INSTITUTO TECNOLGICO SUPERIOR DE HUAUCHINANGO

INGENIERA

MECATRONICA

POLARIZACION

DE

TRANSISTORES

FET

ING. PORFIRIO LAZCANO CHATO

IVAN

LOPEZ

MEMO VAKERO CHAL

Huauchinango, Puebla, A 25 De Julio Del 2011

INDICE
1; ACTUADORES *actuadores simple efecto *actuadores doble efecto

2; VALVULAS *vlvulas de caudal *vlvulas direccionales *vlvulas de presin

3; MOTORES *motores de engranes *motores de paleta *motores con pistones

4; GRUPO MOTRIZ *bombas *radiales *de paletas *pistones *acumuladores

5; PRINCIPALES DIFERENCIAS ENTRE NEUMATICA E HIDRAULICA

INTRODUCCION

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor (resistencia de transferencia). Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, ordenadores, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, telfonos celulares, etc.

Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados as porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja.

Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama Transistor de Efecto Campo (FET = Field Effect Transistor).

ELEMENTOS O TERMINALES

Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material P o N, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unin P-N.

En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente sumidero drenaje (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar.

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

Smbolos grficos para un FET de canal N

Smbolos grficos para un FET de canal P

FUNDAMENTOS DE TRANSISTORES FET

Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente con purezas donadoras o aceptadoras de electrones. Su estructura y representacin se muestran en la tabla.

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta estn polarizadas en inversa de tal forma que no existe otra corriente que la inversa de saturacin de la unin PN. La zona n (en el FET canal n) es pequea y la amplitud de la zona de deplexin afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexin y depende de la tensin inversa (tensin de puerta).

CONFIGURACION DE LOS TRANSISTORES JFET

Polarizacion Fija

Es la peor forma de polarizar al transistor JFET puesto que depende mucho del transistor empleado la cual es una de las pocas configuraciones a FET que pueden resolverse tanto por un mtodo matemtico como por uno grafico.

La configuracin muestra los niveles de ac, Vi y V0 y los capacitares de acoplamiento (C1 y C2). Recuerda que los capacitores de acoplamiento son circuitos abiertos para el anlisis dc e impedancias bajas (esencialmente cortos circuitos) para el analizas en ac. El resistor RG esta presente para asegurar que Vi aparezca en la entrada del amplificador FET. Para el anlisis en dc.

FIG. 1 CONFIGURACION DE POLARIZACION FIJA IG = 0 A VRG = IGRG = (0 A) RG = 0 V

La cada de 0 V a travs de RG permite reemplazar VG por un corto circuito equivalente, como el que aparece en la figura siguiente.

FIG. 2 RED PARA EL ANALISIS EN DC

El hecho de que la terminal negativa de la batera est conectada en forma directa al potencial positivo definido VGS refleja bien que la polarizacin de VGS est colocada de manera opuesta y directamente a la de VGG. Al aplicar la

ley de voltaje de Kirchhoff en la direccin de las manecillas del reloj en la malla indicada en la figura anterior se tiene:
-VGG -VGS = 0 VGS = -VGG

Debido a que VGG es una fuente fija de dc el voltaje VGS es de una magnitud fija lo que da por resultado la notacin configuracin de polarizacin fija. Ahora el nivel resultante de corriente de drenaje ID lo controla la ecuacin de Shockley: Ya que VGS resulta una cantidad fija para esta configuracin, su magnitud y signo pueden sustituirse con facilidad en la ecuacin de Shockley, adems de calcular el nivel resultante de VD. El voltaje de drenaje a la fuente de la seccin de salida puede calcularse si se aplica la ley de voltaje de Kirchhoff de la siguiente manera:
VDS = IDRD - VDD = 0 VDS = VDD IDRD

Recuerde que los voltajes de un solo subndice se refieren al voltaje en un punto respecto a la tierra. Para la configuracin de la figura 2,
VS = 0V

Con una notacin de doble subndice:

VDS = VD -VS VD = VDS + = VDS + 0 V VD = VDS

Adems,
VGS = VG - VS VG = VGS + VS = VGS + 0 V VG = VGS

El hecho de que VD = VDS y que VG = VGS parece obvio a partir del hecho de que VS = 0 V, pero tambin se incluyeron las derivaciones anteriores con objeto de enfatizar la relacin que existe entre la dotacin de doble subndice y de un solo subndice. Ya que la configuracin necesita de dos fuentes de dc, su

empleo est limitado, y no podr incluirse en la siguiente lista de configuraciones FET ms comunes.

Configuracin De Autopolarizacin

Tambin conocida como autopolarizado por resistencia de fuente: en este circuito solo se usa una fuente, que es la del drenador suprimiendo la fuente de puerta. Y se acopla una resistencia de surtidor. Este circuito es ms estable que el anterior. La configuracin de autopolarizacin elimina la necesidad de dos fuentes de dc. El voltaje de control de la compuerta a la fuente ahora lo determina el voltaje a travs del resistor RS, que se conecta en la terminal de la fuente de la configuracin como se muestra en la siguiente figura.

