Tomemos como exemplo o IRF 840 que o mais comum e muito usado em projetos.

. Usaremos para o nosso teste um multimetro, analogico ou digital na escala baixa de resistncias.

1 e 2 : Resistncia Infinita em qualquer polarizao (posio) 1 e 3 : Resistncia Infinita em qualquer polarizao (posio) 2 e 3 : De acordo com a polarizao e o fabricante a resistncia varia entre 17 e 50 omhs. (Retirado da Internet)

Pa ra medir un transisitor FET o MOS-FET, lo mejor es usar un multmetro analgico. Primero te digo: los electrodos (contactos o patas) de los fet's son los siguientes. Gate (disparo), Drain (drenaje) y Source (fuente). Tienes que colocar el cable negro del multmetro (el multmetro en escala x100 o x1000 del ohmetro) en el Drain y el cable rojo en el Source, la aguja del multmetro no se tiene que mover, o sea, tiene que tener una aislacin total; si tiene una mnima fuga el fet est quemado; colocando los cables a la inversa, rojo en el Drain y negro en el Source, tiene que acusar una resistencia de aproximadamente entre 5 y 10 ohms. Para ver si el fet dispara colocas el cable negro en el Gate y el rojo en el Drain (dar solamente un pulso), despus colocas el negro en el Drain y el rojo en el Source y ahora si tiene que acusar una fuga, (la resistencia de esa fuga va a variar de acuerdo con el tipo de fet); en el modo inverso rojo en el Drain y negro en el Source tiene que acusar resistencia 0 (conduccin total). Despus colocas el cable negro en el Drain y el rojo en el Gate (solo un pulso) y el fet tiene que dejar de conducir ( como al principio, resistencia infinita entre Drain y Source y una resistencia de aprox. 5 ohms entre Source y Drain). ATENCIN este procedimiento es para los fet's de CANAL N (que son los ms populares), para probar un fet de CANAL P tienes que hacer el procedimiento de la misma forma solamente que inviertes la polaridad del multmetro (color de los cables)

La disposicin de los electrodos de los fet's en el 90 % de los casos es: Visto de frente (con las letras hacia ti) Izquierda = Gate Medio = Drain Derecha = Source Espero tengas entendido, cualquier cosa me avisas. Saludos. cgf.
Usuario

Gracias por haber contestado mi pregunta pero tengo un problema lo que pasa es que no tengo un multmetro analgico, pero tratare de aplicar el mtodo que me diste con mi multmetro muchas gracias ...
Experto

Para utilizar elmultmetro digital el procedimiento es el mismo, lo nico que tienes que hacer es cambiar los cables, donde utilizabas el rojo en el analgico, en el digital tienes que utilizar el negro. Saludos. cgf.

1.8. Transistores MOSFET

Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) sondispositivos de efecto de campo que utilizan un campo elctrico para crear una canal de conduccin. Son dispositivos ms importantes que los JFET ya que la mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnologa MOS. Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS yMOSFET de canal P o PMOS. A su vez, estos transistores pueden ser de acumulacin (enhancement) o deplexion (deplexion); en la actualidad los segundos estn prcticamente en desuso y aqu nicamente sern descritos los MOS de acumulacin tambin conocidos como de enriquecimiento. La figura 1.14 indica los diferentes smbolos utilizados para describir lostransistores MOS.

En la figura 1.15 se describe la estructura fsica de un MOSFET de canal N con sus cuatro terminales: puerta, drenador fuente y substrato; normalmente el sustrato se encuentra conectado a la fuente. La puerta, cuya dimensin es WL, est separado del substrato por un dielctrico (Si02) formando una estructura similar a las placas de un condensador. Al aplicar una tensin positiva en la puerta se induce cargas negativas (capa de inversin) en la superficie del substrato y se crea un camino de conduccin entre los terminales drenador y fuente. La tensin mnima para crear ese capa de inversin se denomina tensin umbral o tensin de threshold (VT) y es un parmetro caracterstico del transistor. Si la VGS<VT, la corriente de drenador-fuente es nula; valores tpicos de esta tensin son de de 0.5 V a 3 V. Enlaces relacionados - FET de juntura o JFET - MOSFET - Manipulacin del MOSFET - C-MOSFET

