UNIVERSIDAD ETAC

MAURICIO OMAR RIVERA TORIS

MANUEL LUGO BARRERA

PRINCIPIOS DE ELECTRONICA

FAMILIAS LOGICAS 24/03/11

FAMILIAS LOGICAS TRL (Resistor-transistor logic) Fue la primera familia lgica en aparecer antes de la tecnologa de integracin. Pertenece a la categora de familias lgicas bipolares, o que implican la existencia de dos tipos de portadores: electrones y huecos. Este tipo de red, presenta el fenmeno denominado acaparamiento de corriente que se produce cuando varios transistores se acoplan directamente y sus caractersticas de entrada difieren ligeramente entre s. En ese caso uno de ellos conducir antes que los dems colocados en paralelo (acaparar la corriente), impidiendo el correcto funcionamiento del resto.

En ella se puede apreciar como en serie con la base de cada uno de los transistores se ha colocado una resistencia de compensacin (Rc) de un valor lo suficientemente elevado para que la reparticin de corrientes sea lo ms igualada posible y no se produzca el fenmeno antes descrito. Por otra parte, tiene una inmunidad al ruido relativamente pobre. El margen de ruido de la tensin lgica 0 a la tensin del umbral es de unos 0.5 voltios, pero de la tensin lgica 1 a la tensin de umbral es de solamente unos 0.2 voltios

TTL (Transistor-transistor logic) Es una familia lgica o lo que es lo mismo, una tecnologa de construccin de circuitos electrnicos digitales. En los componentes fabricados con tecnologa TTL los elementos de entrada y salida del dispositivo son transistores bipolares. Su tensin de alimentacin caracterstica se halla comprendida entre los 4,75v y los 5,25V (como se ve un rango muy estrecho). La velocidad de transmisin entre los estados lgicos es su mejor base, si bien esta caracterstica le hace aumentar su consumo siendo su mayor enemigo. Las seales de salida TTL se degradan rpidamente si no se transmiten a travs de circuitos adicionales de transmisin (no pueden viajar ms de 2 m por cable sin graves prdidas).

La velocidad de transmisin entre los estados lgicos es su mejor baza, ciertamente esta caracterstica le hacer aumentar su consumo siendo su mayor enemigo. Motivo por el cual han aparecido diferentes versiones de TTL como FAST, SL, S, etc. y ltimamente los TTL: HC, HCT y HCTLS. En algunos casos puede alcanzar poco ms de los 250Mhz.

ECL (Emitter Coupled Logic) Pertenece a la familia de circuitos MSI implementada con tecnologa bipolar; es la ms rpida disponible dentro de los circuitos de tipo MSI.

Es la forma de lgica ms rpida, ya que los dispositivos activos se las arreglan para trabajar fuera de la saturacin. Tambin se hace aun mucho ms rpida haciendo que las variaciones de seal lgicas sean aun menores (Dt=800mV), eso hace que el tiempo de carga y descarga de C de carga y parasitas sean aun menores... El circuito ECL se basa en el uso de un interruptor de direccin de corriente, que se puede construir con un par diferencial, que se polariza con un voltaje Vr y de corriente I cte ambos. la naturaleza diferencial del circuito lo hace menos suceptible a captar ruido.

El circuito ECL se basa en el uso de un interruptor de direccin de corriente, que se puede construir con un par diferencial, que se polariza con un voltaje Vr y de corriente I cte ambos. la naturaleza diferencial del circuito lo hace menos suceptible a captar ruido.

DTL (Diode-transistor logic) Es decir estamos tratando con una familia compuesta bsicamente por diodos y transistores (sin olvidar a las resistencias). Los diodos se encargan de realizar la parte lgica y el transistor acta como amplificador inversor. Esta separacin de funciones nos permite empezar a estudiar esta familia viendo cmo se construye la lgica con los diodos.

Para obtener una puerta DTL bsica (tipo NAND) debemos incluir un par de diodos a la salida, mejorando de esta forma el aspecto comentado en el prrafo anterior y un transistor que va a restaurar el nivel de tensin perdido por dichos diodos y va a mejorar las caractersticas de salida.

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica. Prcticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial estn basados en transistores MOSFET. Las prestaciones del transistor MOSFET son similares a las del JFET, aunque su principio de operacin y su estructura interna son diferentes. Existen cuatro tipos de transistores MOS:

Enriquecimiento de canal N Enriquecimiento de canal P Empobrecimiento de canal N Empobrecimiento de canal P

Transistor MOSFET de empobrecimiento canal N.

Transistor MOSFET de empobrecimiento canal P.

Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante tcnicas de difusin de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un rea sobre la cual se hace crecer una capa de dielctrico culminada por una capa de conductor. Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cmo se haya realizado el dopaje:

Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n. Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.

TECNOLOGIAS PLANAR Y EPITAXIAL La Tecnologa Planar y dispositivos semiconductores hechos con esta tecnologa fueron descritos por primera ves en 1960. Desde entonces la tecnologa planar se ha convertido en el principal mtodo de fabricacin de dispositivos semiconductores y circuitos integrados y fuertemente ha contribuido a desplazar los viejos tipos de componentes electrnicos y puesto en marcha las nuevas aplicaciones electrnicas. En comparacin a la mayora de los importantes avances tecnolgicos, la tecnologa planar fue dndose a partir de muchas generaciones anteriores. Esta evolucin es mejor ilustrada considerando la comparacin de dos de las ms importantes tcnicas de fabricacin de dispositivos semiconductores de nuestros tiempos, las cuales son: mtodo de crecimiento de uniones y el mtodo de unin de aleacin. Las cuales las podemos observar en la figura 2.13. En el mtodo de crecimiento de unin (a), un cristal semiconductor crece a partir de un material semiconductor fundido el cual esta dopado para convertirlo a tipo n o tipo p (para el caso de la figura se tomara el tipo p). En cierto punto del proceso de crecimiento, la concentracin del material dopante en el semiconductor fundido es cambiado en forma instantnea, esto es mediante la adicin de una pldora que contiene impurezas de un cierto tipo.

A partir de una cara de un cristal de material semiconductor, o sustrato, se hace crecer una capa uniforme y de poco espesor con la misma estructura cristalina que este. Mediante esta tcnica se puede controlar de forma muy precisa el nivel de impurezas en el semiconductor, que son los que definen su carcter (N o P). Para hacer esto se calienta el semiconductor hasta casi su punto de fusin y se pone en contacto con el material de base para que, al enfriarse, recristalice con la estructura adecuada.