Fundamentos de ptica

Apuntes de ptica Curso 2010/11

TEMA 3 FUENTES DE LUZ Y EMISIN LSER

Prof.Dr. E. Gmez Gonzlez

Departamento de Fsica Aplicada III E.S.Ingenieros - Universidad de Sevilla
E.G.G. DFA III-ESI 2010/11
UNIVERSIDAD DE SEVILLA

2 Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNTICOS PTICA (TEMA 3 Fuentes de luz y emisin lser)

Tema 3: Fuentes de luz y emisin lser

Consideraciones cunticas Emisin espontnea y absorcin Emisin estimulada y amplificacin Inversin de poblacin Cavidad resonante y modos de funcionamiento Emisin lser Coherencia espacial y temporal Componentes generales y luz emitida Comparacin con fuentes de luz convencionales (filamento, gas, halgena) y nuevas fuentes (lmparas de diodos LED, lmparas de bajo consumo, solares) Tipos de lser Lser de medio slido (rub) Lser de gas (He-Ne) Lser de semiconductor (GaAS) Almacenamiento ptico de informacin Aplicaciones en comunicaciones pticas Otros tipos y aplicaciones. Holografa. Riesgos en el uso de fuentes de luz lser. Normas legales. Clasificacin y medidas de seguridad Dispositivos de proteccin ocular

Estos Fundamentos de ptica han sido especficamente adaptados como Apuntes para el Curso de ptica que imparte el autor en la asignatura Campos Electromagnticos de Ingeniera de Telecomunicacin de la E.S.Ingenieros de la Universidad de Sevilla. Se recomienda su utilizacin combinada con los dems materiales y referencias de la asignatura. Propiedad Intelectual Estos Apuntes, as como el material contenido en ellos, estn protegidos por las normas vigentes de Propiedad Intelectual y nicamente pueden destinarse al estudio personal. Para citar la informacin contenida en los mismos debe indicarse: Gmez Gonzlez, E.: Fundamentos de ptica: Fuentes de luz y emisin lser, Universidad de Sevilla 2006-09. as como los datos especficos de cada obra detallados en las Referencias indicadas entre corchetes. 2 Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNTICOS PTICA (TEMA 3 Fuentes de luz y emisin lser) 2
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Consideraciones cunticas
Los electrones estn alrededor de los ncleos en determinadas rbitas o niveles de energa (definidos por los nmeros cunticos). En estos niveles, los electrones estn en un estado estable: ni absorben ni emiten energa. Cada nivel tiene una cierta densidad de ocupacin. Entre cada par de niveles existe una probabilidad de transicin medida por los coeficientes de Einstein. Cuando un electrn salta de un nivel a otro se produce una radiacin cuya frecuencia () est relacionada con la diferencia de energa entre los niveles por la frmula de Planck: E = h. Esta radiacin es una onda electromagntica propagndose con la velocidad de la luz c 3108 m/s. Recordemos que la frecuencia est relacionada con la longitud de onda () de la radiacin por c = Cada visible es percibida por el ser humano como un color. En el modelo corpuscular, la radiacin emitida est constituida por fotones.

Emisin espontnea y absorcin

En condiciones normales, la mayora de los tomos de una poblacin se encuentran en su estado ms bajo de energa (nivel fundamental), pero el resto estn excitados, con alguno de sus electrones en un nivel superior de energa. Algunos estados son estables y otros metaestables. Los tomos que se encuentran en estado excitado emiten espontneamente fotones, volviendo al nivel energtico inferior. Este proceso es aleatorio, denominndose emisin espontnea y los fotones emitidos no son coherentes, es decir, no guardan ninguna relacin de fase (espacial ni temporal) unos con otros, Cuando sobre un electrn incide radiacin de energa E, tiene lugar un proceso de absorcin, promocionndose el electrn a un nivel de energa superior.

