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07/11/2010 Electrnica Unicrom

Tutoriales Electrnica: Componentes


Componentes Bsicos
Resistencia (resistor) Tolerancia y valores normalizados de las resistencias Ruido de fondo, soldabilidad, disipacin de potencia de resistencia Clasificacin de las resistencias Resistencias bobinadas Cdigo de colores de las resistencias Resistencia variable - potencimetro, restato Condensador (capacitor) Valor capacitivo, tensin mxima Tolerancia y corriente de fuga de un capacitor Resistencia de aislamiento e inductancia parsita de un condensador Relacin de carga, tensin y capacidad en un condensador Energa almacenada en un capacitor / condensador Clasificacin de los condensadores Capacitor electroltico Cdigos de los condensadores Cdigo JIS condensadores

- Bobina (inductor) - Bobina / inductor con ncleo metlico - Bobinas / inductor con ncleo de aire Transformador ideal Transformador real (circuitos equivalentes) Autotransformador Embobinado y reparacin de transformadores Clculo de transformadores Relay, rel o relevador

Transformador de potencia - Utilizacin del transformador de potencia - Constitucin del transformador de potencia - Principio de funcionamiento del transformador de potencia - Relacin de transformacin K - Polaridad de un transformador - Prdidas de potencia en un transformador - Rendimiento de un transformador - Impedancia y tensin de corto circuito de un transformador Transformadores con diferentes cargas - Transformador con carga resistiva - Transformador con carga capacitiva - Transformador con carga inductiva Acople de transformadores - Conexin de transformadores monofsicos - Conexin de transformadores trifsicos

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Semiconductores
Diodo semiconductor Diodo zener Diodo Schottky Diodo Tunnel Diodo varactor Diodo Gunn Transistor bipolar Regiones operativas y configuraciones del transistor bipolar Transistor Darlington

Caractersticas de Transistor bipolar - Introduccin, corrientes en el transistor bipolar Modos de operacin del BJT: - Operacin activa lineal - Operacin en corte - Operacin en saturacin - Regin de ruptura y zona inversa - Punto de trabajo Q - Recta de carga esttica - Potencia de disipacin esttica mxima - Circuitos de polarizacin FET de juntura o JFET MOSFET MOSFET. Principio de operacin Manipulacin del MOSFET C-MOSFET

Caractersticas del FET - Ventajas y desventajas del FET - Caractersticas elctricas del JFET - JFET en regin de lineal y corte - JFET en regin de saturacin y ruptura - Transistores MOSFET - Regiones de corte y lineal de transistores NMOS (MOSFET) - Regiones de saturacin y ruptura de transistores NMOS (MOSFET) - Polarizacin de los FET

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OptoElectrnica
Optoacoplador Fotorresistencia o LDR Fotodiodo Fototransistor Diodo LED Diodo lser Display de 7 segmentos Visualizador LCD (Display de Cristal Lquido) Modos de visualizacin de los LCD Construccin de la lmpara incandescente Funcionamiento de lmpara de tungsteno Lmpara fluorescente Tubo fluorescente de precalentamiento

Circuitos Integrados
+ El temporizador 555 - Distribucin de patillas del temporizador 555 - Multivibrador astable con temporizador 555 - Multivibrador monostable con temporizador 555 - Oscilador astable con 555 con t1 = t2 + Temporizador (Timer): Circuito fundamental en el control electrnico - Fundamentos del Temporizador (Timer). Control automtico de sistema de agua de sanitarios - Ajustes, modos y aplicaciones del Temporizador (Timer). Secuenciador con tiempos de encendido y apagado configurables + El Amplificador operacional - Inicios, caractersticas, ganancia a lazo abierto - Ganancia a lazo cerrado (realimentacin), inversor en CC - Circuito inversor en CA, frecuencia, saturacin, tierra virtual - Amplificador Operacional con fuente nica. Capacitor de bloqueo - Amplificador Operacional no inversor, ganancia, impedancia de entrada y salida - Comparadores con amplificador operacional - Comparador de ventana con dos amplificadores operacionales - Comparador regenerativo (disparador Schmitt) - generador de onda cuadrada - Integrador con amplificador operacional - Generador de onda triangular, entrada senoidal en un integrador - Derivador con amplificador operacional - Rectificador de instrumentacin de media onda - Rectificador de instrumentacin de onda completa

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Tiristores - Introduccin a los tiristores - Diodo Shockley. Diodo de 4 capas - SIDAC - Generador diente sierra con SIDAC MKP3V120 - SBS o Silicon Bidirectional Switch - Rectificador Gobernado de Silicio o SCR - Activacin o disparo de un tiristor por puerta - Activacin o disparo de un tiristor por luz, tensin ruptura y aumento dv/dt - Bloqueo de un tiristor - Regulacin de potencia de un SCR - Variantes del SCR: LASCR, GTO, PUT - Variantes del SCR: TRIAC - Transistor uni-unin o UJT - Funcionamiento de un UJT SCR - Silicon Controled Rectifier Curva caracterstica de un SCR SCR en corriente continua SCR en corriente alterna Proteccin del SCR TRIAC DIAC

- Transistor uniunin (UJT) - Caractersticas del Transistor de Uniunin programable (PUT) - Funcionamiento de PUT. Oscilador - Encapsulado de los transistores - Disipadores de calor (heatsinks) - Fusible - Funcionamiento bsico del Triodo Cdigos normalizados de semiconductores - JEDEC: Cdigo americano - JIS: Cdigo japons - PROELECTRON: Cdigo europeo

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Concepto, unidades
Una resistencia o resistor es un elemento que causa oposicin al paso de la corriente, causando que en sus terminales aparesca una diferencia de tensin (un voltaje).

En el grfico ms abajo tenemos un bombillo / foco en el paso de la corriente que sale del terminal positivo de la batera y regresa al terminal negativo.

Smbolo de la resistencia Este bombillo / foco que todos tenemos en nuestros hogares es una resistencia. Las resistencias se representan con la letra R y el valor de stas se mide en Ohmios ().

Las resistencias o resistores son fabricadas en una amplia variedad de valores. Hay resistencias con valores de Kilohmios (K), Megaohmios (M). Ests dos ltimas unidades se utilizan para representar resistencias muy grandes. En la siguiente tabla vemos las equivalencias entre ellas: 1 Kilohmio (K) = 1,000 Ohmios () 1 Megaohmio (M) = 1,000,000 Ohmios () 1 Megaohmio (M) = 1,000 Kilohmios (K) Para poder saber el valor de las resistencias sin tener que medirlas, existe un cdigo de colores de las resistencia que nos ayuda a obtener con facilidad este valor con slo verlas. Para obtener la resistencia de cualquier elemento de un material especfico, es necesario conocer algunos datos propios de ste, como son: su longitud, rea transversal, resistencia especfica o resistividad del material con que est fabricada.

Conductancia
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La recproca (inverso) de la resistencia es la conductancia. Se representa generalmente por la letra G. Un circuito con elevada conductancia tiene baja resistencia, y viceversa. Una resistencia de 1 Ohmio (ohm) posee una conductancia de 1 mho Una resistencia de 1000 Ohmios (ohms) posee una conductancia de 0.001 mho.

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Tolerancia
La tolerancia de una resistencia / resistor es un dato que nos dice que tanto (en porcentaje) puede variar el valor de la resistencia (hacia arriba o hacia a bajo) de su valor indicado.Valores tpicos de tolerancia son 5%, 10% y 20%, pero tambin hay de 0.1%, 0.25%, 0.5%, 1%, 2%, 3% y 4%. La representacin de la tolerancia en un resistor se puede ver en el cdigo de colores de las resistencias. Ejemplo: un resistor de 1000 ohmios con una tolerancia del 10% puede tener un valor entre 900 y 1100 ohmios.

Valores normalizados
Los valores comunes de resistencias son: 1.0, 1.2, 1.5, 1.8, 2.2, 2.7, 3.3, 3.9, 4.7, 5.6, 6.8, 8.2, etc., todas ellas x 10n, donde n = 0,1,2,3,4,5,6. A continuacin se presentan los valores normalizados de stas para diferentes casos de tolerancia.

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Ruido de fondo, soldabilidad y disipacin de potencia en un resistor / resistencia
Ruido de fondo
Cuando una resistencia / resistor es atravesado por una corriente genera ruido. Este se llama ruido de fondo Este ruido es generado por diferentes factores y afectan el funcionamiento del resistor. Es importante tomar en cuenta esta caracterstica en etapas amplificadoras de baja frecuencia, pues al amplificarse este ruido a travs de sucesivas etapas, aparece al final una gran distorsin en la amplitud de la seal. Este problema se resuelve utilizando resistencias / resistencias de alta calidad

Soldabilidad
Un resistor al ser soldado, puede cambiar su valor hasta en un 25%, si esta est expuesta por mucho tiempo al calor del soldador. Hay que realizar soldaduras rpidas y si es posible con usar elementos metlicos, como disipadores, unidos a los terminales a soldar, para radiar el calor.

Disipacin de potencia
Cuando circula una corriente por una resistor, se produce calor, que es energa que no se aprovecha. Este calor (potencia a disipar) es un inconveniente y debe disiparse al ambiente. La capacidad de disipacin de calor de un resistor depende de su tamao. A mayor tamao, mayor capacidad de disipacin. Ver la Ley de Joule

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Clasificacin (tipos) de resistencias / resistores

Hay bsicamente dos tipos de Resistencias: Las resistencias de valores fijos y las Resistencias variables, que a su vez se subdividen dependiendo de caractersticas propias. A continuacin se presenta una tabla con una clasificacin general:

Resistencia / resistor Nota: Ver la tabla de clasificacin de izquierda a derecha Resistores de Pelcula (qumicas): se utilizan en potencias bajas, que van desde 1/8 watt hasta los 3 watts y consisten en pelculas que se colocan sobre bases de cermica especial. Este tipo de resistores depende del material, sea carbn o compuestos metlicos. Hay resistores de pelcula metlica y de carbn. Resistores bobinados: se fabrican con hilos resistivos que son esmaltados, cementados, vitrificados o son recubiertos de un material cermico. Estos resistores por lo general pueden disipar potencias que van desde los 5 watts (vatios) hasta los 100 watts o ms. Ver Resistencias bobinadas Resistores Variables: Resistores Ajustables Potencimetro de ajuste Potencimetro giratorio Potencimetro de cursor - Resistores Resistores de pelcula gruesa de Pelcula metlica - Resistores de pelcula delgada

Resistores Fijos: R E S I S T 0 R E S Tienen un valor nominal fijo. Se dividen en resistores de pelcula y bobinadas

Resistores de carbn

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Tienen un valor que se vara intencionalmente. Se dividen en: ajustables y dependientes de magnitudes

Resistores Dependientes de magnitudes

De De De De De

presin luz: (Fotorresistencias) temperatura (termistor) voltaje (varistor) campo magntico

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Resistencias bobinadas o de alambre

Una resistencia bobinada es una resistencia fabricada con una alambre conductor de una resistividad (resistencia especfica) alta. Este alambre es de una aleacin especial y est arrollado sobre un soporte de un tubo de material refractario como la cermica, porcelana, etc. Nota: Un material refractario es aquel que no permite la conduccin del calor, si no que al contrario lo refleja. El valor de la resistencia bobinada queda determinado por la seccin transversal del alambre, su longitud y la resistencia especfica de la aleacin de ste. Las resistencias bobinadas se utilizan cuando la potencia que deben de disipar es muy alta. Una vez que la resistencia ha sido construida generalmente se recubre con una capa de esmalte vitrificado. Este tipo de resistencia se puede comparar con el filamento de una lmpara incandescente, donde la potencia se transforma en calor (En una lmpara incandescente, esta potencia se transforma parte en luz y parte en calor) Cuanto mas largo es el alambre y mayor es la seccin de ste, mayor ser la capacidad de disipacin de potencia que podr aguantar, pues mayor ser la superficie de radiacin del calor. Estas resistencias se fabrican hasta valores de 100 Kilohmios aproximadamente, debido problemas con las dimensiones fsicas. La idea es lograr la mayor disipacin de calor en el menor espacio posible. Las resistencias bobinadas por lo general pueden disipar potencias que van desde los 5 watts (vatios) hasta los 100 watts o ms En el diagrama se puede observar el tubo refractario en color azul y los hilos a alambres que lo rodean. Los puntos negros representan los alambres que entran y salen de la pantalla formando como una bobina o resorte muy ajustado alrededor del tubo.

