FABRICACIN DE CIRCUITOS INTEGRADOS La fabricacin de circuitos integrados es un proceso complejo y en el que intervienen numerosas etapas.

Cada fabricante de circuitos integrados tiene sus propias tcnicas que guardan como secreto de empresa, aunque las tcnicas son parecidas. Los dispositivos integrados pueden ser tanto analgicos como digitales, aunque todos tienen como base un material semiconductor, normalmente el silicio. Son tres las ventajas ms importantes que tienen los circuitos integrados sobre los circuitos electrnicos construidos con componentes discretos: su menor costo; su mayor eficiencia energtica y su reducido tamao. El bajo costo es debido a que los CI son fabricados siendo impresos como una sola pieza por fotolitografa a partir de una oblea, generalmente de silicio, permitiendo la produccin en cadena de grandes cantidades, con una muy baja tasa de defectos. La elevada eficiencia se debe a que, dada la miniaturizacin de todos sus componentes, el consumo de energa es considerablemente menor, a iguales condiciones de funcionamiento que un homlogo fabricado con componentes discretos. Finalmente, el ms notable atributo, es su reducido tamao en relacin a los circuitos discretos; para ilustrar esto: un circuito integrado puede contener desde miles hasta varios millones de transistores en unos pocos centmetros cuadrados.

HISTORIA En abril de 1949, el ingeniero alemn Werner Jacobi (Siemens AG) completa la primera solicitud de patente para circuitos integrados con dispositivos amplificadores de semiconductores. Jacobi realiz una tpica aplicacin industrial para su patente, la cual no fue registrada. Ms tarde, la integracin de circuitos fue conceptualizada por el cientfico de radares Geoffrey W.A. Dummer (1909-2002), que estaba trabajando para la Royal Radar Establishment del Ministerio de Defensa Britnico, a finales de la dcada de 1940 y principios de la dcada de 1950. El primer circuito integrado fue desarrollado en 1959 por el ingeniero Jack Kilby (1923-2005) pocos meses despus de haber sido contratado por la firma Texas Instruments. Se trataba de un dispositivo de germanio que integraba seis transistores en una misma base semiconductora para formar un oscilador de rotacin de fase. En el ao 2000 Kilby fue galardonado con el Premio Nobel de Fsica por la enorme contribucin de su invento al desarrollo de la tecnologa. Al mismo tiempo que Jack Kilby, pero de forma independiente, Robert Noyce desarroll su propio circuito integrado, que patent unos seis meses despus. Adems resolvi algunos problemas prcticos que

posea el circuito de Kilby, como el de la interconexin de todos los componentes; al simplificar la esctructura del chip mediante la adicin del metal en una capa final y la eliminacin de algunas de las conexiones, el circuito integrado se hizo ms adecuado para la produccin en masa. Adems de ser uno de los pioneros del circuito integrado, Robert Noyce tambin fue uno de los co-fundadores de Intel, uno de los mayores fabricantes de circuitos integrados del mundo. Los circuitos integrados se encuentran en todos los aparatos electrnicos modernos, como automviles, televisores, reproductores de CD, reproductores de MP3, telfonos mviles, computadoras, etc. El desarrollo de los circuitos integrados fue posible gracias a descubrimientos experimentales que demostraron que los semiconductores pueden realizar algunas de las funciones de las vlvulas de vaco. La integracin de grandes cantidades de diminutos transistores en pequeos chips fue un enorme avance sobre el ensamblaje manual de los tubos de vaco (vlvulas) y en la fabricacin de circuitos electrnicos utilizando componentes discretos. La capacidad de produccin masiva de circuitos integrados, su confiabilidad y la facilidad de agregarles complejidad, llev a su estandarizacin, reemplazando diseos que utilizaban transistores discretos, y que pronto dejaron obsoletas a las vlvulas o tubos de vaco. Los avances que hicieron posible el circuito integrado han sido, fundamentalmente, los desarrollos en la fabricacin de dispositivos semiconductores a mediados del siglo XX y los descubrimientos experimentales que mostraron que estos dispositivos podan reemplazar las funciones de las vlvulas o tubos de vaco, que se volvieron rpidamente obsoletos al no poder competir con el pequeo tamao, el consumo de energa moderado, los tiempos de conmutacin mnimos, la confiabilidad, la capacidad de produccin en masa y la versatilidad de los CI. NIVELES DE INTEGRACIN

La figura n es un ejemplo de integracin a baja escala (SSI), en donde solo unos cuantos componentes se han integrado para formar un circuito completo. Como gua, SSI se refiere a los CI con menos de 12 componentes integrados. La mayora de los chips SSI utilizan resistores, diodos y transistores bipolares integrados.

