Amp Tra

Universidade de Aveiro
2008
Departamento de Electrnica, Telecomunicaes e
Informtica
Pedro Manuel
Oliveira e S
Construo de um Amplificador de Potncia
usando Transstores GaN

2008
Departamento de Electrnica, Telecomunicaes e
Informtica
Pedro Manuel
Oliveira e S

Construo de um Amplificador de Potncia
usando Transstores GaN

Dissertao apresentada Universidade de Aveiro para cumprimento dos
requisitos necessrios obteno do grau de Mestre em Engenharia
Electrnica e Telecomunicaes, realizada sob a orientao cientfica do Dr.
Nuno Borges de Carvalho, Professor Associado do Departamento de
Electrnica, Telecomunicaes e Informtica da Universidade de Aveiro, e
sob a co-orientao cientfica do Dr. Pedro Cabral, Professor auxiliar
convidado do Departamento de Electrnica, Telecomunicaes e Informtica
da Universidade de Aveiro.

Dedico este trabalho ao meu Av que infelizmente j partiu.

O jri

Presidente Prof. Dr. Dinis Gomes de Magalhes dos Santos
Professor Catedrtico do Departamento de Electrnica, Telecomunicaes e Informtica da

Prof. Dr. Joo Carlos da Palma Goes
Professor Auxiliar do Departamento de Engenharia Electrotcnica da Faculdade de Cincias e
Tecnologia da Universidade Nova de Lisboa

Prof. Dr. Nuno Miguel Gonalves Borges de Carvalho
Professor Associado do Departamento de Electrnica, Telecomunicaes e Informtica da
Universidade de Aveiro (orientador)

Prof. Dr. Pedro Miguel da Silva Cabral
Professor Auxiliar convidado do Departamento de Electrnica, Telecomunicaes e Informtica da
Universidade de Aveiro (co-orientador)

Agradecimentos

Em primeiro lugar, agradeo aos meus Pais e familiares por todo o apoio e
encorajamento dados ao longo da minha vida escolar e acadmica. Sem eles
provavelmente no chegaria a esta fase.

Um agradecimento muito especial minha Me que batalhou e me aconselhou
no sentido de seguir sempre o melhor caminho. Sempre me ajudou a levantar
a cabea nos momentos menos bons. A ela, muito obrigado por tudo.

minha namorada, Susana, que nestes ltimos anos da minha vida
acadmica foi uma pea fundamental para a minha estabilidade emocional,
sendo essencial para que eu chegasse a bom porto. Obrigado por todo o
apoio, compreenso e pacincia.

A todos os meus colegas e amigos, que me acompanharam ao longo do meu
percurso acadmico, obrigado por todos os momentos de companheirismo e
de amizade. Agradeo especialmente ao Gonalo Martins e ao Ruben Ferreira,
pela ajuda e conselhos prestados durante este ltimo ano.

Aos meus amigos de sempre, pelo apoio e compreenso durante a realizao
do trabalho.

Uma palavra de apreo ao tcnico Paulo Gonalves, pela prestvel ajuda na
construo do Amplificador.

Ao Dr. Pedro Cabral, meu co-orientador, por ter disponibilizado o modelo para
simulao do transstor, bem como por toda ajuda prestada durante as
medies.

Um agradecimento especial ao Professor Doutor Nuno Borges de Carvalho,
meu orientador, por todo o apoio, compreenso e conhecimentos partilhados
fundamentais para a realizao do trabalho.

Palavras-chave

Amplificador de Potncia, Rdio-Frequncia, Nitreto de Glio

Resumo

Esta tese insere-se na rea da Electrnica e Telecomunicaes, mais
precisamente na rea da electrnica de rdio-frequncia. Destina-se a
projectar e implementar um Amplificador de Potncia, a operar na banda do
1GHz, utilizando transstores de Nitreto de Glio.

A tecnologia dos semicondutores tem sofrido um grande desenvolvimento,
devido essencialmente ao aparecimento de novos semicondutores como o
Nitreto de Glio. Este apresenta uma elevada banda proibida e uma elevada
mobilidade electrnica. Como resultado, so permitidas tenses de disrupo
mais altas, proporcionando maior capacidade de potncia de sada, bem como
a utilizao de frequncias de operao mais elevadas.

Assim, espera-se substituir os Amplificadores a Vlvulas (TWTAs, Travelling
Wave Tube Amplifiers) por Amplificadores de estado slido, baseados em
transstores de Nitreto de Glio, em particular na indstria das
Telecomunicaes.

Keywords

Power Amplifier, Radio-Frequency, Gallium Nitride
Abstract

This thesis is framed in the electronics and telecommunications area,
specifically in the radiofrequency electronics area. It is intended to plan and
implement a Power Amplifier, operating in the 1 GHz band, using Gallium
Nitride transistors.

The semiconductors technology has had a great development, essentially due
to the appearance of new semiconductors such as Gallium Nitride. The latter
presents a high forbidden band and a high electronic mobility. As a result,
higher breakdown voltages are allowed, assuring a greater exit power capacity,
as well as the use of higher operation frequencies.

Thus, one expects to replace the Tubes Amplifiers (TWTAs, Travelling Wave
Tube Amplifiers ) by solid state Amplifiers, based on Gallium Nitride transistors,
particularly in the Telecommunications industry.

i

ndice Geral

ndice Geral ............................................................................................................................ i
ndice de Figuras .................................................................................................................. iii
ndice de Tabelas ................................................................................................................... v
Lista de Siglas e Acrnimos ................................................................................................ vii
Capitulo 1 - Introduo ....................................................................................................... 1
1.1 Motivao ................................................................................................................................................ 1
1.2 Objectivos ................................................................................................................................................ 2
1.3 Sumrio ................................................................................................................................................... 2
Captulo 2 - Tecnologias Emergentes de Semicondutores ............................................... 5
Captulo 3 - Amplificador de Potncia .............................................................................. 9
3.1 Classes de Operao .............................................................................................................................. 10
3.1.1 Classe A .......................................................................................................................................... 12
3.1.2 Classe AB ....................................................................................................................................... 14
3.1.3 Classe B .......................................................................................................................................... 15
3.1.4 Classe C .......................................................................................................................................... 16
3.2 Grficos de fluxo de sinal ...................................................................................................................... 17
3.2.1 Aplicaes ...................................................................................................................................... 21
3.3 Ganho .................................................................................................................................................... 23
3.4 Estabilidade ........................................................................................................................................... 25
3.5 Linearidade & No-Linearidade ............................................................................................................ 28
3.5.1 Distoro de Intermodulao .......................................................................................................... 28
3.5.2 Factores de Mrito .......................................................................................................................... 29
3.5.2.1 Ponto de Compresso de 1dB ...................................................................................................... 29
3.5.2.2 Ponto de Interseco de terceira ordem (IP3) .............................................................................. 30
3.6 Redes de Adaptao .............................................................................................................................. 30
3.6.1 Adaptao Conjugada ..................................................................................................................... 31
3.6.2 Adaptao baseada na recta de carga .............................................................................................. 31
3.6.3 Adaptao baseada nas curvas Load Pull ....................................................................................... 32
3.7 Rede de Polarizao .............................................................................................................................. 32
Capitulo 4 - Projecto & Simulaes ................................................................................. 35
4.1 Anlise DC e Ponto de Polarizao ....................................................................................................... 36
4.1.1 Anlise DC ..................................................................................................................................... 36
4.1.2 Ponto de Polarizao ...................................................................................................................... 38
4.2 Parmetros S .......................................................................................................................................... 39
4.3 Desenho das redes de Adaptao de Entrada/Sada ............................................................................... 42
4.3.1 Rede de Adaptao de Sada (OMN) .............................................................................................. 46
4.3.2 Rede de Adaptao de Entrada (IMN) ............................................................................................ 47
4.4 Desenho do Circuito Final ..................................................................................................................... 47
4.4.1 Circuito Ideal .................................................................................................................................. 47
4.4.2 Circuito No Ideal .......................................................................................................................... 51
4.4.3 Discusso dos resultados ................................................................................................................ 54
Capitulo 5 - Implementao & Medidas ......................................................................... 57
5.1 Parmetros S .......................................................................................................................................... 58
5.2 Potncia ................................................................................................................................................. 59
5.3 Discusso dos resultados ....................................................................................................................... 65
Captulo 6 - O Futuro dos Amplificadores de Potncia ................................................. 69
6.1 Operao ................................................................................................................................................ 69
6.2 Linearidade ............................................................................................................................................ 71
6.3 Configurao do Circuito ...................................................................................................................... 72
Captulo 7 - Concluso & Trabalho Futuro .................................................................... 73
7.1 Concluso .............................................................................................................................................. 73
7.2 Trabalho Futuro ..................................................................................................................................... 74

ii

8. Anexos ............................................................................................................................. 75
Referncias .......................................................................................................................... 79

iii

ndice de Figuras

Figura 1 - Comparao das frequncias de corte dos transstores para as vrias tecnologias [1]. ..................... 6
Figura 2 - Comparao do NFmin para as vrias tecnologias [1]. ..................................................................... 6
Figura 3 - Capacidade de densidade de potncia de sada para as tecnologias GaN, GaAs e InP [1]. .............. 6
Figura 4 - Classes de operao de um AP [5]. ................................................................................................. 11
Figura 5 - Esquema simplificado de um Amplificador RF sintonizado [4]. .................................................... 12
Figura 6 - Curvas caractersticas IV do FET e recta de carga [4]. ................................................................... 13
Figura 7 - Exemplo das formas de onda da corrente e da tenso Classe A...................................................... 13
Figura 8 - Exemplo das formas de onda da corrente e da tenso Classe AB. .................................................. 14
Figura 9 - Exemplo das formas de onda da corrente e da tenso Classe B. ..................................................... 16
Figura 10 - Exemplo das formas de onda da corrente e da tenso Classe C. ................................................... 17
Figura 11 - Grfico de fluxo de sinal das equaes dos parmetros S. ............................................................ 18
Figura 12 - Grfico de fluxo de sinal de uma rede de dois portos. .................................................................. 19
Figura 13 - Gerador de tenso com impedncia interna ZS. ............................................................................ 19
Figura 14 - Grfico de fluxo de sinal de um gerador de tenso. ...................................................................... 19
Figura 15 - Impedncia de carga. .................................................................................................................... 20
Figura 16 - Grfico de fluxo de sinal da impedncia de carga. ....................................................................... 20
Figura 17 - Grfico de fluxo de sinal de um Amplificador. ............................................................................. 20
Figura 18 - Grfico de fluxo de sinal para o clculo de
IN
. ............................................................................ 21
OUT
. ......................................................................... 22
Figura 20 - Regies estveis e instveis da carta de Smith no plano de
L
. ..................................................... 27
S
. ..................................................... 27
Figura 22 - Distoro de intermodulao devido a um sinal de 2 tons [6]. ..................................................... 29
Figura 23 - Ponto de Compresso de 1dB. ...................................................................................................... 29
Figura 24 - Ponto de interseco de terceira ordem. ........................................................................................ 30
Figura 25 - Diagrama de blocos simplificado de um Amplificador. ............................................................... 31
Figura 26 - Rede de polarizao. ..................................................................................................................... 33
Figura 27 - Modelo para simulao do transstor. ........................................................................................... 35
Figura 28 - Simulao das Curvas IV. ............................................................................................................. 36
Figura 29 - Curvas IV e Recta de Carga. ......................................................................................................... 37
Figura 30 - Rede de polarizao e simulao dos parmetros S. ..................................................................... 40
Figura 31 - Grficos dos Paramtros S em dB. ............................................................................................... 41
Figura 32 - Curvas de estabilidade de entrada/sada e factor de estabilidade (K). .......................................... 41
Figura 33 - Modelo dos elementos extrnsecos do transstor em uso. ............................................................. 42
Figura 34 - Circuito de teste do Z
L
. ................................................................................................................. 43
Figura 35 - Resultado da simulao para calcular R
L
. ..................................................................................... 44
Figura 36 - Zona estvel no plano de L. ........................................................................................................ 45
Figura 37 - Zona estvel no plano de S. ........................................................................................................ 46
Figura 38 - Circuito ideal do sistema completo. .............................................................................................. 48
Figura 39 - Parmetros S. ................................................................................................................................ 49
Figura 40 - Ganho no P1dB. ............................................................................................................................ 50
Figura 41 - P
out
, fundamental e 3 harmnico. ................................................................................................. 50
Figura 42 - Desenho do circuito final. ............................................................................................................. 51
Figura 43 - Parmetros S. ................................................................................................................................ 52
Figura 44 - Ganho no P1dB. ............................................................................................................................ 52
Figura 45 - P
out
, fundamental e 3 harmnico. ................................................................................................. 53
Figura 46 - Ganho no P1dB a 2 tons. .............................................................................................................. 53
Figura 47 - Ponto de interseco de 3 ordem (IP3). ....................................................................................... 54
Figura 48 - Amplificador implementado. ........................................................................................................ 57
Figura 49 - Circuito para medio de Parmetros S. ....................................................................................... 58
Figura 50 - Parmetros S medidos. .................................................................................................................. 59
Figura 51 - Diagrama de blocos da medio com 1 tom. ................................................................................ 60
Figura 52 - Ganho a 1tom. ............................................................................................................................... 61
Figura 53 - Pout, fundamental e 3 harmnico ................................................................................................ 61
Figura 54 - Diagrama de blocos da medio com 2 tons. ................................................................................ 62
Figura 55 - Ganho com 2 tons espaados por 1MHz. ...................................................................................... 63

iv

Figura 56 - Pout, fundamentais e produtos de IM3. ........................................................................................ 63
Figura 57 - IP3 para 2 tons espaados por 1MHz. ........................................................................................... 64
Figura 58 - Pout, fundamentais e produtos de IM3 (espaamento de 100 KHz). ............................................ 65
Figura 59 - Diagrama operacional do Amplificador de Doherty [13]. ............................................................ 70
Figura 60 - Grfico da eficincia em funo de Vin para o Amplificador de Doherty e para o Amplificador
classe AB [13]. ................................................................................................................................................ 70
Figura 61 - Esquema do Amplificador de Doherty [13]. ................................................................................. 72

v

ndice de Tabelas

Tabela 1 - Propriedades dos Semicondutores [1]. ............................................................................................. 8
Tabela 2 - Mximos valores suportados. ......................................................................................................... 38
Tabela 3 - Parmetros S. .................................................................................................................................. 40
Tabela 4 - Tabela resumo dos resultados. ........................................................................................................ 55
Tabela 5 - Resultados da medio com 1 tom. ................................................................................................ 60
Tabela 6 - Resultados das medies com 2 tons, espaados por 1MHz. ......................................................... 62
Tabela 7 - Resultados das medies com 2 tons, espaados por 100KHz. ...................................................... 64
Tabela 8 - Tabela resumo dos resultados das medies e das simulaes. ...................................................... 67

vi

vii

Lista de Siglas e Acrnimos

AC Alternating Current
ADS Agilent EEsof Advanced Design System
AP Amplificador de potncia
CMOS Complementary Metal-Oxide Semiconductor
dB Decibel
dBm dB em relao a 1mW
DC Direct Current
DUT Device Under Test
FET Field-Effect Transistor
GaAs Arseneto de Glio
GaN Nitreto de Glio
GPS Global Positioning System
HEMT High-electron mobility transistor
IIP3 Potncia de entrada no IP3
IM3 Intermodulao de 3 Ordem
IMN Input Matching Network
IMR Intermodulation Ratio
IMR1dB IMR no ponto de compresso de 1dB
InAs Arseneto de ndio
InP Fosfato de ndio
InSb Antimnio de ndio
IP3 3
rd
order interception point
IV Current-Voltage
MESFET Metal Semiconductor Field-Effect Transistor
MHEMT Metamorphic high-electron mobility transistor
MOSFET Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor
OFDM Orthogonal Frequency Division Multiplexity
OIP3 Potncia de sada no IP3
OMN Output Matching Network
P1dB Ponto de compresso de 1dB
P3H Potncia do 3 harmnico em relao Fundamental
PAR Peak to Average Ratio
pHEMT Pseudomorphic high-electron mobility transistor
Pi1dB Potncia de entrada no P1dB
Po1dB Potncia de sada no P1dB
RF Radio Frequncia
Si Silcio
SOA Safe Operation Area
UHF Ultra High Frequency
WCDMA Wide-Band Code Division Multiple Access

viii

Captulo 1 Introduo
_________________________________________________________________________
1
Capitulo 1
Introduo

