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HT1 4.1
HT1 4.2
IP dn 10 cm3 s dt 0
p V = N k T n= p k T
Gasart H2 N2 O2 H 2O CO2 SF 6 Elektronen
p V T N n k
Druck Volumen absolute Temperatur Anzahl der Teilchen in Volumen V Teilchendichte Boltzmann-Konstante [k=1,38.10-23 Ws/K]
m E in m 0,63 0,33 0,36 0,23 0,22 0,13
mittlere kinetische Energie effektive Geschwindigkeit 3 1 Wkin = m v 2 = k T eff 2 2 mittlere freie Weglnge 1 T m ~ ~ n p
n = 1 dn k r dt 0
rel. Moleklmasse v e ff in mm/s m I in m 2 28 32 1,91 0,51 0,48 0,11 0,058 0,064 0,041 0,039 146 1/1840 0,22 116 0,025
dn dn = = k r n+ n dt dt
+
kr ...Rekombinationskoeffizient
Driftgeschwindigkeit bei 30 kV/cm vE,Elektron 150 mm/s vE,Ion 0,3...0,6 mm/s fr Durchschlagprozesse vernachlssigbar
4. Durchschlagprozess in Luft
4.1 Elementarprozesse 4.1.1 Erzeugung und Rekombination von Ladungstrgern
IEEH
4. Durchschlagprozess in Luft
4.1 Elementarprozesse 4.1.2 Ladungstrgerbewegung im Gas
IEEH
HT1 4.3
HT1 4.4
Gasart N2 O O2 SF 6
Stoionisationskoeffizient:
(1. Townsendscher Stoionisationskoeffizient)
C 4 = C3 1 e E p p
WI = eE I I =
WI eE
Lawinenbildung
p C1
Wahrscheinlichkeit, dass die mittlere freie Weglnge I P( m > I ) = e m grer als die zur Ionisation erforderliche ist:
d Ne = Ne dx Ne dx
Ne (x = 0 ) = Ne 0
=
eE 1 C1 p
1 m e m
Ne (x ) = Ne 0 e 0
( ) dx
, p p C3
E p
p p
C1
1 1 1 m ~ ~ m = = C1 p e n p C1 p
(bezogener) Stoionisationskoeffizient:
= C1e p
C2 Ep
E =f p p
E p
Effektiver Ionisationskoeffizient: E = = =f p p p p
kein DS mglich
E p 0
DS mglich
E p
4. Durchschlagprozess in Luft
4.1 Elementarprozesse 4.1.3 Ladungstrgervermehrung im elektrischen Feld
IEEH
4. Durchschlagprozess in Luft
4.1 Elementarprozesse 4.1.3 Ladungstrgervermehrung im elektrischen Feld
IEEH
HT1 4.5
HT1 4.6
NI qI E dx = U iI (t ) dt
mm MPa E - E = 0,22 p p 0; Luft p Luft (kV ) kV E p 0; Luft= 24,4 mm MPa
= 24 E - 56 kV mm MPa p SF kV p
6
iI (t ) =
NI qI E dx v = NI qI I U dt s
S=
S = e nI+ bI+ + nI bI + ne b e E = E
28 E - E = p SF kV p p 0; SF 6
6
( = e (n
iI (t ) 1 = NI qI v I = nI qI v I A sA
II
III
+ I
bI+ + nI bI
)
bI+ bI 1,6 cm2 Vs
kV E = 89 mm MPa p 0; SF
6
D =
60 80 E p 100
0; SF 6
kV mm MPa
1 = 4 1015 cm
140
Bereich II:
Sttigungsstromdichte
bezogene Feldstrke E p
(nach Beyer, Boeck, Mller, Zaengl: Hochspannungstechnik, Springer Verlag, 1986)
nzugefhrt nabgefhrt
Bereich III:
4. Durchschlagprozess in Luft
4.1 Elementarprozesse 4.1.3 Ladungstrgervermehrung im elektrischen Feld
IEEH
4.2 Strom-Spannungs-Kennlinie
IEEH
HT1 4.7
Paschen-Kurve in Luft
HT1 4.8
+-
++-
() dx Ne (x) = Ne 0 e 0 = Ne 0 ex
NI+ = Ne (s) Ne0 = Ne0 e s 1
+
Anzahl der positiven Ionen
NI+ treffen auf Kathode
Durchschlagspannung U D
10 4 V
Kathode
++ + + + ++ + + + ++ + ++ + ++ + ++
10
N e0 h
Ne0 e
(N ) = N (e
e0 r e0
(N ) N
e0 r
{
-
s + N+ = N e0(e - 1) I
Annahmen:
= const.