Emisin estimulada y amplificacin

Si sobre un electrn en un estado excitado incide una radiacin de energa correspondiente a una cierta diferencia de niveles, el tomo es estimulado a emitir un fotn de la misma frecuencia y fase. Este es el proceso de emisin estimulada y al sumarse ambas radiaciones (la incidente y la emitida) tiene lugar la amplificacin de la radiacin. La emisin estimulada se puede producir en condiciones normales pero es un efecto muy pequeo porque hay pocos tomos en estado excitado.
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Inversin de poblacin
Algunas sustancias activas tienen una estructura de niveles con ciertas caractersticas particulares que les permiten alcanzar un estado denominado inversin de poblacin. Para que se pueda alcanzar, es necesario que haya i) un conjunto de (al menos 3) niveles relativamente prximos con energas E1<E2<E3, uno de los cuales sea fcilmente alcanzable (E3), ii) una pareja (E3-E2) con alta probabilidad de transicin por emisin espontnea y iii) que el nivel intermedio (E2) sea metaestable. La inversin de poblacin es un estado en el que el nivel de energa metaestable (E2) est superpoblado, con ms electrones que un nivel inferior (E1). En esas condiciones la probabilidad de que tenga lugar una emisin estimulada es muy alta, y se pueden obtener muchos fotones coherentes.

Fuentes de luz convencionales

En toda fuente de luz hay una sustancia emisora de la luz (sustancia o medio activo, MA) y un mecanismo de aporte energtico (AE), diferente segn el tipo y estado de agregacin de la sustancia activa. Al excitarse el MA se ocupan los diferentes niveles energticos superiores y al desexcitarse, emiten la diferencia de energa en forma de radiacin. Mientras mayor probabilidad de ocupacin tenga un nivel, mayor es la intensidad de la radiacin procedente del mismo y, en consecuencia, esa longitud de onda (color) tiene mayor proporcin en la luz emitida. La luz emitida por una fuente convencional se caracteriza por ser policromtica: el color es la suma (ponderada) de las diferentes no colimada, sino resultado de la superposicin de ondas esfricas elementales incoherente: espacial y temporalmente Algunas fuentes de luz naturales (MA + AE): estrellas (sol): H, He + reaccin termonuclear llama: proceso de combustin luminiscencia (inducida): sustancia qumica + luz de adecuada Algunas fuentes de luz artificiales: bombilla incandescente: filamento de metal + efecto Joule tubo fluorescente: mezcla de gases + campo elctrico diodos LED / lmparas de bajo consumo /
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Fuentes convencionales: Tubos de gas (fluorescentes)

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Fuentes convencionales: Lmparas halgenas

[12]

Bombillas incandescencia Duracin 1000 horas Luz: amarillenta (3000 K)

Lmparas Halgenas Duracin 2000 horas Luz: blanca amarilla (2800-3000 K) Consumo: 30% menor

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Nuevas Fuentes de luz: Lmparas de diodos LED

diodos LED de alta luminosidad tripletes rojo + verde + azul, con modulacin de intensidades emitidas luz blanca: triplete RGB con igual peso relativo o diodo UV + capa de fsforo (single phospor)

Caractersticas pueden incorporan microlentes larga duracin: hasta 50.000 horas fuentes de alimentacin de baja tensin y corriente constante (muy til en entornos peligrosos o con riesgo de incendio o explosin) Aplicaciones iluminacin arquitectnica (adaptable), focos, seales (trfico, ) espectculos dinmicos comunicacin inalmbrica segura 10-100 Mb/s interaccin biolgica / qumica Inconvenientes sensibles al calor (precisan disipacin) coste Otros tipos: microleds: 20 m, GaN, 30-550 nm, en arrays ultraplanos organic (OLEDs): bajo consumo, montaje sobre soportes flexibles, dispositivos mviles (telfonos, pda,)

Luz emitida: elevada saturacin y brillo (reproduce cualquier color del espectro) sin radiacin UV e IR: adecuados para materiales o productos fotosensibles controlable: espectro, temperatura de color, polarizacin, patrones espaciales y modulacin temporal emisin: hasta 20 lm Eficacia luminosa bombilla incandescencia (60-100 W) 15 lm/W fluorescente hasta 100 lm/W LED de alta potencia (1 W) 100 lm/W

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Nuevas Fuentes de luz: Lmparas de bajo consumo (magnitudes radiomtricas y fotomtricas en Tema 4)
Caractersticas consumo elctrico mucho menor duracin muy superior (6000-10000 horas) mejor reciclaje Inconvenientes contienen pequeas cantidades de mercurio reciclado coste por unidad Luz emitida alta saturacin y brillo. Temperaturas de color blancoamarillo desde 2700 K 3000 K algunos tipos no regulables en intensidad segn el tipo de lmpara emiten - haces amplios / istropos: medidos en lumen (lm) - haces direccionales: medidos en candelas (cd)

