 Practica

Diodos Z ner, Leds y Fotodiodos e

2.1. C lculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 2.2. Simulacion en Pspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3. Desarrollo de la pr ctica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 14 15 16

Objetivos En esta practica se continua estudiando experimentalmente el comportamiento de los diodos. Si en la anterior practica se estudiaron los diodos recticadores, en esta se analizaran los diodos Zener, diodos LEDs y fotodiodos. Los objetivos principales de esta practica son: Determinar experimentalmente la caracterstica inversa de un diodo Zener. Comprobar el funcionamiento de un estabilizador de tension con un diodo Zener. Averiguar la relacion entre la corriente y la intensidad de brillo de un diodo LED y disenar un circuito para utilizar el LED como indicador. Comprobar el funcionamiento de un optoacoplador.

14

E LECTR ONICA I

2.1.

C lculos teoricos a

Antes de realizar las medidas pr cticas en el laboratorio se deben resolver los sia guientes ejercicios teoricos. 1. En el circuito de la Fig. 2.1, sabiendo que la tension umbral del z ner es de 12 V , e obtener: a) La corriente que circula a trav s del diodo z ner cuando la fuente de entrada e e E presenta valores de 0, 2, 4, 7, 11, 12, 13 y 14 V . b) La tension que debera tener la fuente de entrada E para que la corriente que circule por el z ner sea de 2, 5, 10, 20, y 25 mA. e c) Representar la corriente que circula por el dido z ner en funcion de la tene sion de la fuente de entrada E a partir de los datos calculados en los dos pun tos anteriores. Puesto que la resistencia tiene un valor muy pequeno, esta gr ca se puede considerar como la funcion caracterstica tensioncorriente a del diodo z ner. e

Figura 2.1. Circuito con un diodo zener.

2. El circuito de la Fig. 2.2 es un estabilizador de tension, Considerando que el z ner e tiene una tension umbral de 12 V, calcular:

Figura 2.2. Circuito estabilizador.

 P R A CTICA 2. D IODOS Z E NER , L EDS Y F OTODIODOS

15

a) La tension que cae en el z ner y la corriente que circula a trav s de el cuando e e la fuente de entrada E vale 8, 12, 14 y 15 V . b) Con cada uno de estos valores de tension de entrada, se produce estabili zacion a la salida?. 3. En el circuito de la Fig. 2.3 calcular el valor mnimo que debera tener la resis tencia R para que el diodo LED no se queme. Considerar que en el LED, cuando est polarizado en directa, caen 1.5 V y que la intensidad m xima que puede a a soportar es de 25 mA.

Figura 2.3. Circuito con un LED.

4. El circuito de la Fig. 2.4 representa un montaje tpico con un optoacoplador. Ex plicar cualitativamente, es decir, sin caclular valores, como variar la tension de a salida Vs del caso en que se introduzca un objeto opaco entre el LED y el fotodiodo a cuando dicho objeto no se introduzca.

Figura 2.4. Circuito con un optoacoplador.

2.2.

Simulacion en Pspice

En esta seccion se simular n los ejercicios analizados teoricamente en la seccion a anterior. La memoria de esta parte de la pr ctica se debe completar con capturas de los a

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E LECTR ONICA I

esquem ticos realizados y las gr cas obtenidas con Pspice. a a 1. Simule el circuito de la Fig. 2.1 y obtenga el valor de corriente que circula a trav s e del z ner cuando la E vale 0, 2, 4, 7, 11, 12, 13 y 14V . El diodo z ner que se e e emplear en el laboratorio ser el BZX55C12 de 12 V . Puesto que este diodo no se a a encuentra disponible en la version de estudiante de Pspice, se emplear el diodo a z ner gen rico (DbreakZ). Para conseguir que este diodo tenga una tension de e e ruptura de 12 V se tiene que editar el modelo (Edit /Model ... / Edit Instance Model (Text) ...) y anadir el par metro BV = 12 tal como se muestra en la Fig. 2.5. a

Figura 2.5. Modicacion del modelo del diodo zener generico incluido en la version de estudiante de Pspice.

2. Eligiendo adecuadamente el an lisis de simulacion obtener la caracterstica tena sioncorriente del diodo z ner en el circuito de la Fig. 2.1. e 3. Simule el circuito de la Fig. 2.2 y obtenga la tension que cae en el diodo z ner y e la corriente que lo atraviesa cuando E vale 8, 12, 14 y 15 V . Para qu valores de e E se produce estabilizacion?

2.3.

Desarrollo de la pr ctica a

En esta seccion se analizar n en el laboratorio los circuitos estudiados teoricamente a y mediante simulacion en los apartados anteriores. 1. Se montar el circuito de la Fig. 2.1 con la fuente de alimentacion ajustada a 0 V a y se ir ajustando a 0, 2, 4, 7, 11, 12, 13 y 14 V, midiendo los valores de corriente a