1.1 Motivao

Ao longo dos anos tem sido notria uma extraordinria evoluo tecnolgica em
praticamente todas as reas, nomeadamente ao nvel da electrnica e telecomunicaes.
Esta evoluo permite-nos cada vez mais ter um melhor nvel de vida, com maior
comodidade e simplicidade. O GPS um exemplo disso, sendo bastante til quando temos
que realizar viagens longas e/ou para destinos desconhecidos, evitando assim perdas de
tempo a estudar o percurso nos mapas ou andar perdidos e desorientados. Pode-se mesmo
dizer que actualmente, o GPS um companheiro de viagem indispensvel para muitas
pessoas.
Este trabalho enquadra-se na rea de Electrnica e Telecomunicaes, mais
precisamente na electrnica de rdio-frequncia. No entanto, inicialmente, destinava-se
construo de um dispositivo usando transstores de Nitreto de Glio a operar na banda dos
1GHz, no mbito da constelao GALILEO. O objectivo seria avaliar o seu desempenho
no espao, tendo para isso o apoio da Agncia Espacial Europeia, ESA.
A constelao GALILEO consiste num projecto que permitir Europa ter o seu
prprio sistema global de navegao por satlite, usando uma constelao de 30 satlites na
MEO (medium earth orbit). Cada satlite usar a banda C no uplink e a banda L no
downlink para a transmisso dos dados de navegao. No entanto, um requisito crtico a
potncia de transmisso no downlink, pelo que so necessrios SSPAs (solid state power
amplifiers) de alta eficincia capazes de fornecer mais de 100W de potncia RF, [1].
Um transmissor/receptor (transceiver) usualmente construdo usando vlvulas
(TWTA, Travelling Wave Tube Amplifiers), para o Amplificador de Potncia. O que se
pretende que com a nova tecnologia de transstores de Nitreto de Glio, seja possvel
substituir os TWTAs por SSPAs, melhorando o desempenho dos transceivers.
Os SSPAs tm limitaes ao nvel da potncia, pelo que nos satlites se tem vindo a

Captulo 1 Introduo
_________________________________________________________________________
2
usar TWTAs. Contudo, estes tm tempos mdios de vida relativamente baixos, sendo por
isso necessrio algum grau de redundncia, tornando-se imprescindvel disponibilizar um
nmero adicional de dispositivos de reserva para que, no caso de algum falhar, seja
prontamente substitudo.
As principais caractersticas do Nitreto de Glio so a sua elevada banda proibida e
uma elevada mobilidade electrnica. Deste modo, a elevada banda proibida permite
tenses de disrupo mais elevadas e consequentemente maior capacidade de potncia de
sada. A grande mobilidade electrnica permite o uso de frequncia de utilizao mais
elevadas, [1].
Assim, esta tecnologia de Nitreto de Glio bastante promissora, no sentido de se
conseguir substituir os TWTAs por Amplificadores do estado slido.

1.2 Objectivos

Por motivos que nos so alheios, a aprovao da proposta inicial ainda no foi dada
por parte da Agncia Espacial Europeia, pelo que se decidiu projectar e implementar um
Amplificador de Potncia classe A baseado em transstores de Nitreto de Glio a operar na
banda do 1GHz. Assim, o objectivo principal a construo do Amplificador e a avaliao
do seu desempenho com transstores de Nitreto de Glio.
No sentido de se alcanar o principal objectivo do trabalho, este foi dividido nas
seguintes etapas:
- Estudo e familiarizao com a Electrnica de Rdio-Frequncia;
- Familiarizao com o simulador a utilizar, ADS;
- Projecto de um Amplificador de Potncia em classe A;
- Construo e teste do Amplificador.

1.3 Sumrio

No sentido de se atingirem os objectivos previamente descritos, esta tese est
organizada da seguinte forma:

Captulo 1 Introduo
_________________________________________________________________________
3

Captulo 1- feito o enquadramento do trabalho com uma pequena introduo, so
descritos os objectivos a atingir e apresentado um breve sumrio relativamente ao
assunto de cada captulo.

Captulo 2- Fornece uma viso geral do estado actual da tecnologia dos
semicondutores, indicando alguns benefcios para dispositivos usados no espao.

Captulo 3- essencialmente um capitulo terico, expondo parte da teoria que foi
estudada para projectar o Amplificador de Potncia classe A. Pontos como redes de
adaptao, redes de polarizao, classes de operao, ganho, estabilidade, so abordados
neste captulo.

Captulo 4- Descreve todos os passos seguidos no projecto do Amplificador, bem
como todas as simulaes efectuadas, finalizando com a discusso dos resultados obtidos
nas simulaes.

Captulo 5- Apresenta o Amplificador implementado e todas as medidas efectuadas,
finalizando com a discusso dos resultados obtidos nas medies.

Captulo 6- feita uma breve introduo queles que podem vir a ser os
Amplificadores do futuro: o Amplificador de Doherty.

Captulo 7- Apresenta a concluso do trabalho, bem como uma sugesto de trabalho
futuro.

Captulo 1 Introduo
_________________________________________________________________________
4

Captulo 2 Tecnologias Emergentes de Semicondutores
_________________________________________________________________________
5
Captulo 2
Tecnologias Emergentes de
Semicondutores

Neste captulo feita uma breve descrio das tecnologias emergentes ao nvel dos
semicondutores.

Com o avano na tecnologia dos semicondutores possvel obter benefcios na
performance dos sistemas microondas e ondas milimtricas.
Os Amplificadores de Potncia e de baixo rudo tm sido tradicionalmente
dominados por semicondutores III-V (GaAs, InP). Contudo, novos materiais tais como
InSb e GaN esto a emergir, tendo potencial para produzir um impacto significativo em
algumas reas especficas. Para alm disto, avanos nas tecnologias SiGe bipolar e RF
CMOS comeam a competir com GaAs at aos 40 GHz, devido a redues no tamanho
caracterstico dos dispositivos, [1].
Para ilustrar esta evoluo nas tecnologias dos semicondutores, so apresentados
resultados publicados, nomeadamente da frequncia de corte, figura de rudo e da
densidade de potncia de sada das diferentes tecnologias emergentes de transstores, [1].
As figuras 1, 2 e 3 apresentam os resultados.

_________________________________________________________________________
6

Figura 1 - Comparao das frequncias de corte dos transstores para as vrias tecnologias [1].

Figura 2 - Comparao do NFmin para as vrias tecnologias [1].

Figura 3 - Capacidade de densidade de potncia de sada para as tecnologias GaN, GaAs e InP [1].

_________________________________________________________________________
7
Os transstores de UHF so normalmente concebidos usando tecnologias InP
pHEMT ou MHEMT [2] pois proporcionam um excelente factor de rudo (figura 2) e
performance de ganho. Contudo para comprimentos de gate abaixo dos 70nm, existem
alguns limites de fabrico, sendo por isso necessrio mudar para materiais de performance
mais elevada com vista a alargar a frequncia de operao. Assim, o InSb uma grande
promessa como uma tecnologia de muito baixo consumo de potncia e ultra rpida, uma
vez que os valores da mobilidade de electres e velocidade de saturao so mais altos do
que qualquer outro semicondutor conhecido. A figura 1 mostra que para um mesmo
comprimento de gate, a frequncia de operao do InSb capaz de exceder a do InP. A
performance do factor de rudo no foi ainda reportada, sendo contudo passvel de ser
comparada com a performance do InP (figura 2), [1].
O Nitreto de Glio, GaN, apresenta uma banda de energia proibida muito maior que
o Si ou o GaAs. Assim, dispositivos com larga banda proibida permitem a realizao de
Amplificadores de Potncia de microondas com uma capacidade de potncia de sada uma
ordem de grandeza maior do que com GaAs (figura 3). Sendo considerados dispositivos
rad-hard (radiation hard), tm a capacidade de operar a altas temperaturas, [1].
Os potenciais benefcios para os sistemas espaciais so proteces menos exigentes,
sistemas de arrefecimento de tamanho reduzido e o aumento da longevidade em ambientes
severos. Uma maior densidade de potncia de sada tambm permite a realizao de
mdulos de potncia mais pequenos quando comparados com os que usam os transstores
de GaAs, [1].
Atravs da figura 2, verifica-se que o mnimo factor de rudo para HEMTs de GaN
equiparvel ao dos MESFETs de GaAs.
O estado da arte do RF CMOS tem uma frequncia de corte prxima dos 250 GHz
e um comprimento de gate prximo dos 0.1 (figura 1), [3].
Para finalizar, so apresentadas na tabela 1 as propriedades dos semicondutores
mais comuns.

_________________________________________________________________________
8
Si GaN GaAs In
0.53
Ga
0.47
As InAs InSb
Mobilidade dos
electres
x10
3
(cm
2
V
-1
s
-1
)
0.6 1.6 4.5 8 16 30
Velocidade dos
electres (10
7
cm/s)
1.0 (sat) 2.4 (sat) 2.0 (sat) 2.7 (pico) 4.0 (pico) 5.0 (pico)
Banda proibida
(eV)
1.1 3.4 1.43 0.72 0.36 0.18
Campo de
disrupo (MV/cm)
0.6 3.5 0.6 0.4 0.1 0.01
Tabela 1 - Propriedades dos Semicondutores [1].

Captulo 3 Amplificador de Potncia
_________________________________________________________________________
9
Captulo 3
Amplificador de Potncia

Os principais objectivos a atingir quando se pretende um Amplificador para
pequenos sinais so: o ganho, rudo e linearidade. Ao contrrio do que acontece para estes,
os Amplificadores de Potncia so projectados tendo em vista atingir a mxima potncia
de sada e eficincia. Sendo um dispositivo que converte a energia disponvel numa fonte
de potncia (alimentao DC) em energia de sinal, o seu mrito deve ser medido em
termos de potncia de sinal adicionada, P
u
= P
out
-P
n
, e no atravs do ganho, 0
P
=
P
out
/P
n
[4].
Podem-se distinguir dois tipos de potncia, a potncia disponvel pela fonte e a
potncia que transferida para a carga. A primeira a potncia mxima que a fonte
capaz de fornecer e obtida quando estamos perante uma adaptao conjugada na entrada,
isto , quando Z
n
= Z
s
-
em que Z
n
a impedncia de entrada do transstor e Z
s
-
o
conjugado da impedncia da fonte.
Assim, definindo como potncia available (P
u
) a potncia disponvel pela fonte,
tem-se que a expresso desta em funo da frequncia dada por:

P
u
=
1
8

|v
s
(w)|
2
RL{z
s
(w)]
(3.1)

Em que I
s
(w) a tenso de pico na entrada e RE{Z
s
(w)] a parte real da
impedncia da fonte.

A potncia transferida para a carga (P
L
) dada por:

P
L
=
1
2
|v
L
(w)|
2
RL{z
L
(w)]
(3.2)

_________________________________________________________________________
10
Em que I
L
(w) a tenso de pico na carga e RE{Z
L
(w)] a parte real da
impedncia de carga.
Outra propriedade importante dos amplificadores de potncia a eficincia, pois
o que quantifica a percentagem da potncia DC que convertida em potncia RF.
Usualmente esta propriedade referida como conversion efficiency ou drain efficiency e
expressa por [4]:

p
P
cut
P
dc
(3.3)

Em que P
out
=
1
2
I
dc
I
1
e representa a potncia de sada fundamental no ponto de
compresso de 1dB. P
dc
a potncia DC que consumida e dada por P
dc
= I
dc
I
dc
.
No entanto quando o ganho to baixo que P
n
representa uma parte substancial de
P
out
, a eficincia substituda por PAE (Power added efficiency) [4].

PAE =
P
cut
-P
in
P
dc
(3.4)

Atravs da frmula possvel verificar que, ao contrrio da eficincia, o PAE
contabiliza tambm a potncia do sinal de entrada.

3.1 Classes de Operao

A escolha do ponto de polarizao ou ponto quiescente uma parte muito
importante no desenho de um Amplificador de Potncia, pois define a classe de operao
em que vai funcionar e por conseguinte a sua performance. Se pretendido um
Amplificador com uma maior linearidade, ento o ngulo de conduo deve ser grande,
isto , o transstor conduz durante a maior parte ou totalidade do sinal aplicado entrada.
Contudo, se o Amplificador desenhado para linearidade perde-se eficincia, ou seja,
menos potncia disponvel pela fonte (P
u
) entregue carga, sendo dissipada na forma de
calor. Diminuindo o ngulo de conduo obtm-se mais eficincia, mas logicamente perde-
se linearidade. O ideal seria arranjar um compromisso entre eficincia e linearidade, ou
seja, j que no se pode ter ambas, desenhar o amplificador de modo a ser razovel nas

_________________________________________________________________________
11
duas caractersticas. No entanto, um bocado relativo, pois esta escolha depende do tipo
de aplicao para a qual se pretende o Amplificador.
A classe de operao do AP depende do ngulo de conduo, podendo este ser
alterado conforme a tenso de polarizao da gate e do dreno escolhidas. A figura 4 ilustra
as diferentes classes de operao.
Outro facto importante que a escolha do ponto de polarizao limitada pela
regio que garante que o transstor no danificado pela dissipao de calor.

Para explicar as diferentes classes de operao, assume-se como Amplificador RF
ideal o da figura 5. O circuito constitudo por um FET, uma fonte de excitao, fontes de
polarizao da gate e do dreno assim como os seus circuitos de polarizao, um circuito
sintonizado (LC paralelo) e uma carga, R
L
.
Figura 4 - Classes de operao de um AP [5].

