TRANSISTORES

CHRISTIAN ELIAS JABBA NOGUERA

LAB DE LECTRONICA VII

CORPORACION UNIVERSITARIA DE LA COSTA CUC 2011

1. COMO SE COMPRUEBAN LOS TRANSISTORES?

La mejor forma de identificar un transistor es anotar su referencia t, posteriormente, consultar sus caractersticas en las hojas de especificaciones tcnicas del fabricante, o en un libro de caractersticas de transistores. Mediante un mtodo sencillo se puede determinar si un transistor desconocido es del tipo PNP o NPN. Este mtodo consiste en tomar varias medidas, con el polmetro utilizado como hmetro en el rango de 100, de las resistencias que aparecen entre los diferentes terminales del transistor. La medicin de un transistor es anloga a la de un diodo. Tanto entre base y emisor como tambin entre base y colector deben obtenerse resultados como un diodo normal. Primeramente, determinemos cul de los terminales del transistor corresponde a la base. Esto se consigue midiendo la resistencia en el hmetro entre los diferentes terminales. En un transistor en buen estado, la resistencia entre el colector y el emisor es siempre muy alta, cualquiera que sea la polaridad aplicada por el hmetro (que no olvidemos que en las puntas del polmetro acta como una fuente de tensin); cuando hagamos esta verificacin, el otro terminal corresponder a la base. Una vez localizada la base, conectamos la punta de prueba positiva en la misma y la negativa en cualquiera de los otros

dos terminales del transistor: si la resistencia obtenida es muy baja (se ha polarizado la unin de uno de los diodos por el efecto de tensin positiva aplicada con el hmetro a la base P) se trata de un transistor NPN; si obtenemos una resistencia muy baja (no se ha polarizado la unin) se trata de un transistor PNP. Nos puede servir de ayuda la siguiente tabla donde se indican las medidas de resistencia que se dan en cada caso para los dos tipos de transistores.

Punta roja Emisor Emisor Base Base

Punta negra Colector Base Emisor Colector

PNP - Medida delNPN - Medida del hmetro hmetro Alta resistencia Alta resistencia Baja resistencia Alta resistencia Alta resistencia Baja resistencia Alta resistencia Alta resistencia Alta resistencia Baja resistencia Baja resistencia Alta resistencia

Colector Emisor

Colector Base

Por este sencillo procedimiento tambin se puede llegar a averiguar cul de los terminales corresponde al emisor y cul al colector. Para ello, hay que tener en cuenta que: La resistencia y tensin de barrera de la unin base-colector es algo menor que la correspondiente a la unin base-emisor. Esta diferencia es ms apreciable si medimos la tensin de barrera con un polmetro digital.

2. POLARIZACION DE LOS TRANSISTORES?

Una polarizacin correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo mismo polarizar un transistor NPN que PNP.

Polarizacin de un transistor NPN

Polarizacin de un transistor PNP

Generalmente podemos decir que la unin base - emisor se polariza directamente y la unin base - colector inversamente.

3. TIPOS DE CONFIGURACION DE TRANSISTORES? Transistor de contacto puntual Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ah el nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido. Transistor de unin bipolar El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas

positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P). La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector). El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin. Transistor de unin unipolar o de efecto de campo El transistor de unin unipolar, tambin llamado de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal.

El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada. Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN. Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se asla del canal mediante un dielctrico. Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal semiconductor por una capa de xido. El transistor de Unijuntura (UJT) Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de pulsos de disparo para SCR y TRIACs. El UJT es un componente que posee tres terminales: dos bases y un emisor, tal como se muestra en la siguiente figura:

En la figura se puede apreciar la constitucin de un UJT, que en realidad est compuesto solamente por dos cristales. Al cristal P se le contamina con una gran

cantidad de impurezas, presentando en su estructura un nmero elevado de huecos. Sin embargo, al cristal N se le dopa con muy pocas impurezas, por lo que existen muy pocos electrones libres en su estructura. Transistores IGBT Los IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) constituyen, desde el punto de vista de su empleo, un hbrido entre los transistores bipolares y los MOSFET para aprovechar tanto la sencillez de ataque de los ltimos, como la capacidad para conducir altas corrientes y baja resistencia en conduccin de los primeros. La estructura bsica, as como el circuito equivalente se muestra en la siguiente figura:

El transistor bipolar como amplificador El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensin igual a la tensin directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio.

Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la corriente de base: IC = IB, es decir, ganancia de corriente cuando >1. Para transistores normales de seal, vara entre 100 y 300. Entonces, existen amplificador: Emisor comn tres configuraciones para el

- Base Comn - Colector Comn