Eficacia luminosa muy superior a lmparas convencionales (incandescencia, halgenas, fluorescentes) Ej: con consumo elctrico de 20 W producen 1300 lm mientras que con bombilla incandescente son necesarios 100 W.
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Nuevas Fuentes de luz: Lmparas solares Elementos Cpula acrlica Sensor ptico (deteccin del sol) Lente concentradora Posicionador orientable Fibra ptica de transmisin Sistema de control

Principales caractersticas Captacin de luz para iluminacin en interiores ptica de concentracin (lente) y fibra ptica para transmisin Usa la aberracin cromtica para filtrar los UV e IR Cono de luz emitido por la fibra de unos 58 a unos 2 m consigue una iluminancia de aprox 500 lux Un sistema de 12 lentes proporciona un flujo luminoso total de 4000 lm Otras tecnologas: mediante espejos
Valores de referencia de Iluminancia (sobre la superficie iluminada) 1000 lux para tareas de detalle (costura) 500 lux para lectura 200 lux para uso recreativo
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LSER: Mecanismo especial de emisin de luz. Combina la emisin estimulada y la amplificacin de la radiacin (luz)
emitida en una cavidad resonante. La sustancia activa tiene que poder alcanzar la inversin de poblacin. Componentes bsicos de un emisor de luz lser:

sustancia activa: slido / lquido / gas / plasma mecanismo de aporte energtico (o sistema de bombeo): depende de la sustancia activa. Puede ser ptico, elctrico, qumico, cavidad resonante: compuesta por 2 espejos alineados, uno totalmente reflectante (99.9%) y el otro semitransparente (refleja 95-97%). La SA est contenida en su interior. Caractersticas de la luz emitida:

LASER = Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation

monocromtica: la emisin de radiacin corresponde (casi totalmente) a una nica transicin energtica, por lo que el ancho de banda (de longitudes de onda) es muy pequeo, hasta / 10-15 colimada: nicamente se amplifica la luz emitida en la direccin del eje de la cavidad resonante, por lo cual la emisin tiene una divergencia angular (, en rad) muy pequea (debida, principalmente, a efectos de difraccin y defectos de paralelismo entre los espejos). La seccin del haz emitido puede ser muy pequea por lo que la irradiancia puede ser muy alta.

= divergencia angular (muy exagerada) 2 Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNTICOS PTICA (TEMA 3 Fuentes de luz y emisin lser)

coherente: en cada punto de la SA (y en cada instante) la emisin es estimulada por lo que hay una relacin de fase entre la emisin de diferentes puntos / en otro instante): coherencia espacial / temporal.
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Cavidad resonante: la radiacin se

confina en forma de ondas estacionarias, y se va amplificando por emisin estimulada en cada ciclo de recorrido hasta que alcanza suficiente energa para vencer al espejo semitransparente = emisin de un pulso lser.

Haz emitido

La geometra de la cavidad es muy importante porque afecta a su estabilidad y a la ganancia (y, por tanto, a la amplificacin alcanzable). Ojo ! Independientemente de la cavidad y del modo de funcionamiento, el rea (A) de la seccin transversal del haz emitido determina su densidad de energa / potencia por unidad de superficie. En Modo CW, si el lser emite una potencia P, se define la irradiancia como I = P / A (W/m2) La irradiancia se puede aumentar si, mediante una lente a la salida del haz, se reduce su seccin, alcanzndose hasta 1015 W/m2
Potencia (W) Modo CW

Modos de funcionamiento: Si la frecuencia de emisin de los pulsos es muy alta, el lser emite en modo continuo (continuous wave, CW) y la energa de la radiacin emitida se caracteriza por su potencia (W). Si se diferencian los pulsos, se dice que emite en modo pulsado (pulsed mode, P) y se caracteriza la energa por las propiedades de cada pulso: energa por pulso (J), frecuencia de repeticin (Hz) y ancho de pulso (s).