_________________________________________________________________________
12

3.1.1 Classe A

Ao aplicar-se uma excitao sinusoidal na gate I
I
(t) gerada uma componente de
corrente RF no dreno, I
o
(t). Se o circuito sintonizado for ressonante frequncia
fundamental, a corrente passa toda pela carga. Sabendo que a componente RF de tenso de
dreno, I
o
(t), igual queda de tenso em R
L
:

I
L
(t) = I
o
(t) = -I
o
(t)R
L
(3.1.1.1)

A figura 6 ilustra as curvas caractersticas IV do FET, bem como a recta de carga e
o ponto de polarizao (V
DC,
I
DC
). Por comodidade, a tenso de joelho V
k
vai ser
inicialmente considerada zero. Contudo, mais frente, ir ser includa nos clculos.
Num AP pretende-se maximizar a potncia entregue carga. Isto acontece quando
I
L
(t) e I
L
(t) = -I
o
(t) atingem as suas excurses mximas. Estas ocorrem quando
|I
L
(t)| = I
C
e |I
L
(t)| = I
C
[6]. Considerando V
k
zero, R
L
=
v
BR
I
Mcx
=
v
DC
IC
, o inverso do
declive da recta de carga e quando toma este valor, ocorrem as excurses mximas de
sinal. Logo, a tenso no dreno varia de zero at I
BR
= 2I
C
, onde I
BR
a tenso mxima e
a corrente varia de zero at I
Mux
= 2I
C
. As formas de onda de tenso e de corrente de um
AP a funcionar em Classe A esto representadas na figura 7.
Assim, a potncia de sada :
P
L
=
1
2
|I
L
(t)||I
L
(t)| =
1
2
I
C
I
C
=
1
8
I
Mux
I
Mux
(3.1.1.2)
Figura 5 - Esquema simplificado de um Amplificador RF sintonizado [4].

_________________________________________________________________________
13
E a eficincia, neste caso vem dada por:

p =
P
L
P
dc
=
u.S I
C
I
C
I
C
I
C
= Su%

Figura 6 - Curvas caractersticas IV do FET e recta de carga [4].

Figura 7 - Exemplo das formas de onda da corrente e da tenso Classe A.

_________________________________________________________________________
14
Um Amplificador a operar desta forma esta a operar em classe A tendo um ngulo
de conduo igual a 2. Como a sua eficincia no mximo de 50%, quer dizer que dissipa
tanta potncia na forma de calor como aquela que transfere para a carga.
A sua baixa eficincia e o facto de em repouso dissipar mais potncia do que
quando excitado por um sinal RF, constituem duas caractersticas indesejadas.

3.1.2 Classe AB

Para ngulos de conduo entre e 2 estamos perante um amplificador a operar
em classe AB. De facto, a reduo do ngulo de conduo leva a que no haja conduo
durante todo o perodo da onda de tenso da entrada, ou seja, ocorre o clipping da corrente.
No entanto, h o inconveniente de gerar harmnicos e, por conseguinte, efeitos no
lineares. Esta diminuio do ngulo de conduo conseguida baixando a tenso de gate.
Os amplificadores em classe AB so geralmente uma boa escolha, pois revelam um
compromisso entre linearidade e eficincia, isto , so mais lineares que os classe B e mais
eficientes relativamente aos classe A.

Figura 8 - Exemplo das formas de onda da corrente e da tenso Classe AB.

_________________________________________________________________________
15
3.1.3 Classe B

A tenso de gate de um amplificador ideal a operar em Classe B ajustada para a
tenso de threshold do FET, Vt. Consequentemente, isto vai implicar que este no conduza
quando est em repouso (ponto de polarizao). Assim no dissipada nenhuma potncia
na ausncia de excitao, que era uma das desvantagens do amplificador a operar em
Classe A.
O ponto de polarizao no eixo da tenso do grfico das curvas IV do FET (figura
6), VDC. No entanto neste caso no possvel desenhar uma verdadeira recta de carga,
porque quando o amplificador est polarizado em Classe B existem componentes
harmnicos da corrente de dreno que no circulam pela carga, logo a equao 3.1.1.1 no
vlida [6].
Durante o meio ciclo positivo da tenso de entrada VG(t) >Vt, o FET conduz;
durante o meio ciclo negativo VG(t) <Vt, no h conduo. Consequentemente, a corrente
no dreno um train de impulsos com a forma de onda de meio coseno, sendo por isso a
corrente clipada provocando os harmnicos da corrente. A componente DC da corrente
de dreno a mdia do meio coseno, pela anlise de Fourier IDC=Imax/ [6] e a potncia
DC do amplificador :

P
C
= I
C
I
mcx
n
(3.1.3.1)

O circuito sintonizado apenas permite a passagem das componentes fundamental e
DC da tenso de dreno, pelo que a parte AC da tenso de dreno igual a VL(t) e uma
sinuside continua. A componente fundamental da corrente de dreno a nica que passa
pela carga, logo a potncia entregue a esta :

P
L
=
1
2
I
1
|I
L
(t)| (3.1.3.2)

Onde I1=|IL(t)| a amplitude da componente fundamental da corrente de dreno,
|VL(t)|=VDC e pela anlise de Fourier I1=Imax/2 [6]. Ento:

_________________________________________________________________________
16
P
L
=
1
2
(
1
2
I
mux
)I
C
(3.1.3.3)

e a eficincia :

p =
P
L
P
DC
=
n
4
= 78.S% (3.1.3.4)

Idealmente um amplificador em classe B tem uma eficincia mxima de 78.5%, que
muito melhor do que os 50% conseguidos na classe A e o seu ngulo de conduo .
Esta melhoria deve-se ao facto de s haver conduo durante meio ciclo da onda de
entrada. Verifica-se tambm que quando o FET est off no h dissipao de potncia, ao
contrrio do que acontece com a classe A.

Figura 9 - Exemplo das formas de onda da corrente e da tenso Classe B.

3.1.4 Classe C

Quando o ngulo de conduo menor que estamos perante um amplificador
polarizado em classe C. A corrente de dreno composta por impulsos de curta durao
aumentando substancialmente a eficincia. Esta ter um valor mximo de 100% quando o
ngulo de conduo se aproximar de zero. Contudo, quando estamos perante esta situao
surge um problema, pois quando o ngulo de conduo tende para zero e a eficincia tende
para o seu valor mximo, a potncia de sada vai se aproximar de zero. Por outro lado,

_________________________________________________________________________
17
quando o transstor est polarizado para alm do seu ponto de corte, verifica-se uma
diminuio no ganho, pelo que se deve aumentar o drive de potncia na entrada. Outro
inconveniente no uso da classe C que extremamente no linear, devido ao facto do
transstor conduzir durante curtos perodos de tempo.
Estas so apenas algumas razes desencorajadoras do uso de APs em classe C.

Figura 10 - Exemplo das formas de onda da corrente e da tenso Classe C.

3.2 Grficos de fluxo de sinal

Os grficos de fluxo de sinal constituem uma tcnica auxiliar para representar e
analisar a transmisso e reflexo das ondas num Amplificador. Depois de obtido o grfico
de fluxo de sinal, possvel retirar relaes entre variveis utilizando a regra de Mason ou
atravs da sua anlise. Sendo a sua anlise, por vezes, um mtodo mais trabalhoso podendo
conduzir a grandes expresses e que muitas vezes no conduzem a resultado algum, tal a
complexidade das equaes a desenvolver.
uma tcnica que permite obter facilmente expresses de ganhos de potncia e de
tenso dos Amplificadores.
Existem, contudo, determinadas regras a seguir na construo de um grfico de
fluxo de sinal [7]:
- Cada varivel representada por um n;
- Os parmetros S e os coeficientes de reflexo so representados por ramos;

_________________________________________________________________________
18
- Os ramos incidem nos ns das variveis dependentes e partem dos ns das
variveis independentes. As ondas incidentes so as variveis independentes e as ondas
reflectidas as dependentes;
- Um n igual soma dos ramos que em si incidem.

A figura 11 representa o grfico de fluxo de sinal dos parmetros S de uma rede de
dois portos.

Figura 11 - Grfico de fluxo de sinal das equaes dos parmetros S.

Verifica-se que a1 e a2 so as variveis independentes e b1 e b2 as dependentes.
Assim da anlise do grfico retira-se:

b1 = S
11
a1 + S
12
a2
b2 = S
21
a1 + S
22
a2

que so as j conhecidas equaes de parmetros S de uma rede de dois portos.
A figura 12 ilustra o grfico de fluxo de sinal representativo da relao entre as
ondas que se propagam numa rede de dois portos.
A onda incidente a1 no porto 1 parcialmente transmitida (S
21
a1), tornando-se
parte de b2 e parcialmente reflectida (S
11
a1), tornando-se parte de b1. A mesma anlise
pode ser feita em relao onda incidente a2 no porto 2.

_________________________________________________________________________
19

Figura 12 - Grfico de fluxo de sinal de uma rede de dois portos.

No sentido de se obter o grfico de fluxo de sinal de um Amplificador,
previamente necessrio obter os grficos de fluxo de sinal de um gerador de tenso com
uma impedncia interna e da impedncia de carga.

Figura 13 - Gerador de tenso com impedncia interna ZS.
v

Figura 14 - Grfico de fluxo de sinal de um gerador de tenso.

_________________________________________________________________________
20

Figura 15 - Impedncia de carga.
v
Figura 16 - Grfico de fluxo de sinal da impedncia de carga.

Todos os passos necessrios para se chegar ao grfico de fluxo de sinal de um
Amplificador, esto explicados detalhadamente em [7]. Assim, combinando o grfico de
fluxo de sinal da figura 12 com os grficos do gerador de tenso e da impedncia de carga,
obtm-se o grfico de fluxo de sinal do Amplificador ilustrado na figura 17.

Figura 17 - Grfico de fluxo de sinal de um Amplificador.

_________________________________________________________________________
21

Note-se que os ns b
g
, a
g
, b
L
e a
L
so idnticos a a
1
, b
1
, a
2
e b
2
.
S
e
L
representam
os coeficientes de reflexo no gerador de tenso e na carga, respectivamente.

3.2.1 Aplicaes

Os grficos de fluxo de sinal podem ser utilizados para calcular o coeficiente de
reflexo da entrada,
IN
, quando uma carga est conectada na sada de uma rede de dois
portos.

IN
.

O coeficiente de reflexo de entrada definido como:
IN
=
b
1
o
1

Analisando o grfico verifica-se que:
a
2
=
L
b
2

b
2
= S
21
a
1
+ S
22
a
2

Combinando estas duas equaes obtm-se:

IN
=
b
1
u
1
= s
11
+
S
12
S
21
I
L
1-S
22
I
L
(3.2.1.1)

_________________________________________________________________________
22
Verifica-se que
IN
= S
11
em duas situaes distintas: a primeira quando
L
= u, a
segunda quando S
12
= u, querendo isto dizer que no existe transmisso da sada para a
entrada. Nesta situao o dispositivo diz-se unilateral.

Da mesma maneira, atravs do grfico de fluxo de sinal da figura 19 possvel
calcular o coeficiente de reflexo da sada
OUT
= b
2
/a
2
quando b
s
= 0.

OUT
.

A expresso para
OUT
ento:

001
=
b
2
u
2
= s
22
+
S
12
S
21
I
S
1-S
11
I
S
(3.2.1.2)

Os grficos de fluxo de sinal podem tambm ser usados no clculo do ganho de
potncia e de tenso.
A derivao das frmulas encontra-se explicada detalhadamente em [7].
Nomeadamente o ganho de potncia de transduo, G
T
, dado por [7]:

0
1
=
P
L
P
AvS
=
1-|I
S
|
2
|1-I
IN
I
S
|
2
|S
21
|
2
1-|I
L
|
2
|1-S
22
I
L
|
2
(3.2.1.3)

ou

0
1
=
1-|I
S
|
2
|1-S
11
I
S
|
2
|S
21
|
2
1-|I
L
|
2
|1-I
OUT
I
L
|
2
(3.2.1.4)

_________________________________________________________________________
23
3.3 Ganho

O ganho relevante para os amplificadores RF o ganho de potncia, pois neste caso
o objectivo principal a emisso de potncia. Logo, os ganhos de tenso e de corrente tm
pouco interesse.
Existem vrios tipos de ganho em potncia que podem ser definidos:

- Ganho de Transduo

o mais representativo dos amplificadores RF e definido como j foi indicado em
(3.2.1.3):

0
1
=
Potncio cntrcguc corgo (P
L
)
Potncio Jisponi:cl no ontc (P
AvS
)

0
1
=
P
L
P
AvS
=
1-|I
S
|
2
|1-I
IN
I
S
|
2
|S
21
|
2
1-|I
L
|
2
|1-S
22
I
L
|
2
=
1-|I
S
|
2
|1-S
11
I
S
|
2
|S
21
|
2
1-|I
L
|
2
|1-I
OUT
I
L
|
2
(3.3.1)

- Ganho Disponvel

Obtm-se nas condies mais favorveis de adaptao, ou seja, quando
S
=
IN
-
e
L
=
001
-
.

0
A
=
Potncio Jisponi:cl soiJo Jo AmpliicoJor (P
AvL
)
Potncio Jisponi:cl no ontc (P
AvS
)

0
A
=
P
AvL
P
AvS
=
1-|I
S
|
2
|1-S
11
I
S
|
2
|S
21
|
2
1
1-|I
OUT
|
2
(3.3.2)

_________________________________________________________________________
24
- Ganho de Potncia

Contabiliza a desadaptao sada, mas supe adaptao entrada.