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Cdigo de colores de las resistencias / resistores
Los resistores son fabricados en una gran variedad de formas y tamaos. En las ms grandes, el valor del resistor se imprime directamente en el cuerpo del mismo, pero en los ms pequeos no es posible. Para poder obtener con facilidad el valor de la resistencia / resistor se utiliza el cdigo de colores

Sobre estos resistores se pintan unas bandas de colores. Cada color representa un nmero que se utiliza para obtener el valor final del resistor. Las dos primeras bandas indican las dos primeras cifras del valor del resistor, la tercera banda indica cuantos ceros hay que aumentarle al valor anterior para obtener el valor final de la resistor. La cuarta banda nos indica la tolerancia y si hay quinta banda, sta nos indica su confiabilidad

Ejemplo: Si un resistor tiene las siguiente bandas de colores:

- El resistor tiene un valor de 2400,000 Ohmios +/- 5 % - El valor mximo de este resistor es: 25200,000 - El valor mnimo de este resistor es: 22800,000 - El resistor puede tener cualquier valor entre el mximo y mnimo calculados.

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Los colores de las bandas de los resistores no indican la potencia que puede disipar, pero el tamao que tiene la resistor da una idea de la disipacin mxima que puede tener. Los resistores comerciales disipan 1/4 watt, 1/2 watt, 1 watt, 2 watts, etc.. A mayor tamao del resistor, ms disipacin de potencia (calor). Ver la Ley de Joule. Nota: En este artculo los trminos resistor y resistencia se han utilizado como sinnimos.

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Resistencia variable: Potencimetro, restato
La resistencia variable es un dispositivo que tiene un contacto mvil que se mueve a lo largo de la superficie de una resistencia de valor total constante. Este contacto mvil se llama cursor o flecha y divide la resistencia en dos resistencias cuyos valores son menores y cuya suma tendr siempre el valor de la resistencia total. Las resistencias variables se dividen en dos categoras:

Potencimetros
Los potencimetros y los restatos se diferencias entre si, entre otras cosas, por la forma en que se conectan. En el caso de los potencimetros, stos se conectan en paralelo al circuito y se comporta como un divisor de voltaje. Ver la figura.

Restatos
En el caso del restato, ste va conectado en serie con el circuito y se debe tener cuidado de que su valor (en ohmios) y su la potencia (en Watts (vatios)) que puede aguantar sea el adecuado para soportar la corriente I en amperios (ampere) que va a circular por l.

Como regla general:

Los potencimetros se utilizan para variar niveles de voltaje y los restatos para variar niveles de corriente
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Las resistencias tambin se pueden dividir tomando en cuenta otras caractersticas: - si son resistencia bobinadas. - si no son bobinadas. - de dbil disipacin. - de fuerte disipacin. - de precisin. Normalmente los potencimetros se utilizan en circuitos con poca corriente, pues no disipan casi potencia, en cambio los restatos son de mayor tamao, por ellos circula ms corriente y disipan ms potencia. Ver los diagramas.

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Condensador / Capacitor
En condensador es un dispositivo formado por dos placas metlicas separadas por un aislante llamado dielctrico. Un dielctrico o aislante es un material que evita el paso de la corriente.

El condensador o capacitor almacena energa en la forma de un campo elctrico (es evidente cuando el capacitor funciona con corriente directa) y se llama capacitancia o capacidad a la cantidad de cargas elctricas que es capaz de almacenar El smbolo del capacitor se muestra al lado derecho: La capacidad depende de las caractersticas fsicas del condensador: - Si el rea de las placas que estn frente a frente es grande la capacidad aumenta - Si la separacin entre placas aumenta, disminuye la capacidad - El tipo de material dielctrico que se aplica entre las placas tambin afecta la capacidad - Si se aumenta la tensin aplicada, se aumenta la carga almacenada.

Dielctrico o aislante
Un dielctrico o aislante es un material que evita el paso de la corriente, y su funcin es aumentar la capacitancia del capacitor. Los diferentes materiales que se utilizan como dielctricos tiene diferentes grados de permitividad(diferente capacidad para el establecimiento de un campo elctrico

Mientras mayor sea la permitividad, mayor es la capacidad del condensador. La capacitancia de un condensador est dada por la frmula: C = Er x A / d

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donde: - C = capacidad - Er = permitividad - A = rea entre placas - d = separacin entre las placas La unidad de medida es el faradio. Hay submltiplos como el miliFaradio (mF), microFaradio (uF), el nanoFaradio (nF) y el picoFaradio (pF) Las principales caractersticas elctricas de un condensador son su capacidad o capacitancia y su mxima tensin entre placas (mxima tensin que es capaz de aguantar sin daarse). Nunca conectar un capacitor a un voltaje superior al que puede aguantar, pues puede explotar

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Capacitancia y voltaje de ruptura de un Capacitor
La capacitancia es un parmetro del capacitor que indica la capacidad de almacenamiento de carga que ste tiene y su unidad es el Faradio.Esta unidad es muy grande y para representar valores comerciales de este elemento se utilizan los submltiplos del Faradio, como por ejemplo: - El uF (microfaradio) - El pF (picofaradio) - El nF (nanofaradio), etc. La siguiente tabla muestra los diferentes rangos de valores de capacidad para algunos tipos de condensadores, as como su tipo de dielctrico y tensin de ruptura.

Voltaje de ruptura de un condensador


El voltaje de ruptura es aquel voltaje mximo que se puede aplicar a los terminales del capacitor. Si se sobrepasa, el dielctrico se puede perforar provocando un corto circuito. Ver tambin la clasificacin de los capacitores

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Tolerancia y corriente de fuga de un Capacitor


Tolerancia del capacitor
Tolerancia: Son los lmites dentro de los cuales puede variar el valor terico o nominal del capacitor. Ver la siguiente tabla.

Corriente de Fuga del capacitor


En un capacitor adems de la corriente de carga ya conocida existe otra corriente llamada corriente de fuga, debido a imperfecciones en el dielctrico que no es un aislante perfecto. Cuando se realicen mediciones de la capacitancia de un capacitor es un parmetro a tomar en cuenta - En el capacitor electroltico de aluminio la corriente de fuga es: < 0.05 uA x voltio x uF y siempre superior a 4 uA - En el capacitor electroltico de tantalio la corriente de fuga es: < 0.02 uA x voltio x uF y siempre superior a 1 uA

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Resistencia de aislamiento. Inductancia parsita de un Capacitor
Resistencia de aislamiento
La resistencia de aislamiento es el factor causante de las prdidas que se presentan cuando se aplica corriente continua a un capacitor. Ver la siguiente tabla.

Inductancia parsita
La inductancia parsita se debe a la forma en que est construido el capacitor y se representa como una bobina en serie con el mismo. A bajas frecuencias es despreciable, pero a frecuencias ms altas, influye en la reactancia del capacitor y no debe despreciarse.

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Relacin de carga, voltaje y capacidad en un capacitor
La corriente por un conductor es un flujo orientado de cargas elctricas. Si un capacitor es conectado a una fuente de corriente continua, este recibe carga elctrica. El valor de la carga almacenada se obtiene multiplicando la corriente entregada por la fuente por el tiempo durante el cual la fuente estuvo conectada al capacitor. Entonces: Q = I x t (carga = corriente x tiempo) Donde: Q: est en coulombios I: est en amperios t: est es segundos Experimentalmente se puede comprobar que la carga almacenada en un capacitor es directamente proporcional al voltaje aplicado entre sus terminales. Entonces: Q = C x V (carga = capacidad x voltaje) Donde: Q: est en coulombios C: est en faradios V: est en voltios Igualando la ltima ecuacin con la primera se tiene que: Q = I x t = C x V Despejando: V = I x t / C. Si se mantiene el valor de la corriente "I" constante y como el valor de "C" tambin es constante, el voltaje "V" es proporcional al tiempo. Entonces se puede decir que:

Cuando un capacitor se carga a corriente constante, el voltaje entre sus terminales es proporcional al tiempo de carga.

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Energa almacenada en un capacitor / condensador
Si se tiene un capacitor totalmente descargado y a ste se le aplica una fuente de alimentacin, habr una transferencia de energa de la fuente hacia el capacitor. Un conocimiento ya adquirido es que:

La potencia es la capacidad que se tiene de realizar un trabajo en una cantidad de tiempo


La frmula:

P=W/t W=Pxt

Donde: P = potencia W = trabajo t = tiempo Otra frmula de potencia es:

P=IxV

En la ltima frmula, si se considera que la corriente es constante (corriente continua), entonces la potencia es proporcional al voltaje. Si el voltaje aumenta en forma lineal, la potencia aumentar igual. Ver el diagrama

Como la potencia vara en funcin del tiempo, no se puede aplicar la frmula W = P x t, para calcular la energa transferida. Pero observando el grfico, se ve que esta energa se puede determinar midiendo el rea bajo la curva de la figura. El rea bajo la curva es igual a la mitad de la potencia en el momento t, multiplicada por t. Entonces: W = (P x t) / 2. Pero se sabe que P = V x I. Si se reemplaza esta ltima frmula en la anterior se obtiene: W = (V x I x t) / 2, y como I x t = CV, entonces:

W = (CV2 / 2) julios
Donde: W = trabajo en julios C = Capacidad en faradios V = voltaje en voltios en los extremos del capacitor

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Clasificacin de los Condensadores: Fijos y variables

Capacitores fijos:
Estos se diferencian entre si por el tipo de dielctrico que utilizan. Materiales comunes son: la mica, plstico y cermica y para los capacitores electrolticos, xido de aluminio y de tantalio. Hay de diseo tubular, y de varias placas y dielctrico intercalados. El diseo de mltiples placas es un diseo para aumentar el rea efectiva de la placa. Entre placa y placa se coloca el aislante y se hace una conexin de placa de de por medio, como si fueran capacitores en paralelo. (ver diagrama).

1 - Condensadores de cermica
Son capacitores en donde las inductancias parsitas y las prdidas son casi nulas. La constante dielctrica de estos elementos es muy alta (de 1000 a 10,000 veces la del aire) - Algunos tipos de cermica permiten una alta permitividad y se alcanza altos valores de capacitancia en tamaos pequeos, pero tienen el inconveniente que son muy sensibles a la temperatura y a las variaciones de voltaje. - Hay otros tipos de cermica que tienen un valor de permitividad menor, pero que su sensibilidad a la temperatura, voltaje y el tiempo es despreciable. Estos capacitores tienen un tamao mayores que los otros de cermica. Se fabrican en valores de fracciones de picoFaradios hasta nanoFaradios.

2 - Condensadores de lmina de plstico


- Lminas de plstico y lminas metlicas intercaladas: Estos tipos de capacitores son generalmente ms grandes que los de lmina metalizada, pero tienen una capacitancia ms estable y mejor aislamiento. - Lmina metalizada: Tiene la lmina metlica depositada directamente en la lmina de plstico. Estos capacitores tienen la cualidad de protegerse a si mismos contra sobre voltajes. Cuando esto ocurre aparece un arco de corriente que evapora el metal eliminando el defecto.

Capacitor tubular

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3 - Condensadores de mica:
Capacitores que consisten de hojas de mica y aluminio colocados de manera alternada y protegidos por un plstico moldeado. Son de costo elevado. Tiene baja corriente de fuga (corriente que pierden los condensadores y que hacen que este pierda su carga con el tiempo) y alta estabilidad. Su rango de valores de va de los pF a 0.1 uF.