Para transmisin de datos puede modularse la emisin CW pero es preferible usar un lser pulsado.
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Modo P Energa (J)

En modo-P se consiguen mayores energas (lseres de alta potencia). Hay varias formas de controlar la ganancia de la cavidad (y, en consecuencia, el ancho de los pulsos y su energa): - gain switched: lmpara de bombeo se enciende/apaga. Pulsos de s / ms - Q-switched: ganancia de la cavidad en escala temporal. Pulsos de ns - Modelocked: cavidad en trayecto ida-vuelta, Pulsos de ps fs

Tiempo

Tiempo

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Tipos de emisores lser. Dependen de la sustancia activa (SA) y del mecanismo de aporte energtico (sistema de bombeo, SB). Puede conseguirse emisin lser en (casi) todo el espectro ptico. Los tipos ms comunes son
lser de medio slido: Primer lser operativo (T. Mainman, 1960). La SA es un slido cristalino. Como sus tomos/molculas estn en las posiciones de una red cristalina, los niveles de energa son lneas discretas y la emisin es muy monocromtica. El SB es la luz emitida por una lmpara cuyo espectro de emisin contiene, justamente, las requeridas para excitar a la SA. El SB es bombeo ptico: una lmpara flash (estroboscpica) cuya frecuencia e intensidad de destellos determina las caractersticas de la luz lser emitida. Emiten en modo pulsado y pueden conseguirse niveles de energa muy altos, con pulsos del orden de 5J y potencias ~ 1012 W. Pueden ser de pequeo tamao. Se usan en aplicaciones industriales (corte, soldadura, ). El ms conocido es el lser de rub en el que la SA es una varilla de rub (xido de aluminio dopado con cromo) y el SB es una lmpara de xenon. Emite una = 694.3 nm. Otro muy usado es el de Nd:YAG, con ~ 1064 nm. lser de gas: la SA es una mezcla de gases. El SB es un campo elctrico creado por una diferencia de potencial (fuente de alta tensin) entre electrodos en los extremos del tubo que contiene a la SA. Los iones (o electrones) de uno de los componentes de la mezcla se aceleran hasta alcanzar la energa cintica necesaria para excitar (por colisiones inelsticas) a las molculas del otro componente. Emiten un haz cilndrico, en modo CW, con potencias bajas-medias (hasta kW). Diferentes mezclas de gases producen la emisin en diferentes . Requieren el recipiente de contencin del gas a presin. El ms conocido es el de He-Ne (proporcin 7:1, presin ~ 1 torr) que emite ~ 632.8 nm. Otros son de vapor de Cd, Ar, CO2 (alta potencia). Muy utilizados en anlisis qumico / ambiental, sistemas mdicos, lectores de cdigos de barras, usos industriales, lser de semiconductor (lser de diodo, Injected Laser Diode ILD): la SA es la regin de unin de una pareja de capas de semiconductor p-n. El SB es una densidad volumtrica de corriente que atraviesa a la SA. Puede conseguirse que esta densidad sea alta con intensidades de corrientes pequeas (como las de una pila botn) si el volumen del semiconductor es muy pequeo, por lo cual estos lseres son de tamao muy reducido. Como el diagrama de niveles es de bandas, son menos monocromticos que los otros tipos. Emiten en modo CW o pulsado, energas ~ 30 mJ/pulso, con ancho de pulso ~100 ns y potencia ~ 50 W. Son muy fcilmente modulables, hasta 1012 Hz. Habitualmente utilizados para transmisin de datos y en sistemas mdicos. La cavidad resonante se forma recubriendo con material reflectante las paredes del semiconductor por lo que el haz emitido tiene seccin aproximadamente rectangular y una divergencia angular mayor que los otros tipos de lser, ~20 rad. Suele aadirse un elemento ptico de colimacin del haz emitido. No confundir con diodo LED. El ms conocido es el de GaAs que emite ~ 690 / 870 nm, muy adecuado para transmisin por fibra ptica. Otros emiten en el IR. Otros tipos: lser de colorante (medio lquido). Tienen la gran ventaja de que son sintonizables: se puede cambiar la emitida mediante la modificacin de la composicin de la mezcla lquida que forma la SA. Son complejos (tuberas, recipientes) y de gran tamao. otros: lseres de gel, de rayos X, nucleares,
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Lser de medio slido

[1]

Lser de semiconductor

ILD = Injected Laser Diode

c
Lser de Rub Bombeo ptico: Iluminacin con luz de una lmpara de Xe (lser de rub) o de yoduro de tungsteno (lser de NdYAG). Lser de Nd:YAG

Dimetro ~ 0.5 cm Longitud ~ 5 cm

(r = 100%)

(r = 99.9%)

[1]

Rojo

GaAs: rojo - IR ~ 690 / 870 nm, P~50 mW comunicaciones / imagen alta velocidad GaN: azul ~405-410 nm, P~30 mW DVD blu-ray disc OJO! No confundir con AlGaInP: rojo LED = Ligth Emitting Diode ~635670 nm, P~220 mW CD-ROM AlGaAs: IR ~780830 nm, P~220 mW CD-R/RW

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Lser de gas

e-

[1]

Para conseguir la emisin de luz con polarizacin controlada, los extremos del recipiente del gas se tallan en forma de ventanas correspondientes al ngulo de Brewster. El haz emitido tiene polarizacin plana (aunque se pierde energa luminosa).