FIG. 3 - CONFIGURACIN DE AUTOPOLARIZACIN PARA JFET

Para el anlisis en DC los capacitares pueden reemplazarse una vez ms por circuitos abiertos, y el resistor RG puede cambiarse por un corto circuito equivalente dado que IG = 0A. El resultado es la red de la figura siguiente (Fig. 4) para el anlisis en dc.

La corriente a travs de RS es la corriente de la fuente IS, pero IS = ID y

VRS = IDRS

Para el lazo cerrado que se indic en la figura anterior se tiene que

-VGS - VRS = 0 VGS = -VRS VGS = -IDRS

En este caso podemos ver que VGS es una funcin de la corriente de salida ID, y no fija en magnitud, como ocurri para la configuracin de polarizacin fija. Puede conseguirse una solucin matemtica mediante la simple sustitucin de la ecuacin anterior en la ecuacin de Shockley como mostramos a continuacin:

Al desarrollar el trmino cuadrtico que se indica y al reorganizar los trminos, puede lograrse una ecuacin de la siguiente forma:
ID2 + K1ID + K2 = 0

Puede calcularse el valor de VDS si aplicamos la ley de voltaje de kirchhoff al circuito de salida, lo que da por resultado
VRS + VDS + VRD - VDD = 0 VDS = VDD - VRS - VRD = VDD - ISRS IDRD

Pero:
ID = IS VDS = VDD IS (RS + RD)

Adems:

VS = IDRS VG = 0V VD = VDS + VS = VDD - VRD

Polarizacin Mediante Divisor De Voltaje

Es la forma ms segura de saber que el punto de funcionamiento Q va a estar en el punto que se estabilice. La forma de calcular es exactamente igual que los transistores que se le aplica Thevening. En la regla de polarizacin mediante divisor de voltaje que se aplic a los amplificadores a transistor BJT tambin puede aplicarse a los amplificadores a FET, como lo muestra la siguiente figura 5. La construccin bsica es exactamente la misma, pero el anlisis en dc de cada una es muy diferente. Para los amplificadores FET IG = 0A, pero la magnitud de IB para los amplificadores de emisor comn puede afectar los niveles de corriente y voltaje de dc tanto en los circuitos de entrada como en los de salida. Recuerde que IB proporciono la relacin entre los circuitos de entrada y de salida para la configuracin de divisor de voltaje para el BJT, mientras que VGS har lo mismo en la configuracin a FET.

FIG.5 ARREGLO DE POLARIZACIN MEDIANTE DIVISOR DE VOLTAJE

Para el anlisis en dc se redibuja la red de la figura anterior como se muestra en la figura siguiente 6.

FIG.6 - REDIBUJO DE LA RED DE LA FIGURA 5 PARA EL ANLISIS EN DC

Vemos que todos los capacitores incluyendo el Capacitor de desvo CS, han sido reemplazados por un circuito abierto equivalente. Adems, se separo la fuente VDD en dos fuentes equivalentes con el objeto de permitir una separacin mayor de las regiones de entrada y salida de la red. Debido a que IG = 0A, la Ley de corriente Kirchhoff requiere que IR1 = IR2 y que el circuito equivalente en serie que aparece a la izquierda de la figura pueda utilizarse para encontrar el nivel de VG. El voltaje VG, igual que el voltaje a travs de R2, puede encontrarse si se utiliza la regla del divisor de voltaje de la siguiente manera:

Si aplicamos la ley de voltaje de Kirchhoff en el sentido de las manecillas del reloj en lazo indicado en la figura anterior, se obtiene
VG - VGS - VRS = 0

y
VGS = VG - VRS

Sustituyendo VRS = ISRS = IDRS, se tiene

VGS = VG - IDRS

El resultado es una ecuacin que todava incluye las mismas dos variables que aparecen en la ecuacin de Shockley: VGS e ID. Las cantidades VG y RS estn fijas por la construccin de la red. Entonces, si se selecciona ID para ser igual a cero mA, en esencia se est estableciendo en algn lugar sobre el eje horizontal. Puede calcularse la localizacin exacta mediante la simple sustitucin de ID = 0 mA y encontrando el valor resultante de VGS de la siguiente manera:

VGS = VG - ID RS = VG - (0 mA)RS

y
VGS = VG | ID = O mA

estn calculados los valores estables de ID y de VGSQ, el anlisis restante de la red puede desarrollarse de la manera usual.

Una

vez

que

Polarizacin De Los MOSFET

Existen dos tipos de MOSFET: 1.- Aquellos en los que existe canal en ausencia de polarizacin se les denomina MOSFET de deflexin (decremental). 2.- Aquellos en los que no existe el canal si no se polariza, se les llama MOSFET de acumulacin. (incrementales).

MOSFET De Tipo Decremental

Las similitudes que hay en la apariencia entre las curvas de transferencia de los JFET y de los MOSFET de tipo decremental permiten un anlisis similar de cada uno en el dominio de dc. La diferencia mas importante entre los dos es el hecho de que el MOSFET de tipo decremental permite puntos de operacin con valores positivos de VGS y niveles de ID que exceden IDSS. De hecho, para todas las configuraciones realizadas hasta ahora, el anlisis es el mismo si el JFET se reemplaza por un MOSFET de tipo decremental.