4 -Capacitores de poliester:
Sustituyen a los capacitores de papel, solo que el dielctrico es el polister. Se crearon capacitores de polister metalizado con el fin de reducir las dimensiones fsicas. Ventajas: muy poca prdida y excelente factor de potencia

5 - Condensadores electrolticos:
Estos capacitores pueden tener capacitancias muy altas a un precio razonablemente bajo. Tienen el inconveniente de que tienen alta corriente de fuga y un voltaje de ruptura bajo. Son polarizados y hay que tener cuidado a hora de conectarlos pues pueden estallar si se conectan con la polaridad invertida. Se utilizan principalmente en fuentes de alimentacin. Fsicamente estos elementos constan de un tubo de aluminio cerrado, en donde est el capacitor. Tienen una vlvula de seguridad que se abre en el caso de que el electrolito entre en ebullicin, evitando as el riesgo de explosin. Ver capacitor electroltico

6 - Condensadores de tantalio:
Son polarizados por lo que hay que tener cuidado a la hora de conectarlo.

Capacitores variables 1 - Capacitores variables giratorios:


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Muy utilizado para la sintona de aparatos de radio. La idea de estos es variar con la ayuda de un eje (que mueve las placas del capacitor) el rea efectiva de las placas que estn frente a frente y de esta manera se vara la capacitancia. Estos capacitores se fabrican con dielctrico de aire, pero para reducir la separacin entre las placas y aumentar la constante dielctrica se utiliza plstico. Esto hace que el tamao del capacitor sea menor.

2 - Capacitores ajustables "trimmer":


Se utiliza para ajustes finos, en rangos de capacitancias muy pequeos. Normalmente stos, despus de haberse hecho el ajuste, no se vuelven a tocar. Su capacidad puede variar entre 3 y 100 picoFaradios. Hay trimmers de presin, disco, tubular, de placas. Nota: Capacitor = Condensador

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Capacitor / Condensador electroltico
A diferencia de los capacitores comunes, los capacitores electrolticos se han desarrollado para lograr grandes capacidades en dimensiones fsicas reducidas. Este capacitor se logra con un dielctrico especial. La capacidad de un capacitor tiene frmula:

C = EA / d
donde: - A = superficie - d = separacin de placas - E = constante dielctrica Si el valor de la constante dielctrica (E) aumenta, tambin aumenta la capacitancia del capacitor. Este dielctrico es un electrolito constituido por xido de aluminio impregnado en un papel absorbente. Cuando se fabrica el capacitor electroltico, se arrollan dos lminas de aluminio, separadas por un papel absorbente impregnado con el electrolito.

Despus se hace circular una corriente entre las placas, con el propsito de provocar una reaccin qumica que crear una capa de xido de aluminio que ser el dielctrico (aislante). Ver diagrama. Fsicamente consta de un tubo de aluminio cerrado, dentro del cual se haya el capacitor. Est provisto de una vlvula de seguridad que se abre en caso de que que el electrolito (de all viene el nombre) entre en ebullicin y evitando el riesgo de explosin.

El capacitor electroltico es un elemento polarizado, por lo que sus terminales no pueden ser invertidas. Generalmente el signo de polaridad viene indicado en el cuerpo del capacitor. El inconveniente que tienen estos capacitores es que el voltaje permitido entre sus terminales no es muy alto. Si fuera necesario cambiar este capacitor, se debe

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buscar uno de la misma capacidad y con un voltaje igual o mayor al del capacitor daado, pero... No se recomienda utilizar un capacitor de voltaje (dato de fabrica) muy superior al daado pues, un capacitor que recibe un voltaje mucho menor que para la que fue diseado, siente que no estuvo polarizado en corriente continua y la capa de xido de aluminio disminuye hasta que el elemento falla. Nota: Este tipo de capacitores deben de utilizarse lo antes posible despus de su fabricacin. Si el perodo de almacenamiento antes de usarlo es muy largo, al no recibir voltaje, se empieza a daar (se reduce la capa de xido de aluminio). Es conveniente tomar en cuenta siempre la fecha de fabricacin.

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Cdigo de colores de los capacitores. Cdigo 101 Porcentaje de tolerancia

Cdigo de colores de los capacitores


Determinar el valor de un capacitor por medio del cdigo de colores no es difcil y se rea se realiza sin problemas.

Al igual que en los resistores este cdigo permite de manera fcil establecer su valor

El cdigo 101 de los capacitores:


El cdigo 101 es muy utilizado en capacitores cermicos. Muchos de ellos que tienen su valor impreso, como los de valores de 1 uF o ms. Donde: uF = microfaradio Ejemplo: 47 uF, 100 uF, 22 uF, etc. Para capacitores de menos de 1 uF, la unidad de medida es el pF (picoFaradio) y se expresa con una cifra de 3 nmeros. Los dos primeros nmeros expresan su significado por si mismos, pero el tercero expresa el valor multiplicador de los dos primeros. Ver la siguiente tabla.
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Ejemplo: Un capacitor que tenga impreso el nmero 103 significa que su valor es 10 + 1000 pF = 10,000 pF. Ver que 1000 tiene 3 ceros (el tercer nmero impreso). En otras palabras 10 ms 3 ceros = 10,000 pF El significado del tercer nmero se muestra en la tabla siguiente.

Despus del tercer nmero aparece muchas veces una letra que indica la tolerancia del capacitor expresada en porcentaje (algo parecido a la tolerancia en las resistores). Ver el prrafo siguiente

Tabla de tolerancia del cdigo 101 de los capacitores


La siguiente tabla nos muestra las distintas letras y su significado (porcentaje) Ejemplo: Un capacitor tiene impreso lo siguiente: 104H 104 significa 10 + 4 ceros = 10,000 pF H = +/- 3% de tolerancia. 474J 474 significa 47 + 4 ceros = 470,000 pF, J = +/- 5% de tolerancia. 470.000pF = 470nF = 0.47F Algunos capacitores tiene impreso directamente sobre ellos el valor de 0.1 o 0.01, lo que sindica 0.1 uF o 0.01 uF

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Cdigo JIS (Japan Industrial Standard) de un condensador / Capacitor.
Cdigo japons para identificacin de condensadores (JIS)
El cdigo JIS (Japan Industrial Standard) es el cdigo utilizado por la industria japonesa para la identificacin de condensadores. El cdigo es alfanumrico (letras y nmeros) y se lee de la siguiente manera: - El primer nmero y la primera letra se refiere a la tensin mxima de operacin del capacitor. Ver listado abajo. - Los tres nmeros que siguen indican el valor de la capacidad del capacitor en picofaradios (pF). Los dos primeros nmeros son las cifras significativas y el tercero es el multiplicador decimal. - La ltima letra denota la tolerancia: - J = 5% - K = 10% - M = 20% Para determinar la mxima tensin de operacin se utiliza la siguiente nomenclatura: 1H = 50 V. 2A = 100 V. 2T = 150 V. 2D = 200 V. 2E = 250 V. 2G = 400 V. 2J = 630 V.

Ejemplos: 1) 2E 185 K 2E: 250 V 183: 18 x 103 pF = 18 000 pF K: tolerancia 10% El capacitor es de: 18,000 pF +/- 10% con una tensin mxima de 250V 2) 1H 323 M 1H: 50V. 324: 3 x 104 pF = 30, 000 pF M: tolerancia = 20% El capacitor es de: 30,000 pF +/- 20% con una tensin mxima de 50V.

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Bobina o inductor

Definicin de bobina o inductor


La bobina o inductor por su forma (espiras de alambre arrollados) almacena energa en forma de campo magntico El smbolo de una bobina / inductor es:

El inductor es diferente del condensador / capacitor, que almacena energa en forma de campo elctrico Todo cable por el que circula una corriente tiene a su alrededor un campo magntico, siendo el sentido de flujo del campo magntico, el que establece la ley de la mano derecha (ver electromagnetismo). Al estar el inductor hecho de espiras de cable, el campo magntico circula por el centro del inductor y cierra su camino por su parte exterior. Una caracterstica interesante de los inductores es que se oponen a los cambios bruscos de la corriente que circula por ellas. Esto significa que a la hora de modificar la corriente que circula por ellos (ejemplo: ser conectada y desconectada a una fuente de alimentacin de corriente continua), esta intentar mantener su condicin anterior. Este caso se da en forma continua, cuando una bobina esta conectada a una fuente de corriente alterna y causa un desfase entre el voltaje que se le aplica y la corriente que circula por ella. En otras palabras:
La bobina o inductor es un elemento que reacciona contra los cambios en la corriente a travs de l, generando un voltaje que se opone al voltaje aplicado y es proporcional al cambio de la corriente.

Inductancia, unidades
La inductancia mide el valor de oposicin de la bobina al paso de la corriente y se miden en Henrios (H), pudiendo encontrarse valores de MiliHenrios (mH). El valor depende de:

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- El nmero de espiras que tenga la bobina (a ms vueltas mayor inductancia, o sea mayor valor en Henrios). - El dimetro de las espiras (a mayor dimetro, mayor inductancia, o sea mayor valor en Henrios). - La longitud del cable de que est hecha la bobina. - El tipo de material de que esta hecho el ncleo, si es que lo tiene.

Aplicaciones de una bobina / inductor


- En los sistemas de iluminacin con lmparas fluorescentes existe un elemento adicional que acompaa al tubo y que comnmente se llama balastro - En las fuentes de alimentacin tambin se usan bobinas para filtrar componentes de corriente alterna y solo obtener corriente continua en la salida - En muchos circuitos osciladores se incluye un inductor. Por ejemplo circuitos RLC serie o paralelo Notas: Bobina = Inductor

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Bobina / Inductor con ncleo metlico
En el inductor con ncleo de aire se ve que el valor de la inductancia de esta depende de el nmero de vueltas (espiras), la longitud, el dimetro, el grosor de la espira, etc. El valor de la inductancia que se puede obtener es limitado cuando el ncleo es de aire.

Para poder incrementar el valor de la inductancia de una bobina se coloca dentro de ella un ncleo metlico de caractersticas magnticas muy especiales, que lo que hacen es reforzar el campo magntico. El magnetismo del material del ncleo depende de la polarizacin de "los dominios magnticos moleculares", cuando el campo magntico que afecta el inductor cambia continuamente. Estos dominios deben poder cambiar su posicin para que el ncleo cumpla su objetivo. Los dominios magnticos podrn o no seguir las variaciones del campo magntico dependiendo del material de que est hecho el ncleo. Si esta variacin del campo magntico no puede ser seguida el ncleo pierde su razn de ser y lo dominios moleculares se desordenan, quedando el ncleo despolarizado magnticamente. El material magntico que se utiliza como ncleo de la bobina depende de la frecuencia a la que trabajar esta. - Metal slido: para frecuencias muy bajas. - Metal laminado: para frecuencias de 10 hertz (Hz) a algunos kilohertz (Khz) - Ncleos de polvo metlico: para frecuencias arriba de cientos de Kilohertz y hasta varios cientos de Megahertz (Mhz) - Ncleo de aire: frecuencia superiores a los 500 Megahertz. En este caso el ncleo metlico se vuelve obsoleto. Notas: - 1 hertz = 1 ciclo por segundo - Bobina = Inductor

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Bobina (inductor) con ncleo de aire
Hay ocasiones en que se tiene una bobina o inductor con ncleo de aire y no conoce su valor (en henrios). Ver definicin de unidades comunes Existe un mtodo para obtener este valor si se tienen las medidas externas de la bobina / inductor.