0
P
=
Potncio cntrcguc corgo (P
L
)
Potncio orncciJo pclo ontc (P
IN
)

0
P
=
P
L
P
IN
=
1
|1-I
IN
|
2
|S
21
|
2
1-|I
L
|
2
|1-S
22
I
L
|
2
(3.3.3)

Se o S
12
for zero, pode ainda definir-se o ganho de transduo unilateral. Nestas
condies
IN
= S
11
,
001
= S
22
e o ganho de transduo unilateral dado por:

0
1
=
1-|I
S
|
2
|1-S
11
I
S
|
2
|S
21
|
2
1-|I
L
|
2
|1-S
22
I
L
|
2
(3.3.4)

O primeiro termo da equao depende de S
11
e do coeficiente de reflexo na fonte.
O segundo termo, |S
21
|
2
, depende apenas de S
21
. O terceiro termo depende de S
22
e do
coeficiente de reflexo na carga. Assim, pode-se pensar na equao (3.3.4) como sendo
composta por trs termos de ganhos independentes. Consequentemente, pode ser escrita na
forma [7]:
0
10
= 0
S
0
0
0
L
(3.3.5)
Onde:
0
S
=
1-|I
S
|
2
|1-S
11
I
S
|
2
(3.3.6)

0
0
= |S
21
|
2
(3.3.7)

0
L
=
1-|I
L
|
2
|1-S
22
I
L
|
2
(3.3.8)

_________________________________________________________________________
25
e o Amplificador pode ser constitudo por trs blocos de ganho. Onde G
S
e G
L
representam
o ganho ou a perda provocada pela adaptao ou desadaptao dos circuitos da entrada ou
sada, respectivamente. O termo G
O
est relacionado com o prprio dispositivo [7].

possvel obter o ganho de transduo unilateral mximo. Para isso necessrio
que
S
= S
11
-
e
L
= S
22
-
, ou seja estarmos perante uma adaptao conjugada e o ganho
de transduo unilateral mximo dado por:

0
10,mx
=
1
|1-S
11
|
2
|S
21
|
2
1
|1-S
22
|
2
(3.3.9)

3.4 Estabilidade

A estabilidade uma propriedade bastante importante no desenho de um
amplificador, pois a oscilao um efeito que indesejado. Os parmetros S, as redes de
adaptao e as terminaes podem determinar a estabilidade.
Numa rede de dois portos as oscilaes so possveis sempre que a entrada ou a
sada apresentem resistncia negativa. Usualmente ocorre quando |
IN
|>1 ou |
OUT
|>1, o
que para um dispositivo unilateral ocorre quando |S
11
|>1 ou |S
22
|>1.
Uma rede de dois portos incondicionalmente instvel se as partes reais de Z
IN
e
Z
OUT
forem maiores que zero para todos os possveis valores da impedncia de carga e de
fonte. Se um dispositivo no for incondicionalmente estvel, potencialmente instvel, isto
, pode existir uma impedncia de carga ou fonte que tornem o dispositivo instvel.
Em termos dos coeficientes de reflexo, as condies para a estabilidade
incondicional so [7]:
|
IN
| < 1 (3.4.1)

|
001
| < 1 (3.4.2)

|
IN
| = s
11
+
S
12
S
21
I
L
1-S
22
I
L
< 1 (3.4.3)

|
001
| = s
22
+
S
12
S
21
I
S
1-S
11
I
S
< 1 (3.4.4)

_________________________________________________________________________
26

Manipulando estas equaes obtm-se que a estabilidade incondicional pode ser
verificada por [8]:

K =
1-|S
11
|
2
-|S
22
|
2
+||
2
2|S
12
S
21
|
> 1 (3.4.5)
e
|| = |S
11
S
22
-S
12
S
21
| < 1 (3.4.6)

Estes dois valores associados a |S
11
| <1 e |S
22
| <1 chama-se factor de Stern [9].

A estabilidade pode tambm ser analisada graficamente atravs da carta de Smith.
Resolvendo as equaes (3.4.3) e (3.4.4) verifica-se que os resultados obtidos
representam um crculo na carta de Smith. Sendo os valores do raio e do centro dados por:
[7]
- Valores de
L
para os quais |
IN
|=1

r
L
= |
S
12
S
21
|S
22
|
2
-|
2
|
| (3.4.7)

C
L
=
(S
22
-S
11
-
)
-
|S
22
|
2
-||
2
(3.4.8)

- Valores de
S
para os quais |
OUT
|=1

r
S
= |
S
12
S
21
|S
11
|
2
-|
2
|
| (3.4.9)

C
S
=
(S
11
-S
22
-
)
-
|S
11
|
2
-||
2
(3.4.10)

Quem define a zona estvel do crculo |S
11
| ou |S
22
| dependendo se est a tratar-se
da sada ou da entrada, respectivamente. Uma anlise detalhada desta situao encontra-se

_________________________________________________________________________
27
em [7]. Assim, no plano de
L
, se o mdulo de S
11
> 1 a zona estvel dentro do crculo de
estabilidade. No caso contrrio fora do crculo de estabilidade e obviamente dentro da
carta de Smith. No plano de
S
, a anlise semelhante, mas considerando |S
22
|.
A figura 20 ilustra a primeira situao e a figura 21 a segunda.

L
.

S
.

_________________________________________________________________________
28
3.5 Linearidade & No-Linearidade

Um sistema tido como linear quando obedece ao principio da proporcionalidade e
sobreposio, isto , a uma entrada do tipo x(t) = x
1
(t) + x
2
(t) respondem com y(t) = y
1
(t) +
y
2
(t), e entrada x
(t) = k
1
x
1
(t) + k
2
x
2
(t) respondem com y
(t) = k
1
y
1
(t) + k
2
y
2
(t), quando
y
1
(t) e y
2
(t) so as respostas s entradas isoladas x
1
(t) e x
2
(t), respectivamente [10]. Os
sistemas no-lineares so todos aqueles que no verificam estas propriedades, sendo
responsveis pela distoro no linear nos sistemas. A distoro no linear responsvel
pelo aparecimento de novas componentes espectrais.
Todos os circuitos so no lineares, mesmo aqueles que so tidos j partida como
lineares, como por exemplo, uma resistncia, um condensador ou uma bobine. De facto,
quando estes dispositivos esto a funcionar no limiar da sua gama de funcionamento
apresentam no linearidades. Por exemplo, quando tenses ou correntes elevadas so
aplicadas aos terminais de uma resistncia fazem com que mude o seu valor, devido ao
elevado aquecimento a que est sujeita nestas circunstncias. Portanto, mesmo aqueles
circuitos mais simples que so tidos como lineares, no o so sob todas as circunstncias.
Ora, os Amplificadores de Potncia RF no fogem regra e so os grandes
responsveis da distoro no linear nos transceivers.

3.5.1 Distoro de Intermodulao

Os sinais de dois ou mais tons geram produtos de mistura, que por sua vez so
responsveis pela distoro dos tons fundamentais, levando ao aparecimento de produtos
de intermodulao. Estes quando presentes num Amplificador constituem um problema,
pois provocam distoro no sinal pretendido.
Os produtos de intermodulao de terceira ordem so os mais preocupantes, pois
so os mais prximos dos tons fundamentais (
1
e
2
), situando-se em 2
1
-
2
e 2
2

1
.
Consequentemente no podem ser filtrados.
A figura 22 mostra a distoro de intermodulao devido a um sinal de 2 tons.

_________________________________________________________________________
29

Figura 22 - Distoro de intermodulao devido a um sinal de 2 tons [6].

3.5.2 Factores de Mrito

3.5.2.1 Ponto de Compresso de 1dB

As no-linearidades surgem assim que o Amplificador comea a atingir a saturao.
Nestas circunstncias, o ganho vai sofrer uma compresso.
O ponto de compresso de 1dB ento definido como o ponto em que a potncia na
sada est comprimida 1dB quando comparado com a sada que deveria ser obtida no caso
de ser linear.
A figura 23 ilustrativa desta situao.

Figura 23 - Ponto de Compresso de 1dB.

_________________________________________________________________________
30
3.5.2.2 Ponto de Interseco de terceira ordem (IP3)

O ponto de interseco de terceira ordem obtido extrapolando a recta da potncia
de sada linear e a recta do produto de intermodulao de terceira ordem, extraindo o ponto
de interseco entre as duas rectas.
A figura 24 representa o IP3.

Figura 24 - Ponto de interseco de terceira ordem.

3.6 Redes de Adaptao

As redes de adaptao de entrada/sada, IMN/OMN respectivamente, so parte
integrante de um Amplificador e podem ser desenhadas com a ajuda da carta de Smith.
Estas permitem optimizar a performance do Amplificador, isto , minimizar os coeficientes
de reflexo da entrada e da sada. Transformam a impedncia de entrada e de sada do
transstor na impedncia da fonte e da carga (tipicamente 50). Podem ser baseadas em
parmetros distribudos, linhas microstrip ou em parmetros concentrados, condensadores
e bobines.
Neste trabalho so usadas linhas microstrip no desenho das IMN/OMN.

_________________________________________________________________________
31

Figura 25 - Diagrama de blocos simplificado de um Amplificador.

3.6.1 Adaptao Conjugada

Este tipo de Adaptao normalmente utilizada quando se pretende um
Amplificador orientado para atingir mximo ganho na sada. baseada na anlise dos
parmetros S para Amplificadores de pequeno sinal, obedecendo s condies:

IN
=
S
-
(3.6.1.1)
e
001
=
L
-
(3.6.1.2)

As IMN e OMN so realizadas de maneira a transformar as impedncias de
entrada/sada do transstor nas impedncias de fonte/carga (50), respectivamente.
No frequente usar-se a adaptao conjugada em Amplificadores de Potncia,
uma vez que o sinal de entrada no pode ser tratado como pequeno sinal, sendo portanto
usada uma adaptao no sentido da obteno de potncia.
No entanto para Amplificadores de Potncia a funcionarem em Classe A, a
adaptao conjugada pode ser usada na IMN.

3.6.2 Adaptao baseada na recta de carga

uma tcnica baseada na seleco da resistncia de carga ptima (R
opt
), que
permite obter mxima potncia de sada. Note-se que esta resistncia intrnseca ao
dispositivo, sendo necessrio conhecer o modelo de elementos extrnsecos do mesmo para
reflectir a resistncia para os seus terminais (Z
opt
).

_________________________________________________________________________
32
A frmula final para calcular R
opt
dada por:

R
opt
=
(v
BR
-v
K
)
I
mcx
(3.6.2.1)

onde
I
BR
a tenso de disrupo (breakdown) do dispositivo, I
K
a tenso de joelho
em que a corrente atinge o seu valor mximo de saturao, I
mux
.
O desenho da IMN semelhante ao da adaptao conjugada, a OMN transforma
Z
opt
na impedncia de carga (50).
Esta a tcnica utilizada neste trabalho.

3.6.3 Adaptao baseada nas curvas Load Pull

Baseia-se em determinar a impedncia de carga ptima, respeitando um
compromisso entre o ganho e a potncia de sada, isto , as curvas de ganho e de potncia
so desenhadas na carta de Smith onde seleccionada a impedncia de carga que
representa o melhor compromisso entre o ganho e a potncia de sada. Estas curvas podem
ser medidas ou simuladas, contudo a sua medida difcil pelo que necessrio um
equipamento delicado. Logo, a melhor soluo a sua simulao, que pode ser efectuada,
por exemplo, com o ADS.

3.7 Rede de Polarizao

A rede de polarizao uma parte muito importante e fundamental, no desenho de
um Amplificador de Potncia, pois controla a classe de operao do Amplificador. O seu
objectivo manter o ponto de polarizao escolhido aquando de variaes nos parmetros
do transstor e da temperatura. Previne fugas do sinal RF para a fonte DC e fugas do sinal
DC para a fonte RF.
A figura 26 mostra uma simples rede de polarizao, constituda por bobines e
condensadores.

_________________________________________________________________________
33

Figura 26 - Rede de polarizao.

_________________________________________________________________________
34

Captulo 4 Projecto & Simulaes
_________________________________________________________________________
35
Capitulo 4
Projecto e Simulaes

Neste captulo so descritos todos os passos efectuados no desenho do
Amplificador de Potncia a operar em classe A, assim como todas as simulaes
efectuadas.
O simulador utilizado foi Agilent EEsof ADS.
O transstor disponibilizado para este trabalho foi o HEMT RT233PD da RFHIC.
Este funciona numa gama de frequncias entre os 300 MHz e os 5GHz, tendo vrias
aplicaes, tais como: repetidores, subsistemas de RF, estaes base, etc. Mais
informaes acerca do transstor utilizado podero ser consultadas no datasheet em Anexo.
O seu modelo para efeitos de simulaes foi cedido pelo laboratrio, pois o ADS no o tem
disponvel em nenhuma das suas bibliotecas. Est representado na figura 27.
O desenho de um Amplificador constitudo por vrias etapas. A primeira delas a
escolha do ponto de polarizao, definindo assim a sua classe de operao. Segue-se a
determinao dos parmetros S para a frequncia pretendida, no sentido de se avaliar a
estabilidade. Finalmente, necessrio desenhar as malhas de adaptao de entrada/sada e
testar o sistema completo. Ora, so exactamente estes os passos que so descritos no
presente captulo.

Figura 27 - Modelo para simulao do transstor.

D2
G2
G1 D1 D
S
G
Port
SOURCE
Num=3
Port
DRAIN
Num=2
Port
GATE
Num=1
VAR
Model_Ids
Ids(Vgs,Vds) = Beta * (Vgs3(Vgs,Vds)^2) / (1+Vgs3(Vgs,Vds)^plin/VL) * ((1+lambda*Vds) * tanh(alfa*Vds / (Vgs3(Vgs,Vds)^psat)))
Vgs3(Vgs,Vds) = VST * ln(1 + exp(Vgs2(Vgs,Vds)/VST))
Vgs2(Vgs,Vds) = Vgs1(Vgs,Vds) - 0.5*(Vgs1(Vgs,Vds) + sqrt((Vgs1(Vgs,Vds)-VK)^2+Delta^2) - sqrt(VK^2 + Delta^2))
Vgs1(Vgs,Vds) = Vgs - VT(Vds)
VT(Vds) = VT0 + gama*Vds
Eqn
Var
R
Rg
R=Rg Ohm
C
Cgd
C=Cgd F
SDD2P
SDD2P1
Cport[1]=
I[2,0]=Ids(Vgs,Vds)
I[1,1]=QCgs_Vgs
I_Probe
IDS_IN
R
Rs
R=Rs Ohm
C
Cds
C=Cds F C
C32
C=Cpg F
C
C11
C=C11 F
R
R11
R=R11 Ohm
C
C33
C=Cpd F
R
R21
R=R21 Ohm
C
C21
C=C21 F
L
Ld_B
L=Ld H
L
Lg_B
L=Lg H
L
Ls
L=Ls H
R
Rd
R=Rd Ohm
VAR
VAR6
Vds = _v2
Vgs = _v1
Eqn
Var
R
Rs3
R=Ri Ohm
VAR
Model_Cgs
QCgs_Vgs = Cgs0*Vgs + ACgs/2 * ( Vgs + 1/KCgs * ln(cosh( KCgs*(Vgs-VCgs) )) )
Eqn
Var

_________________________________________________________________________
36
4.1 Anlise DC e Ponto de Polarizao

4.1.1 Anlise DC

A anlise DC o primeiro passo a realizar no desenho de um Amplificador de
Potncia. Estimando as curvas caractersticas IV do dispositivo possvel escolher o ponto
de polarizao, tendo em conta a tenso de joelho (V
K
), a tenso de disrupo (V
BR
) ou a
tenso de dreno mxima (V
DS, max
), e claro a classe em que se pretende operar.
A figura 28 mostra o circuito desenhado para a simulao das curvas caractersticas
IV. Este constitudo por duas fontes DC e pelo modelo do transstor, V
GS
varia de -5V at
0V e V
DS
varia de 0V at 40V.

Figura 28 - Simulao das Curvas IV.