 P R A CTICA 2. D IODOS Z E NER , L EDS Y F OTODIODOS

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que atraviesan al z ner (integrado BZX55C12). Para no quemar el diodo se debe e limitar la corriente m xima de la fuente al valor m ximo que puede soportar, el a a cual ser : a 0,5W Pz = = 41,67mA (2.1) Izmax = Vz 12 Se observan diferencias entre los valores medidos y los obtendios teoricamente y mediante simulacion? A qu se deben?. e 2. Con el mismo montaje que en el punto anterior y ajustando nuevamente la ten sion de la fuente a 0 V , esta se ir aumentando hasta conseguir que la intensidad a que circula por el z ner sea de 2, 5, 10, 20, 25 mA. Anotar los valores de la fuene te de entrada en cada caso. Se aprecian diferencias con los valores calculados teoricamente y los obtenidos mediante simulacion? A qu son debidas?. e 3. A partir de los datos obtenidos en los dos apartados anteriores, obtener la gr a ca de tensioncorriente del diodo z ner. Qu diferencias hay con respecto a la e e obtenida teoricamente y a la simulada? A qu se deben?. e 4. Se montar el circuito estabilizador de la Fig. 2.2 ajustando la fuente de alimena tacion a 0 V. Despu s se ajustar la fuente de entrada a 8, 12, 14 y 15 V. Cu nto e a a vale la tension en el z ner y la corriente que lo atraviesa en cada caso? Existen e diferencias entre los valores medidos y los calculados teoricamente o simulados en Pspice? A qu se podran deber?. e 5. Se montar el circuito de la Fig. 2.3 con la fuente de alimentacion ajustada a 0 V a (recuerde que el c todo del LED es el terminal m s corto). Se limitar la corriente a a a del circuito a 25 mA, que es la corriente m xima que soporta el diodo. No supere a jam s esa corriente. Compruebe que un aumento de corriente corresponde con un a incremento del brillo del LED. Cu l crees que es el valor optimo de la corriente a que produciendo un brillo sucientemente visible en el diodo es economico des de el punto de vista de la carga que supone para la fuente de alimentacion? Tenga en cuenta que el diodo debe ser util como dispositivo indicador en amplias con diciones de iluminacion ambiental. Cu nto vale, es esas condiciones, la tension a en el diodo? Por qu no es de 0.7 V? e 6. Tras localizar el emisor (E) y detector (D) del optoacoplador (integrado con refe rencia TCST2000), se montar el circuito de la Fig. 2.4 y se medir la tension de a a salida. Introduzca un objeto opaco (una moneda, por ejemplo) en la ranura del optoacoplador. Cu nto vale ahora la tension de salida? Coinciden las variacioa nes de tension de un caso a otro con las explicaciones teoricas que indico en la seccion 2?.

 Practica

Fuente de Alimentacion
3.1. C lculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 3.2. Simulacion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3. Desarrollo de la pr ctica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 20 21 22

Objetivos En esta practica se montara una fuente de alimentacion, realizando las medidas oportunas en cada uno de los pasos en que se va a dividir su montaje. Los objetivos principales de esta practica son: Comprobar el funcionamiento de transformador reductor. Analizar una etapa de recticacion de onda completa. Estudiar el efecto de ltrado producido por un condensador. Analizar el funcionamiento de un estabilizador de tension. Conseguir una fuente de alimentacion de tension continua de 8 V.

20

E LECTR ONICA I

3.1.

C lculos teoricos a

Antes de realizar las medidas pr cticas en el laboratorio se deben resolver los sia guientes ejercicios teoricos. 1. Dibujar la forma de onda de la salida de un transformador reductor 220/12 V si la entrada es la tension de la red el ctrica. Caracterizar completamente esta onda e indicando su tension de pico, su frecuencia, y su valor medio. 2. Si al transformador anterior conectado a la red el ctrica se le anade una etapa de e recticacion como la mostrada en la Fig. 3.1, dibujar la forma de onda a la salida del recticador Vs indicando su valor de pico, su frecuencia y su valor medio.

Figura 3.1. Etapa de recticacion conectada al transformador.

3. En el circuito de la Fig. 3.2 se ha anadido un condensador para realizar una fun cion de ltrado y obtener una senal lo m s continua posible. Para los valores a del condensador C de 22 nF, 3.3 F y 22 F, calcular la tension de rizado que tendr la forma de onda que se obtendra sobre el condensador cuando la resisa tencia de carga (RL ) es de 3.9 k. Adem s, dibujar esta forma de onda, indicando a sus valores extremos as como su frecuencia aproximada y su valor medio para cada uno de los condensadores indicados.

Figura 3.2. Fuente de alimentacion sin regulador de tension.

 P R A CTICA 3. F UENTE DE A LIMENTACI ON

21

4. Empleando el condesador de 22 F y anadiendo una ultima etapa de estabiliza cion, tal como muestra la Fig. 3.3, dibujar la forma de onda de la tension de salida cuando la resistencia de carga RL vale 150, 560, 1500, 2200, y 3900 . Indicar cla ramente la amplitud y la frecuencia de cada senal.

7812

Figura 3.3. Fuente de alimentacion completa.

3.2.

Simulacion

En esta seccion se simular la fuente de alimentacion analizada teoricamente en a 1 la seccion anterior empleando el software FA.exe . La memoria de esta parte de la pr ctica se debe completar con la captura del esquem tico realizado y las gr cas oba a a tenidas con el software indicado. En primer lugar, elegir una fuente de alimentacion similar a la mostrada en la Fig. 3.3, y ajustar los valores correspondientes a los indicados en la misma. Posteriormente, ver en el osciloscopio (simulador): 1. La forma de onda despu s del secundario. Indicar claramente su amplitud de e pico, su frecuencia y su valor medio, considerando la RL =3.9 k. 2. La forma de onda a la salida del recticador. Indicar claramente su amplitud de pico, su frecuencia, y su valor medio, considerando la RL =3.9 k. 3. La forma de onda despu s del condensador, cuando este tiene valores de 22 nF, e 3.3 F y 22 F. Indicar claramente cu l es la tension de rizado en cada caso. a 4. La forma de onda despu s del regulador de tension cuando la resistencia de carga e tiene valores de 150, 560, 1500, 2200, y 3900 . Indicar claramente la amplitud de la senal, su frecuencia y su valor medio.
1

Este software est disponible en moodle. a

22

E LECTR ONICA I

3.3.