(Ne0 )r = Ne0 (e s - 1) s x
Durchschlagspannung:
1 s = ln + 1 C 2 Ud Ep = C1e Ed = p s
e0
Ud =
C2 p s = f (p s) C1 p s ln ln(1 + 1)
10 1 10 -1 10
10 0 10
(Dakin, T.W. et al.: Breakdown of gases in uniform fields - Paschen curves for N2, air and SF6, electra No. 32, 1974)
4. Durchschlagprozess in Luft
4.3 Selbstndige Gasentladungen 4.3.1 Lawinenentladung
IEEH
4. Durchschlagprozess in Luft
4.3 Selbstndige Gasentladungen 4.3.1 Lawinenentladung
IEEH
Raumladungen und Stromverlauf bei Ausbruchsentladung (positive Spitze) und Trichel-Entladungen (negative Spitze)
HT1 4.9
HT1 4.10
E Eh 0 Emin Eh RL
E Eh RL Eh 0 Emin
Feldvergleichmigung
Feldvergleichmigung
4. Durchschlagprozess in Luft
4.3 Selbstndige Gasentladungen 4.3.1 Lawinenentladung
IEEH
4. Durchschlagprozess in Luft
4.3 Selbstndige Gasentladungen 4.3.1 Lawinenentladung
IEEH
HT1 4.11
HT1 4.12
kritische Verstrkung:
t1
+++ + ++
Fotonen
Fotonen
+
++++ + + + ++ + ++
t2
/E/ E max
/E/
+
+ + + ++ ++ + ++ ++ ++ + ++ + +
Sekundrlawine:
E max
t1
t2 t3
E x
E0
E0 Es
Es x x
x U0
ES x
weitere Folgelawinen:
U0 Ue U v x 5 kV/cm
E EG
+ EG
as
katodengerichteter Streamer
anodengerichteter Streamer
4. Durchschlagprozess in Luft
4.3 Selbstndige Gasentladungen 4.3.2 Streamerentladung
IEEH
4. Durchschlagprozess in Luft
4.3 Selbstndige Gasentladungen 4.3.2 Streamerentladung
IEEH
++ +++ +
+ ++ + ++
++++ + +
t1 t2
Ue U v x 10-15 kV/cm
++ + + ++
Ursprungslawine:
++ +++ +
+ + + ++ +++ + + + + ++ + + ++
+ ++ + ++
++ ++ + +
Ne Nkrit 108
t1
+ ++ + ++
t2
HT1 4.13
HT1 4.14
Streamer - Bschelentladung
Spannungsimpuls (Tcr=500s):
HS-Elektrode
Ui Ti t
+
EL Leader ( 1,5 kV/cm) Leaderkopf
Stielbschelentladung Einzelaufnahmen der Entladung:
2 4 m Ti T1 Tf j 5 3 4 iL 6 Td t
1 Koronaentladungsphase 2-3 Leaderentwicklungsphase 4 Durchschlagphase Final Jump 5 Aufleuchten des Leaderkanals 6 Stromimpulse (5 + 6 meist bei Richtungswechsel)
Entladungsstrom:
t
4. Durchschlagprozess in Luft
4.3 Selbstndige Gasentladungen 4.3.3 Leaderentladung
IEEH
4. Durchschlagprozess in Luft
4.3 Selbstndige Gasentladungen 4.3.3 Leaderentladung
IEEH
HT1 4.15
10 m
12
HT1 4.16
(+,) (+,)
Zndung
Stoionisation Fotoionisation Thermoionisation kritisch EL = (0,1)..1..1,5 kV/cm mit zunehmendem Entladungsstrom nimmt Spannungsbedarf ab
unterkritisch EG 25 kV/cm
Lawinenentladung
Streamerentladung
Ne (x ) = Ne0 e 0
( )dx
108
Einsetzhchstfeldstrke: Edh = 25 ... 50 kV/cm > Edi magebend im homogenen und schwach inhomogenen Feld
+
+
+
Stilbschelentladung
2) U U*
U* ... Spannungsbedarf zum berbrcken des Elektrodenabstandes nur Streamer Streamer und Leader