El FET es un dispositivosemiconductor que controla un flujo de corriente por un canalsemiconductor, aplicando un campo elctrico perpendicular a latrayectoria de la corriente. El FET est compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta(gate) y que estn unidas entre si. Ver la figura Los terminales de este tipo detransistor se llaman Drenador(drain), Fuente (source) y el tercerterminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. La regin que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de loselectrones se llama "canal". La corriente circula de Drenaje (D) a Fuente (S). Ver el grfico. Este tipo de transistor se polariza de manera diferente altransistor bipolar. El terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y lacompuerta o gate se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg). A mayor voltaje -Vgg, ms angosto es el canal y ms difcil para la corriente pasar del terminal drenador (drain) alterminal fuente o source. La tensin -Vgg para la que el canal queda cerrado se llama "punch-off" y es diferente para cada FET El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y requieren que halla cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de colector. El FET es controlado por tensin y los cambios en tensin de la compuerta (gate) a fuente (Vgs) modifican la regin de rarefaccin y causan que vare el ancho del canal.

Curva del FET

caracterstica

Este grfico muestra que al aumentar el voltaje Vds (voltaje drenador - fuente), para un Vgs (voltaje decompuerta) fijo, la corriente aumenta rpidamente (se comporta como unaresistencia) hasta llegar a un punto A (voltaje de estriccin), desde donde la corriente se mantiene casi constante hasta llegar a un punto B (entra en la regin de disrupcin o ruptura), desde donde la corriente aumenta rpidamente hasta que el transistor se destruye. Si ahora se repite este grfico para ms de un voltaje de compuerta a surtidor (Vgs), se obtiene un conjunto de grficos. Ver que Vgs es "0" voltios o es una tensin de valor negativo. Si Vds se hace cero por el transistor no circular ninguna corriente. (ver grficos a la derecha) Para saber cual es el valor de la corriente se utiliza la frmula de la curva caracterstica de transferencia del FET. Ver grfico de la curva caracterstica de transferencia de un transistor FET de canal tipo P en el grfico inferior derecha. La frmula es: ID = IDSS (1 - [Vgs / Vgs (off)] )

donde: - IDSS es el valor de corriente cuando la Vgs = 0 - Vgs (off) es el voltaje cuando ya no hay paso de corriente entre drenaje y fuente (ID = 0) - Vgs es el voltaje entre entre la compuerta y la fuente para la que se desea saber ID

Resistencia del canal RDS

Como Vgs es el voltaje que controla el paso de la corriente ID (regula el ancho del canal), se puede comparar este comportamiento como un resistor cuyo valor depende del voltaje VDS. Esto es slo vlido para Vds menor que el voltaje de estriccin (ver punto A en el grfico). Entonces si se tiene la curva caracterstica de un FET, se puede encontrar La resistencia RDS con la siguiente frmula: RDS = VDS/ID Los smbolos del FET son:

Fet canal N ---- Fet canal P Patrocinadores Enlaces relacionados FET: Ventajas, caractersticas elctricas, operacin FET: Amplificador surtidor comn FET: Realimentacin negativa en amp. surtidor comn. Condensador derivacin FET: Amplificador surtidor comn. Equivalente AC, ganancia de tensin FET: Amplificador seguidor de ctodo MOSFET C-MOSFET

MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET decompuerta aislada Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versin NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamadoMOSFET de canal P. Una delgada capa de material aislante formada de dixido de silicio (SiO 2) (tambin llamada "slice" o "slica") es colocada del lado del semiconductor y una capa de metal es colocada del lado de lacompuerta (GATE) (ver la figura) En el MOSFET de canal N la parte "N" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain) En el MOSFET de canal P la parte "P" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain)

En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es controlada por la corriente que circula por la base. Sin embargo en el caso de los transistores FET, la corriente de salida es controlada por una tensin de entrada (un campo elctrico). En este caso no existe corriente de entrada. Los transistores MOSFET se pueden daar con facilidad y hay que manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de xido es muy delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta tensin o hay electricidad esttica. Patrocinadores Enlaces relacionados MOSFET: smbolos, estructura C-MOSFET FET: Amplificador surtidor comn FET: Realimentacin en amp. surtidor comn. Condensador derivacin FET: Amplificador surtidor comn. Equivalente AC, ganancia de tensin FET: Amplificador seguidor de ctodo Transistor uniunin (UJT) Transistor de Uniunin programable (PUT) Operacin bsica del MOSFET >>

MOSFET significa "FET de MetalOxido Semiconductor" El aislamientoentre la compuerta y el canal es el Ver el diagrama.

o FET dixido

decompuerta aislada. de silicio (SiO2).