Source
Drain
Gate
VAR
VAR1
VDS=0.1 V
VGS=0.1 V
Eqn
Var
DC
DC1
Step=0.1 V
Stop=40V
Start=0V
SweepVar="VDS"
DC
ParamSweep
Sweep1
Step=0.1 V
Stop=0 V
Start=-5 V
SimInstanceName[6]=
SimInstanceName[5]=
SimInstanceName[4]=
SimInstanceName[3]=
SimInstanceName[2]=
SimInstanceName[1]="DC1"
SweepVar="VGS"
PARAMETER SWEEP
Model
X1
SOURCE
GATE DRAIN
V_DC
SRC2
Vdc=VGS
I_Probe
IDS
V_DC
SRC1
Vdc=VDS

_________________________________________________________________________
37

Figura 29 - Curvas IV e Recta de Carga.

A figura acima mostra as curvas IV resultantes da simulao efectuada. Como se
pode observar, a tenso de joelho (V
K
) de 6V para uma corrente de dreno mxima de
632mA. Quanto tenso V
BR
, esta no passvel de ser observada nem fornecida no
datasheet, pelo que foi escolhido o valor de 40V. Este valor foi escolhido tendo em conta a
potncia total dissipada pelo dispositivo.

m1
VDS=
IDS.i =0.324
VGS=-1.100000
23.000
m2
VDS=
IDS.i =0.632
VGS=0.000000
6.000
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 0 40
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
0
850
VGS=-5.000 VGS=-4.900 VGS=-4.800 VGS=-4.700 VGS=-4.600 VGS=-4.500 VGS=-4.400 VGS=-4.300 VGS=-4.200 VGS=-4.100 VGS=-4.000 VGS=-3.900 VGS=-3.800 VGS=-3.700 VGS=-3.600 VGS=-3.500 VGS=-3.400 VGS=-3.300 VGS=-3.200 VGS=-3.100 VGS=-3.000 VGS=-2.900 VGS=-2.800 VGS=-2.700 VGS=-2.600 VGS=-2.500
VGS=-2.400
VGS=-2.300
VGS=-2.200
VGS=-2.100
VGS=-2.000
VGS=-1.900
VGS=-1.800
VGS=-1.700
VGS=-1.600
VGS=-1.500
VGS=-1.400
VGS=-1.300
VGS=-1.200
VGS=-1.100
VGS=-1.000
VGS=-0.900
VGS=-0.800
VGS=-0.700
VGS=-0.600
VGS=-0.500
VGS=-0.400
VGS=-0.300
VGS=-0.200
VGS=-0.100
VGS=0.000
VDS
I
D
S
.
i
,
m
A
m1
m2
m1
VDS=
IDS.i =0.324
VGS=-1.100000
23.000
m2
VDS=
IDS.i =0.632
VGS=0.000000
6.000
23.000 7.454
VDS
Device Power
Consumption, Watts
Values at bias point indicated by marker m1.
Move marker to update.

_________________________________________________________________________
38

4.1.2- Ponto de Polarizao

A escolha do ponto de polarizao deve ter em conta a potncia mxima dissipada
pelo transstor, definindo assim uma rea segura de funcionamento (SOA), ou seja, dentro
desta rea a integridade do transstor assegurada, pois no corre risco de sofrer danos
devido ao aquecimento.
A tabela 2 indica os mximos valores suportados pelo transstor.

Parmetro Smbolo Valor
Tenso Dreno-Fonte V
ds
+70V
Tenso Porta-Fonte V
gs
-30V
Potncia Total Dissipada P
t
7.8W
Temperatura de
Armazenamento
T
stg
-65C ~ +175C
Temperatura de Canal T
ch
200C
Tabela 2 - Mximos valores suportados.

Neste trabalho a escolha do ponto de repouso feita de forma ao Amplificador
operar em classe A. Tendo em considerao a mxima potncia dissipada pelo dispositivo
(7.8W) e de modo a ter a mxima excurso de sinal, o ponto de polarizao escolhido foi:

I
C
=
v
K
+v
BR
2
= 2SI e I
gs
=-1.1V, correspondente a uma corrente de I
C
=
I
mcx
2
=
S24 mA.

- Clculo de R
L

O clculo da resistncia de carga intrnseca do transstor (R
L
) feito determinando
o declive da recta de carga, que dado por:

m = -
1
R
L
(4.1.2.1)

_________________________________________________________________________
39
Assim, para a recta de carga representada na figura 29

(y -y
0
) = m(x -x
0
) (4.1.2.2)

Onde (x, y) = (6I, 6S2mA) e (x
0
, y
0
) = (2SI, S24mA), obtm-se m =
-u.u18
-1
.
Igualando as equaes (4.1.2.1) e (4.1.2.2) tira-se que R
L
= SS.SS.

4.2 Parmetros S

Depois de escolhido o ponto de polarizao necessrio escolher a rede de
polarizao, para proceder simulao dos parmetros S do dispositivo.
O circuito da figura 30 que foi desenhado para a simulao dos parmetros S e da
regio de estabilidade do dispositivo, ilustra tambm as redes de polarizao utilizadas.
Estas so compostas por elementos passivos, condensadores e bobines, permitindo o bom
funcionamento do circuito frequncia de funcionamento (1GHz). C7 e C8 tm o valor de
470pF, comportando-se como um curto-circuito para a frequncia RF e como circuito
aberto para DC.
L1 e L2 Tm o valor de 1 mH; C1, C6 = 1F; C2, C5 = 100nF; C3, C4 = 100pF.
Estes dois blocos comportam-se como um curto-circuito para DC e um circuito aberto para
RF.
Apesar de se estar a desenhar um Amplificador de Potncia, a obteno dos
parmetros S til para a rede de adaptao da entrada. Isto porque o Amplificador opera
em classe A, sendo o que apresenta melhor linearidade em relao aos outros, pelo que a
sada desenhada de forma a obter-se a mxima potncia e a entrada de forma a obter-se o
mximo ganho.
As figuras 31, 32 e a tabela 3 apresentam os resultados obtidos.

_________________________________________________________________________
40

Figura 30 - Rede de polarizao e simulao dos parmetros S.

Tabela 3 - Parmetros S.
Drai n
Source
Gate
S_Param
SP1
Cal cNoi se=no
Step=500 MHz
Stop=5.0 GHz
Start=500 MHz
S-PARAMETERS
StabFact
StabFact1
StabFact1=stab_fact(S)
StabFact
L
L2
R=10
L=1.0 mH
L
L1
R=10
L=1.0 mH
C
C8
C=470 pF
C
C7
C=470 pF
C
C6
C=1.0 uF
C
C5
C=100 nF
C
C4
C=100 pF
Term
Term2
Z=50 Ohm
Num=2
V_DC
SRC1
Vdc=VDS
I_Probe
IDS
C
C3
C=100 pF
C
C2
C=100 nF
C
C1
C=1.0 uF
V_DC
SRC2
Vdc=VGS
L_StabCi rcl e
L_StabCi rcl e1
L_StabCi rcl e1=l _stab_ci rcl e(S,51)
LStabCircle
S_StabCi rcl e
S_StabCi rcl e1
S_StabCi rcl e1=s_stab_ci rcl e(S,51)
SStabCircle
VAR
VAR1
VDS=23 V
VGS=-1.1 V
Eqn
Var
Term
Term1
Z=50 Ohm
Num=1
Model
X1
SOURCE
GATE DRAIN
freq
500.0 MHz
1.000 GHz
1.500 GHz
2.000 GHz
2.500 GHz
3.000 GHz
3.500 GHz
4.000 GHz
4.500 GHz
5.000 GHz
S(1,1)
0.778 / -128.579
0.753 / -160.936
0.745 / -177.408
0.733 / 170.680
0.714 / 160.724
0.687 / 151.967
0.653 / 144.194
0.616 / 137.340
0.578 / 131.356
0.541 / 126.173
S(1,2)
0.035 / 18.351
0.037 / 3.031
0.038 / -5.239
0.038 / -11.741
0.038 / -17.465
0.038 / -22.667
0.038 / -27.479
0.038 / -32.041
0.038 / -36.499
0.038 / -40.986
S(2,1)
12.095 / 98.432
6.356 / 73.077
4.235 / 54.585
3.118 / 37.679
2.404 / 21.476
1.896 / 5.930
1.515 / -8.820
1.220 / -22.650
0.991 / -35.515
0.811 / -47.444
S(2,2)
0.413 / -105.517
0.421 / -128.701
0.475 / -139.118
0.535 / -147.099
0.591 / -154.384
0.641 / -161.276
0.683 / -167.828
0.717 / -174.056
0.746 / -179.972
0.768 / 174.414

_________________________________________________________________________
41

Figura 31 - Grficos dos Paramtros S em dB.

Figura 32 - Curvas de estabilidade de entrada/sada e factor de estabilidade (K).
m1
freq=
dB(ganho..S(1,1))=-2.465
1.000GHz
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 0.5 5.0
-5
-4
-3
-6
-2
freq, GHz
d
B
(
g
a
n
h
o
.
.
S
(
1
,
1
)
)
m1
m1
freq=
dB(ganho..S(1,1))=-2.465
1.000GHz
m2
freq=
dB(ganho..S(1,2))=-28.573
1.000GHz
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 0.5 5.0
-29.0
-28.8
-28.6
-28.4
-29.2
-28.2
freq, GHz
d
B
(
g
a
n
h
o
.
.
S
(
1
,
2
)
)
m2
m2
freq=
dB(ganho..S(1,2))=-28.573
1.000GHz
m3
freq=
dB(ganho..S(2,1))=16.064
1.000GHz
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 0.5 5.0
0
5
10
15
20
-5
25
freq, GHz
d
B
(
g
a
n
h
o
.
.
S
(
2
,
1
)
) m3 m3
freq=
dB(ganho..S(2,1))=16.064
1.000GHz
m4
freq=
dB(ganho..S(2,2))=-7.517
1.000GHz
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 0.5 5.0
-7
-6
-5
-4
-3
-8
-2
freq, GHz
d
B
(
g
a
n
h
o
.
.
S
(
2
,
2
)
)
m4
m4
freq=
dB(ganho..S(2,2))=-7.517
1.000GHz
freq
500.0 MHz
1.000 GHz
1.500 GHz
2.000 GHz
2.500 GHz
3.000 GHz
3.500 GHz
4.000 GHz
StabFact2
0.279
0.555
0.806
1.064
1.373
1.770
2.269
2.868
indep(L_StabCircle1) (0.000 to 51.000)
L
_
S
t
a
b
C
i
r
c
l
e
1
indep(S_StabCircle1) (0.000 to 51.000)
S
_
S
t
a
b
C
i
r
c
l
e
1

_________________________________________________________________________
42
Atravs dos resultados verifica-se que o sistema poder ser instvel, pois o factor de
estabilidade K apresenta um valor de 0.55 para a frequncia de 1GHz. Logo, preciso
ateno nos valores de
S
e
L
para que estes no se situem em zonas instveis.

4.3 Desenho das redes de Adaptao de Entrada/Sada

A tcnica de adaptao usada neste trabalho foi a da recta de carga, no sentido de se
obter a mxima potncia possvel sada. O clculo da resistncia de carga intrnseca j foi
previamente efectuado na seco 4.1.2, aquando da escolha do ponto de polarizao. Nesta
fase necessria a determinao de
S
e
L
, no entanto para isso necessitamos da
impedncia de carga extrnseca (Z
L
). Para a sua determinao foi usado o modelo de
elementos extrnsecos do dispositivo, retirado a partir do modelo de simulao.
A figura 33 mostra o modelo de elementos extrnsecos do transstor.

Figura 33 - Modelo dos elementos extrnsecos do transstor em uso.

entrada do circuito tem-se a resistncia intrnseca de carga, contudo na sada,
devido presena de condensadores, resistncias e bobines (representam no idealidades),
R
L

vem transformada em Z
L
. Assim, necessrio deduzir a frmula para o clculo de Z
L
.
Isto feito atravs de uma simples anlise do circuito.
R
L
pode ser calculado a partir de Z
L:

_________________________________________________________________________
43
R
L
= ||||(Z
L
-1
+(R21 -
]
oC21
)
-1
)
-1
+ ]IJ_B ]
-1
+]CSS]
-1
+RJ]
-1
+]CJs]
-1

(4.3.1)

Logo, o Z
L
dado por:

Z
L
= ||||(R
L
-1
-]CJs)
-1
-RJ]
-1
-]CSS]
-1
-]IJ_B]
-1
-(R21 -
]
oC21
)
-1
]
-1

(4.3.2)

Substituindo os valores das incgnitas na equao (4.3.2) obtm-se Z
L
= S7.S7 +
2S.7S].
O circuito da figura 34 foi usado para verificar a veracidade da frmula deduzida.
Este consiste em terminar a sada do circuito da figura 33 com o valor de Z
L
obtido e a
entrada com 50. Simulando os parmetros S deste circuito, entrada teremos que obter o
valor de S
11
com uma impedncia correspondente a R
L.

A figura 35 mostra o resultado obtido.

Figura 34 - Circuito de teste do Z
L
.

Z1P_Eqn
Z1P1
Z[1,1]=37.37+j*25.75
S_Param
SP1
Step=
Stop=1.1 GHz
Start=.9 GHz
S-PARAMETERS
Term
Term1
Z=50 Ohm
Num=1
R
Rd
R=1 Ohm
C
C33
C=1.4e-12 F
C
C21
C=9e-13 F
R
R21
R=300 Ohm
L
Ld_B
L=0.5e-9 H
C
Cds
C=5e-13 F

_________________________________________________________________________
44

Figura 35 - Resultado da simulao para calcular R
L
.

Atravs do resultado verifica-se um R
L
=53.1 que, como seria de esperar, tem um
pequeno erro, no entanto perfeitamente aceitvel.
Tendo o valor da impedncia de carga e usando um sistema de referncia de 50, o
coeficiente de reflexo na carga dado por:

I
L
=
z
L
-z
0
z
L
+z
0
=
37.37+25.75]-50
37.37+25.75]+50
= u.SS < 96.84
o
(4.3.3)

Em relao ao coeficiente de reflexo na entrada, escolhe-se I
S
= I
IN
-
para uma
adaptao conjugada na entrada, obtendo a mxima potncia transferida para o transstor e
maximizando o ganho.

IN
= s
11
+
S
12
S
21
I
L
1-S
22
I
L
= u.8S < -164
o
=>
S
=
IN
-
= u.8S < +164
o
(4.3.4)

freq (900.0MHz to 1.100GHz)
S
(
1
,
1
) m1
m1
freq=
S(1,1)=0.030 / 1.270
impedance = Z0 * (1.062 + j0.001)
980.0MHz

_________________________________________________________________________
45
- Anlise da Estabilidade

Encontrados os valores dos coeficientes de reflexo de entrada/sada necessrio
avaliar o sistema quanto sua estabilidade. Esta vai ser avaliada graficamente conforme
explicado no captulo 3.
No plano de
L
, como o mdulo de S
11
menor que a unidade (ver tabela 3), a zona
estvel fora dos crculos de estabilidade.
A figura 36 mostra que o valor de
L
se situa na zona estvel, ou seja, fora dos
crculos de estabilidade:

Figura 36 - Zona estvel no plano de I
L
.

indep(L_StabCircle1) (0.000 to 51.000)
L
_
S
t
a
b
C
i
r
c
l
e
1
(0.000 to 0.000)
v
a
l
o
r
1

_________________________________________________________________________
46
No plano de
S
, como o mdulo de S
22
menor que a unidade (ver tabela 3), a zona
estvel tambm fora dos crculos de estabilidade.
A figura 37 mostra que o valor de
S
se situa, de igual modo, na zona estvel.