-La integracin a media escala (MSI) se refiere a los CI que tienen de 12 a 100 componentes integrados por chip. Transistores bipolares o transistores MOS (MOSFET en modo de enriquecimiento) se pueden emplear como transistores integrados de un CI. De nueva cuenta, la mayora de los chips MSI utilizan componentes bipolares. -La integracin a gran escala (LSI) se refiere a CI con mas de cien componentes. Ya que toma pocos pasos hacer un transistor MOS integrado, un fabricante puede producir mas de estos en un chip en vez de transistores bipolares. Por esta razn, la mayora de los chips LSI son de tipo MOS. Hoy en da las computadoras personales usan chips LSI con miles de transistores MO. METODO DE TIRAMIENTO Este Mtodo consiste simplemente en introducir durante el tiramiento de un cristal una determinada impureza. Se pueden tambin introducir dos impurezas de diferente tipo, por ejemplo arsnico (tipo N) y galio (Tipo P) que tienen coeficientes de segregacin diferentes; haciendo variar simplemente la velocidad, se podr tener una regin P o una regin N.

METODO DE ALEACIN Este mtodo consiste esencialmente en fundir sobre un semiconductor una impureza de tipo P o de tipo N. Si, por ejemplo, se hace fundir sobre una placa de germanio del tipo N, calentada a 500 C, una cierta cantidad de indio, este ltimo se funde, el germanio se disuelve y las fases liquidas penetran en la placa paralelamente a las superficies, hasta que la solucin se satura, es decir, a una profundidad que depende del peso del indio, del rea en contacto y de la temperatura alcanzada, obtenindose as una regin P.
In

Ge

METODO DE DIFUSIN

Este mtodo consiste en difundir un vapor de tipo N o P sobre un mono cristal de un semiconductor determinado que contenga ya una impureza del tipo contrario a la que se hace difundir. Por ejemplo, si se coloca una placa de germanio de tipo N dentro de un recipiente en el cual circula vapor de indio, se puede obtener una unin P-N por difusin de los tomos de indio a travs de la superficie de la placa de germanio, mayor ser la penetracin del indio; por ejemplo, a 570 C se puede tener una penetracin de de 80 A en 100 seg. Y a 870C se obtiene una penetracin de de 8000 A en el mismo tiempo. METODO EPITAXIAL Tomando el caso del germanio, este mtodo consiste en evaporar dentro de una atmsfera gaseosa yoduro de germanio (Gel2) y alguna impureza sobre un mono cristal de tipo P o tipo N. El yoduro de germanio se descompone sobre el mono cristal de germanio segn la reaccin reversible: Gel2 Gel4 + Ge.

Evaporando en forma simultnea Gel2 y la impureza sobre el mono cristal calentado a una temperatura dada, se puede obtener una unin. La mayor ventaja de este mtodo es que permite la obtencin de regiones muy delgadas de pureza controlada. Se puede emplear en combinacin con otras tcnicas (de difusin y de aleacin) para construir transistores con aplicaciones en ultra alta frecuencia y circuitos integrados. METODO DE EVAPORACIN EN VACIO

Este es un mtodo que aun se encuentra que aun se encuentra en la etapa experimental, pero con el cual ya se han principiado a obtener resultados muy interesantes. En trminos generales, este mtodo consiste en evaporar en vaco sobre un mono cristal de algn otro semiconductor una cierta cantidad del mismo material, junto con alguna impureza.

+++++ ++ N +++++

-------------P

La cristalizacin y las propiedades elctricas de los diodos obtenidos por este mtodo dependen principalmente de la velocidad de evaporacin, de la temperatura del mono cristal de base, de las condiciones superficiales de la base y de la presin que se tenga en el recinto en que se efecta la operacin. Pasos Generales de Fabricacin de un Circuito Integrado formado por Silicio como componente activo Los pasos de fabricacin bsica se pueden realizar muchas veces, en diferentes combinaciones y en diferentes condiciones de procedimiento durante un turno de fabricacin completo. Preparacin de la oblea El material inicial para los circuitos integrados modernos es el Silicio de muy alta pureza, donde adquiere la forma de un cilindro slido de color gris acero de 10 a 30 cm de dimetro y puede ser de 1m a 2m de longitud. Este cristal se rebana para producir obleas circulares de 400um a 600um de espesor, (1um es igual a 1x10-6 metros). Despus, se alisa la pieza hasta obtener un acabado de espejo, a partir de tcnicas de pulimento qumicas y mecnicas. Las propiedades elctricas y mecnicas de la oblea dependen de la orientacin de los planos cristalinos, concentracin e impurezas existentes. Para aumentar la resistividad elctrica del semiconductor, se necesita alterar las propiedades elctricas del Silicio a partir de un proceso conocido como dopaje. Una oblea de silicio tipo n excesivamente impurificado (baja resistividad) sera designada como material n+, mientras que una regin levemente impurificada se designara n-.

