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Bibliografa: Sensores y acondicionadores de seal Palls Areny, R. Marcombo, 1994 Instrumentacin electrnica moderna y tcnicas de medicin Cooper, W.D. y otro Prentice-Hall, 1990 Componentes electrnicos Siemens Marcombo,1987 Hojas de caractersticas de los fabricantes Juan Enrique Garca Snchez, Noviembre 2007 Dpto. de Ing. Elctrica, Electrnica y Automtica. Universidad de Castilla La Mancha
Otros sensores
INTRODUCCIN
La variedad de dispositivos y mtodos de medida de las diversas magnitudes hace difcil establecer un criterio de clasificacin que sea exhaustivo. el criterio seguido hasta el momento no es una excepcin, y se echan en falta algunos sensores de uso muy extendido que no corresponden a los distintos tipos vistos en los captulos anteriores. En este captulo se describen algunos sensores de uso frecuente que no estn basados en los principios estudiados hasta el momento. Concretamente se exponen aqu: Detectores pticos de barrera y de reflexin Codificadores de posicin incrementales y absolutos Termmetros basados en uniones semiconductoras
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DETECTORES PTICOS
Este tipo de dispositivos incluyen un emisor de luz, normalmente un diodo LED de infrarrojos, y un fotodetector, normalmente un fototransistor o un fotodiodo. La deteccin se produce cuando un objeto (opaco) se interpone entre el emisor y el receptor. El haz luminoso puede ir directamente del emisor al receptor, o bien el detector recibe el haz reflejado en una superficie. En el primer caso se les suele denominar detectores de barrera y en el segundo detectores por reflexin. Estos sensores se pueden considerar como digitales, pues presentan una salida de tipo todo o nada.
ENCAPSULADO A K OBJETO OPACO EMISOR
C E RECEPTOR
Detector de barrera. Circuito de polarizacin con salida a nivel alto con el haz interrumpido.
Detector de reflexin. Circuito de polarizacin con salida a nivel bajo cuando hay reflexin.
EMISOR
RECEPTOR
ENCAPSULADO
OBJETO OPACO
En la figura se muestra un ejemplo de detector ptico con el circuito de polarizacin de la etapa de salida integrado. Presenta 5 terminales: A, K, Vcc, GND y Salida.
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Detector ptico de barrera con circuito de polarizacin integrado Detector ptico de barrera
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Para poder determinar el sentido del avance es necesario aadir otro elemento de lectura (detector B) desfasado espacialmente con respecto a la posicin del primero (detector A). Se obtienen as, en la salida del sensor, dos ondas cuadradas desfasadas. El signo del desfase relativo de estas seales es funcin del sentido del desplazamiento. Normalmente los detectores se colocan de manera que el desfase sea de 1/4 de periodo. Es frecuente aadir tambin un detector para generar una seal de reset. Si se quiere aumentar la resolucin se puede aadir externamente la funcin XOR de las seales A y B.
Detector A Detector Reset Detector B A B Reset Sentido del movimiento A B
Desplazamiento B A D FF Q
U/D
qN
ck
ck
q0
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Rcarga
CIRCUITO PRINCIPAL
Salida
CIRCUITO PRINCIPAL
Salida
CIRCUITO PRINCIPAL
Salida
Masa
Masa
Masa
CIRCUITO PRINCIPAL
Salida
CIRCUITO PRINCIPAL
Rcarga
Salida
CIRCUITO PRINCIPAL
Salida
Masa
Masa
Masa
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ic = FIES ( e
Donde: F q k ICS
qv BE
kT )
1) ICS ( e
IES vBE T vCB
CB
kT )
1)
es la relacin de transferencia directa de corriente es la carga del electrn 1.6x10-19 C es la constante de Boltzmann 1.3807x10-23 J/K es la corriente de saturacin de colector
El producto FIES se denomina Is. En la zona activa (Is mucho menor que ic) haciendo cero vCB, de la expresin anterior se deduce:
v BE
kT ic = Ln q Is
3 (
qVg 0
Esta ecuacin muestra la dependencia de vBE con la temperatura, pero Is es tambin funcin de T:
Is = BT e
kT )
donde B es una constante que depende del nivel de dopado y de la geometra, y Vg0 es la anchura de la banda prohibida (1.2V a 300K para el silicio). Estas expresiones muestran la fuerte no linealidad de la tensin base-emisor con la temperatura.
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Q1
Q2
v d = v BE1 v BE 2 =
-
kT ic1 kT ic 2 Ln Ln q Is1 q Is 2
Q1
Q2 x167.2 + Vo=10mV/K
Vd + 2I I -Vcc Vo 133k
vd =
kT ic1 Ln q ic 2
Al ser ic1/ic2 constante, vd ser proporcional a T. En este caso, la relacin de corrientes es de 2 a 1, de modo que:
v d = 59.73 T (V )
Con un amplificador se puede conseguir una sensibilidad mayor en la salida del sensor.
VO = A v d
En esta figura se muestra un diseo prctico para las fuentes de corriente. Se utilizan dos transistores idnticos sometidos a la misma tensin en la base. Las corrientes las fijan las resistencias de emisor. Se aplica un factor de amplificacin tal, que la salida presenta una sensibilidad de 10mV/K.
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Q3 IC Q2 (8) + VT -
Q4 IC Q1
VT = v BE1 v BE 2 =
La corriente de entrada ser: IT = 2
kT I1 k Ln = Ln(8)T = 179 T (V ) q I2 q
VT 179T 358T =2 = R R R
IT = 1A K T
Tener una salida en forma de corriente es una ventaja para las medidas remotas, pues la transmisin de seales en corriente es muy inmune a las interferencias electromagnticas siempre presentes en ambientes industriales. En el mercado existen varios circuitos basados en estos dos principios. Por ejemplo, el LM35 con salida en tensin y el AD592 con salida en corriente. En la figura se muestran algunas aplicaciones de un convertidor temperatura-corriente.
+5V
AD592
+15V
AD592 AD592 AD592
+5V
AD592
950 100
VT=1mV/K
VTmedia=1mV/K
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