Ausbreitungsgeschwindigkeit mglich bei Spannungsart t = n s/v(Ionen) n... Anzahl Generationen v(Ionen) = 0,5 mm/s, (bei 30 kV/cm) (( v(El.) = 15 cm/s, (bei 30 kV/cm) )) Gleichspannung 50 Hz Wechselspannung 10 ... 100 cm/s (stark schwach inhomogen) Gleichspannung 50 Hz Wechselspannung Schaltstospannung Blitzstospannung < 10 cm/s
Leaderentladung
+
s
+
aL s aS
50 Hz Wechselspannung Schaltstospannung
Durchschlag im Homogenfeld: s < 1,3 cm; bei Gleichspannung und Blitzstospannung fr alle s im stark inhomogenen Feld bei 50 Hz Wechselspannung unvollstndige Entladung Schaltstospannung fr s < a0
Durchschlag
1) + 2)
U = max U ; U i d
4. Durchschlagprozess in Luft
4.3 Selbstndige Gasentladungen 4.3.4 Vergleich der Entladungsformen
IEEH
4. Durchschlagprozess in Luft
4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft
IEEH
Einsetzhchstfeldstrke im Homogenfeld
empirische Beziehung nach Lau 1954
HT1 4.17
HT1 4.18
Einsetzhchstfeldstrke Edh
Einsetzhchstfeldstrke (Durchschlaghchstfeldstrke):
cm kV Ed = 24,4 + 6,53 s cm
E
45
s > r/2
40 35 30 25 0 2 4 6 Radius r 8 cm 10
Kugeln Zylinder
50 cm kV Ed 25 + s cm
Edi = 24,4 kV/cm
Edh Edi
Durchschlagspannung:
0 xkrit
100
Ud = Ui = Edh s
Einsetzspannung:
Elektrodenabstand s
homog. Feld: Einsetzhchstfeldstrke Edh = Durchschlagfeldstrke Ed
Ui = Edh s
4. Durchschlagprozess in Luft
4. Durchschlagprozess in Luft
4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft 4.4.1 Durchschlag im Homogenfeld
IEEH
IEEH
HT1 4.19
HT1 4.20
5 kV/cm
25 kV/cm
stark inhomogenes Feld
Durchschlagspannung d~
Durchschlagspannung Ud
~
+
Ud = Ui Grenz < 1
Ui = E dh s
5 kV/cm
aL
aS s
Bestimmung von Grenz mit den Annahmen: - Einsetzhchstfeldstrke Edh= 25 ... 50 kV/cm (abhngig vom Elektrodenradius) - Streamer von positiver Kugelelektrode (kritischer Fall) berbrckt gerade die gesamte Schlagweite
10
12 14 m 18 Elektrodenabstand s
Streamerreichweite:
>
Grenz
Durchschlagspannung:
Ud Grenz =
< Grenz
s 5 kV cm E dh E dh
s a s = a0 (1+ ln ) a0
Ud = U* = ES a S + EL (s a S )
a 0 = 1,5 m (bei ~)
Grenzelektrodenabstand
ES = 4,5
kV cm
EL = 1
kV cm
s s Ud = E S a S + E L 0 a 0 ln a ln a 0 0 kV kV E L 0 = 1,5 E S = 4,5 cm cm
4. Durchschlagprozess in Luft
4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft 4.4.2 Durchschlag im inhomogen Feld
IEEH
4. Durchschlagprozess in Luft
4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft 4.4.2 Durchschlag im inhomogen Feld
IEEH
HT1 4.21
HT1 4.22
u
1400 kV 1200
Durchschlagspannung Ud
ScheitelStirnRcken- Durchschlge
d d
Stokennlinie
-nur Streamer - zum Aufheizen des Kanals fr Leader reicht Energie nicht - Polarittseffekt Ud+ < Ud(Spg.-Bedarf positiver und negativer Streamer)
tV = tS + tA td
tS ... tA ... tV ... d ...