Desarrollo de la pr ctica a

En esta seccion se analizar en el laboratorio la fuente de alimentacion estudiada a teoricamente y mediante simulacion en los apartados anteriores. 1. La primera etapa de la fuente pretende cambiar el nivel de la senal de entrada al nivel requerido. Esta etapa se realiza por medio de un transformador, en este caso ser necesario uno de 220/12 V, 1 A. La tension de entrada ser la de la a a red, por lo que se recomienda m xima precaucion al conectar el transformador y a durante todo el desarrollo de la pr ctica. No se debe intentar medir la tension de a entrada del transformador con el osciloscopio. Se debe dibujar la senal de salida del transformador sin carga, indicando su valor de pico, su frecuencia, y su valor medio. Existen diferencias con las ondas obtenidas teoricamente y mediante simula cion? A qu se deben?. e 2. Se pretende, a partir de una onda senoidal de entrada, de valor medio nulo, obtener una salida unipolar, con una componente continua no nula. En la fuente que se est implementando se utiliza un recticador de onda completa tal como se a muestra en la Fig. 3.1. Montar este circuito y representar la senal a la salida del puente de diodos (integrado B250C1500) con una resistencia de carga RL de 3.9 k. Indicar claramente su amplitud de pico, su frecuencia y su valor medio. Existen diferencias con las formas de onda calculadas teoricamente y mediante simulacion? A qu se deben?. e 3. Para obtener una senal lo m s continua posible se puede colocar un condensador a en paralelo con la carga tal como muestra la Fig. 3.2. Sin embargo, la senal de salida tendr un rizado que depender del valor del condensador empleado. Montar a a el circuito y representar el rizado obtenido para valores del condesador C de 22 nF, 3.3 F y 22 F siendo RL = 3.9 k. Indicar claramente el valor de la tension de rizado, sus valores extremos, su valor medio y su frecuencia aproximada. Se encuentras diferencias con los valores obtenidos teoricamente y mediante si mulacion? A qu se deben?. e 4. Por ultimo, para que la tension de salida permanezca constante se emplear un a regulador, en este caso el 7812. Se conectar tal como aparece en la Fig. 3.3. Mona tar este circuito empleando un condensador de valor C 22 F, y representar la senal de salida cuando la resistencia de carga RL tiene valores de 150, 560, 1500, 2200 y 3900 . Indicar claramente el valor de la senal obtenida, su frecuencia y su valor medio. Existen diferencias con las formas de onda calculadas teoricamente y mediante simulacion? A qu se deben?. e

 Practica

Transistor Bipolar (I). Polarizacion

4.1. C lculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 4.2. Simulacion en Pspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3. Desarrollo de la pr ctica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 24 24 26

Objetivos El transistor se utiliza principalmente en amplicacion y como elemento de conmu tacion, siendo imprescindible para ambas aplicaciones el estudio de la polarizacion del transistor en las diferentes zonas de trabajo. En esta practica se observaran y ob tendran las caractersticas del transistor en las distintas zonas de trabajo, introducien do las aplicaciones fundamentales para su uso en proximas practicas. Se pretende que el alumno distinga las diferentes zonas de funcionamiento y observe las peculiaridades de cada una de ellas.

24

E LECTR ONICA I

4.1.

C lculos teoricos a

Antes de realizar las medidas pr cticas en el laboratorio se deben resolver los sia guientes ejercicios y cuestiones teoricas. 1. Buscar en los cat logos de los fabricantes, los cuales se pueden obtener desde ina ternet, las caractersticas principales (aplicacion o tipo, tension base emisor en po larizacion, valor tpico de , patillaje, etc..) de los transistores Q2N222, Q2N3904, Q2N3906 y BC556. a 2. Viendo la ecuacion b sica de funcionamiento del transistor bipolar en zona activa Qu debemos controlar para jar la corriente de colector? e 3. Suponiendo una conguracion en emisor comun, con circuito autopolarizado, en cu l de los siguientes casos se obtiene el valor m s grande de IC ?: a a a) activa directa b) saturacion c) corte d) activa inversa e) ninguna de las anteriores 4. En el circuito b sico de polarizacion de la Fig. 4.1, determine el punto de trabajo a del transistor supuesto un valor de V1 de 0, 2, 3 y 5 voltios. Suponga un valor de = 250, VBEon = 0,7V y VCEsat = 0,2V . 5. En los circuitos de autopolarizacion de las Fig. 4.2 y Fig. 4.3, determine el punto de trabajo de los transistores suponiendo, en todos los casos, un valor de = 250, VBEon = 0,7V y VCEsat = 0,2V . 6. Considerando un valor de R2 = 1500, vuelva a calcular el punto de trabajo del circuito de la Fig. 4.2, manteniendo el resto de componentes y par metros en sus a valores originales.

4.2.

Simulacion en Pspice

En esta seccion se simular n los ejercicios analizados teoricamente en la seccion a anterior. La memoria de esta parte de la pr ctica se debe completar con capturas de los a esquem ticos realizados y las gr cas obtenidas con Pspice. a a 1. Simule el circuito de la Fig. 4.1 suponiendo un valor de V1 de 0, 2, 3 y 5 voltios, e indique los valores de tension VBE y VCE y los valores de corriente IB , IE e IC . El

 P R A CTICA 4. T RANSISTOR B IPOLAR (I)

25

Figura 4.1. Circuito basico de polarizacion en un transistor NPN.

Figura 4.2. Circuito basico de autopolarizacion en un transistor NPN.

26

E LECTR ONICA I

RC

820
+
12v

RE 180

Figura 4.3. Circuito polarizacion en un transistor NPN.

transistor utilizado ser el Q2N2222. Supuesta una senal de entrada cuadrada de a nivel bajo 0 V, nivel alto 5 V y frecuencia 1 kHz, obtenga la senal entre colector y emisor. 2. Simule los circuitos de las Fig. 4.2 y Fig. 4.3 indicando los valores de tension VBE y VCE y los valores de corriente IB , IE e IC . El transistor utilizado ser el Q2N2222. a 3. Considerando un valor de R2 = 1500, vuelva a simular y obtener el punto de trabajo del circuito de la Fig. 4.2, manteniendo el resto de componentes y par mea tros en sus valores originales.

4.3.

Desarrollo de la pr ctica a

En esta seccion se analizar n en el laboratorio los circuitos estudiados teoricamente a y mediante simulacion en los apartados anteriores en comparacion con las resultados medidos sobre los distintos montajes. 1. Una vez que ha comprobado en las hojas de caractersticas cuales son las limita ciones el ctricas del transistor Q2N2222, conecte los terminales del transistor al e multmetro y compruebe qu valor de se obtiene. Adem s: e a 2. Monte el circuito de la Fig. 4.1 y ajuste la tension de la fuente V1 a 0, 2, 3 y 5 V . Mida las tensiones VBE y VCE y los valores de corriente IB , IE e IC . a) En el circuito anterior, se sustituir la tension V1 por una senal alterna cuaa drada, que se obtiene del generador de senal y que tendr como nivel bajo a 0 V y como nivel alto 5V, y una frecuencia de 1KHz. Con el osciloscopio se

 P R A CTICA 4. T RANSISTOR B IPOLAR (I)

27

medir y representar la tension entre colector y emisor (VCE ), comprobando a a que se trata de una onda cuadrada, invertida respecto a la anterior. b) Compare los resultados con los obtenidos en los puntos correspondientes de las dos secciones anteriores (C lculos teoricos y simulacion). Comente a a qu se deben las diferencias encontradas, si es que las hay. e 3. Monte el circuito de la Fig. 4.2 y mida las tensiones VBE y VCE y los valores de corriente IB , IE e IC . Compare estos resultados con los obtenidos en los puntos correspondientes de las secciones anteriores. Comente a qu se deben las difee rencias encontradas, si es que las hay. Repita el apartado suponiendo un valor de R2 = 1500. 4. Monte el circuito de la Fig. 4.3. Mida las tensiones VBE y VCE y los valores de corriente IB , IE e IC . Compare estos resultados con los obtenidos en los puntos correspondientes de las dos secciones anteriores. Comente a qu se deben las e diferencias encontradas, si es que las hay.