Esta capa aislante (rea gris) es tan delgada que se si produjera un campo elctrico fuerte, podra destruirse, es por eso que lamanipulacin del MOSFET es tan importante Debido a la alta resistencia de lacapa de dixido de silicio, la carga en el capacitor no se dispersa rpidamente , sino que se acumula. Esta acumulacin de carga puede producir un campo elctrico destructivo.

El mayor peligro para un MOSFET son las cargas estticas durante la manipulacin del mismo en un da seco. Tambin causan peligro los cautines para soldar, que por lo general no estn aislados de la lnea de corriente alterna (C.A.). Para evitar que el MOSFET se dae de manera accidental, algunos fabricantes incluyen un diodo zenerconectado entre la compuerta (G) y la fuente (S) con el nodo hacia lacompuerta y el ctodo hacia la fuente.

Este zener esta diseado para que conduzca a 50 voltios por lo que VGS (tensin compuerta - fuente) siempre se mantendr por debajo o igual al valor de esta tensin, y por ende por debajo del valor de tensin destructivo. Ver la figura. Otra manera de asegurarse de que el MOSFET no se dae es almacenarlo y transportarlo con ayuda de esponjas conductoras, que cortocircuitan los terminales del MOSFET y as no exista tensin entre ellos. Si no fuese posible conocer si el MOSFET tiene la proteccin antes mencionada, la persona que manipular el elemento debe de asegurarse que su cuerpo no est cargado de esttica. Existen unas pulseras especiales conectadas a un punto de tierra, pensadas para mantener descargado el cuerpo del usuario. Patrocinadores Enlaces relacionados MOSFET: smbolos, estructura C-MOSFET FET: Amplificador surtidor comn FET: Realimentacin en amp. surtidor comn. Condensador derivacin FET: Amplificador surtidor comn. Equivalente AC, ganancia de tensin FET: Amplificador seguidor de ctodo Transistor uniunin (UJT) Transistor de Uniunin programable (PUT) << Operacin bsica del MOSFET

C-MOSFET es la abreviacin de Complementary Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Complementary MOS FET MOSFET complementario.

Este circuito es la combinacin de un MOSFET de canal P y un MOSFET de canal N.

Funcionamiento del C-MOSFET

- Cuando la entrada tiene un nivel de tensin negativo (L), el MOSFET de canal P conduce y el MOSFET de canal N no lo hace - Cuando la entrada tiene un nivel de tensin positivo (H), el MOSFET de canal N conduce y el MOSFET de canal P no lo hace Se puede ver que el funcionamiento de ambos es siempre opuesto. Una caracterstica importante de este circuitoses que la corriente de salida, que se puede considerarrelativamente alta, es controlada con facilidad. Cuando la entrada est en nivel bajo (L), la salida est conectada directamente a la fuente de alimentacin a travs del MOS FET de canal P y se tiene un nivel alto (H). Cuando la entrada est en nivel alto (H), la salida est conectada directamente a la tierra a travs del MOS FET de canal N y se tiene un nivel bajo (L). El nivel de salida de la salida es siempre el inverso que el de la entrada (hay inversin de fase).

En el circuito C-MOS FET el MOSFET de canal P y el de canal N podran no iniciar o dejar la conduccin bajo las mismas condiciones, esto debido a que la tensin en lacompuerta, que hace que el MOSFET deje de conducir, tiene un valor que va de 1 a 2 voltios. Esta caracterstica depende de cada MOSFET en particular y es comn observar que lacorriente de drenaje de un MOSFET es cero (MOSFET en corte) an cuando la tensin en lacompuerta no lo sea.

Patrocinadores Enlaces relacionados FET: Amplificador surtidor comn FET: Realimentacin en amp. surtidor comn. Condensador derivacin FET: Amplificador surtidor comn. Equivalente AC, ganancia de tensin FET: Amplificador seguidor de ctodo Transistor Darlington