Figura 37 - Zona estvel no plano de I
S
.

4.3.1 Rede de Adaptao de Sada (OMN)

As redes de adaptao so desenhadas com o auxlio da carta de Smith, sendo
constitudas por uma linha e um stub em circuito aberto. Em primeiro lugar marca-se na
carta a admitncia Y
L
e anda-se em direco carga at se interceptar o crculo de g=1.
Obtm-se duas solues, no entanto neste trabalho usou-se a soluo que proporciona um
comprimento do stub mais curto. Assim, medindo o comprimento percorrido at esse
ponto, obtm-se o comprimento da linha. Como se est a usar um stub em aberto, medindo
a distncia percorrida de Y
CA,
em direco ao gerador, at parte imaginria do ponto de
interseco (jX), obtm-se o comprimento do stub.
A soluo encontrada foi L

= 0.214 e L
s
=0.097.

indep(S_StabCircle1) (0.000 to 51.000)
S
_
S
t
a
b
C
i
r
c
l
e
1
(0.000 to 0.000)
v
a
l
o
r

_________________________________________________________________________
47
4.3.2 Rede de Adaptao de Entrada (IMN)

No plano da fonte o processo semelhante. Em primeiro lugar marca-se na carta a
admitncia Y
S
e anda-se em direco carga at se interceptar o crculo de g=1. Obtm-se
duas solues, no entanto, tal como para a OMN, usou-se a soluo que proporciona um
comprimento do stub mais curto. Assim, medindo o comprimento percorrido at esse
ponto, obtm-se o comprimento da linha. Como se est a usar um stub em aberto, medindo
a distncia percorrida de Y
CA
, em direco ao gerador, at parte imaginria do ponto de
interseco (jX), obtm-se o comprimento do stub.
A soluo encontrada foi L

= 0.07 e L
s
=0.197.
As cartas de Smith usadas no trabalho encontram-se em anexo.

4.4 Desenho do Circuito Final

Nesta fase necessrio desenhar o circuito do sistema completo. Em primeiro lugar
apresentado o circuito ideal. Posteriormente, so introduzidas as no idealidades,
permitindo aferir se necessria uma optimizao do circuito ou no, atravs da
comparao dos resultados da simulao com os resultados obtidos para o caso ideal.
O clculo do comprimento real das linhas microtrip foi realizado utilizando a
ferramenta do ADS linecalc, com os seguintes parmetros para o substrato:
r
=4.7, H=0.8mm, TanD=0.01 e Z0=50.
Na entrada os valores obtidos foram: L = 11.19mm e W=1.45mm; L
S
= 31.49mm e
W = 1.45mm. No que se refere sada foram: L= 34.21mm e W=1.45mm; L
S
= 15.51mm
e W = 1.45mm.

4.4.1 Circuito Ideal

A figura 38 representa o desenho do circuito ideal. de realar o facto das redes de
polarizao tambm serem consideradas ideais. Estas so constitudas por um condensador
ideal, bloqueia DC, e por uma bobine ideal, bloqueia RF.
Os resultados das simulaes para este circuito esto apresentados nas figuras
seguintes.

_________________________________________________________________________
48
v
o
u
t
G
a
t
e
S
o
u
r
c
e
D
r
a
i
n
H
a
r
m
o
n
i
c
B
a
l
a
n
c
e
H
B
1
O
r
d
e
r
[
1
]
=
5
F
r
e
q
[
1
]
=
1
.
0

G
H
z
H
A
R
M
O
N
I
C

B
A
L
A
N
C
E
V
A
R
V
A
R
1
V
D
S
=
2
3

V
V
G
S
=
-
1
.
1

V
E
q
n
V
a
r
V
A
R
V
A
R
2
P
i
n
=
-
3
0
E
q
n
V
a
r
M
S
U
B
M
S
u
b
1
R
o
u
g
h
=
0

m
i
l
T
a
n
D
=
0
.
0
1
T
=
0
.
1
5
0

m
i
l
H
u
=
3
.
9
e
+
0
3
4

m
m
C
o
n
d
=
4
.
1
E
+
7
M
u
r
=
1
E
r
=
4
.
7
H
=
0
.
8

m
m
M
S
u
b
S
_
P
a
r
a
m
S
P
1
S
t
e
p
=
S
t
o
p
=
1
.
1

G
H
z
S
t
a
r
t
=
0
.
9

G
H
z
S
-
P
A
R
A
M
E
T
E
R
S
M
L
O
C
T
L
2
L
=
3
1
.
4
9

m
m
W
=
1
.
4
5

m
m
S
u
b
s
t
=
"
M
S
u
b
1
"
P
_
n
T
o
n
e
P
O
R
T
1
P
[
1
]
=
p
o
l
a
r
(
d
b
m
t
o
w
(
P
i
n
)
,
0
)
F
r
e
q
[
1
]
=
1

G
H
z
Z
=
5
0

O
h
m
N
u
m
=
1
D
C
_
B
l
o
c
k
D
C
_
B
l
o
c
k
2
M
L
I
N
T
L
1
L
=
1
1
.
1
9

m
m
W
=
1
.
4
5

m
m
S
u
b
s
t
=
"
M
S
u
b
1
"
M
L
O
C
T
L
4
L
=
1
5
.
5
1

m
m
W
=
1
.
4
5

m
m
S
u
b
s
t
=
"
M
S
u
b
1
"
M
L
I
N
T
L
3
L
=
3
4
.
2
1

m
m
W
=
1
.
4
5

m
m
S
u
b
s
t
=
"
M
S
u
b
1
"
T
e
r
m
T
e
r
m
2
Z
=
5
0

O
h
m
N
u
m
=
2
M
o
d
e
l
X
1
S
O
U
R
C
E
G
A
T
E
D
R
A
IN
V
_
D
C
S
R
C
1
V
d
c
=
V
D
S
D
C
_
B
l
o
c
k
D
C
_
B
l
o
c
k
1
D
C
_
F
e
e
d
D
C
_
F
e
e
d
1
I
_
P
r
o
b
e
I
D
S
V
_
D
C
S
R
C
2
V
d
c
=
V
G
S
D
C
_
F
e
e
d
D
C
_
F
e
e
d
2

Figura 38 - Circuito ideal do sistema completo.

_________________________________________________________________________
49
RESULTADOS DAS SIMULAES:

- Parmetros S

Figura 39 - Parmetros S.

- Simulao com 1 tom

No que diz respeito performance do sistema em potncia, feita uma simulao
com um sinal de 1 tom (one tone harmonic balance) na entrada.
A potncia varia de -20dBm a 20dBm com passos de 1dBm.

m1
freq=
dB(pa..S(1,1))=-28.260
1.000GHz
0.92 0.94 0.96 0.98 1.00 1.02 1.04 1.06 1.08 0.90 1.10
-25
-20
-15
-10
-5
-30
0
freq, GHz
d
B
(
p
a
.
.
S
(
1
,
1
)
)
m1
m1
freq=
dB(pa..S(1,1))=-28.260
1.000GHz
m2
freq=
dB(pa..S(1,2))=-23.533
1.000GHz
0.92 0.94 0.96 0.98 1.00 1.02 1.04 1.06 1.08 0.90 1.10
-28
-26
-24
-30
-22
freq, GHz
d
B
(
p
a
.
.
S
(
1
,
2
)
)
m2
m2
freq=
dB(pa..S(1,2))=-23.533
1.000GHz
m3
freq=
dB(pa..S(2,1))=21.104
1.000GHz
0.92 0.94 0.96 0.98 1.00 1.02 1.04 1.06 1.08 0.90 1.10
16
18
20
14
22
freq, GHz
d
B
(
p
a
.
.
S
(
2
,
1
)
)
m3
m3
freq=
dB(pa..S(2,1))=21.104
1.000GHz
m4
freq=
dB(pa..S(2,2))=-1.863
1.000GHz
0.92 0.94 0.96 0.98 1.00 1.02 1.04 1.06 1.08 0.90 1.10
-6
-5
-4
-3
-2
-1
-7
0
freq, GHz
d
B
(
p
a
.
.
S
(
2
,
2
)
)
m4
m4
freq=
dB(pa..S(2,2))=-1.863
1.000GHz

_________________________________________________________________________
50

Figura 40 - Ganho no P1dB.

Figura 41 - P
out
, fundamental e 3 harmnico.

m5
Pin=
ganho=20.239
15.000
m3
Pin=
ganho=21.104
-20.000
-15 -10 -5 0 5 10 15 -20 20
17.0
17.5
18.0
18.5
19.0
19.5
20.0
20.5
21.0
16.5
21.5
Pin
g
a
n
h
o
m5
m3
m5
Pin=
ganho=20.239
15.000
m3
Pin=
ganho=21.104
-20.000
m7
Pin=
dBm(vout[::,1])=35.239
15.000
m8
Pin=
dBm(vout[::,3])=-0.941
15.000
-15 -10 -5 0 5 10 15 -20 20
-100
-80
-60
-40
-20
0
20
-120
40
Pin
d
B
m
(
v
o
u
t
[
:
:
,
1
]
)
m7
d
B
m
(
v
o
u
t
[
:
:
,
3
]
)
m8
m7
Pin=
dBm(vout[::,1])=35.239
15.000
m8
Pin=
dBm(vout[::,3])=-0.941
15.000

_________________________________________________________________________
51
v
o
u
t
G
a
te
D
ra
in
S
o
u
rc
e
V
A
R
V
A
R
2
P
in
=
-2
0
Eqn
Var
H
a
rm
o
n
ic
B
a
la
n
c
e
H
B
2
O
rd
e
r[1
]=
5
F
re
q
[1
]=
1
.0
G
H
z
H
A
R
M
O
N
IC
B
A
L
A
N
C
E
V
A
R
V
A
R
1
V
D
S
=
2
3
V
V
G
S
=
-1
.1
V
Eqn
Var
M
S
U
B
M
S
u
b
1
R
o
u
g
h
=
0
m
il
T
a
n
D
=
0
.0
1
T
=
0
.1
5
0
m
il
H
u
=
3
.9
e
+
0
3
4
m
m
C
o
n
d
=
4
.1
E
+
7
M
u
r=
1
E
r=
4
.7
H
=
0
.8
m
m
M
S
u
b
S
_
P
a
ra
m
S
P
1
S
te
p
=
S
to
p
=
1
.1
G
H
z
S
ta
rt=
0
.9
G
H
z
S
-P
A
R
A
M
E
T
E
R
S
C C
7
C
=
4
7
0
p
F
C C
8
C
=
4
7
0
p
F
P
_
n
T
o
n
e
P
O
R
T
1
P
[2
]=
p
o
la
r(d
b
m
to
w
(P
in
),0
)
P
[1
]=
p
o
la
r(d
b
m
to
w
(P
in
),0
)
F
re
q
[1
]=
1
G
H
z
Z
=
5
0
O
h
m
N
u
m
=
1
T
e
rm
T
e
rm
2
Z
=
5
0
O
h
m
N
u
m
=
2
L L
3
R
=
1
0
L
=
1
.0
m
H
V
_
D
C
S
R
C
2
V
d
c
=
V
G
S
L L
1
R
=
1
0
L
=
1
.0
m
H C C
2
C
=
1
0
0
n
F
C C
3
C
=
1
0
0
p
F
C C
1
C
=
1
.0
u
F
C C
6
C
=
1
.0
u
F
C C
4
C
=
1
0
0
p
F
C C
5
C
=
1
0
0
n
F
V
_
D
C
S
R
C
1
V
d
c
=
V
D
S
M
L
IN
T
L
8
L
=
4
2
.0
6
m
m
W
=
0
.3
m
m
S
u
b
s
t=
"M
S
u
b
1
"
M
L
IN
T
L
9
L
=
4
2
.0
6
m
m
W
=
0
.3
m
m
S
u
b
s
t=
"M
S
u
b
1
"
M
L
IN
T
L
6
L
=
8
.0
9
m
m
W
=
1
.4
5
m
m
S
u
b
s
t=
"M
S
u
b
1
"
M
T
E
E
_
A
D
S
T
e
e
2
W
3
=
0
.3
m
m
W
2
=
1
.5
m
m
W
1
=
1
.4
5
m
m
S
u
b
s
t=
"M
S
u
b
1
"
M
L
IN
T
L
1
2
L
=
2
0
m
m
W
=
1
.4
5
m
m
S
u
b
s
t=
"M
S
u
b
1
"
M
S
T
E
P
S
te
p
4
W
2
=
1
.4
5
m
m
W
1
=
1
.2
m
m
S
u
b
s
t=
"M
S
u
b
1
"
M
L
IN
T
L
3
L
=
3
1
.1
1
m
m
W
=
1
.4
5
m
m
S
u
b
s
t=
"M
S
u
b
1
"
M
T
E
E
_
A
D
S
T
e
e
4
W
3
=
1
.4
5
m
m
W
2
=
1
.4
5
m
m
W
1
=
1
.4
5
m
m
S
u
b
s
t=
"M
S
u
b
1
"
M
L
O
C
T
L
4
L
=
1
5
.5
1
m
m
W
=
1
.4
5
m
m
S
u
b
s
t=
"M
S
u
b
1
"
M
S
T
E
P
S
te
p
6
W
2
=
1
.4
5
m
m
W
1
=
1
.2
m
m
S
u
b
s
t=
"M
S
u
b
1
"
M
L
IN
T
L
1
0
L
=
1
m
m
W
=
1
.2
m
m
S
u
b
s
t=
"M
S
u
b
1
"
M
L
IN
T
L
1
1
L
=
1
m
m
W
=
1
.2
m
m
S
u
b
s
t=
"M
S
u
b
1
"
M
L
O
C
T
L
2
L
=
3
1
.4
9
m
m
W
=
1
.4
5
m
m
S
u
b
s
t=
"M
S
u
b
1
"
M
L
IN
T
L
5
L
=
2
0
m
m
W
=
1
.4
5
m
m
S
u
b
s
t=
"M
S
u
b
1
"
M
S
T
E
P
S
te
p
5
W
2
=
1
.4
5
m
m
W
1
=
1
.2
m
m
S
u
b
s
t=
"M
S
u
b
1
"
M
L
IN
T
L
1
5
L
=
1
m
m
W
=
1
.2
m
m
S
u
b
s
t=
"M
S
u
b
1
"
M
L
IN
T
L
7
L
=
1
m
m
W
=
1
.2
m
m
S
u
b
s
t=
"M
S
u
b
1
"
M
S
T
E
P
S
te
p
1
W
2
=
1
.4
5
m
m
W
1
=
1
.2
m
m
S
u
b
s
t=
"M
S
u
b
1
"
M
T
E
E
_
A
D
S
T
e
e
1
W
3
=
1
.4
5
m
m
W
2
=
1
.4
5
m
m
W
1
=
1
.4
5
m
m
S
u
b
s
t=
"M
S
u
b
1
"
M
T
E
E
_
A
D
S
T
e
e
3
W
3
=
0
.3
m
m
W
2
=
1
.4
5
m
m
W
1
=
1
.5
m
m
S
u
b
s
t=
"M
S
u
b
1
"
M
L
IN
T
L
1
3
L
=
3
.1
m
m
W
=
1
.5
m
m
S
u
b
s
t=
"M
S
u
b
1
"
M
L
IN
T
L
1
4
L
=
3
.1
m
m
W
=
1
.5
m
m
S
u
b
s
t=
"M
S
u
b
1
"
M
o
d
e
l
X
1 SO
URCE
G
ATEDRAIN
4.4.2 Circuito No Ideal

Este circuito j contempla as no idealidades que so representadas pelos blocos
MSTEP e MTEE_ADS. Neste caso, a rede de polarizao usada a j explicada na
seco 4.2. No entanto, so adicionadas linhas de comprimento /4 na trajectria DC, com
o objectivo de melhorar a capacidade de bloqueio RF do circuito.