La frmula a utilizar es la siguiente: L(uH)=(0.393a2n2)/(9a+10b) Donde: - n: es la cantidad de espiras (vueltas de alambre) del inductor - a: es el radio del inductor en centmetros - b: es la longitud del arrollado del inductor en centmetros Esta frmula es una buena aproximacin para inductores de una longitud mayor o igual a 0.8a. Ver el grfico anterior. Ejemplo 1: Se tiene una bobina o inductor de 32 espiras, 13 vueltas por centmetro y 25 mm de dimetro. Cul ser su inductancia? - a = 25 mm / 2 = 1.25 centmetros - b = 32 / 13 = 2.46 - n = 32 Entonces: L = (0.393 x 1.252 x 322) / (9 x 1.25 + 10 x 2.46) = 17.54 uHenrios Ejemplo 2: Se desea construir una bobina o inductor que sea de 10 uHenrios (uHenrys), que tenga 2.54 centmetros de dimetro y una longitud de 3.175 centmetros. Entonces: - a = 2.54 centmetros / 2 = 2.27 centmetros - b = 3.175 centmetros - L = 10 uHenrios Se despeja de la ecuacin original la variable "n" en funcin de todas las dems.
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n = [10 x (9a + 10b) / ( 0.393 x a2)]1/2 y reemplazando los valores..... n = [10 x (11.43 + 31.75) / 0.393 x 1.613]1/2 = 6801/2 = 26.1 espiras Notas: - Bobina = Inductor. - Los parntesis elevados a la 1/2 es lo mismo que una raz cuadrada. - uHenrio = microHenrio.

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Transformador ideal

Relacin de voltajes, corrientes, potencias en un transformador


El transformador es un dispositivo que se encarga de "transformar" el voltaje de corriente alterna que tiene a su entrada en otro diferente amplitud, que entrega a su salida.

Se compone de un ncleo de hierro sobre el cual se han arrollado varias espiras (vueltas) de alambre conductor. Este conjunto de vueltas se llaman bobinas y se denominan: Bobina primaria o "primario" a aquella que recibe el voltaje de entrada y Bobina secundaria o "secundario" a aquella que entrega el voltaje transformado. La Bobina primaria recibe un voltaje alterno que har circular, por ella, una corriente alterna. Esta corriente inducir un flujo magntico en el ncleo de hierro. Como el bobinado secundario est arrollado sobre el mismo ncleo de hierro, el flujo magntico circular a travs de las espiras de ste. Al haber un flujo magntico que atraviesa las espiras del "Secundario", se generar por el alambre del secundario un voltaje. En este bobinado secundario habra una corriente si hay una carga conectada (el secundario conectado por ejemplo a un resistor)

La razn de transformacin del voltaje entre el bobinado "Primario" y el "Secundario" depende del nmero de vueltas que tenga cada uno. Si el nmero de vueltas del secundario es el triple del primario. En el secundario habr el triple de voltaje. La frmula:
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Entonces: Vs = Ns x Vp / Np Un transformador puede ser "elevador o reductor" dependiendo del nmero de espiras de cada bobinado. Si se supone que el transformador es ideal. (la potencia que se le entrega es igual a la que se obtiene de l, se desprecian las perdidas por calor y otras), entonces: Potencia de entrada (Pi) = Potencia de salida (Ps). Pi = Ps Si tenemos los datos de corriente y voltaje de un dispositivo, se puede averiguar su potencia usando la siguiente frmula. Potencia = voltaje x corriente P = V x I (en watts) Aplicando este concepto al transformador y como P(bobinado pri) = P(bobinado sec) entonces... La nica manera de mantener la misma potencia en los dos bobinados es que cuando el voltaje se eleve, la corriente se disminuya en la misma proporcin y viceversa. Entonces:

As, para conocer la corriente en el secundario (Is) cuando tengo: - Ip (la corriente en el primario), - Np (espiras en el primario) y - Ns (espiras en el secundario) se utiliza siguiente frmula: Is = Np x Ip / Ns

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Transformador real

Circuitos equivalentes de un transformador real

Circuitos equivalentes para transformadores de potencia y audio para video y RF (radio frecuencia)
Normalmente en los diseos y anlisis donde se utilizan transformadores, es muy comn utilizar las caractersticas de ste como si fuera transformador ideal Esto - No - No - No - No significa que: tiene prdidas por calor hay cadas de voltaje en los bobinados de los arrollados hay capacitancias debido a los bobinados hay prdidas por histresis en el ncleo, etc.

Cuando es necesario tomar en cuenta estos parmetros se utilizan circuitos equivalentes.

Para transformadores de potencia o de audio


Los valores son: - Rp: es la resistencia del bobinado primario medida directamente con un multmetro. - Rs: es la resistencia del bobinado secundario medida directamente con un multmetro. En este caso el efecto piel se puede despreciar (el efecto piel causa que el valor de la resistencia se incremente dependiendo de las dimensiones del conductor) Lp y Ls (los bobinados primario y secundario) se comportan como en un transformador ideal. Esto significa que: - Cualquier tensin que haya en el bobinado primario aparecer en el secundario modificado en un factor 1/n. - Cualquier corriente que haya en el bobinado secundario aparecer en el secundario modificada en un factor n. - Una impedancia a travs de Ls se refleja en Lp multiplicada por un factor igual a 1/n2. (ver transformador ideal) Donde n: es la razn de transformacin o razn de vueltas entre los bobinados primario y secundario La resistencia Rh representa las prdidas por histresis en el ncleo. Usualmente es varias veces mayor en magnitud que la reactancia XLp. (reactancia

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del bobinado primario). Dependiendo de su magnitud se podra despreciar.

Para transformadores de vdeo y RF


En este caso el efecto piel no es despreciable y hace que los valores de Rs y Rp sea mayores que los valores de medicin directa en los bobinados. Se supone que son transformadores que no tienen un acoplamiento magntico perfecto debido a que tienen ncleo de aire o ferrita. El subndices k indica acoplamiento y el subndice L fugas en las reactancias. As: - LP = LPL + LPk - LS = LSL + LSk - k = LPk / LP = LSk / LS Valores de k (ndice de acoplamiento) para transformadores con ncleo de aire: - k = 0.95 : cuando el arrollamiento de los bobinados estn juntos (dos cables arrollados juntos) - k = 0.90: cuando el arrollamiento primario est sobre el secundario - k = 0.35: cuando los arrollamiento estn uno despus del otro y su longitud es igual a la mitad del dimetro - k = 0.10: cuando los arrollamiento estn uno despus del otro y su longitud es igual a 2 dimetros CP y CS representan las capacitancias de los arrollamientos que van de 0.01 a 0.02 pF por vuelta.

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Autotransformador
El autotransformador es un transformador donde una parte del devanado es comn tanto al primario como al secundario. El principio de funcionamiento es el mismo que el de el transformador comn, entonces la relacin de transformacin entre las tensiones y las corrientes y el nmero de vueltas se mantiene. Las corrientes primaria y secundaria estn en oposicin y la corriente total que circula por las espiras en comn es igual a la diferencia de la corriente del devanado de baja tensin y el devanado de alta tensin. Para que un autotransformador funcione adecuadamente, los dos devanados deben tener el mismo sentido de bobinado.

Autotransformador reductor
- Si se aplica una tensin alterna entre los puntos A y B, y se mide la tensin de salida entre los puntos C y D, se dice que el autotransformador es reductor de tensin.

relacin de vueltas Ns / Np < 1

Autotransformador elevador
- Si se aplica una tensin alterna entre los puntos C y D, y se mide la tensin de salida entre los puntos A y B, se dice que el autotransformador es elevador de tensin.

relacin de vueltas Ns / Np > 1 Los autotransformadores tienen la ventaja sobre los transformadores comunes, de un peso y costo menor. En lugar de tener un bobinado de alta tensin de N1 espiras, se debe preveer, para el bobinado de baja tensin, con un nmero N2 de espiras, un nmero de espiras adicional de N1 - N2.

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Tambin hay que tomar en cuenta que el conductor de la seccin comn del bobinado, debe de tener una seccin de cobre en funcin de la diferencia de corrientes entre baja y alta tensin. Otra ventaja es la de no necesitar aislamiento entre los bobinados primario y secundario. Sin embargo esto trae la desventaja de que el bobinado primario no es independiente del secundario. Esto causa peligro para una persona, pues entre tierra y el hilo comn del secundario y el primario, existe la tensin del primario. Ver diagrama del autotransformador reductor.

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Embobinado y reparacin de Transformadores
Por: Jorge L. Jimnez, director de LADELEC. Barranquilla, Colombia. www.ladelec.com

Concepto, frmulas, ejemplo


Tutorial terico-prctico para aprender a embobinar y reparar transformadores de poder con potencias de hasta 1000W. Dirigido a personas con conocimientos bsicos de electrnica.

Resumen de conceptos
Relacin de transformacin: Es la relacin entre el nmero de espiras del primario y del secundario, la cual es igual a la relacin entre la tensin del primario y del secundario sin carga. Relacin entre corrientes: Es inversa a la relacin de transformacin. Rendimiento: Nos dice cuanta potencia se aplica al transformador y cuanta entrega este a la carga. La diferencia se pierde en los devanados en forma de calor por efecto JOULE, debido a que estos no tienen una resistencia nula, y tambin en el ncleo debido a histresis y corrientes de Foucault. Ncleos: Son las chapas de material ferro-magntico, hierro al que se aade una pequea porcin de silicio. Se recubre de barniz aislante que evita la irculacin de corrientes de Foucault. Potencia= V x I N1/N2 = V1/V2

Frmulas Area = A donde * = 0.8 si el ncleo es fino y 1.2 si el ncleo es de inferior calidad. Se da en cm2 y est determinada por los lados del sector azul de la figura. Es el resultado de L x L. El nmero de vueltas por voltio = A x 0.02112 El voltaje deseado para cada caso se dividir por el resultado de este nmero. Ejemplo real:Embobinar un transformador de 200 W con un V primario = 115V y un V secundario=50V. Comenzamos por el rea del transformador:

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Nmero de vueltas por voltio: A x 0.02112 = 14.14 x 0.02112 VxV = 0.29 Entonces: 115 V / 0.29 = 396 vueltas en el primario. 50 V / 0.29 = 172 vueltas en el secundario. Ahora sabiendo la potencia (200W) podemos calcular la corriente presente en ambos devanados. I=W/V I = 200/ 115 I = 1.73 amperios en el primario. I = 200/ 50 I = 4 amperios en el secundario. Si utilizamos una tabla de equivalencias en AWG como la que mostramos a continuacin sabremos el calibre del alambre a utilizar. De acuerdo a la tabla, para el primario necesitamos comprar alambre calibre 20 y para el secundario alambre calibre 16. AWG 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 Diam. mm 7.35 6.54 5.86 5.19 4.62 4.11 3.67 3.26 2.91 2.59 2.30 2.05 1.83 1.63 1.45 Amperaje 120 96 78 60 48 38 30 24 19 15 12 9,5 7,5 6,0 4,8 AWG 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 Diam. mm 1.29 1.15 1.024 0.912 0.812 0.723 0.644 0.573 0.511 0.455 0.405 0.361 0.321 0.286 0.255 Amperaje 3,7 3,2 2,5 2,0 1,6 1,2 0,92 0,73 0,58 0,46 0,37 0,29 0,23 0,18 0,15

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Clculo de un transformador
Autor: Jos Manuel Escoboza, Escuela Tcnica de las Fuerzas Armadas de Repblica Dominicana. Donante: Michel Sandino Fras Jimnez, Estudiante.

Tutorial que muestra el mtodo a seguir para el bobinado de un transformador cuando se tiene el ncleo y se conocen los voltajes para el primario y el secundario. Frmula: Area= A X B Siendo A = 4 cm y B = 5 cm, entonces: Area = 4 cm x 5 cm = 20 cm

Constante: (K) = 37.54 Espira = Significa una vuelta en el carretn. Frmula = K / Area = Espiras x voltios (Tambin AREA = Seccin del ncleo = SN) Ejemplo: 37.54 / 20 = 1.877 espiras por voltio As que si queremos un transformador de 120V a 18V, tenemos: 1.877 x 120v = 225.24 espiras en el embobinado primario 1.877 x 18v = 33.78 espiras en el embobinado secundario Frmula para la potencia mxima: (AREA) Siendo Area = 20cm, entonces; Potencia mxima = (20) = 400 Watts o Vatios Por la ley de potencia : I = W /V, tenemos que: IP (corriente en el primario) = 400/120 = 3.33 Amperes que nos da: AWG # 18 (calibre del cable) IS (corriente en el secundario) = 400/18 = 22.2 Amperes que nos da: AWG # 10 (calibre del cable)

Uso de alambres segn su amperaje

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Mtodo para determinar el nmero de pies de alambre en los bobinados de un transformador.