 Practica

Transistor Bipolar (II). Caractersticas de salida y aplicaciones

5.1. C lculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 5.2. Simulacion en Pspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.3. Desarrollo de la pr ctica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 30 30 31

Objetivos Con esta segunda practica dedicada al transistor bipolar se pretende medir la caracterstica de salida de un transistor bipolar en emisor comun, comprobar las dife rentes zonas de funcionamiento y algunas sencillas aplicaciones del transistor bipolar. Los principales objetivos son: Comprobar el efecto de la corriente de base en la corriente de colector. Determinar experimentalmente las caractersticas de salida de un transistor y a partir de los resultados obtenidos distinguir las distintas zonas de trabajo del transistor. Comprobar, a traves de sencillas aplicaciones, el control de la corriente de colector mediante la corriente de base.

30

E LECTR ONICA I

5.1.

C lculos teoricos a

Antes de realizar las medidas pr cticas en el laboratorio se deben resolver los sia guientes ejercicios y cuestiones teoricas. Suponga, en todos los apartados, un valor de = 250, VBEon = 0,7V y VCEsat = 0,2V . 1. En el circuito de la Fig. 5.1, cu l debe ser la posicion del potenciometro para cona seguir una corriente de base IB = 20uA suponiendo un funcionamiento en activa directa?. Considere el potenciometro como la asociacion serie de dos resistencias de valor x R y (1 x) R, siendo x un valor entre 0 y 1 que dene la posicion del potenciometro. 2. En el circuito de la Fig. 5.2, determine los valores de IC y VCE suponiendo IB = 10uA para los siguientes valores de V1 : 2, 3 y 5 voltios. 3. Repita el apartado anterior suponiendo IB = 20uA y IB = 30uA. Qu ocurrira e si bajamos progresivamente el valor de V1 ?. Represente la curva caracterstica de salida del transistor a partir de los datos calculados en estos primeros apartados. 4. En el circuito de la Fig. 5.3, determine el punto de trabajo del transistor para los dos casos posibles en funcion de la posicion del conmutador. Suponga un valor de VLEDon = 1,5V . 5. En el circuito de la Fig. 5.4, determine el punto de trabajo del transistor suponiendo el LED en el circuito y suponiendo que se sustituye por una resistencia de 100. Suponga un valor de VLEDon = 1,5V .

5.2.

Simulacion en Pspice

En esta seccion se simular n los ejercicios analizados teoricamente en la seccion a anterior. La memoria de esta parte de la pr ctica se debe completar con capturas de a los esquem ticos realizados y las gr cas obtenidas con Pspice. En todos los casos, el a a modelo transistor utilizado ser el Q2N2222. a 1. Simule el circuito de la Fig. 5.1 y obtenga las curvas caractersticas de salida suponiendo las siguientes posibilidades en el circuito de entrada IB = 10uA, IB = 20uA y IB = 30uA. Para esta simulacion puede sustituir el montaje en la entrada (fuente de 5V , potenciometro y resistencia de 10k) por un generador ideal de corriente. 2. Simule las dos posibilidades del circuito de la Fig. 5.3 indicando el punto de tra bajo del transistor en cada caso. Para la simulacion, y puesto que PSpice no incluye en sus libreras un diodo LED, puede utilizar dos diodos del tipo 1N4007.

 P R ACTICA 5. T RANSISTOR B IPOLAR (II)

31

3. Simule el circuito de la Fig. 5.4 indicando el punto de trabajo del transistor. Para la simulacion, y puesto que PSpice no incluye en sus libreras un diodo LED, puede utilizar dos diodos del tipo 1N4007. Sustituya el LED por una resistencia de 100 y vuelva a obtener el punto de trabajo.

5.3.

Desarrollo de la pr ctica a

En esta seccion se analizar n en el laboratorio los circuitos estudiados teoricamente a y mediante simulacion en los apartados anteriores. 1. Caracterstica de salida en emisor comun Una vez que ha comprobado en las hojas de caractersticas cuales son las limita ciones el ctricas y valores de funcionamiento tpicos del transistor seleccionado e para el desarrollo de la pr ctica, conecte los terminales del transistor al multmea tro y compruebe qu valor de se obtiene. Adem s: e a a) Monte el circuito de la Fig. 5.1 .Se jar V1 a 0V y se variar el potenciometro a a hasta obtener una corriente de base de 10A. Manteniendo constante la co rriente de base en 10A, se ir variando la tension V1 de tal forma que se vaya a incrementado en intervalos adecuados hasta llegar a los 5 V. Para cada una de las tensiones anteriores se medir la corriente de colector y la tension coa lector emisor para despu s representar estos datos en una gr ca V /I. Nota: e a La distancia entre valores medidos, y el numero de los mismos, ser jado a por el alumno de forma justicada y comentada. Si al variar la tension V1 variase tambi n la corriente de base, esta se modicara hasta volver a obtener e 10A. b) Repita el apartado anterior para una corriente de base igual a 20A y 30A. Nota: represente todas las gr cas V /I sobre los mismos ejes. a c) Compare los resultados con los obtenidos en los puntos correspondientes de las dos secciones anteriores (c lculos teoricos y simulacion). Comente a a qu se deben las diferencias encontradas, si es que las hay. e 2. Zonas de funcionamiento Monte el circuito de la Fig. 5.2. Partiendo de una corriente de base de 0A se ir modicando esta, con ayuda del potenciometro hasta llegar a los 80A. Los a intervalos de medicion ser n jados por el alumno de manera que el transisa tor pase por todos los estados de funcionamiento posibles; corte,activa directa y saturacion. Para cada uno de estos valores de corriente de base se medir n la coa rriente de colector IC y las tensiones VBE y VCE , justicando con estos par metros a la zona de funcionamiento en la que se encuentra el transistor. 3. Trasistor bipolar como interruptor

32

E LECTR ONICA I

Figura 5.1. Circuito basico de polarizacion para la obtencion de la caracterstica de salida de un tran sistor NPN.