Figura 42 - Desenho do circuito final.

_________________________________________________________________________
52
RESULTADOS DAS SIMULAES
- Parmetros S

Figura 43 - Parmetros S.

- Simulao com 1 tom

Figura 44 - Ganho no P1dB.

_________________________________________________________________________
53

Figura 45 - P
out
, fundamental e 3 harmnico.

-Simulao com 2 tons

Para estudar a linearidade do Amplificador, tais como a intermodulao de 3
ordem (IM3) e o ponto de interseco de 3 ordem, feita uma simulao com 2 tons na
entrada. Estes tm igual amplitude e esto espaados de 1MHz.

Figura 46 - Ganho no P1dB a 2 tons.

_________________________________________________________________________
54

Figura 47 - Ponto de interseco de 3 ordem (IP3).

4.4.3 Discusso dos resultados

Atravs dos resultados obtidos nas simulaes efectuadas verifica-se que
introduzindo as no idealidades no circuito, apenas se perde aproximadamente 0.3dB de
ganho e 0.8dB de potncia de sada, no ponto de compresso de 1dB. Tambm no se
verifica grande discrepncia nos valores dos parmetros S, pelo que se decidiu no efectuar
qualquer tipo de optimizao do circuito no ideal. Assim, os resultados analisados sero
os do circuito no ideal.
Observando o grfico de S
21
possvel verificar que o mximo valor no
corresponde frequncia de utilizao (1GHz). Isto poder-se- verificar devido ao facto de
estarmos perante um Amplificador que foi adaptado na sada com o objectivo de se obter a
mxima potncia possvel, perdendo assim em ganho. A potncia de sada no ponto de
compresso de 1dB de 34.44dBm, no diferindo muito do valor tpico do transstor
(33dBm).
Considerando o terceiro harmnico, no ponto de interseco de 1dB, este dista da
componente fundamental 33.49dB (P3H).

_________________________________________________________________________
55
No que diz respeito anlise com dois tons, a Pi1dB baixa de 15dBm para 10dBm.
Consequentemente, a potncia de sada neste ponto baixa para 29.45dBm.
Considerando a distoro de IM3, o IMR no ponto de compresso de 1dB de
15.84dB. O IP3 toma os valores: IIP3 = 27dBm e OIP3 = 47.4dBm.
Em relao performance relativamente distoro de IM3, estes resultados
podem ser bons ou maus, dependendo do tipo de sistema em que se pretende usar o
Amplificador.
A tabela a seguir apresenta um resumo dos resultados das simulaes efectuadas.

Circuito Ideal Circuito No Ideal
P
a
r
m
e
t
r
o
s

S

S
11
(dB) -28.26 -26.62
S
12
(dB) -23.53 -23.77
S
21
(dB) 21.10 20.77
S
22
(dB)
-1.86 -2.07
1

T
o
m

Ganho
(dB)
21.10 20.77
Pi1dB
(dBm)
15.00 15.00
Po1dB
(dBm)
35.24 34.44
P3H
(dB)
36.18 33.49
2

T
o
n
s

Pi1dB
(dBm)
10.00 10.00
Po1dB
(dBm)
30.14 29.45
IMR1dB
(dB)
19.05 15.84
IIP3 (dBm) 27.00 27.00
OIP3
(dBm)
47.80 47.40
Tabela 4 - Tabela resumo dos resultados.

_________________________________________________________________________
56

Captulo 5 Implementao & Medidas
_________________________________________________________________________

57
Capitulo 5
Implementao & Medidas

Depois de efectuadas as simulaes no ADS, chegada a fase de implementar o
circuito projectado. O desenho realizado no ADS serviu como auxiliar para o fabrico do
Amplificador. Este foi montado numa placa com FR4 como substrato, possuindo uma
constante dielctrica de 4.7. Foi soldado ouro mouro volta das placas para haver
continuidade de massa.
A figura 48 mostra o Amplificador implementado.

Figura 48 - Amplificador implementado.

Devido a um erro tcnico na montagem do circuito, a frequncia de utilizao do
Amplificador foi alterada de 1GHz para 1.1GHz. Isto foi causado devido a se ter tido que
raspar as placas do circuito, cortando um bocado de linha, o que fez com que o
Amplificador ficasse desadaptado frequncia de 1GHz. No entanto, poder-se-ia ter

_________________________________________________________________________

58
sintonizado o Amplificador novamente para 1GHz mas, como os resultados a 1.1GHz se
apresentavam extremamente satisfatrios, decidiu-se manter a frequncia de utilizao a
1.1GHz.
Assim, neste captulo so revelados os resultados das medies efectuadas.

5.1 Parmetros S

Para a medio dos parmetros S do Amplificador foi utilizado um analisador de
redes. Este disponibiliza um ficheiro compatvel com o ADS com os valores dos
Parmetros S. Assim, foi possvel exportar os dados para serem tratados no ADS. de
salientar que foi utilizado um atenuador de 20dB como medida de precauo, aquando da
medio com analisador de redes, pelo que necessrio somar 20dB aos valores na sada
para se obter a medida correcta.
O circuito utilizado no ADS para tratar os dados foi o da figura 49.

Figura 49 - Circuito para medio de Parmetros S.

Os resultados da medio efectuada so mostrados na figura 50. importante no
esquecer que, para obter os resultados correctos, necessrio somar 20dB aos resultados
que envolvam a sada (S
12
e S
21
).
S_Param
SP1
Step=10 MHz
Stop=2 GHz
Start=10 MHz
S-PARAMETERS
S2P
SNP1
File="K:\PA.s2p"
2 1
Ref
Term
Term2
Z=50 Ohm
Num=2
Term
Term1
Z=50 Ohm
Num=1

_________________________________________________________________________

59

Figura 50 - Parmetros S medidos.

5.2 Potncia

No sentido de se avaliar a performance de potncia do Amplificador, so efectuadas
medies a 1 tom e posteriormente a 2 tons. importante referir que, tal como para a
medio dos parmetros S, foi usado um atenuador no de 20dB, mas de 10dB.

-1 Tom

A Figura 51 representa o diagrama de blocos da medio para 1 tom.
Os resultados obtidos so apresentados nas tabelas e figuras seguintes.

_________________________________________________________________________

60

Figura 51 - Diagrama de blocos da medio com 1 tom.

Pin (dBm) Pout, 1 (dBm) Pout, 31 (dBm)
0 6.20 -50.00
1 7.30 -50.00
2 8.30 -50.00
3 9.40 -50.00
4 10.40 -50.00
5 11.50 -50.00
6 12.50 -40.00
7 13.50 -38.00
8 14.50 -35.00
9 15.50 -31.00
10 16.40 -27.90
11 17.40 -24.00
12 18.20 -20.90
13 19.10 -17.50
14 19.90 -14.50
15 20.50 -12.50
16 21.00 -10.50
17 21.50 -9.00
Tabela 5 - Resultados da medio com 1 tom.

_________________________________________________________________________

61

Figura 52 - Ganho a 1tom.
Figura 53 - Pout, fundamental e 3 harmnico

_________________________________________________________________________

62
- 2 Tons

O diagrama de blocos da medio com 2 tons est ilustrado na figura 54.
Em primeiro lugar so apresentados os resultados de 2 tons espaados por 1MHz e
de seguida espaados por 100KHz.
As prximas tabelas e figuras apresentam os resultados destas medies.

Figura 54 - Diagrama de blocos da medio com 2 tons.

Pin
(dBm)
Pout, 1
(dBm)
Pout, 2
(dBm)
Pout, 2 1- 2
(dBm)
Pout, 2 2- 1
(dBm)
0 3.75 3.75 -54.10 -37.40
1 4.78 4.74 -50.50 -36.40
2 5.83 5.74 -47.30 -35.56
3 6.86 6.74 -43.90 -35.10
4 7.86 7.73 -40.50 -34.53
5 8.87 8.71 -37.20 -34.36
6 9.87 9.64 -33.60 -33.69
7 10.82 10.63 -30.20 -31.50
8 11.79 11.54 -26.60 -28.23
9 12.75 12.40 -22.80 -23.90
10 13.65 13.24 -18.71 -19.27
11 14.48 14.06 -12.90 -12.91
12 15.24 14.87 -6.68 -6.79
13 15.96 15.56 -2.62 -2.64
14 16.55 16.20 -0.08 -0.37
15 17.13 16.76 1.52 1.14
16 17.64 17.20 2.49 2.02
17 17.74 17.78 2.63 2.78
Tabela 6 - Resultados das medies com 2 tons, espaados por 1MHz.

_________________________________________________________________________

63

Figura 55 - Ganho com 2 tons espaados por 1MHz.

Figura 56 - Pout, fundamentais e produtos de IM3.

_________________________________________________________________________

64

Figura 57 - IP3 para 2 tons espaados por 1MHz.

Pin
(dBm)
Pout, 1
(dBm)
Pout, 2
(dBm)
Pout, 2 1- 2
(dBm)
Pout, 2 2- 1
(dBm)
0 3.95 3.92 -33.50 -27.70
1 4.99 4.92 -32.70 -26.50
2 6.02 5.92 -32.10 -25.40
3 7.06 6.93 -31.80 -24.25
4 8.07 7.91 -31.40 -23.00
5 9.12 8.90 -31.50 -21.70
6 10.13 9.85 -32.70 -20.30
7 11.08 10.79 -35.00 -18.80
8 12.07 11.70 -43.50 -17.10
9 12.98 12.59 -35.00 -15.10
10 13.88 13.41 -23.5. -12.50
11 14.73 14.20 -13.4. -8.46
12 15.52 14.91 -6.26 -4.17
13 16.23 15.54 -2.29 -0.97
14 16.85 16.11 0.29 1.10
15 17.37 16.60 2.07 2.21
16 17.86 17.02 3.00 2.49
17 17.60 17.74 2.79 3.28
Tabela 7 - Resultados das medies com 2 tons, espaados por 100KHz.

_________________________________________________________________________

65

Figura 58 - Pout, fundamentais e produtos de IM3 (espaamento de 100 KHz).

5.3 Discusso dos resultados

Analisando os resultados obtidos nas medies prticas, verifica-se que o ganho
atingido frequncia de 1.1GHz de aproximadamente 19dB. Apesar de se ter alterado a
frequncia de utilizao, este valor no difere muito do valor obtido aquando da simulao
para 1GHz (20.77dB). Assim, decidiu-se no voltar a sintonizar o Amplificador para
frequncia de 1GHz, pois os resultados obtidos eram satisfatrios. Convm relembrar que
foi usado um atenuador de 20dB na medio dos parmetros S, pelo que necessrio
somar este valor aos parmetros S afectados pela sada do circuito.
No que diz respeito s medies de potncia usou-se um atenuador de 10dB pelo
que, semelhana do que acontece com os parmetros S, necessrio somar este valor ao
valor de potncia na sada. Contudo, aquando da medio com 2 tons, para alm da perda
de 10dB devido ao atenuador, necessrio contabilizar uma perda adicional de 3dB
imposta pelo combinador utilizado na entrada. Assim, potncia de entrada foram j
descontados os 3dB de perda devido ao combinador.

_________________________________________________________________________

66
O ganho atingido foi de 16.5dB, que difere em 2.5dB do ganho obtido aquando da
medio dos parmetros S. No entanto, se considerarmos as perdas nos cabos utilizados
para se efectuarem as ligaes, esta discrepncia perfeitamente aceitvel. A potncia de
sada atingida no ponto de compresso de 1dB de 30.5dBm que, considerando as perdas
nos cabos, est muito prxima do valor tpico do transstor (33dBm). O terceiro harmnico,
neste ponto, dista da componente fundamental 33dB (P3H).
Considerando agora as medies para 2 tons espaados por 1MHz, verifica-se que
a potncia de entrada no ponto de compresso de 1dB (Pi1dB) de 10dBm decrescendo
5dB em relao medio para 1 tom. Consequentemente, a potncia de sada neste ponto
baixa para 25.96dBm, relembrando que necessrio somar 10dB ao valor de sada devido
ao atenuador. Observando a figura 56 verifica-se que, no nvel de potncia mais baixa,
existe uma discrepncia no valor dos produtos de intermodulao de 3 ordem que se deve,
muito provavelmente, a rudo gerado pelo aparelho de medida. Considerando a distoro
da IM3, o IMR no ponto de compresso de 1dB de 18.58dB. O IP3 toma os valores: IIP3
= 21dBm e OIP3 = 38.02dBm. Note-se que quanto mais alto for o valor deste ponto, menor
a distoro causada pela intermodulao de 3 ordem em nveis de potncia mais
elevados [11]. Considerando estes resultados, a performance do Amplificador no que diz
respeito s distores de intermodulao, pode ser boa ou m dependendo das
especificaes do sistema em que se pretende aplica-lo.
Em relao s medies para 2 tons espaados por 100KHz, verifica-se uma
assimetria dos produtos de intermodulao de 3 ordem (figura 58). Uma explicao para
este fenmeno pode ser encontrada em [12].
de salientar que apesar da frequncia de utilizao ter sido alterada, em ambos os
casos, nas medies e nas simulaes, a potncia de sada obtida no ponto de compresso
de 1dB est bastante prxima do valor tpico do transstor.
A tabela 8 apresenta um resumo dos resultados obtidos nas medies e nas
simulaes efectuadas.