He-Ne ~ 632.8 nm, P~ W aplicaciones industriales Ar+: ~ 515 nm, P~10 W aplicaciones mdicas He-Cd: ~ 442 nm, P~10 mW anlisis ambiental (polucin, ) CO2: ~ 10.2 m, P~ kW cortes, taladros,

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Distribucin espacial de la energa de un haz lser

La distribucin espacial de la luz emitida en una seccin transversal del haz depende de los modos electromagnticos (modos TEM) de la cavidad. En general, y especficamente para la transmisin de datos por una fibra, interesa conseguir el modo TEM00 porque tiene un perfil de intensidad gausiano. Irradiancia (W/m2) en la seccin del haz
[4] [1]

En modo CW est dada por el cociente entre la potencia (luminosa P) y la seccin (A) del haz (suele ser circular). Debido a la divergencia angular () del haz, la irradiancia (I) disminuye al aumentar la distancia al emisor, aunque en muchas aplicaciones puede considerarse = 0 y la seccin del haz constante. Si interesa concentrar el haz se usa una lente convergente, que reduce A.

Ej. Un puntero lser consta de un lser de semiconductor de P = 3 mW que forma un punto de 2 mm de dimetro sobre la pantalla. Su irradiancia es P P I= = = ... = 9.6 10 2 W/m 2 1000 W/m 2 2 A R La energa total incidente sobre la superficie iluminada es el producto de la irradiancia por el tiempo de duracin de la exposicin. El valor de I 750 1000 W/m2 corresponde a la irradiancia del sol a nivel del mar (!!). Para un adulto sano, este es el valor mximo tolerable en el sistema ocular, y es el lmite mximo de proteccin del ojo mediante el reflejo de aversin ocular y parpadeo (tarda unos 0.25 s). Valores superiores de irradiancia pueden ser muy peligrosos y causar daos irreversibles porque en el tiempo que tarda el reflejo en activarse ya ha entrado suficiente energa como para producir dao en la retina.

Incidencia sobre una superficie

Segn la y la rugosidad de la superficie puede producirse reflexin especular o difusa. Esto es muy importante para determinar el riesgo al exponerse a un haz reflejado, mucho mayor si es especular (la divergencia angular aumenta muy poco).

Reflexin especular. no cambia

Reflexin difusa. aumenta mucho.

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Almacenamiento ptico de informacin: CD / DVD

Disco ptico Compacto (compact disc, CD): consta de una pelcula (aleacin) de Te, Sn y Pb sobre disco de Al o cristal + capa protectora. Sucedieron a los discos magnticos (1950) y a los videodiscos (1970). Escritura: La luz de un diodo lser se concentra (mediante lentes) hasta alcanzar un nivel de irradiancia sobre la superficie del disco que produce un punto de quemadura (disco WORM, write once, read many) o una deformacin local (disco regrabable) correspondiente a cada bit (1/0), a lo largo de diferentes pistas. Se denomina ablacin lser. Fsicamente, el Te experimenta un cambio de fase a temperatura ambiente, pasando de policristalino a amorfo. Lectura: La ablacin lser provoca un cambio de reflectividad (de especular a difusa) de la superficie del disco. En el proceso de lectura, el mismo lser (operando a una potencia inferior) ilumina el disco y la luz reflejada es redirigida hacia un fotodetector que la interpreta como 1/0 (segn su intensidad). En los discos regrabables, un calentamiento de la superficie borra las deformaciones, permitiendo una nueva grabacin. El tamao del mnimo punto que almacena informacin est dado por la del lser. Los primeros sistemas (1980) usaban diodos emisores rojo/IR con ~800 nm 17 MB/cm2 . En el ao 2000 se consiguieron semiconductores que emitan luz azul (blu-ray), con lo que el tamao del punto se reduca casi a la mitad, aumentando notablemente la capacidad de almacenamiento en el mismo tamao de disco. ~410 nm 387 MB/cm2.

no tocar !

normal

araazo

polvo

polvo transparente
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grasa de huella dactilar

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Proceso ptico de lectura / escritura

Profundidad y extensin de las marcas en el disco Como la luz reflejada es una seal dbil, para facilitar la identificacin de las marcas, su profundidad d es tal que se produzca interferencia destructiva en la incidencia sobre los flancos (lmites) de la marca. El valor d depende de la , y del ndice de refraccin de la capa de material sobre el disco. Para = 780 nm y n = 1.50 la profundidad d ~ 0.12 m = 120 nm.