V1

Figura 5.2. Circuito basico de polarizacion para la comprobacion de las zonas de funcionamiento de un transistor NPN.

 P R ACTICA 5. T RANSISTOR B IPOLAR (II)

33

Monte el circuito de la Fig. 5.3 que muestra un sencillo interruptor con un transistor bipolar (el conmutador se puede sustituir por un cable con un extremo conectado al resistor de 33k y el otro libre para conectarlo a masa (posicion 1) o a VCC (posicion 2). Se conmutar a la posicion 1, midiendo el punto de trabajo del a transistor y comprobando si luce el LED. Repita el proceso con el conmutador en la posicion 2.

Figura 5.3. Funcionamiento de un transistor NPN como interruptor.

4. Transistor como fuente de corriente Monte el circuito de la Fig. 5.4 que representa una fuente de corriente con un transistor bipolar para excitar al diodo LED. Una vez conectada la base a VBB , se anotar la corriente IC . Sustituya el diodo LED por un resistor de 100. Mida IC a y comp rela con la obtenida. Qu conclusiones obtiene? a e

34

E LECTR ONICA I

Figura 5.4. Funcionamiento de un transistor NPN como fuente de corriente.

 Practica

Transistor Unipolar. Caractersticas de salida y aplicaciones

6.1. C lculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 6.2. Simulacion en Pspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.3. Desarrollo de la pr ctica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 36 36 38

Objetivos En esta practica se medira la caracterstica de salida de un transistor unipolar en surtidor comun, y se veran algunas sencillas aplicaciones de este transistor.Los obje tivos de la practica son: Determinar el efecto de la tension puerta-surtidor (VGS ) sobre la corriente de drenador. Determinar experimentalmente la caracterstica de salida de un transistor JFET de canal n y su transconductancia. Comparar los parametros IDSS y VP obtenidos en la practica con los suministrados por el fabricante. Comprobar, a traves de sencillas aplicaciones, el control de la corriente de dre nador mediante la tension puerta-surtidor.

36

E LECTR ONICA I

6.1.

C lculos teoricos a

Antes de realizar las medidas pr cticas en el laboratorio se deben resolver los sia guientes ejercicios y cuestiones teoricas. Suponga, en todos los apartados, un valor de VP = 3V y IDSS = 10mA. 1. Qu se utiliza para controlar la corriente ofrecida por un transistor unipolar?. e 2. De qu signo tiene que ser la tension puerta-surtidor para polarizar los siguiene tes transistores en zona de saturacion? a) FET de canal N b) FET de canal P c) MOS de acumulacion de canal N d) MOS de deplexion de canal P 3. Cu ndo circular m s corriente en un transistor FET de canal N? a a a a) VGS = 0V b) VGS = 3V c) VGS = 4V 4. En el circuito de la Fig. 6.1, determine los valores de ID y VDS suponiendo VGS = 0V para los siguientes valores de V1 : 0, 1, 3, 5, 7 y 10 voltios. Repita el apartado anterior suponiendo VGS = 0,5V y VGS = 1V . Represente la caracterstica de salida a partir de los datos obtenidos. 5. En el circuito anterior, y suponiendo VDS = 15V , calcule los valores de ID necesarios para poder representar la caracterstica de transferencia del transistor. 6. En el circuito de la Fig. 6.2, determine el punto de trabajo del transistor y si el LED se enciende en las dos posiciones posibles del interruptor. Suponga un valor de VLEDon = 1,5V y RLED = 0. 7. En el circuito de la Fig. 6.3, determine el punto de trabajo del transistor suponiendo que Vcontrol puede llegar a valer 1V y 10V .

6.2.

Simulacion en Pspice

En esta seccion se simular n los ejercicios analizados teoricamente en la seccion a anterior. La memoria de esta parte de la pr ctica se debe completar con capturas de a los esquem ticos realizados y las gr cas obtenidas con Pspice. En todos los casos, el a a modelo transistor utilizado ser el J2N3819. a

 P R A CTICA 6. T RANSISTOR U NIPOLAR

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Figura 6.1. Circuito basico de polarizacion en un transistor unipolar JFET canal N.

Figura 6.2. Funcionamiento de un transistor unipolar JFET canal N como interruptor.

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E LECTR ONICA I

Figura 6.3. Funcionamiento de un transistor unipolar JFET canal N como interruptor controlado por tension.

1. Simule el circuito de la Fig. 6.1 y obtenga las curvas caractersticas de salida suponiendo las siguientes posibilidades en el circuito de entrada VGS = 0V , VGS = 0,5V y VGS = 1V . Para esta simulacion puede sustituir el montaje en la entrada (fuente de 5V y potenciometro) por un generador ideal de tension. 2. Simule las dos posibilidades del circuito de la Fig. 6.2 indicando el punto de tra bajo del transistor en cada caso. Para la simulacion, y puesto que PSpice no incluye en sus libreras un diodo LED, puede utilizar dos diodos del tipo 1N4007. 3. Simule el circuito de la Fig. 6.3, suponiendo en la entrada una senal senoidal de 1 KHz y 10mV de amplitud y Vcontrol = 1V . Indique el punto de trabajo del transistor y represente las senales obtenidas a la salida. Repita la simulacion para Vcontrol = 10V .

6.3.