1- Se elige cual bobina va primero en el carrete, si es el primario o el secundario. 2- Se mide una espira en el carrete en centmetros. 3- Se dividen los centmetros de la espira obtenida anteriormente por un pie, el cual equivale a 30.34 cm y el resultado ser una constante la cual da pies por espira. 4- La constante se multiplica por el nmero de espiras del embobinado que vaya primero y al resultado se le aumenta un 15 %, porque ir creciendo y as se obtiene los pies de la primera bobina. 5- La constante se multiplica por el nmero de espiras del embobinado que vaya segundo y al resultado se le aumenta un 30%, porque ir creciendo y as se obtiene los pies de la segunda bobina. ((Un pie = 30.48 cm)) Frmula: Una espira en centmetros/30.48 = Constante As si tenemos que una espira en el primario nos da 15.5 centmetros tenemos: K= 15.5/30.48 = 0.5085 Siguiendo con los datos anteriores tenemos que: Devanado primario: 0.5085 X 33.78 vueltas = 17.1806 + 15% = 19.7577 pies (#10 AWG)

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Devanado secundario: 0.5085 X 225.24 vueltas = 114.54 + 30% =148 pies (#18 AWG)

Peso de una bobina (bobinado)


((Una libra = 16 Onzas)) Frmula: Onza = [pies bobina / libra x pie] x onzas / libra Devanado primario : 19.7577 X 16 / 31.8= 9.94 Onzas

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Rel, Relay - Relevador
Rel, Relay

El Rel es un interruptor operado magnticamente. El rel se activa o desactiva (dependiendo de la conexin) cuando el electroimn (que forma parte del rel) es energizado (le ponemos un voltaje para que funcione). Esta operacin causa que exista conexin o no, entre dos o ms terminales del dispositivo (el rel). Esta conexin se logra con la atraccin o repulsin de un pequeo brazo, llamado armadura, por el electroimn. Este pequeo brazo conecta o desconecta los terminales antes mencionados.

Funcionamiento del Rel:


Si el electroimn est activo jala el brazo (armadura) y conecta los puntos C y D. Si el electroimn se desactiva, conecta los puntos D y E.
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De esta manera se puede conectar algo, cuando el electroimn est activo, y otra cosa conectada, cuando est inactivo. Es importante saber cual es la resistencia del bobinado del electroimn (lo que est entre los terminales A y B) que activa el rel y con cuanto voltaje este se activa. Este voltaje y esta resistencia nos informan que magnitud debe de tener la seal que activar el rel y cuanta corriente se debe suministrar a ste. La corriente se obtiene con ayuda de la Ley de Ohm: I = V / R. donde: - I es la corriente necesaria para activar el rel - V es el voltaje para activar el rel - R es la resistencia del bobinado del rel

Ventajas del Rel


- El Rel permite el control de un dispositivo a distancia. No se necesita estar junto al dispositivo para hacerlo funcionar. - El Rel es activado con poca corriente, sin embargo puede activar grandes mquinas que consumen gran cantidad de corriente. - Con una sola seal de control, puedo controlar varios rels a la vez.

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Transformador de potencia
Utilizacin de los transformadores de potencia
Los transformadores son mquinas elctricas estticas que permiten modificar los valores de voltaje y corriente con el fin de que stos tomen los valores ms adecuados para el transporte y distribucin de la energa elctrica. La utilidad de los transformadores elctricos se debe a la economa que se obtiene al efectuar el transporte de la energa elctrica a altos voltajes. Acordarse de que, para la misma potencia, a mayor tensin menor corriente circular por el conductor y el calibre de este ser menor. Y un conductor de menor calibre es ms barato. La seccin o rea transversal del conductor necesaria en una lnea de transmisin es inversamente proporcional al cuadrado del valor del voltaje que se haya adoptado para el transporte de la electricidad. Lo anterior explica la conveniencia del empleo de altos voltajes en el transporte de la energa elctrica. As como los transformadores se utilizan para elevar el voltaje y permitir el transporte de la corriente a largas distancias, los transformadores tambin se utilizan para la reduccin del voltaje a niveles aceptables para uso domstico e industrial

En el grfico anterior se muestra el procedimiento general de distribusin de energa desde su generacin hasta la entrega final de esta en la industria o para uso domstico. Nota: - Muchas industrias no obienen su conexin de alimentacin del punto con voltaje de 120 / 240V sino del punto de 34.5 KV - 1 KV = 1000 V. Ejemplo 34.5 KV = 34500 voltios. - Los voltajes mostrados en el grfico anterior podran variar de un pas a otro.

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Constitucin del transformador de potencia
Constitucin del transformador de potencia
Todos los transformadores sin importar su tamao, tienen tres partes fundamentales:

- Bobinado de alta tensin:


Es un bobinado de alambre de cobre aislado, de poca seccin transversal (es ms delgado), construido para recibir o entregar la tensin mayor nominal del transformador.

- Bobinado de baja tensin:


Es un bobinado de alambre de cobre aislado, de mayor seccin transversal (es ms grueso), construido para recibir o entregar la tensin menor nominal del transformador. Cuando el transformador est instalado, al bobinado que est conectado a la fuente se le denomina primario y el bobinado que est conectado a la carga, se le denomina secundario.

- Ncleo:
Construido con chapas magnticas con alta proporcin de silicio (4%), grano orientado y prdidas por histresis muy bajas, las cuales tienen por un lado un aislamiento impregnado en el proceso metalrgico. De acuerdo a su disposicin, los ncleos pueden ser: a- Simple o de columnas: Es estos los bobinados van dispuestos sobre las dos columnas. El flujo magntico se canaliza a travs de las columnas y las culatas. b- Doble o acorazado: La columna central tiene el doble de seccin que las culatas laterales, los bobinados van dispuestos en la columna central. El flujo magntico se canaliza de la columna central hacia las culatas laterales. Las columnas de seccin rectangular se usan en pequeos transformadores (hasta 50KVA). En los transformadores de mayor potencia, se utiliza la seccin escalonada, para aumentar la superficie de enfriamiento.

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En los de alta potencia se utiliza el escalonado con canales de refrigeracin. En el grfico abajo a la derecha se muestra la parte exterior de un transformador real. En el se describen los nombres de las diferentes partes que son visibles. Internamente es posible observar el ncleo, los bobinados primario y secundario con sus respectivos terminales. Esto ltimo sumergido en aceite dielctrico (no conductor de la electricidad) que sirve como disipador de calor.

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Principio de funcionamiento del transformador
Para poder comprender el funcionamiento de un transformador se examinar el de construccin ms elemental. Un circuito magntico simple, constituido por dos columnas y dos culatas, en el que han sido arrollados dos circuitos elctricos: - Uno, constituido por una bobina de N1 espiras, es conectado a la fuente de corriente alterna y recibe el nombre de primario. - Otro constituido por un bobinado de N2 espiras, permite conectar a sus bornes un circuito elctrico de utilizacin (la carga) y recibe el nombre de secundario. Al alimentar el bobinado primario con una fuente de voltaje alterno, por l (el bobinado) circular una corriente elctrica alterna (I1), que produce una fuerza magnetomotriz que causa que se establezca un flujo de lneas de fuerza alterno (1) en el circuito magntico del transformador.

El flujo 1 al estar canalizado en el ncleo, induce en las espiras del bobinado secundario una fuerza electromotriz (E2). Las espiras del bobinado primario tambin estn en la influencia del 1. por lo tanto en ellas se va a inducir una fuerza contraelectromotriz (E1), que se opone al voltaje de alimentacin, dando como resultado una disminucin de la intensidad de corriente I1

Cuando se le aplica carga (R) al bobinado secundario, circula por l la intensidad de corriente I2, la cual produce el flujo magntico 2, opuesto al 1, por lo tanto reduce el flujo resultante en el ncleo dando como resultado que la fuerza contraelectromotriz disminuya y la intensidad de corriente I1 aumente.

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Se observa como un aumento de la corriente en el secundario (I2) provoca un aumento de la corriente en el primario (I1), sin que exista conexin elctrica entre ambos bobinados.

Dado que la fuerza contraelectromotriz es directamente proporcional al flujo inductor (1), al disminuir ste, por la contraposicin del 2, se da un incremento en la corriente I1.

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Razn de transformacin K del transformador
Relacin de transformacin K
La razn de transformacin K es el valor del conciente que resulta de dividir la cantidad de espiras del bobinado primario (N1) y del bobinado secundario (N2).

K= N1/N2
En un transformador al vaco (sin carga), las fuerzas electromotrices inducidas (E1 y E2) guardan un relacin directa, por lo que tambin se puede determinar la relacin de transformacin con E1 y E2.

K= E1/E2
Otra forma de determinar la relacin de transformacin es partiendo de las intensidades (corrientes) nominales del bobinado primario y del bobinado secundario (I1 e I2), basado en la relacin inversa que guardan con las fuerza electromotrices.

K= I2/I1

En el grfico anterior se ilustran los parmetros de N1, N2, E1, E2, I1 e I2 De lo anterior se resume que la relacin de transformacin se determina:

K= N1/N2 = E1/E2 = I2/I1


Estas ltimas ecuaciones no solo permiten obtener la relacin de transformacin K por diferentes medios, si no que permiten obtener los valores de voltaje, corriente y nmero de vueltas en los bobinados (N1 y N2) si se conocen el valor de K y uno o ms de los otros parmetros.

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Polaridad de un transformador
Qu es polaridad en un transformador?
Las bobinas secundarias de los transformadores monofsicos se arrollan en el mismo sentido de la bobina primaria o en el sentido opuesto, segn el criterio del fabricante. Debido a esto, podra ser que la intensidad de corriente en la bobina primaria y la de la bobina secundaria circulen en un mismo sentido, o en sentido opuesto.

Polaridad Aditiva:
La polaridad positiva se da cuando en un transformador el bobinado secundario est arrollado en el mismo sentido que el bobinado primario. Esto hace que los flujos de los dos bobinados giren en el mismo sentido y se sumen. Los terminales H1 y X1 estn cruzados. Ver diagrama.

Polaridad Sustractiva:
La polaridad sustractiva se da cuando en un transformador el bobinado secundario esta arrollado en sentido opuesto al bobinado primario. Esto hace que los flujos de los dos bobinados giren en sentidos opuestos y se resten. Los terminales H1 y X1 estn en lnea. Ver diagrama.

Como determinar la polaridad de un transformador


Para determinar la polaridad del transformador, se coloca un puente entre los terminales del lado izquierdo del transformador y se coloca un voltmetro entre los terminales del lado derecho del mismo, luego se alimenta del bobinado primario con un valor de voltaje (Vx). Ver el diagrama. Si la lectura del voltmetro es mayor que Vx el transformador es aditivo o si es menor el transformador es sustractivo.

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Prdidas de potencia de un transformador elctrico
Perdidas de potencia
En un transformador elctrico, al igual que en todas las mquinas elctricas, hay prdidas de potencia. Por tratarse de una mquina esttica, no existen prdidas de potencia de origen mecnico en un transformador y stas se reducen a las del hierro del circuito magntico y las del cobre de los bobinados.