La nica parte sin definir en el anlisis consiste en la forma de graficar la ecuacin de Shockley para los valores positivos de VGS. Qu tan lejos debe

extenderse la curva de transferencia en la regin de valores positivos de VGS y valores de ID mayores que IDSS? Para la mayora de las situaciones este rango estar bien definido por parmetros del MOSFET y por la recta de polarizacin que se obtuvo de la red. Unos cuantos ejemplos indicaran el impacto del cambio de dispositivo en el anlisis obtenido.

MOSFET De Tipo Incremental

Las caractersticas de transferencia del MOSFET de tipo incremental son muy diferentes de las encontradas para el JFET y los MOSFET de tipo decremental. Lo primero y quizs mas importante es recordar que para el MOSFET de tipo incremental de canal N, la corriente de drenaje es 0 para aquellos niveles de voltaje compuerta- fuente, menos que el nivel de umbral VGS (Th.). Para los niveles de VGS mayores que VGS (Th.), la corriente de malla se define mediante:
ID = kVGS - VGS (Th))2

Ya que las hojas de especificaciones por lo general proporcionan el voltaje del umbral y un nivel de corriente de drenaje (ID (encendido)), as como su nivel correspondiente de VGS (encendido) pueden definirse dos puntos de inmediato. Para completar la curva, primero tiene que determinar la constante k de la ecuacin a partir de los datos de las hojas de especificaciones mediante la sustitucin en la ecuacin y resolviendo para k de la siguiente manera:
ID = kVGS - VGS(Th) )2 ID (encendido) = k (VGS (encendido) - VGS (Th))2

Una vez que k est definida, pueden calcularse otros niveles de ID para los valores seleccionados de VGS. Por lo general, un punto entre VGS (Th) y VGS (encendido) y uno poco mayor que VGS (encendido).

 Polarizacin Por Retroalimentacin

En la figura 7 se proporciona un arreglo comn de polarizacin para los MOSFET de tipo incremental. El resistor RG proporciona un voltaje suficiente grande a la compuerta para encender el MOSFET.

FIG.7 - ARREGLO DE POLARIZACIN POR RETROALIMENTACIN

Debido a que IG = 0 mA y VRG = 0 V, la red equivalente de DC aparece en la siguiente figura (Fig. 8).

FIG. 8 - EQUIVALENTE DE DC DE LA RED DE LA FIGURA 7.

Existe ahora una conexin directa entre el drenaje y la compuerta, y tenemos

VD = VG VDS = VGS

Para el circuito de salida,

VDS = VDD - IDRD

La cual se convierte en la siguiente ecuacin despus de sustituir la ecuacin

VGS = VDD - IDRD

Sustituyendo en la ecuacin anterior a ID = 0 mA

VGS = VDD

Sustituyendo VGS = 0v
ID = VDD / RD

Polarizacin Mediante Divisor De Voltaje

En la figura 9 aparece un segundo arreglo de polarizacin comn para el MOSFET de tipo incremental. El hecho de que IG = 0mA da por resultado la siguiente ecuacin para VGG como se deriva a partir de una aplicacin de la regla del divisor de voltaje:

FIG.9 - ARREGLO DE POLARIZACIN MEDIANTE DIVISOR DE VOLTAJE PARA UN MOSFET DE TIPO INCREMENTAL DE CANAL -n

Cuando se aplica la ley de voltaje de kirchhoff alrededor de la malla indicada en la figura anterior.

VG - VGS - VRS = 0 VGS = VG - VRS VGS = VG - IDRS

Para la seccin de salida:

VRS + VDS + VRD - VDD = 0 VDS = VDD - VRS - VRD VDS = VDD - ID(RS + RD)

Una vez que se conoce IDQ y VGS pueden entonces calcularse todas las cantidades restantes de la red, tales como VDS, VD y VS

CONCLUSION

La fabricacin de varios de estos dispositivos conectados en diversas configuraciones en una misma oblea de silicio, permiti crear los circuitos integrados o chips, base de todos los aparatos electrnicos modernos. Conectados de manera apropiada, permite amplificar seales muy dbiles, convertir energa, encender o apagar sistemas de elevada potencia, crear osciladores desde frecuencias bajas hasta frecuencias de radio, etc. Segn sea el orden de los materiales que forman las junturas, existen los transistores tipo NPN PNP, los cuales, en disposiciones circuitales apropiadas permiten crear una enorme cantidad de circuitos para diversos fines, ya que se complementan pues funcionan con sentidos opuestos de circulacin de corriente. En la actualidad, existen una gran variedad de transistores, de efecto de campo o FET (el electrodo de control acta por medio de campo elctrico), los tipo unijuntura, los MOS o de xido metlico (variante de los FET), y otras variaciones como los VMOS (usados para controlar grandes potencias y tensiones), etc. Existe una innumerable cantidad de diseos, especializados para alta potencia, bajo ruido elctrico, alta frecuencia, alta ganancia de corriente, alta tensin, aplicaciones de conmutacin, etc.