Desarrollo de la pr ctica a

En esta seccion se analizar n en el laboratorio los circuitos estudiados teoricamente a y mediante simulacion en los apartados anteriores. El modelo de transistor utilizado ser el 2N5485 o equivalente. a 1. Caracterstica de salida del transistor unipolar Una vez que ha comprobado en las hojas de caractersticas cuales son las limita ciones el ctricas y valores de funcionamiento tpicos del transistor seleccionado e para el desarrollo de la pr ctica, se pide: a a) Monte el circuito de la Fig. 6.1, donde el potenciometro se emplear para a jar una determinada tension puerta-surtidor a partir de una tension ja de 5

 P R A CTICA 6. T RANSISTOR U NIPOLAR

39

V que ofrece la fuente de alimentacion, mientras que la tension del drenador la obtenemos variando la tension V1 (fuente de alimentacion). Con el poten ciometro se ajustar la tension puerta-surtidor a 0 V. Partiendo de este valor, a se ir disminuyendo la tension V1 en los intervalos que considere necesarios. a Para cada uno de estos valores de tension se medir la corriente de drenaa dor, de forma que con los datos obtenidos (VDS /ID ) se pueda representar la caracterstica de drenador. b) Repita el apartado anterior ajustando la tension VGS a 0,5V y a 1V . Nota: represente todas las gr cas V /I sobre los mismos ejes. a c) Compare los resultados con los obtenidos en los puntos correspondientes de las dos secciones anteriores (c lculos teoricos y simulacion). Comente a a qu se deben las diferencias encontradas, si es que las hay. e 2. Caracterstica de transferencia del transistor unipolar En el circuito de la Fig. 6.1 y ajustando esta vez la tension VDS a 15V , se ir vaa riando la tension VGS desde 0 a 2,5V en los intervalos que considere adecuados, anotando la corriente de drenador ID . Represente los resultados obtenidos en una gr ca (caracterstica de transferencia). a 3. Transistor unipolar como interruptor a) Se realizar el montaje de la Fig. 6.2, que representa un interruptor con un a transistor JFET. El conmutador K se puede sustituir por un cable que vaya al borne negativo de la fuente de tension ajustable, que variar entre 1V (poa sicion 1) y 10V (posicion 2), mientras que el borne positivo de dicha fuente quedar conectado a masa. a 1) Se conmutar a la posicion 1. Se medir ID y VDS y se comprobar si luce a a a el LED. 2) Se conmutar a la posicion 2. Se medir ID y VDS y se comprobar si luce a a a el LED. 3) Compare los resultados con los obtenidos en los puntos correspondien tes de las dos secciones anteriores (c lculos teoricos y simulacion). Coa mente a qu se deben las diferencias encontradas, si es que las hay. e b) Se realizar el montaje de la Fig. 6.3, que representa un interruptor controa lado por tension (Vcontrol ). A la entrada conectaremos una senal senoidal de 1kHz y 10mV de amplitud. Con el osciloscopio se ver la tension de entrada a (canal 1) y la de salida (canal 2). 1) Suponiendo Vcontrol = 1V , obtenga las senales a la salida. 2) Suponiendo Vcontrol = 10V , obtenga las senales a la salida. 3) Qu mision tiene Vcontrol ?. Compare los resultados con los obtenidos e en los puntos correspondientes de las dos secciones anteriores (c lculos a teoricos y simulacion). Comente a qu se deben las diferencias encone tradas, si es que las hay.

 Practica

Diseno de un Amplicador
7.1. Diseno . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.2. Simulacion con Pspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.3. Medidas en el laboratorio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42 42 43

Objetivos El objetivo de esta ultima practica es que el alumno realice el diseno de un ampli cador a partir de los transistores analizados en la practicas anteriores.

42

E LECTR ONICA I

7.1.

Diseno

Se debe realizar el diseno de un amplicador en emisor comun con la resistencia de emisor desacoplada. Emplear un unico transistor bipolar y tener en cuenta las siguientes especicaciones: La ganancia en tension debe ser 100 con un desfase entre la entrada y la salida de o 180 . La impedancia de entrada debe ser de 500 . La impedancia de salida debe ser de 820 . El transistor debe tener un par metro de 200 aproximadamente. a La resistencia de emisor debe ser igual o inferior a 180 . El transistor debe trabajar en activadirecta. La alimentacion en continua del circuito debe ser de 12 V. Emplear condensadores de 10 F, en caso de que sean necesarios. En todas las especicaciones anteriores se puede considerar un margen de error de 20 %. En la memoria de esta pr ctica se deben reejar todos los c lculos realizados as coa a mo las justicaciones de la eleccion de los valores de todos los componentes empleados en el diseno realizado.

7.2.

Simulacion con Pspice

Simular en Pspice el amplicador disenado en el apartado anterior y obtener, utilizando los an lisis apropiados, las gr cas que muestren: a a 1. La ganancia en tension a una frecuencia de 10 kHz. 2. La ganancia en corriente con una resistencia de carga de 3.3 k a una frecuencia de 10 kHz. 3. La impedancia de entrada. 4. La impedancia de salida. 5. La respuesta en frecuencia entre 10 Hz y 200 kHz. 6. La ganancia en tension a 10 kHz cuando la resistencia de emisor vale 22, 100 y 180 y se elimina el condensador de desacoplo de emisor. A qu se deben las e variaciones de ganancia encontradas de un caso a otro?.

 P R ACTICA 7. D ISE NO DE UN A MPLIFICADOR

43

7.3.

Medidas en el laboratorio

Una vez disenado el amplicador se debe montar en el laboratorio y medir sus caractersticas fundamentales para comprobar que su funcionamiento es el que se ha disenado realmente. As, se debe medir: 1. La ganancia en tension a una frecuencia de 10 kHz. 2. La ganancia en corriente con una resistencia de carga de 3.3 k a una frecuencia de 10 kHz. 3. La impedancia de entrada. 4. La impedancia de salida. 5. La respuesta en frecuencia entre 10 Hz y 100 kHz, midiendo la ganancia en ten sion a las frecuencias 10 Hz, 100 Hz, 1 kHz, 10 kHz, 20 kHz, 60 kHz, y 100 kHz. 6. La ganancia en tension a 10 kHz cuando la resistencia de emisor vale 22, 100 y 180 y se elimina el condensador de desacoplo de emisor. Finalmente, se debe comparar los resultados obtenidos en el laboratorio con los si mulados y con los c lculados durante la fase de diseno. A qu se deben las diferencias a e encontradas?.