50
100
150
200
250 cm 300
Elektrodenabstand s
statistische Streuzeit (Anfangselektron) Aufbauzeit (Lawine leitfhiger Kanal) Zndverzugszeit statische Durchschlagspannung
4. Durchschlagprozess in Luft
4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft 4.4.3 Durchschlag bei Gleichspannung
IEEH
4. Durchschlagprozess in Luft
4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft 4.4.4 Durchschlag bei Blitzstospannung
IEEH
HT1 4.23
HT1 4.24
i
u(t)
2,5
+
(tA ) hom < (tA )inhom
-Aufleuchten des Leaderkanals bei Stromimpuls - typische Werte: EL = 1,5 kV/cm dL < 3 mm TG = 5000C
1,5
1 0 2 4 6 8 10 s 14
Schutz gegen berspannungen mit steilem Anstieg kann nicht durch inhom. Funkenstrecken erreicht werden Ableiter erforderlich
4. Durchschlagprozess in Luft
4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft 4.4.4 Durchschlag bei Blitzstospannung
IEEH
4. Durchschlagprozess in Luft
4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft 4.4.5 Durchschlag bei Schaltstospannung
IEEH
HT1 4.25
HT1 4.26
Durchschlagspannung d
2000 kV 1500 s
d t
5kV/cm Durchschlagspannung d
kV
1500
TP=1s
Tp d=5m
se tzs pa nn un g
1000
1kV/cm
500
0 0 1 2 3 4 5 m 6
Le ad er ein
Elektrodenabstand s
4. Durchschlagprozess in Luft
4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft 4.4.5 Durchschlag bei Schaltstospannung
IEEH
IEEH
Durchschlagspannung bei genormter Schaltstospannung und bei Schaltstospannungen mit ungnstigster Scheitelzeit
Durchschlagspannung d 4 MV 3 Blitzspannung Stospannung 250/2500
HT1 4.27
Durchschlagwechselspannung von Spitze-Spitze- und Spitze-PlatteAnordnung bei hochfrequenter Wechselspannung (360 kHz)
HT1 4.28
100
850 s
Durchschlagspannung d
0
Streamerreichweite:
s a s = a0 (1+ ln ) a0
a 0 = 1m (bei
0,2
0,4
0,6
0,8
1,2 m 1,4
Elektrodenabstand s
4. Durchschlagprozess in Luft
4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft 4.4.5 Durchschlag bei Schaltstospannung
IEEH
4. Durchschlagprozess in Luft
4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft 4.4.6 Entladungen bei hochfrequenter Wechselspannung
IEEH
bersicht der Entladungsmechanismen bei einer Spitze-PlatteAnordnung in Luft, Durchschlagspannung bei positiver Polaritt
Spannungsarten Gleichspannung Wechselspannung Schaltstospannung Blitzstospannung HF-Wechselspannung mgliche Entladungsmechanismen Streamer alle Schlagweiten s1m s1m alle Schlagweiten s 0,1 m Streamer/Leader s>1m s>1m s > 0,1 m Polarittseffekt TE-Einsatz Ui(+) > Ui() i = i() i(+) > i() i(+) > i() i = i() Durchschlag Ud(+) < Ud() d = d(+) d(+) < d() d(+) < d() d = d(+)
HT1 4.29
HT1 4.30
0 = 20C
p0 = 101,3 kPa (1013 mbar) h0 = 11 g/m
Aufgaben:
(1) Vergleich von Mewerten Umrechnung von Mewerten auf Norm-Bezugsatmosphre
U0 der Norm-Bezugsatmosphre entsprechende gemessene Spannung gemessene Prfspannung atmosphrischer Korrekturfaktor
atmosphrischer Korrekturfaktor:
K t = k1 k2
Luftdichte-Korrekturfaktor:
1500
Durchschlagspannung d
5 kV/cm kV
1000
U0 = U K t
Blitzstospannung Gleichspannung Wechselspannung Schaltstospannung HF-Wechselspannung