Oxidacin Se refiere al proceso qumico de reaccin del Silicio con el Oxgeno para formar Dixido de Silicio (SiO2). Para acelerar dicha reaccin se necesitan de hornos ultra limpios especiales de alta temperatura. El Oxgeno que se utiliza en la reaccin se introduce como un gas de alta pureza (proceso de oxidacin seca) o como vapor (oxidacin hmeda). La Oxidacin hmeda tiene una mayor tasa de crecimiento, aunque la oxidacin seca produce mejores caractersticas elctricas. Su constante dielctrica es 3.9 y se le puede utilizar para fabricar excelentes condensadores. El Dixido de Silicio es una pelcula delgada, transparente y su superficie es altamente reflejante. Si se ilumina con luz blanca una oblea oxidada la interferencia constructiva y destructiva har que ciertos colores se reflejen y con base en el color de la superficie de la oblea se puede deducir el espesor de la capa de xido. Difusin Es el proceso mediante el cual los tomos se mueven de una regin de alta concentracin a una de baja a travs del cristal semiconductor. En el proceso de manufactura la difusin es un mtodo mediante el cual se introducen tomos de impurezas en el Silicio para cambiar su resistividad; por lo tanto, para acelerar el proceso de difusin de impurezas se realiza a altas temperaturas (1000 a 1200 C), esto para obtener el perfil de dopaje deseado. Las impurezas ms comunes utilizadas como contaminantes son el Boro (tipo p), el Fsforo (tipo n) y el Arsnico (tipo n). Si la concentracin de la impureza es excesivamente fuerte, la capa difundida tambin puede utilizarse como conductor. Implantacin de iones Es otro mtodo que se utiliza para introducir tomos de impurezas en el cristal semiconductor. Un implantador de iones produce iones del contaminante deseado, los acelera mediante un campo elctrico y les permite chocar contra la superficie del semiconductor. La cantidad de iones que se implantan puede controlarse al variar la corriente del haz (flujo de iones). Este proceso se utiliza normalmente cuando el control preciso del perfil del dopaje es esencial para la operacin del dispositivo. Deposicin por medio de vapor qumico Es un proceso mediante el cual gases o vapores se hacen reaccionar qumicamente, lo cual conduce a la formacin de slidos en un sustrato. Las propiedades de la capa de xido que se deposita por medio de vapor qumico no son tan buenas como las de un xido trmicamente formado, pero es suficiente para que acte como aislante trmico. La ventaja de una capa depositada por vapor qumico es que el xido se deposita con rapidez y a una baja temperatura (menos de 500C).

Metalizacin Su propsito es interconectar los diversos componentes (transistores, condensadores, etc.) para formar el circuito integrado que se desea, implica la deposicin inicial de un metal sobre la superficie del Silicio. El espesor de la pelcula del metal puede ser controlado por la duracin de la deposicin electrnica, que normalmente es de 1 a 2 minutos. Fotolitografa Esta tcnica es utilizada para definir la geometra de la superficie de los diversos componentes de un circuito integrado. Para lograr la fotolitografa, primeramente se debe recubrir la oblea con una capa fotosensible llamada sustancia foto endurecible que utiliza una tcnica llamada de giro; despus de esto se utilizar una placa fotogrfica con patrones dibujados para exponer de forma selectiva la capa fotosensible a la iluminacin ultravioleta. Las reas opuestas se ablandarn y podrn ser removidas con un qumico, y de esta manera, producir con precisin geometras de superficies muy finas. La capa fotosensible puede utilizarse para proteger por debajo los materiales contra el ataque qumico en hmedo o contra el ataque qumico de iones reactivos. Este requerimiento impone restricciones mecnicas y pticas muy crticas en el equipo de fotolitografa. Empacado Una oblea de Silicio puede contener varios cientos de circuitos o chips terminados, cada chip puede contener de 10 a 108 o ms transistores en un rea rectangular, tpicamente entre 1 mm y 10 mm por lado. Despus de haber probado los circuitos elctricamente se separan unos de otros (rebanndolos) y los buenos (pastillas) se montan en cpsulas (soportes). Normalmente se utilizan alambres de oro para conectar las terminales del paquete al patrn de metalizacin en la pastilla; por ltimo, se sella el paquete con plstico o resina al vacio o en una atmsfera inerte.

BIBLIOGRAFA
Principios de electrnica Autor: Malvino Cuarta ed. Editorial: McGraw-Hill http://zip.rincondelvago.com/circuitos-integrados_1 http://es.wikipedia.org/wiki/Fabricaci%C3%B3n_de_circuitos_integrados