Prdidas en el hierro (Ph):


La potencia prdida en el hierro del circuito magntico de un transformador puede ser medida la prueba de vaco. Se alimenta el transformador al vaco, la potencia absorbida en ese momento corresponde exactamente a las prdidas en el hierro. En efecto por ser nula la intensidad de corriente en el bobinado secundario no aparecen en el prdidas de potencia. Por consiguiente se puede afirmar que el total de la potencia absorbida por un transformador funcionando al vaco bajo a voltaje nominal, representa el valor de la potencia prdida en el hierro del circuito magntico. Dichas prdidas son causadas por el fenmeno de histresis y por las corrientes de foucoult, las cuales dependen del voltaje de la red, de la frecuencia y de la inductancia a que est sometido el circuito magntico. La potencia prdida en el ncleo permanece constante, ya sea en vaco o con carga.

Prdidas en el cobre (Pc):


Es la suma de las potencias prdidas en los bobinados de un transformador, funcionando bajo carga nominal. El valor de esta potencia depende de la intensidad de corriente tanto en el bobinado primario como en el secundario, la cual vara mucho desde el funcionamiento en vaco a plena carga. La variacin del valor de la potencia prdida en el cobre es proporcional al cuadrado de la intensidades de corriente de carga y a la resistencia de los bobinados. Pcu = I12 x r1 + I22 x r2 Donde: Pcu = Prdidas en los bobinados del transformador. I1 = Intensidad en el bobinado primario.

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I2 = Intensidad en el bobinado secundario. r1 = Resistencia del bobinado primario. r2 = Resistencia del bobinado secundario. Otra forma de determinar las prdidas en los bobinados de un transformador es mediante la prueba de cortocircuito. Para lograr sto se alimenta el bobinado primario bajo un voltaje de valor tal, que estando cerrado en cortocircuito el bobinado secundario, sean recorridos ambos bobinados por intensidades de corriente iguales a sus valores nominales respectivos. La potencia absorbida por el transformador en estas condiciones corresponde exactamente a las prdidas totales en el cobre del conjunto de los dos bobinados. En efecto las prdidas de potencia totales es el resultado de la prdidas en el ncleo (Ph) ms las prdidas en el cobre de los bobinados (Pcu). Prdidas totales = Ph + Pcu

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Rendimiento de un transformador elctrico
Rendimiento de un transformador
El rendimiento de un transformador es variable y depende varios factores: - Del valor de la potencia suministrada - De la forma del transformador y - De la calidad de los materiales con los que fue contruido (ncleo y bobinados). El rendimiento, por ser un dato relativo (un dato de potencia medida depende del otro dato de potencia medido). se expresa en porcentaje. Ver la frmula abajo. Para determinar el rendimiento de un transformador, se alimenta el bobinado primario con el voltaje nominal, se coloca la carga nominal en el bobinado secundario y se miden la potencia de entrada Pa (potencia absorbida por el transformador) y la potencia de salida Pu (potencia til). Estos valores medidos se reemplazan en la siguiente frmula. Rendimiento (%) = (Pu x 100) / Pa Donde: - Pu = Potencia til - Pa = Potencia absorbida.

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Impedancia y tensin de corto circuito
Impedancia y Tensin de corto circuito de un transformador
El propsito que tiene el ensayo o prueba de cortocircuito es el de determinar: - Las prdidas en los bobinados. - Las prdidas de voltaje en el secundario cuando el transformador est funcionando nominalmente y - La impedancia del transformador principalmente. Para realizar la prueba se pone el bobinado secundario del transformador en cortocircuito y se alimenta el bobinado primario con un voltaje alterno regulable. El voltaje alterno regulable parte de cero voltios y va incrementando su valor hasta alcanzar las corrientes (Ver corriente alterna) nominales en ambos bobinados del transformador. Con los valores nominales de corriente en ambos bobinados se mide el valor del voltaje en el primario (Ecc) y se determina la impedancia del transformador utilizando la siguiente frmula

Imp = Ecc x 100 / E1 (%)


Donde: Imp = Impedancia del transformador en %. Ecc = Voltaje o tensin de cortocircuito. E1 = Voltaje primario nominal. En el diagrama que se muestra a continuacin se utiliza un autotransformador para obtener el voltaje alterno regulable para alimentar el bobinado primario del transformador.

I1 es corriente en el bobinado primario e I2 es corriente en el secundario que est en corto circuito. El valor de la impedancia del transformador (Imp) debe tomarse en cuenta a la hora de realizar acoples para que no existan desbalances a la hora de aplicarle carga al banco de transformadores. Tambin indica la eficiencia y calidad del transformador, ya que mientras ms alto es el valor de la impedancia, mayores sern sus prdidas.

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Transformador con diferentes cargas. Carga Resistiva
Las caractersticas de funcionamiento de los transformadores cambian segn el tipo de carga que tenga conectada en el bobinado secundario. Esta carga puede ser de origen resistivo, capacitivo o inductivo. Tomando en consideracin que la fuerza electromotriz (E2) que se induce en el secundario, est determinada por la suma vectorial del voltaje de utilizacin (v) ms la cada de voltaje interna (ec) producida por los propios bobinados, la cual es de origen inductiva y constante con cualquier tipo de carga. Dicha cada, tiene un desfase con respecto a la intensidad (corriente) que vara de acuerdo a las caractersticas ohmicas de los bobinados.

Transformador con carga resistiva


Al aplicarle carga resistiva al transformador, la intensidad (corriente) de la carga se encuentra en fase con el voltaje de utilizacin (v), al circular corriente por los bobinados se produce la cada interna (ec) que esta adelantada en un ngulo x con respecto a la intensidad (corriente). Al representar grficamente los vectores de estas magnitudes se obtiene:

Se puede ver en el diagrama anterior que la corriente y el voltaje estn en fase como corresponde a una carga resistiva. Para realizar el clculo de la representacin vectorial, se toma como ejemplo: E2 = 240V, ec = 10V, con un ngulo de desfase de 60

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Transformador con carga Capacitiva
Cuando se aplica carga capacitiva a un transformador, la corriente (I) en la carga se adelanta 90 con respecto al voltaje. Esto quiere decir que la corriente se desfasa hacia adelante 90 con respecto al voltaje de utilizacin (V). Tomando en cuenta este desfase, se obtiene la cada interna (ec) del transformador (cada de voltaje). De esta manera la ecuacin que da de la siguiente manera:

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Transformador con carga inductiva
Cuando a un transformador elctrico se le aplica una carga inductiva, la corriente (intensidad) en la carga se desfasa (se atrasa) con respecto al voltaje de utilizacin. El ngulo de la corriente respecto al voltaje de utilizacin vara de acuerdo a las caractersticas del bobinado de la carga. Como la cada de voltaje interno y la cada de voltaje en la carga tienen el mismo origen, se puede asumir que los desfases son similares, por esta razn tienen la misma direccin. Partiendo de los datos del ejemplo anterior (Ver: transformador con carga resistiva y transformador con carga capacitica) tenemos: V = 230V. E2 - ec = 240 - 10 = 230V De los clculos anteriores se obtiene que de acuerdo al tipo de carga que se le conecte al transformador, as ser el valor del voltaje de utilizacin, partiendo de un valor dado de fuerza electromotriz. Entonces: - con Carga resistiva: E2=240V, ec=10V, V=234.84 - con Carga capacitiva: E2=240V, ec=10V, V=248.60 (Con carga capacitiva el valor del voltaje de utilizacin se incrementa debido a la potencia reactiva que tiene el capacitor.) - con Carga inductiva: E2=240V, ec=10V, V=230.00V

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Conexin de transformadores monofsicos
A menudo, cuando se requiere aumentar la potencia de un transformador monofsico, se le acopla otro transformador en paralelo. Para implementar sto, se debe respetar los valores del voltaje en el bobinado primario, voltaje en el bobinado secundario, la impedancia de los bobinados y que guarden una relacin de 4:1 como mximo entre primario y secundario. Ver: Razn de transformacin K de un transformador Para acoplar dos transformadores monofsicos se puede seguir el siguiente procedimiento prctico: a) La conexin de los bobinados primarios se hace normalmente y en forma difinitiva, H1 con H1 y H2 con H2. (ver diagrama de la izquierda) b) En el secundario, la conexin que une los bornes intermedios de estos bobinados y que corresponden al neutro (N) tambin se puede hacer en forma definitiva. (ver diagrama de la izquierda) c) Se hace un puente provisional en los bornes del lado izquierdo y se intercala un voltmetro en los bornes del lado derecho.(ver el diagrama)

d) Luego se alimenta el banco. - Si los transformadores tienen polaridad distinta, el voltmetro indicar algn valor de voltaje. - Si los transformadores tienen la misma polaridad, el voltmetro no indicar ningn voltaje. En este ltimo caso se pueden hacer los puentes en forma definitiva. (diagrama de la derecha) De lo contrario se intercambian los puentes. Ver: Polaridad de un transformador

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Conexin de transformadores Trifsicos
Para obtener una corriente elctrica trifsica es necesario la implementacin de un banco de transfomadores trifsico. El valor de la corriente es determinado por el tipo de conexin de transformadores que se utilise. El tipo de conexin en los bobinados primarios de los transformadores depender del valor del voltaje de la red y de los mismos bobinados primarios de los transformadores. El tipo de conexin secundaria esta determinado por el valor de voltaje que se desee. Hay las siguientes opciones de bancos trifsicos:

Conexin Estrella

Conexin Delta

Conexin Estrella renca (solamente en el primario)

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Conexin Delta abierta (solamente en el primario)

Nota: Las conexiones se hacen el los secundarios de los transformadores a no ser que se indique lo contrario.

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Conexin de transformadores monofsicos
A menudo, cuando se requiere aumentar la potencia de un transformador monofsico, se le acopla otro transformador en paralelo. Para implementar sto, se debe respetar los valores del voltaje en el bobinado primario, voltaje en el bobinado secundario, la impedancia de los bobinados y que guarden una relacin de 4:1 como mximo entre primario y secundario. Ver: Razn de transformacin K de un transformador Para acoplar dos transformadores monofsicos se puede seguir el siguiente procedimiento prctico: a) La conexin de los bobinados primarios se hace normalmente y en forma difinitiva, H1 con H1 y H2 con H2. (ver diagrama de la izquierda) b) En el secundario, la conexin que une los bornes intermedios de estos bobinados y que corresponden al neutro (N) tambin se puede hacer en forma definitiva. (ver diagrama de la izquierda) c) Se hace un puente provisional en los bornes del lado izquierdo y se intercala un voltmetro en los bornes del lado derecho.(ver el diagrama)

d) Luego se alimenta el banco. - Si los transformadores tienen polaridad distinta, el voltmetro indicar algn valor de voltaje. - Si los transformadores tienen la misma polaridad, el voltmetro no indicar ningn voltaje. En este ltimo caso se pueden hacer los puentes en forma definitiva. (diagrama de la derecha) De lo contrario se intercambian los puentes. Ver: Polaridad de un transformador

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Conexin de transformadores Trifsicos
Para obtener una corriente elctrica trifsica es necesario la implementacin de un banco de transfomadores trifsico. El valor de la corriente es determinado por el tipo de conexin de transformadores que se utilise. El tipo de conexin en los bobinados primarios de los transformadores depender del valor del voltaje de la red y de los mismos bobinados primarios de los transformadores. El tipo de conexin secundaria esta determinado por el valor de voltaje que se desee. Hay las siguientes opciones de bancos trifsicos:

Conexin Estrella

Conexin Delta

Conexin Estrella renca (solamente en el primario)

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Conexin Delta abierta (solamente en el primario)

Nota: Las conexiones se hacen el los secundarios de los transformadores a no ser que se indique lo contrario.

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Diodo semiconductor
El diodo semiconductor es el dispositivo semiconductor ms sencillo y se puede encontrar, prcticamente en cualquier circuito electrnico. Los diodos se fabrican en versiones de silicio (la ms utilizada) y de germanio.

Smbolo del diodo ( A - nodo, K - ctodo) Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P, separados por una juntura llamada barrera o unin. Esta barrera o unin es de 0.3 voltios en el diodo de germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el diodo de silicio.