Estructura de las pistas y las marcas de grabacin.

Realimentacin para mantener alineamiento Para poder seguir con precisin las pistas en espiral, separadas ~ 1.5 m, el lser de lectura/escritura debe contar con un mecanismo de realimentacin para controlar si se desva. Se basa en una red de difraccin que descompone el haz del lser en uno central y dos laterales, separados un ngulo tal que los haces laterales inciden sobre el espaciado inter-pistas. Si el haz de lectura se desva, las seales (reflejadas) de los haces laterales cambian y se activa un mecanismo de realimentacin y desplazamiento de las lentes para corregir la direccin de incidencia. Esto permite que la lectura/escritura sea ms resistente a las vibraciones.
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Tipos de discos pticos y capacidad de almacenamiento

Prismas

Espejo semitransparente

M. Fischetti. Investigacin y Ciencia, octubre 2007. 2 Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNTICOS PTICA (TEMA 3 Fuentes de luz y emisin lser) 18
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Disco magneto-ptico

Disco: pelcula (aleacin) de metales/tierras raras (TbFeCo) con una estructura de dominios magnticos. Fundamentos: dos fenmenos fsicos La orientacin de los dominios magnticos puede cambiarse con un campo magntico dbil (300 G) si el material ha sido previamente calentado por un lser hasta su temperatura de Curie (Tc, a la que tiene lugar la transicin de ferromagntico a no-ferromagntico). Una vez que el material se enfra, la orientacin permanece (hasta campos de kG). si sobre un material ferromagntico incide luz polarizada plana, el plano de polarizacin de la luz reflejada est rotado un cierto ngulo (efecto Kerr magneto-ptico), de 0.5-1.0. Escritura: el lser calienta el material hasta Tc y el cabezal magntico (electroimn modulado por la seal digital a grabar) orienta los dominios en ese punto, codificando un 1/0. Lectura: el haz del lser (polarizado) incide sobre el material ferromagntico. La luz reflejada se hace pasar por un polarizador e incide sobre un detector (en montaje diferencial porque son seales muy dbiles). Segn su polarizacin se interpreta si la seal ha sido reflejada en un punto magnetizado o no (1/0). Ej: La superficie del disco se mueve con velocidad ~ 1 m/s respecto al haz lser y cada marca es un cilidro de L ~ 1 m y R ~ 1 m. El material ferromagntico tiene temperatura de Curie TC = 600 K, calor especfico Ce = 300 J/(K oC) y densidad = 2103 kg/m3. Con estos datos, el haz lser debe producir una irradiancia I ~ 108 W/m2.

I
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Riesgos en el uso de fuentes de luz lser. Normas legales.

Riesgos debidos a la radiacin ptica Ocular: La exposicin aguda (puntual) a algunas longitudes de onda (290-400nm) y/o potencias puede causar quemaduras en la crnea, la retina o ambas. La exposicin crnica (prolongada) a niveles excesivos puede causar opacidad en la crnea o en el cristalino (cataratas) o dao retinal. La franja de dao retinal es de 400-1400 nm. Los efectos visuales pueden no ser evidentes hasta que el nivel de dao trmico sea muy alto. La exposicin al lser Nd:YAG Qswitched (1064 nm) es particularmente peligrosa. Drmico: La exposicin aguda a altos niveles de radiacin ptica puede causar quemaduras en la piel. Para potencias 1 W 5 W el dao inicial es superficial. Para potencias superiores el dao profundo es inmediato. La carcinognesis puede ocurrir para longitudes de onda ultravioleta (290-320 nm). Otros riesgos Qumico: Algunos lseres necesitan sustancias peligrosas o txicas para su funcionamiento (p.ej.: lseres de colorante o lseres de excmero). Los lseres pueden inducir reacciones qumicas con liberacin de productos peligrosos gaseosos (F). Elctrico: La mayora de los lseres utilizan fuentes de alto voltaje que pueden ser letales. Fuentes defectuosas de >15 kV pueden emitir rayos-X. Incendio: Los disolventes utilizados en los lseres de colorante son inflamables. Las lmparas de flash o de alto voltaje puede ocasionar ignicin. Los materiales inflamables pueden entrar en ignicin debido a incidencia directa o reflexiones especulares de lseres infrarrojos continuos de alta potencia. Los lseres se clasifican por su potencial de riesgo basado en su emisin ptica. Otros riesgos hay que evaluarlos por separado (Low Voltage Directive, Radio &Telecom.Terminal Equipment Directive, Machinery Directive) Las medidas de seguridad necesarias vienen determinadas por esta clasificacin y son obligatorias legalmente A nivel internacional las normas las definen la Comisin Electrotcnica Internacional (IEC) y la Organizacin Internacional de Estandarizacin (ISO) y sus anlogos europeos (CENELEC y CEN), siendo adaptadas por los organismos nacionales de cada pas. hay que consultarlas siempre !! buscar las ltimas actualizaciones !! Algunas son: EN 60825-4:2006 - protecciones EN 60825-1:2007 fabricante, clasificacin EN 207:1999, EN 208:1999 protectores oculares EN 60825-2:2004 sistemas de fibra ptica Directiva sobre Exposicin a Radiacin ptica Artificial (AORD) EN 60825-12:2004 comunicaciones areas 2006/25/EC a implementar antes del 27/4/10.
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Criterios de clasificacin de los lseres (segn su riesgo)