Ap ndice. Valores de resistencias que hay en el laboratorio e

En el laboratorio se pueden encontrar resistencia de los valores: 1, 2.2, 3.3, 4.7, 6.8, 10, 12, 15, 18, 22, 27, 33, 39, 46, 47, 56, 68, 82, 100, 120, 150, 180, 220, 270, 330, 470, 560, 650, 680, 820 . 1, 1.8, 2.2, 2.7, 3.3, 3.9, 4.7, 5.6, 6.8, 8.2, 10, 12, 15, 18, 20, 22, 27, 33, 39, 47, 56, 68, 82, 100, 120, 150, 180, 220, 270, 330, 390, 470, 560, 680, 820 k. 1, 1.5, 10 M.

 Apendice

Ejemplo de Resolucion de una Pr ctica a

A.1. C lculos teoricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a A.2. Simulacion en Pspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A.3. Desarrollo de la pr ctica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 46 49 52

Objetivos El objetivo de este apendice es que los alumnos vean la manera de resolver las practicas de la asignatura de forma clara y precisa, ya que a continuacion se puede encontrar la resolucion completa de una de ellas.

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A.1.

C lculos teoricos a

Antes de realizar las medidas pr cticas en el laboratorio se deben resolver los sia guientes ejercicios teoricos. 1. A partir de las hojas de caractersticas del transistor bipolar P2N2222A, que es el que se utilizar en el laboratorio, indicar el valor de: a a) La ganancia de corriente en continua ().

b) La tension entre la base y el emisor cuando su union est polarizada en dia recta.

c) La tension entre el colector y el emisor en saturacion.

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2. Calcular el punto de polarizacion del circuito de la Fig. A.1. Concretamente se debe calcular la corriente de base, la corriente de colector y la tension colector emisor. Indicar tambi n en la zona en la que est trabajando el transistor. e a

Figura A.1. Circuito de polarizacion de un transistor bipolar.

Solucion: Realizando el equivalente de Thevenin, el circuito de la Fig. A.1 se podra simplicar de la forma indicada en la Fig. A.2, siendo RT H y VT H : 39 4,7 = 4,2k (A.1) RT H = 39 + 4,7 4,7 VT H = (24 5) + 5 = 7V (A.2) 39 + 4,7 Suponiendo que el transistor est en ACTIVADIRECTA, de la malla baseemisor a se podra obtener la ecuacion: 7 = 4,2IB + 0,6 + 1,2(1 + )IB (A.3)

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Figura A.2. Simplicacion del circuito de la Fig. A.1.

de tal forma que la correiente de base se podra obtener como: IB = 7 0,6 = 0,0175mA = 17,5A 4,2 + 1,2 301 (A.4)

As pues, la corriente de colector y de emisor seran: IC = IB = 300 17,5A = 5,25mA IE = ( + 1) IB = 3001 17,5A = 5,27mA (A.5) (A.6)

A partir de estas corrientes se puede obtener la tension entre colector y emisor como: VCE = VC VE = 24 3,9IC 1,2IE = 24 3,9 5,25 1,2 5,27 = 2,8V (A.7)

Puesto que esta tension es inferior a la tension colectoremisor en saturacion se puede y no en activadirecta. llegar a la conclusion de que el transistor est en SATURACION a Por tanto, la tension colectoremisor ser la de saturacion, es decir, 0.3 V. a Si volvemos a analizar la malla baseemisor se obtendr la ecuacion: a 7 = 4,2IB + 0,6 + 1,2(IB + IC ) y si analizamos la malla colectoremisor, obtendremos: 24 = 3,9IC + 0,3 + 1,2(IB + IC ) (A.9) (A.8)

As pues, se obtiene un sistema de dos ecuaciones con dos incognitas, el cual se puede resolver obteni ndose: e IB = 0,16mA IC = 4,61mA (A.10) (A.11)

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A.2.

Simulacion en Pspice

En esta seccion se simular n los ejercicios analizados teoricamente en la seccion a anterior. La memoria de esta parte de la pr ctica se debe completar con capturas de los a esquem ticos realizados y las gr cas obtenidas con Pspice. a a 1. Editar el modelo del transistor empleado y buscar los valores de la ganancia de corriente en continua, la tension de la union baseemisor cuando est polarizada a en directa y la tension colectoremisor en saturacion. 2. Simular el circuito de la Fig. A.1 y mostrar la tension colectoremisor, la corriente de base y la corriente de colector obtenidas. En qu zona trabaja el transistor? e Por qu ? e Solucion: Para el desarrollo de la simulacion seleccionaremos en PSpice el transistor NPN con referencia Q2N2222. Si editamos el modelo (en formato texto) encontramos que los valores tpicos buscados de ganancia de corriente en continua, tension base emisor y colector emisor son los que aparecen en la Fig. A.3. Como se puede apreciar, estos valores coinciden con los suministrados por el fabricante en sus hojas de caractersticas y que han sido mostrados en el apartado anterior. Tras este primer an lisis, se procede a a la simulacion del circuito que nos ocupa, segun el esquem tico mostrado en Fig. A.4. a del transistor, el an lisis que Puesto que deseamos obtener el punto de polarizacion a debe ser seleccionado es el Bias Point Detail, que nos mostrar sobre el mismo esquea ma del circuito los valores de tension y corriente en los puntos m s importantes del a montaje, tal y como muestran las representaciones de Fig. A.5 y Fig. A.6.

Figura A.3. Resultado de editar el modelo (en formato texto) del transistor Q2N2222.

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Figura A.4. Esquematico en Pspice correspondiente al circuito de la Fig. A.1.

Figura A.5. Valores de tension obtenidos por PSpice tras el analisis del punto de polarizacion.

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Figura A.6. Valores de corriente obtenidos por PSpice tras el analisis del punto de polarizacion.

A la vista de estos resultados podemos deducir lo siguiente:

1. El valor de tension base-emisor se puede calcular como la diferencia entre las tensiones obtenidas en base y emisor, por tanto: VBE = VB VE = 6,641 5,948 = 0,693v (A.12)

Segun este dato, la union base-emisor se encuentra polarizada en directa como corresponde a un estado de polarizacion en saturacion. 2. Del mismo modo, la tension colector-emisor puede calcularse segun: VCE = VC VE = 6,262 5,948 = 0,314v (A.13)

Segun esto, la union colector-base se encuentra polarizada tambi n en directa e como corresponde a un estado de polarizacion en saturacion, con una tension colector-emisor igual a la obtenida en el desarrollo teorico. 3. Las corrientes obtenidas en la polarizacion pueden observarse de forma directa y, por tanto, IB = 0,0349mA, IC = 5,913mA e IE = 5,948mA. En este caso las diferen cias son m s apreciables respecto al modelo teorico. Especialmente signicativo a es el valor de la corriente de base (cinco veces inferior a la obtenida teoricamente). Las diferencias en este caso se deben a las aproximaciones adoptadas en el modelo teorico para la resolucion del modelo equivalente de Thevenin de la red de autopolarizacion a la entrada y a las diferencias en los valores de tension entre base y emisor y entre colector y emisor del modelo teorico frente a la simulacion (0,6 frente a 0,693 para base-emisor y 0,3 frente a 0,314 en colecto-emisor).