k1 = m
... relative Luftdichte
U Kt
(2)
500
Prfung unter realen Laborbedingungen Ermittlung der Prfspannung fr gegebene atmosphrische Bedingungen
U U0 Kt bei Prfung anzulegende Spannung Prfspannung bei NormBezugsatmosphre atmosphrischer Korrekturfaktor
p (273 + 0 ) p 0 (273 + )
Luftfeuchte-Korrekturfaktor:
k2 = k w
Exponenten m und w siehe Grafik
U = U0 K t
Elektrodenabstand s
4. Durchschlagprozess in Luft
4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft 4.4.7 bersicht
IEEH
4. Durchschlagprozess in Luft
4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft 4.4.8 Einfluss der atmosphrischen Bedingungen
IEEH
HT1 4.31
Barriereanordnung
Feldstrkeverlauf ohne und mit Flchenladungen auf der Barriere E
HT1 4.32
Korrekturfaktor
1,2 Wechselspannung
Durchschlagspannung
1,1 Gleichspannung
d a E S + b E dh
1,0
Impulsspannung
s
0
Spannungsform k Luftfeuchtigkeit
0,9
g/m
1 + 0,010 (h/ 11) ImpulsWechsel- Spannung 1 + 0,012 (h/ 11) 1 + 0,014 (h/ 11) Gleich1 h/ < 15) 1 h/ < 15) 1 h/ < 15)
0 a U UdB 5 kV/cm
25 kV/cm
s x
Durchschlagwechselspannung d
60
0,8 0 5
10
abhngig vom m Exponent zur Luftdichtekorrektur Parameter g w Exponent zur Luftfeuchtekorrektur g Parameter zur Beschreibung der Abhngigkeit der Exponenten m und w von der Art der Vorentladung
ud ud
s x
40
Udo a b 0
5 kV/cm
20
UB g= 500 L k
UB L k
50%-Durchschlagspannung in kV krzester Entladungsweg in m aktueller Wert der rel. Luftdichte Funktion des Verhltnisses der abs. Feuchte h zur rel. Luftdichte
3 cm 4
Barrierenabstand a
4. Durchschlagprozess in Luft
4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft 4.4.8 Einfluss der atmosphrischen Bedingungen
IEEH
4. Durchschlagprozess in Luft
4.5 Entladung an Grenzflchen 4.5.1 Durchschlag mit Barrieren
IEEH
HT1 4.33
HT1 4.34
dK
dCE
berschlagspannung U
C RF U C
1 a UG = 105 kV cm r
0 , 44
UG Gleitfunkeneinsetzspannung
c' UG = 1,92 10 4 kV F cm 2
0 , 44
TE-Einsetzspannung:
E U U E h = E x =0 = = E dh Ui = dh
c' =
C C pF = 0,25 A A cm 2
lG gleitfunkenfreie Weglnge
4. Durchschlagprozess in Luft
4.5 Entladung an Grenzflchen 4.5.2 Gleitentladungen
IEEH
4. Durchschlagprozess in Luft
4.5 Entladung an Grenzflchen 4.5.2 Gleitentladungen
IEEH
Regenberschlag
1400
HT1 4.35
Fremdschichten an ueren Grenzflchen - Entstehen von Teillichtbgen und Ausweitung zum vollstndigen berschlag
r
dl
dR =
lK
HT1 4.36
a l r
1 dl 1 dl = 2 r S 2 r
berschlagweg
berschlagspannung
kV
a Schirmausladung l Schirmabstand
n r
1000
R = dR =
0
1 1 K dl 1 = F S 2 r (l) S 0
800
F=
1 K dl 2 r (l) 0
R Fremdschichtwiderstand [] Ableitwiderstand spez. Leitfhigkeit [S/cm] S Schichtleitfhigkeit [S] lK Kriechweg Fremdschichtdicke F Formfaktor
600
400
Fremdschicht
Erwrmung
Trockenzone
Vorlichtbogen
En 2
kV cm kV cm
200
Trockenberschlagweg
I ~ 10...100 mA
E r 3...4
Potential
r = (n E n + r E r ) z
U r
kV cm
bei
a 0,5 l
Lichtbogenverlngerung durch Fupunktwanderung tritt auf, wenn Spannungsbedarf des Lichtbogens EB geringer als der Spannungsbedarf der Fremdschicht ES und fhrt unmittelbar zum Fremdschichtberschlag.