1. Longitud de Onda. Si el lser emite en mltiples longitudes de onda, la clasificacin se basa en aquella ms peligrosa. 2. Se diferencia si se trata la exposicin directa o a la luz reflejada y si es reflexin especular o difusa. 3. Para clasificar los lseres de onda continua (continuous wave, CW) o los lseres pulsados repetitivos se consideran la potencia promedio de salida (average power output) (W) y el tiempo de exposicin lmite (limiting exposure time) inherentes al diseo. 4. Para clasificar los lseres pulsados se consideran la energa total por pulso (J), la duracin (ancho) del pulso , la frecuencia de repeticin de pulsos y la exposicin radiante del haz emergente (emergent beam radiant exposure). 5. Cada Clase tiene tabulado un Lmite de Emisin Accesible (Accesible Emission Limit, AEL) . 6. La Exposicin Mxima Permitida (Maximum Permitted Exposure, MPE) se define como El nivel de radiacin lser al que una persona puede estar expuesta sin sufrir efectos peligrosos o cambios biolgicos adversos en el ojo o en la piel. La MPE no es una lnea de diferenciacin entre una exposicin segura y una peligrosa, sino que representa los niveles mximos que, segn el acuerdo de los expertos, pueden ser ocupacionalmente seguros para exposiciones repetidas. La MPE, expresada en [J/cm2] or [W/cm2], depende de los parmetros del lser. La Zona de Riesgo Nominal (nominal hazardous zone, NHZ) es la zona donde se supera la MPE. Debe estar sealizada y restringida (segn la Clase). Con los criterios anteriores se generan las 4 Clases (7 niveles) de riesgo lser (p. siguiente). Hay que tener en cuenta que 1. La clasificacin solo es vlida para el uso normal del equipo. Las operaciones de servicio y mantenimiento o desmontaje (incluso parcial) o una rotura (por ejemplo, en una fibra ptica) pueden hacer que los niveles de exposicin sean superiores. 2. El uso de gafas o cualquier otro instrumento ptico puede reducir la seccin del haz, aumentando su irradiancia y hacer que el nivel de exposicin real de un usuario sea superior al correspondiente al nivel del sistema lser. 3. Requieren especial atencin con los dispositivos lser emisores de haces no visibles (IR, UVA). A veces se usan haces visibles paralelos o tarjetas luminiscentes para marcar la trayectoria del haz no visible. Ej: sistemas de fibra ptica. 4. La Directiva AORD impone realizar una evaluacin de riesgo para los equipos de Clases 3B y 4. Esto no quiere decir que no sea tambin necesaria para equipos de clase inferior, especialmente si es posible que los usuarios puedan superar los niveles de exposicin admisibles. 5. El nivel de riesgo permisible depende del entorno y uso. Para entorno abierto (unrestricted locations) en el rango de 400 nm a 700 nm la Clase es 2 y para todas las otras longitudes de onda es Clase 1.
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Clase* / POTENCIA / rango de

Caractersticas Lser seguro en condiciones de uso normal. Generalmente contiene un lser de clase superior en una carcasa no accesible sin desmontarla. Nunca supera la MPE.