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A.3.

Desarrollo de la pr ctica a

En esta seccion se analizar en el laboratorio el circuito de la Fig. A.1, estudiado a teoricamente y mediante simulacion en los apartados anteriores. As pues, una vez montado se debe medir: 1. La ganancia de corriente en continua haciendo uso del polmetro. 2. La tension base-emisor y la de colectoremisor. 3. La corriente de base y la corriente de colector. 4. En qu zona trabaja el transistor? Por qu ? e e Solucion: Antes del montaje es necesario conocer el patillaje del componente seleccionado (en nuestro caso un 2N2222). El fabricante, a trav s de las hojas de caractersticas, suminise tra esa informacion tal y como aparece en la Fig. A.7. La pestana nos indica el terminal 1 (emisor), a partir del cual empezamos a contar (2 para base y 3 para colector).

Figura A.7. Patillaje correspondiente al transistor 2N2222 obtenido a partir de sus hojas de caractersti cas.

Una vez tenemos clara la forma de conexion, tenemos que utilizar el polmetro para obtener la real del transistor. Podemos observar como el polmetro tiene un crculo de conexiones dividido en dos mitades (NPN y PNP). Una vez identicados los terminales y seleccionado el modo de medicion, solo nos queda conectar el transistor y apuntar el valor de la ganancia, tal y como muestra la Fig. A.8. Tras esta medida inicial, procedemos al montaje del circuito segun se muestra en la Fig. A.9. Estas fotografas muestran una posible disposicion de componentes en la

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Figura A.8. Detalle del encapsulado del transistor 2N2222 y medicion del valor con polmetro.

placa de insercion. Aunque existen multiples posibilidades, la opcion elegida permite un mnimo cableado y evita dobleces en las patillas del transistor que, en la mayora de los casos, pueden provocar interferencias y funcionamientos erroneos.

Figura A.9. Montaje en laboratorio del circuito de la Fig. A.1. Detalle de conexiones.

Para obtener las tensiones de base-emisor y de colector-emisor utilizaremos el polme tro y conectaremos, para facilitar el proceso, las sondas a los terminales de las resistencias que est n conectadas a los puntos de inter s. De este modo, evitaremos conectar e e directamente sobre las patillas del transistor, ya que el espacio disponible para ello es muy limitado y las posibilidades de error muy elevadas. Los valores medios aparecen en la Fig. A.10 y en la Fig. A.11. Para aanzar nuestra hipotesis de funcionamiento en la zona de saturacion, mediremos la tension entre base y colector. Si, tal y como hemos

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supuesto desde el principio, el transistor est en saturacion la union base y colector a debe estar polarizada en directa, tal y como se demuestra en la medicion que aparece en la Fig. A.12.

Figura A.10. Detalle de medicion de tension base-emisor en laboratorio.

Figura A.11. Detalle de medicion de tension colector-emisor en laboratorio.

A la vista de los resultados obtenidos podemos armar que, en principio, el tran sistor parece funcionar en la zona de saturacion. Las dos uniones est n polarizadas en a directa (VBE 0,6v) y la tension colector-emisor es muy bajo. En este ultimo caso, los valores obtenidos est n por debajo de lo esperado pues el fabricante indica un valor a tpico de VCEsat = 0,3v frente a los 0,05v medidos en laboratorio. La forma m s comoda de medir las corrientes es haciendo uso de la ley de Ohm. a Midiendo tensiones sobre las resistencias del circuito y teniendo en cuenta los valores

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Figura A.12. Detalle de medicion de tension colector-base en laboratorio.

de las mismas podemos obtener f cilmente los valores de las corrientes. Para obtener a una mayor exactitud sera conveniente medir con el ohmetro el valor real de las resis tencias ya que la tolerancia del 10 % puede inuir en los c lculos nales. Aunque este a m todo supone una medida indirecta de la corriente, evita problemas en las conexioe nes de los polmetros como ampermetros (requieren una conexion en serie) y permite medir corrientes de bajo valor (que con un fondo de escala como el de los polmetros de uso general sera complicado de obtener). De este modo, y atendiendo a los resulta dos de las tensiones medidas que aparecen en Fig. A.13, Fig. A.14, Fig. A.15 y Fig. A.16, los valores de corriente obtenidos aparecen en la Ec. A.15 y Ec. A.15.

IC = VRC /RC = 18,26/3,9k = 4,68mA IE = VRE /RE = 5,82/1,2k = 4,85mA

(A.14) (A.15)

Para obtener la corriente de base restamos los dos valores de corriente medidos (de forma indirecta) en las resistencias de la red de autopolarizacion, tal y como muestra Ec. A.17.

IB = IR1 IR2 = (VR1 /R1 ) (VR2 /R2 ) = IB = 17,64/39k 1,51/4,7k = 0,45mA 0,32mA = 0,13mA

(A.16) (A.17)

Los resultados obtenidos son pr cticamente iguales a los obtenidos en el apartaa do de desarrollo teorico y coinciden con la tendencia mostrada por la simulacion en PSpice. Llegados a este punto podemos armar que el transistor se encuentra funcio nando en la zona de saturacion ya que las dos uniones est n polarizadas en directa, la a VCE 0,2v y la IC < IB

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Figura A.13. Detalle de medicion de tension en bornas de la resistencia de emisor en laboratorio.

Figura A.14. Detalle de medicion de tension en bornas de la resistencia de colector en laboratorio.

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Figura A.15. Detalle de medicion de tension en bornas de la resistencia de 39k en laboratorio.

Figura A.16. Detalle de medicion de tension en bornas de la resistencia de 4.7k en laboratorio.