4. Durchschlagprozess in Luft
IEEH
IEEH
HT1 4.37
HT1 4.38
Schichtleitfhigkeit bei Prfung S
15 20 S
Manahme gegen Fremdschichtberschlag: R F oder S F r - Durchmesser so klein wie mglich lK - Isolatorlnge vergrern - Anzahl der Schirme erhhen - Schirmausladung vergrern (a / l = 1 ... 1,5) - Unterschirme / Rippen aber: Kriechweg mu ausgenutzt werden U ~ lK S - hydrophobe Oberflchen (Verbund-Isolatoren mit Silikonschirmen) - Silikonisieren - Reinigen (abspritzen)
kV
Fremdschichtstehwechselspannung Ust~
- Gebiete ohne Industrie und mit einer geringen Bebauungsdichte von Husern mit Heizungsanlagen - Gebiete mit wenig Industrie oder Husern, die aber hufigen Winden und/oder Regenfllen ausgesetzt sind - landwirtschaftliche Gebiete 1) - bergige Gebiete Alle Gebiete mssen mindestens 10 bis 20 km von der Meereskste entfernt liegen und drfen nicht direkten Seewinden ausgesetzt sein 2)
500
400
II mittlere Verschmutzung
300
- Gebiete mit Industrie, die nicht besonders verschmutzenden Rauch erzeugt und/oder mit einer mittleren Bebauungsdichte von Husern mit Heizungsanlagen - Gebiete mit hoher Bebauungsdichte von Husern und/oder Industrie, die aber hufigen Winden und/oder Regenfllen ausgesetzt sind - Gebiete, die Seewinden ausgesetzt sind, aber nicht zu nahe an der Ksten liegen (mindestens mehrere Kilometer)2) - Gebiete mit hoher Industriedichte und Vororte groer Stdte mit hoher Dichte von Heizungsanlagen, die Verschmutzung verursachen - Gebiete, nahe der Meereskste, oder die jedenfalls relativ starken Seewinden ausgesetzt sind 2) - Gebiete mit begrenzter Ausdehnung, die leitfhigem Staub und Industrierauch ausgesetzt sind, wodurch im einzelnen dicke leitfhige Ablagerungen entstehen - Gebiete mit begrenzter Ausdehnung, sehr nahe der Kste, die Meerwassersprhen oder sehr starken und verschmutzenden Seewinden ausgesetzt sind - Wstengebiete, die gekennzeichnet sind durch lange Perioden ohne Regen, starken Winden mit Sand und Salz, und die regelmiger Kondensation unterworfen sind
20 mm/kV
24 35 S
200
25 mm/kV
36 S
100
31 mm/kV
0 0 10 20 30 40 S 60
Schichtleitfhigkeit s
1) Der 2) Die
Gebrauch von Sprh-Dngemittel oder das Auftreten von Erntebrnden kann durch Windeinfluss zu einem hheren Verschmutzungsgrad fhren. Entfernungen zur Meeresksten hngen von der Topografie des Kstengebietes und den extremen Windbedingungen ab.
4. Durchschlagprozess in Luft
4.5 Entladung an Grenzflchen 4.5.4 Fremdschichtberschlag lngs Isolierstoffoberflchen
IEEH
4. Durchschlagprozess in Luft
4.5 Entladung an Grenzflchen 4.5.4 Fremdschichtberschlag lngs Isolierstoffoberflchen
IEEH
HT1 4.39
HT1 4.40
a)
b)
c)
d)
e)
f)
a) Sttzenisolator nach DIN 48004, Bauform B b) Sttzenisolator nach DIN 48004, Bauform A c) Freileitungssttzer
4. Durchschlagprozess in Luft
4.5 Entladung an Grenzflchen 4.5.4 Fremdschichtberschlag lngs Isolierstoffoberflchen
IEEH
4. Durchschlagprozess in Luft
4.5 Entladung an Grenzflchen 4.5.4 Fremdschichtberschlag lngs Isolierstoffoberflchen
IEEH
HT1 4.41
fortschreitende Entladung U
berschlagspannung U
a Isolierstoff (r)
u C + u i = C t t
WRF =
C U 2 Wth 2
2 Wth 2 Wth a a ~ =K C A 0 r r
UG Gleitfunkeneinsetzspannung
UG =
lG gleitfunkenfreie Weglnge
0 , 44
1 a UG = 105 kV r cm
0 , 44
c' UG = 1,92 10 4 kV F cm 2
c' =
C C pF = 0,25 A A cm 2
4. Durchschlagprozess in Luft
4.5 Entladung an Grenzflchen 4.5.2 Gleitentladungen
IEEH