Clase 1
SEGURO Visible / no visible

Clase 1M
SEGURO SIN DISPOSITIVOS DE AYUDA A LA VISIN 302.5 nm hasta 4000 nm

Lser seguro en condiciones de uso normal. Los haces son altamente divergentes o colimados pero con gran dimetro. Pueden ser peligrosos si el usuario utiliza algn dispositivo ptico en el haz. Para los lseres continuos (CW) la proteccin de los ojos es la dada por la respuesta de aversin natural, incluyendo el reflejo del parpadeo, que tarda aproximadamente 0.25s en producirse. Estos lseres no son intrnsecamente seguros. Para lseres CW, el AEL = 1 mW (o superior si la exposicin es menor de 0.25s). Ej.: punteros. La proteccin de los ojos es la dada por la respuesta de aversin natural, incluyendo el reflejo del parpadeo, que tarda aproximadamente 0.25s en producirse. Los haces son altamente divergentes o colimados pero con gran dimetro. Pueden ser peligrosos si el usuario utiliza algn dispositivo ptico en el haz. Se considera seguro si se maneja cuidadosamente y sin visin directa. Puede superarse la MPE pero con bajo riesgo de dao. Para lseres CW, el AEL = 5 mW. Proteccin ocular recomendada. La visin directa del haz (o reflexin especular) es siempre peligrosa. La visin de reflexin difusa es normalmente segura si el ojo est a ms de 13 cm de la superficie difusora y si la exposicin es menor de 10 s. Para lseres CW, el AEL = 500 mW. Para lseres pulsado entre 400-700 nm el lmite es 30 mJ. Requieren protector ocular, llave para funcionar e interruptor de seguridad. La visin directa del haz (o reflexin especular) es siempre peligrosa. Las reflexiones directa y difusa son tambin peligrosas. Riesgo ocular y drmico. Peligro de incendio. Requieren protector ocular, llave para funcionar e interruptor de seguridad.

Clase 2
BAJA POTENCIA Slo visible

Clase 2M
SEGURO SIN DISPOSITIVOS DE AYUDA A LA VISIN Slo visible

Clase 3R
BAJA /MEDIA POTENCIA Visible / no visible

Clase 3B
MEDIA /ALTA POTENCIA Visible / no visible

Clase 4
ALTA POTENCIA Visible / no visible

*Esta clasificacin coexiste con una Clasificacin (anterior) norteamericana que define las Clases I, II, IIa, III, IIIa y IV. 2 Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNTICOS PTICA (TEMA 3 Fuentes de luz y emisin lser) 22
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Precauciones y Medidas de Seguridad

El Etiquetado debe indicar
punto / direccin de salida del haz tipo (gas / diodo / iones / ) modo (continuo / pulsado) energa y frecuencia de pulsos / potencia longitud de onda (y si es invisible) Clase advertencias (para piel y ojos) segn Clase [norma legal de referencia] advertencias segn sustancias (txicas, inflamables, ) y mecanismo de excitacin (riesgo elctrico, )

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Dispositivos de proteccin ocular. Son obligatorios (al menos) con sistemas de Clases 3 y 4. Muy recomendables
siempre, especialmente al manipular sistemas con riesgo de exposicin imprevista o no visibles. Los protectores oculares se fabrican en polmeros o cristales con un absorbente: 1. Los protectores especficos para una longitud de onda no sirven para otra (aunque sean prximas o del mismo color). 2. El fabricante debe sealar el tiempo mximo de resistencia (del protector) a la exposicin indicando: - modo continuo: potencia y nmero mximo de segundos - modo pulsado: nmero mximo de pulsos / frecuencia y energa/pulso 3. El material absorbente se degrada con el tiempo: ojo a la fecha de caducidad !! 4. Deben permitir el mximo de visin (mnima atenuacin) en el resto del espectro visible. Para la mayora de las aplicaciones, no deben atenuar por completo el lser para permitir ver la localizacin del haz. 5. Otros factores a considerar: ngulo de visin y visin perifrica, atenuacin en otras longitudes de onda, posibilidad de llevar gafas de correccin oftlmica simultneas, resistencia a impactos y salpicaduras, peso y comodidad.

Tipos (comunes) de protectores oculares

Goggles (gafas submarinas) Full-view spectacles (gafas de campo completo)

Lightweight spectacles (gafas ligeras)

wrap-around spectacles (gafas envolventes)

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