_________________________________________________________________________

67

Resultados das Simulaes Resultados das Medies
P
a
r
m
e
t
r
o
s

S

S
11
(dB) -26.62 -16.60
S
12
(dB) -23.77 -24.80
S
21
(dB) 20.77 19.00
S
22
(dB)
-2.07 -38.37
1

T
o
m

Ganho
(dB)
20.77 16.50
Pi1dB
(dBm)
15.00 15.00
Po1dB
(dBm)
34.44 30.50
P3H
(dB)
33.49 33.00
2

T
o
n
s

(
e
s
p
a
a
d
o
s

p
o
r

1
M
H
z
)

Pi1dB
(dBm)
10.00 10.00
Po1dB
(dBm)
29.45 25.96
IMR1dB
(dB)
15.84 18.58
IIP3
(dBm)
27.00 21.00
OIP3
(dBm)
47.40 38.02
Tabela 8 - Tabela resumo dos resultados das medies e das simulaes.

_________________________________________________________________________

68

Captulo 6 O Futuro dos Amplificadores de Potncia
_________________________________________________________________________
69

Captulo 6
O Futuro dos Amplificadores de Potncia

Os sistemas de comunicaes sem fios actuais sofreram um progresso significativo
no aumento da largura de banda e no nmero de portadoras para aplicaes de alto dbito
de dados. As potncias transmitidas instantaneamente por sistemas tais como o CDMA-
2000, WCDMA e OFDM variam extensamente e rapidamente, transportando sinais com
elevado PAR (peak-to-average ratio). Assim, os Amplificadores de potncia da estao
base para estes sistemas, requerem elevada linearidade para amplificar a fonte de sinal de
elevado PAR sem distoro. Para satisfazer estes requisitos de linearidade, os
Amplificadores de potncia so normalmente polarizados em classe A ou AB e devem
operar afastados do pico de potncia de sada.
Como os sistemas de comunicao so reduzidos em tamanho e em custo, o sistema
de refrigerao deve ser simples e pequeno, requerendo por isso um amplificador de
potncia com elevada eficincia.
O Amplificador de Doherty constitui uma avanada tcnica de desenho para se
conseguir elevada eficincia, pelo que poder ser o futuro dos Amplificadores de Potncia.
Neste captulo feita uma pequena introduo a este tipo de Amplificadores,
descrevendo a sua operao, linearidade e configurao do circuito, [13].

6.1 Operao

O Amplificador de Doherty na realidade constitudo por dois Amplificadores, o
Amplificador de Pico e o Amplificador de Portadora. A carga de sada conectada ao
Amplificador de Portadora atravs de um inversor de impedncias e conectada
directamente ao Amplificador de Pico (figura 59). As duas fontes de corrente representam
os amplificadores. assumido que cada fonte de corrente linearmente proporcional ao
sinal de tenso de entrada. O Amplificador opera em classe AB ou classe B com curto
circuitos harmnicos depois de ligado e a anlise da eficincia pode ser realizada usando

_________________________________________________________________________
70
apenas as componentes fundamental e DC. O Amplificador de Pico s comea a funcionar
quando a tenso de entrada for igual a metade do seu mximo valor, [13].
A tcnica do Amplificador de Doherty baseada na alterao da impedncia de
carga de cada Amplificador, chamada modulao de carga, de acordo com o nvel de
potncia de entrada, [13].

Figura 59 - Diagrama operacional do Amplificador de Doherty [13].

- Regio de baixa potncia (0 ~ (V
in, Max
)/2)

Na regio de baixa potncia o Amplificador de Pico est cortado e a impedncia de
carga do Amplificador de Portadora duas vezes maior do que a de um Amplificador
convencional. Assim, o Amplificador de Portadora atinge a saturao a (V
in, Max
)/2 desde
que a oscilao mxima da corrente fundamental seja metade e a oscilao mxima da
tenso atinja V
DC
. Deste modo, o nvel de potncia mxima metade do permitido pelo
Amplificador de Portadora e a eficincia do Amplificador igual eficincia mxima do
Amplificador de Portadora (figura 60), [13].

Figura 60 - Grfico da eficincia em funo de Vin para o Amplificador de Doherty e para o
Amplificador classe AB [13].

_________________________________________________________________________
71

- Regio de alta potncia ((V
in, Max
)/2 ~ V
in, Max
)

Assumindo que o g
m
do Amplificador de Pico duas vezes maior do que o do
Amplificador de Portadora, as oscilaes de corrente e tenso do Amplificador de Pico
aumentam em proporo com o nvel de tenso de entrada e a oscilao da tenso atinge o
seu mximo de V
DC
, s quando a tenso de entrada mxima. A impedncia de carga do
Amplificador de Portadora varia de 2Z
opt
a Z
opt
e a do Amplificador de Pico varia de a
Z
opt
de acordo com o nvel de tenso de entrada. A eficincia do Amplificador de Doherty
mxima tenso de entrada igual mxima eficincia dos Amplificadores. No entanto,
usualmente o Amplificador de Pico e o Amplificador de Portadora so do mesmo tamanho,
ou seja, tm o mesmo g
m
e o Amplificador de Pico no pode ser totalmente ligado, o que
degrada a performance de Potncia, [14].

6.2 Linearidade

O Amplificador de Portadora, polarizado em Classe AB, tem uma impedncia de
carga duas vezes maior nos nveis de potncia mais baixos e a alta impedncia deste
Amplificador compensa o baixo ganho provocado pela diviso de potncia na entrada. Na
regio de baixa potncia a linearidade do Amplificador de Doherty inteiramente
determinada pelo Amplificador de Portadora. Consequentemente, este deve ser altamente
linear mesmo que a impedncia de carga seja elevada, [13].
Nos nveis de potncia mais elevados, a linearidade do Amplificador de Doherty
melhorada pelo cancelamento harmnico dos dois Amplificadores, usando uma tenso de
gate apropriada. Em termos de ganho de cada Amplificador, uma expanso atrasada do
ganho do Amplificador de Pico polarizado em Classe C, compensa a compresso de ganho
do Amplificador de Portadora polarizado em Classe AB. Assim, o Amplificador de
Doherty capaz de entregar mais potncia de sada linear do que um convencional
Amplificador em Classe AB, [13].

_________________________________________________________________________
72

6.3 Configurao do Circuito

A figura 60 mostra um esquema do Amplificador de Doherty. Os Amplificadores
de Pico e de Portadora tm circuitos de adaptao de entrada/sada que transformam a
impedncia de entrada em 50 e a impedncia de sada em R0. As linhas de offset
encontram-se sada do circuito, [15].
Na regio de baixa potncia, os ajustes de fase das linhas de offset levam a que o
Amplificador de Pico se comporte como um circuito aberto e a impedncia de carga do
Amplificador de Portadora seja dobrada para 2R0 por um transformador de /4. A linha de
offset do Amplificador de Portadora varia de Z
opt
a 2Z
opt
para a modulao de carga
apropriada. A linha de offset do Amplificador de Pico ajusta a alta impedncia, prevenindo
fugas de potncia, [13].
Na regio de alta potncia, dado que o Amplificador de Pico se liga, a impedncia
de carga do Amplificador de Portadora desce para R0, [15].
O circuito de combinao de sada consiste numa linha de transmisso de /4 com
impedncia caracterstica 50 e numa linha /4 que transforma a impedncia de carga
combinada em 50 sada.

Figura 61 - Esquema do Amplificador de Doherty [13].

Captulo 7 Concluso & Trabalho Futuro
_________________________________________________________________________
73
Captulo 7
Concluso & Trabalho Futuro

7.1 Concluso

Neste trabalho foi projectado e implementado um Amplificador de Potncia a
operar na banda do 1GHz, utilizando tecnologia estado da arte, ou seja, transstores de
Nitreto de Glio, GaN. Com a realizao do trabalho foi-me permitido trabalhar com
tecnologia estado da arte e aprofundar os meus conhecimentos na rea de electrnica de
rdio-frequncia, os quais inicialmente eram escassos, consistindo em algumas noes
bsicas adquiridas ao longo do curso. Tive a possibilidade de trabalhar com um simulador
que nunca antes utilizara, o ADS, sendo claramente uma mais-valia para a minha formao
acadmica. O aprofundamento dos meus conhecimentos na rea da electrnica de rdio-
frequncia e a familiarizao com o simulador, foram etapas imprescindveis no sentido de
se obterem bons resultados. Deste modo, com as bases adquiridas e com a devida
orientao, o desenho e construo do Amplificador foram etapas relativamente simples.
Devido a um erro tcnico, foi necessrio cortar um bocado de linha que fez com
que o Amplificador ficasse sintonizado para 1.1GHz. Este foi o maior percalo ao longo do
trabalho, contudo decidiu-se no voltar a sintonizar o Amplificador para 1GHz pela razo
apresentada no quinto captulo.
Os resultados obtidos, os quais considero terem sido bastante satisfatrios, foram j
apresentados e comentados no quarto e quinto captulos. Conseguimos obter um bom valor
de ganho (19dB), uma boa performance de potncia, j que a potncia de sada no ponto de
1dB de compresso bastante prxima da indicada no datasheet do transstor. Tendo em
conta a distoro de intermodulao de terceira ordem, a avaliao da performance do
Amplificador relativa, pois depende das especificaes do sistema em que se pretende
aplicar o Amplificador.
Deste modo, considero que os resultados, para alm de satisfatrios, so
reveladores de que os Amplificadores de Potncia utilizando transstores de Nitreto de
Glio, podero substituir os Amplificadores a vlvulas (TWTAs), nomeadamente nos

Captulo 7 Concluso & Trabalho Futuro
_________________________________________________________________________
74
satlites. No entanto, o Amplificador construdo neste trabalho no serviria para integrar
um satlite, pois seria necessria uma maior capacidade de potncia de sada.
Certamente que estudos e testes continuaro a ser realizados no sentido de
concretizar esta substituio.

7.2 Trabalho Futuro

Embora no se tenha medido a eficincia do Amplificador implementado, devido
ao facto deste funcionar em classe A, a sua eficincia seria no mximo de 50%. Contudo,
certamente estar aqum deste valor.
Ora, nos sistemas de telecomunicaes actuais, o peso e o tamanho dos dispositivos
querem-se reduzidos, consequentemente os sistemas de refrigerao tambm tm que o ser.
Desta forma, tcnicas para aumentar a eficincia tornam-se pertinentes. A linearidade
tambm um requisito bastante importante, no entanto, como se sabe, combinar eficincia
com linearidade no uma tarefa simples.
Como trabalho futuro seria interessante utilizar a tcnica do Amplificador de
Doherty, introduzida no captulo sexto, no sentido de melhorar a performance do
Amplificador em termos de eficincia, juntamente com uma boa performance ao nvel da
linearidade.

Anexos
_________________________________________________________________________
75
8. Anexos

- Rede de Adapatao de Entrada (IMN)

Anexos
_________________________________________________________________________
76
- Rede de Adaptao de Sada (OMN)

Anexos
_________________________________________________________________________
77
- Datasheet do Transstor

Anexos
_________________________________________________________________________
78

Referncias
_________________________________________________________________________
79
Referncias

[1] A. R. Barnes, A. Boetti, L. Marchand and J. Hopkins, An overview of microwave
component requirements for future space applications, Gallium Arsenide and Other
Semiconductor Application Symposium, 2005.

[2] J Wuerfl and M Schlechtweg, Frontiers of III-V Compounds and Devices,
2004 GAAS Symposium Digest, pp195-198.

[3] N Zamdmer, J Kim et. al., A 243-GHz Ft and 208-GHz Fmax, 90nm SOI
CMOS SoC Technology with Low-Power Millimeter-Wave Digital and RF Circuit
Capability, 2004 Symposium on VLSI Technology Digest of Papers, pp98- 99.

[4] Jos Carlos Pedro, Nuno Borges Carvalho, Intemodulation Distortion in
Microwave and Wireless Circuits, Artech House microwave library, 2003.

[5] S. C. Cripps, RF Power Amplifiers for Wireless Communication, Norwood,
MA, Artech House, 1999.

[6] Stephen A.Maas, Nonlinear Microwave and RF circuits, Artech House
microwave library, January 2003.

[7] Guillermo Gonzalez, MICROWAVE TRASISTOR AMPLIFIERS Analysis
and Design, Prentice-Hall, 1984.

[8] D. Woods, Reappraisal of the Unconditional Stability Criteria for Active 2-
Port Networks in Terms of S Parameters, IEEE Transactions on Circuits and Systems,
February 1976

Referncias
_________________________________________________________________________
80
[9] Nuno Borges de Carvalho, Amplificadores Sintonizados de RF, Electrnica de
RF, 1 Semestre 2002, Universidade de Aveiro.

[10] Jos Carlos Pedro, Electrnica de Rdio Frequncia Textos de apoio,
Universidade de Aveiro, 1994.

[11] Charles Nader, Design of A Power Amplifier Based On Si-LDMOS For
WiMAX, University of GVlE, June 2006.

[12] N. Borges de Carvalho and J. C. Pedro, A Comprehensive Explanation of
Distortion Sideband Asymmetries, IEEE Trans. Microwave Theory Tech, Vol. 50,
No.9, September 2002.

[13] Bumman Kim, Jangheon Kim, Ildu Kim, and Jeonghyeon Cha, The Doherty
Power Amplifier, IEEE microwave magazine, 2006.

[14] J. Kim, J. Cha, I. Kim, and B. Kim, Optimum operation of asymmetrical-cells-
based linear doherty power amplifiers-uneven power drive and power matching,
IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. 53, no. 5, pp. 18021809, May 2005.

[15] Y. Yang, J. Yi, Y.Y. Woo, and B. Kim, Optimum design for linearity and
efficiency of microwave doherty amplifier using a new load matching technique,
Microwave J., vol. 44, no. 12, pp. 2036, Dec. 2001.

[16] Anna Rudiakova, Vladimir Krizhanovski, Advanced Design Techniques for RF
Power Amplifiers, Springer, 2006.

[17] Pedro Cabral, Modelao No-Linear de Transstores de Potncia para RF e
Microondas, Universidade de Aveiro, Dezembro, 2006.

[18] W.H. Doherty, A new high efficiency power amplifier for modulated waves,
Proc. IRE, vol. 24, no. 9, pp. 11631182, 1936.

Referncias
_________________________________________________________________________
81

[19] F.H. Raab, Efficiency of Doherty RF power amplifier system, IEEE Trans.
Broadcast., vol. BC-33, no. 3, pp. 7783, Sep. 1987.

[20] Nuno Borges de Carvalho, Amplificadores de Potncia, Electrnica de RF, 1
Semestre 2002, Universidade de Aveiro.

[21] Nuno Borges de Carvalho, O impacto da distoro no linear (Curso de Rdio
Mvel), Universidade de Aveiro.

[22] Mihai Albulet, RF Power Amplifiers, SciTech Publishing, 2001.

Amp Tra

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Amp Tra

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Universidade de Aveiro

You might also like