Principio de operacin de un diodo


El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y el semiconductor tipo P tiene huecos libres (ausencia o falta de electrones) Cuando una tensin positiva se aplica al lado P y una negativa al lado N, los electrones en el lado N son empujados al lado P y los electrones fluyen a travs del material P mas all de los lmites del semiconductor. De igual manera los huecos en el material P son empujados con una tensin negativa al lado del material N y los huecos fluyen a travs del material N. En el caso opuesto, cuando una tensin positiva se aplica al lado N y una negativa al lado P, los electrones en el lado N son empujados al lado N y los huecos del lado P son empujados al lado P. En este caso los electrones en el semiconductor no se mueven y en consecuencia no hay corriente El diodo se puede hacer trabajar de 2 maneras diferentes:

Polarizacin directa
Es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta de la flecha (la del diodo), o sea del nodo al ctodo. En este caso la corriente atraviesa el diodo con mucha facilidad comportndose prcticamente como un corto circuito.

Polarizacin inversa
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Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido opuesto a la flecha (la flecha del diodo), o sea del ctodo al nodo. En este caso la corriente no atraviesa el diodo, y se comporta prcticamente como un circuito abierto. Nota: El funcionamiento antes mencionado se refiere al diodo ideal, sto quiere decir que el diodo se toma como un elemento perfecto (como se hace en casi todos los casos), tanto en polarizacin directa como en polarizacin inversa.

Aplicaciones del diodo


Los diodos tienen muchas aplicaciones, pero una de la ms comunes es el proceso de conversin de corriente alterna (C.A.) a corriente continua (C.C.). En este caso se utiliza el diodo como rectificador

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Diodo Zener

Caractersticas del diodo Zener


El diodo zener es un tipo especial de diodo, que siempre se utiliza polarizado inversamente.

Recordar que los diodos comunes, como el diodo rectificador (en donde se aprovechan sus caractersticas de polarizacin directa y polarizacin inversa), conducen siempre en el sentido de la flecha. En este caso la corriente circula en contra de la flecha que representa el diodo. Si el diodo zener se polariza en sentido directo se comporta como un diodo rectificador comn. Cuando el diodo zener funciona polarizado inversamente mantiene entre sus terminales un voltaje constante. En el grfico se ve el smbolo de diodo zener (A - nodo, K - ctodo) y el sentido de la corriente para que funcione en la zona operativa Se analizar el diodo Zener, no como un elemento ideal, si no como un elemento real y se debe tomar en cuenta que cuando ste se polariza en modo inverso si existe una corriente que circula en sentido contrario a la flecha del diodo, pero de muy poco valor.

Curva caracterstica del diodo Zener


Analizando la curva del diodo zener se ve que conforme se va aumentando negativamente el voltaje aplicado al diodo, la corriente que pasa por el aumenta muy poco.

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Pero una vez que se llega a un determinado voltaje, llamada voltaje o tensin de Zener (Vz), el aumento del voltaje (siempre negativamente) es muy pequeo, pudiendo considerarse constante. Para este voltaje, la corriente que atraviesa el diodo zener, puede variar en un gran rango de valores. A esta regin se le llama la zona operativa. Esta es la caracterstica del diodo zener que se aprovecha para que funcione como regulador de voltaje, pues el voltaje se mantiene practicamente constante para una gran variacin de corriente. Ver el grfico.

Qu hace un regulador con Zener?


Un regulador con diodo zener ideal mantiene un voltaje predeterminado fijo a su salida, sin importar las variaciones de voltaje en la fuente de alimentacin y/o las variaciones de corriente en la carga. Nota: En las fuentes de voltaje ideales (algunas utilizan, entre otros elementos el diodo zener), el voltaje de salida no vara conforme vara la carga. Pero las fuentes no son ideales y lo normal es que el voltaje de salida disminuya conforme la carga va aumentado, o sea conforme la demanda de corriente de la carga aumente. (ver: resistencia interna de las fuentes de tensin)

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Diodo Schottky
Diodo Schottky
A diferencia del diodo semiconductor normal que tiene una unin PN, el diodo schottky tiene una unin Metal-N. Estos diodos se caracterizan por su velocidad de conmutacin, una baja cada de Voltaje uando estn polarizados en directo (tpicamente de 0.25 a 0.4 voltios). El diodo Schottky est ms cerca del diodo ideal que el diodo semiconductoromn pero tiene algunas caractersticas que hacen imposible su utilizacin en aplicaciones de potencia. Estas son: - El diodo Schottky tiene poca capacidad de conduccin de corriente en directo (en sentido de la flecha). Esta caracterstica no permiten que sea utilizado como diodo rectificador. Hay procesos de rectificacin (por ejemplo fuentes de alimentacin) en que la cantidad de corriente que tienen que conducir en sentido directo es bastante grande. - El diodo Schottky no acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente (VCRR). El proceso de rectificacin antes mensionado tambin requiere que la tensin inversa que tiene que soportar el diodo sea grande. Sin embargo el diodo Schottky encuentra gran cantidad de aplicaciones n circuitos de alta velocidad como en computadoras, donde se necesitan grandes velocidades de conmutacin y su poca cada de voltaje en directo ausa poco gasto de energa. El smbolo del diodo Schottky se ve en el diagrama a la derecha.

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Diodo Tunnel
Diodo Tunnel (caracterstica de resistencia negativa)
En el diagrama se ve el smbolo del diodo Tunnel El diodo Tunnel se comporta de una manera muy interesante conforme se le va aumentando una tensin aplicada en sentido directo. - Cuando se aplica una pequea tensin, el diodo tunnel empieza a conducir (la corriente empieza a fluir). - Si se sigue aumentando esta tensin la corriente aumentar hasta llegar un punto despus del cual la corriente disminuye. - La corriente continuar disminuyendo hasta llegar al punto mnimo de un "valle" y .... - Despus volver a incrementarse. En esta ocasin la corriente continuar aumentando conforme aumenta la tensin. Este comportamiento de la corriente en funcin de la tensin en el diodo tunnel se puede ver en el siguiente grfico. Vp: Tensin pico Vv: Tensin de valle Ip: Corriente pico Iv: Corriente de valle

La regin en el grfico en que la corriente disminuye cuando la tensin aumenta (entre Vp y Vv) se llama "zona de resistencia negativa" El diodo tunnel se llama tambin diodo Esaki en honor a su inventor japons Leo Esaki Los diodos tunnel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy rpidamente, cambiando de estado de conduccin al de no conduccin incluso ms rpido que los diodos Schottky. Desgraciadamente, este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene una corriente de fuga muy grande cuando estn polarizados en reversa. As estos diodos slo encuentran aplicaciones reducidas como en circuitos osciladores de alta frecuencia.

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Diodo varactor (Varicap)
Caractersticas, relacin tensin-capacitancia
Todos los diodos cuando estn polarizados en sentido opuesto tienen una capacitancia que aparece entre sus terminales. Los diodos varactores o varicap han sido diseados de manera que su funcionamiento sea similar al de un capacitor y tengan una caracterstica capacitancia-tensin dentro de lmites razonables En el siguiente grfico se muestra las similitudes entre un diodo y un capacitor. Debido a la recombinacin de los portadores en el diodo, una zona de agotamiento se forma en la juntura. Esta zona de agotamiento acta como un dielctrico (aislante), ya que no hay ninguna carga y flujo de corriente. Las reas exteriores a la zona de agotamiento si tienen portadores de carga (rea semiconductor). Se puede visualizar sin dificultad la formacin de un capacitor en el diodo (dos materiales semiconductores deparados por un aislante). La amplitud de la zona de agotamiento se puede ampliar incrementando la tensin inversa aplicada al diodo con una fuente externa. Esto causa que se aumente la separacin (aislante) y separa ms las reas semiconductoras. Este ltimo disminuye la capacitancia. Entonces la capacitancia es funcin de la tensin aplicada al diodo. - Si la tensin aplicada al diodo aumenta la capacitancia disminuye - Si la tensin disminuye la capacitancia aumenta

Smbolo del diodo varactor

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Diodo Gunn. Efecto Gunn
Efecto Gunn
El efecto fue descubierto por Gunn en 1963. Este efecto es un instrumento eficaz para la generacin de oscilaciones en el rango de las microondas en los materiales semiconductores. Gunn observ esta caracterstica en el Arseniuro de Galio (GaAs) y el Fsforo de Indio (InP) El efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los semiconductores y no depende de la unin misma, ni de los contactos, tampoco depende de los valores de voltaje y corriente y no es afectado por campos magnticos. Cuando se aplica un pequeo voltaje continuo a travs de una plaquita delgada de Arseniuro de Galio (GaAs), sta presenta caractersticas de resistencia negativa. Todo esto bajo la condicin de que el voltaje en la plaquita sea mayor a los 3.3 voltios / cm. Ahora, si esta plaquita es conectada a un circuito sintonizado (generalmente una cavidad resonante), se producirn oscilaciones y todo el conjunto se puede utilizar como oscilador. Este efecto Gunn slo se da en materiales tipo N (material con exceso de electrones) y las oscilaciones se dan slo cuando existe un campo elctrico. Estas oscilaciones corresponden aproximadamente al tiempo que los electrones necesitan para atravesar una plaquita de material tipo N cuando se aplica el voltaje en continua.

Resistencia negativa en el diodo Gunn


El Arseniuro de Galio (GaAs) es uno de los pocos materiales semiconductores que en una muestra con dopado tipo N, tiene una banda de energa vaca ms alta que la ms elevada de las que se encuentran ocupadas parcial o totalmente. Funcionamiento de resistencia positiva: Cuando se aplica un voltaje a la plaquita (tipo N) de Arseniuro de Galio (GaAs), los electrones, que el material tiene en exceso, circulan y producen una corriente al terminal positivo. Si se aumenta la tensin, la velocidad de la corriente aumenta. Comportamiento tpico y el grfico tensin-corriente es similar al que dicta la ley de Ohm. Funcionamiento de resistencia negativa: Si a plaquita anterior se le sigue aumentando el voltaje, se les comunica a los electrones una mayor energa, pero en lugar de moverse ms rpido, los electrones saltan a una banda de energa ms elevada, que normalmente esta vaca, disminuyen su velocidad y por ende la corriente.

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De esta manera una elevacin del voltaje en este elemento causa una disminucin de la corriente. Eventualmente, el voltaje en la plaquita se hace suficiente para extraer electrones de la banda de mayor energa y menor movilidad, por lo que la corriente aumentar de nuevo con el voltaje. La caracterstica voltaje contra corriente se parece mucho a la del diodo Tunnel. La aplicacin ms comn es la del oscilador Gunn

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Transistor bipolar o BJT
El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio. Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de transistor.

El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el grfico de transistor. El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra (emisor) , una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin. Este factor se llama (beta) y es un dato propio de cada transistor. Entonces: - Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a (factor de amplificacin) por Ib (corriente que pasa por la patilla base). - Ic = * Ib - Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, slo que, la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de l, o viceversa. Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se cambia Vcc. Ver figura.

En el segundo grfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender que a ms corriente la curva es ms alta.

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Transistor bipolar: Regiones Operativas y Configuraciones

Regiones operativas del transistor


- Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando la corriente de colector = la corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0) En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. Como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib = 0) - Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando la corriente de colector = la corriente de emisor = la corriente mxima, (Ic = Ie = I mxima) En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de los resistores conectados en el colector o el emisor o en ambos, ver L a ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces ms grande. (recordar que Ic = * Ib) - Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.

Configuraciones del transistor bipolar


Hay tres tipos de configuraciones tpicas en los amplificadores con transistores, cada una de ellas con caractersticas especiales que las hacen mejor para cierto tipo de aplicacin. y se dice que el transistor no est conduciendo. Normalmente este caso se presenta cuando no hay corriente de base (Ib = 0) - Amplificador emisor comn - Amplificador colector comn - Amplificador base comn

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Nota: Corriente de colector y corriente de emisor no son exactamente iguales, pero se toman como tal, debido a la pequea diferencia que existe entre ellas, y que no afectan en casi nada a los circuitos hechos con transistores.

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Transistor Darlington
Estructura interna, configuracin de patillas, ganancia de corriente
El transistor Darlington es un tipo especial de transistor que tiene una alta ganancia de corriente. Est compuesto internamente por dos transistores bipolares que se conectan es cascada. Ver la figura. El transistor T1 entrega la corriente que sale por su emisor a la base del transistor T2. La ecuacin de ganancia de un transistor tpico es: IE= x IB (Corriente de colector es igual a beta por la corriente de base). Entonces analizando el grfico: - Ecuacin del primer transistor es: IE1 = 1 x IB1 (1), - Ecuacin del segundo transistor es: IE2 = 2 x IB2 (2) Observando el grfico, la corriente de emisor del transistor (T1) es la misma que la corriente de base del transistor T2. Entonces IE1 = IB2 (3)

El transistor comn con la identificacin de las patillas

Transistor Darlington con la identificacin de las patillas y su estructura interna

Entonces utilizando la ecuacin (2) y la ecuacin (3) se obtiene: IE2 = 2 x IB2 = 2 x IE1 Reemplazando en la ecuacin anterior el valor de IE1 (ver ecuacin (1) ) se obtiene la ecuacin final de ganancia del transistor Darlington.

IE2 = 2 x 1 x IB1
Como se puede deducir, este amplificador tiene una ganancia mucho mayor que la de un transistor corriente, pues aprovecha la ganancia de los dos transistores. ( la ganancias se multiplican). Si se tuvieran dos transistores con ganancia 100 ( = 100) conectados como un transistor Darlington y se utilizara la frmula anterior, la ganancia sera, en teora: 2 x 1 = 100 x 100 = 10000. Como se ve es una ganancia muy grande. En la realidad la ganancia es menor.

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Se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas grandes con corrientes muy pequeas. Muy importante: La cada de tensin entre la base y el emisor del transistor Darlington es 1.4 voltios que resulta de la suma de las cadas de tensin de base a emisor del primer transistor B1 a E1 (0.7 voltios) y base a emisor del segundo transistor B2 y E2 (0.7 voltios).

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Caractersticas de transistor bipolar o BJT
1.1.- Introduccin
El transistor es un dispositivo que ha originado una evolucin en el campo electrnico. En este tema se introducen las principales caractersticas bsicas del transistor bipolar y FET y se estudian los modelos bsicos de estos dispositivos y su utilizacin en el anlisis los circuitos de polarizacin. Polarizar un transistor es una condicin previa a muchas aplicaciones lineales y no-lineales ya que establece las corrientes y tensiones en continua que van a circular por el dispositivo.

Figura 1.1. Smbolos y sentidos de referencia para un transistor bipolar a) NPN y b) PNP.

1.2.- Corrientes en un transistor de unin o BJT


Un transistor bipolar de unin esta formado por dos uniones pn en contraposicin. Fsicamente, el transistor esta constituido por tres regiones semiconductoras -emisor, base y colector- siendo la regin de base muy delgada (< 1m). El modo normal de hacer operar a un transistor es en la zona directa. En esta zona, los sentidos de las corrientes y tensiones en los terminales del transistor se muestran en la figura 1.1.a para un transistor NPN y en la figura 1.1.b a un PNP. En ambos casos se verifica que:

Ebers y Moll desarrollaron un modelo que relacionaba las corrientes con las tensiones en los terminales del transistor. Este modelo, conocido como modelo de Ebers-Moll, establece las siguientes ecuaciones generales que, para un transistor NPN, son: F = 0.99, R= 0.66, IES = 10-15A, ICS = 10-15A

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donde IES y ICS representan las corrientes de saturacin para las uniones emisor y colector, respectivamente, aF el factor de defecto y aR la fraccin de inyeccin de portadores minoritarios. En un transistor bipolar PNP, las ecuaciones de Ebers-Moll son:

Para un transistor ideal, los anteriores cuatro parmetros estn relacionados mediante el teorema de Reciprocidad

Valores tpicos de estos parmetros son:

Figura 1.2. Zonas de operacin de un transistor en la regin directa.

Unin de emisor Directa Inversa Inversa Directa

Unin de colector Inversa Directa Inversa Directa

Modo de operacin Activa directa Activa inversa Corte Saturacin

Tabla 1.1. Principales modos de operacion de un transistor bipolar

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Modos de operacin del BJT: Regin activa lineal
1.3.- Modos de operacin de un transistor bipolar
En general, los transistores bipolares de circuitos analgicos lineales estn operando en la regin activa directa. En esta regin existe cuatro zonas de operacin definidas por el estado de las uniones del transistor (Tabla 1.1): saturacin, lineal, corte y ruptura; estas zonas se indican claramente en la figura 1.2 que representa las zonas de operacin de un transistor. A continuacin se describe las caractersticas del transistor en estos modos de operacin considerando el transistor NPN nicamente; similar resultado puede ser aplicado a transistores PNP.

Regin activa lineal


En la regin activa lineal, la unin emisor-base est directamente polarizada y la unin base-colector inversamente polarizada; la VBE est comprendida entre 0.4 V y 0.8 V (valor tpico de 0.7 V) y la VBC > 100mV. En estas condiciones, las ecuaciones de Ebers-Moll se pueden aproximar a:

Operando con estas ecuaciones, se obtiene una relacin entre ambas intensidades de forma que: donde: Sustituyendo la ecuacin 1.1 en 1.7, resulta: siendo:

F, es la ganancia en corriente en continua del transistor que en las hojas de caractersticas del fabricante se representa por hFE. Este parmetro es muy importante en un transistor de unin y define la relacin entre las corrientes de colector y base. Al ser ICO una corriente muy baja, el segundo trmino de la ecuacin (1.9) puede ser despreciado frente al primero. Como resultado, se obtiene una relacin muy utilizada para analizar transistores que operen en esta regin La ecuacin (1.11) indica que en la regin activa lineal la relacin entre las corrientes de colector y base es constante. Sin embargo, en la prctica la hFE de los transistores vara hasta en un 500% debido principalmente a tres factores:

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1) Proceso de fabricacin. Los transistores sufren variaciones en el proceso de fabricacin que modifican sus caractersticas. El fabricante asigna un valor tpico (typ) a ese transistor con un rango de valores comprendido entre un mximo (max) y un mnimo (min). Por ejemplo, el BC547B tiene, para una IC=2mA, una hFE(min)=200, hFE(typ)=290 y hFE(max)=450. 2) Corriente de colector. La hFE vara tambin con la corriente de colector. El fabricante proporciona curvas de caractersticas que permiten obtener la hFE para diferentes IC. En la figura 1.3 se muestra una de estas curvas

que incluye el valor tpico de la hFE con un rango de valores mximo y mnimo. 3) Temperatura. La dependencia de la hFE con la temperatura se puede observar en las grficas que proporciona el fabricante para tal fin. En la figura 1.4 se describe diferentes curvas normalizadas a 25 de hFE para temperaturas de 55C y 175C.

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Modos de operacin del BJT: Regin de Corte
Regin de corte
En la regin de corte las uniones de emisor y colector estn polarizadas en inversa; la VBE y la VBC tienen tensiones inferiores a 100mV. En estas condiciones, las ecuaciones de Ebers-Moll pueden ser simplificadas a:

Estas corrientes son extremadamente bajas y pueden ser despreciadas; a efectos prcticos se puede considerar al transistor como si no existiese. Sin embargo, en muchos circuitos resulta interesante establecer cuando se dan las condiciones de conduccin de un transistor, es decir, fijar la frontera entre la regin de corte y lineal. Esta frontera no es clara y el transistor pasa de una regin a otra de una manera gradual. Es decir, el transistor est en la regin lineal cuando tiene corrientes significativas en sus terminales y est en corte cuando esas corrientes son muy bajas. Normalmente, se asigna una VBE umbral (VBEy) a partir de la cual las corrientes tienen un valor suficientemente alto; esta VBEy suele estar comprendida entre 0.4 y 0.5 V. En la figura 1.5 se muestra grficamente la relacin entre la VBE y la IC en donde se puede observar como por debajo de 0.58 V (typ) la corriente de colector es de bajo valor (<100).

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Modos de operacin del BJT: Regin de Saturacin
Regin de saturacin
En la regin de saturacin las uniones de emisor y colector estn polarizadas en directa; la VBE y la VBC tienen tensiones superiores 100mV. En estas condiciones, las ecuaciones de Ebers-Moll quedan reducidas a

La cada de tensin entre el colector y emisor es muy baja debido a que ambas uniones pn se encuentran directamente polarizadas. De esta manera, se verifica que

siendo, de 1.13,

Los valores tpicos de la VCE(sat) estn prximos a 0.1 o 0.2 V y la VBE(sat) es ligeramente superior a la de la regin lineal (0.8 V). El transistor est operando con una relacin F(sat)=IC/IB variable e inferior a la F de la regin lineal. En la figura 1.6 aparece una curva tpica que proporciona el fabricante relacionando la VCE(sat) con la IC realizada con una F(sat)=20. La VCE(sat) est comprendida entre 70mV y 200mV, y por ello, en muchos circuitos se considera prcticamente 0V. En esta regin el transistor se comporta de una manera no lineal.

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Modos de operacin del BJT: Regin de ruptura y zona inversa
Regin de ruptura
Las tensiones mximas que pueden soportar las uniones pn inversamente polarizadas se denominan tensiones de ruptura. Cuando se alcanza estas tensiones existe peligro de ruptura del transistor debido a dos fenmenos: ruptura por avalancha y ruptura por perforacin. El fabricante proporciona dos tensiones mximas (VCEO, VCES) que limitan de alguna manera las tensiones mximas de polarizacin en continua los transistores. La VCEO define la tensin mxima entre el colector y emisor, estando la base en circuito abierto, antes de que se produzca fenmenos de multiplicacin de avalancha que incrementa exponencialmente la ICO a travs de la unin de colector. La VCES define la tensin mxima del colector, estando la base en cortocircuitada al emisor, antes de que la anchura de la regin de transicin alcance el emisor perforando la regin de base. Grficamente, en la figura 1.7 se muestra la definicin de ambas tensiones. Por ejemplo, el transistor BC547 tiene VCES=50 V y VCEO=45 V, y son stas tensiones las que limitan las propias tensiones mximas de alimentacin.

Zona inversa
En la regin inversa los terminales colector y emisor se intercambian, es decir, el emisor hace la funcin de colector y viceversa. Las curvas elctricas son muy similares a las indicadas en la figura 1.2 aunque las prestaciones del transistor sufren una gran disminucin al carecer de simetra; el colector est menos dopado y tiene mayor tamao que el emisor. El efecto ms importante es la disminucin de la ganancia en corriente en continua que pasa a tener valores altos (p.e., F=200) en la regin directa lineal a valores bajos (p.e., I=2) en la regin inversa lineal.

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Concepto de punto de trabajo del BJT
1.4 Punto de trabajo
El transistor bipolar que opera en la regin lineal tiene unas caractersticas elctricas lineales que son utilizadas para amplificacin. En estos circuitos, las seales de entrada son amplificadas a la salida y, por consiguiente, hay un aporte de energa realizado a travs de fuentes de tensin externas denominadas fuentes de alimentacin o fuentes de polarizacin. Las fuentes de alimentacin cubren dos objetivos: proporcionar las corrientes y tensiones en continua necesarias para que el transistor opere en la regin lineal y suministrar energa al transistor de la que parte de ella va a ser convertida en potencia (amplificacin). Los valores de corrientes y tensiones en continua en los terminales de un transistor se denomina punto de trabajo y se suele expresar por la letra Q (Quiescent operating point). En transistor del circuito de la figura 1.8.a est polarizado con dos resistencias y una fuente de tensin en continua VCC. En este circuito se verifica que

Si suponemos que el transistor se encuentra en la regin directa lineal, entonces se puede relacionar las intensidades de base y colector a travs de la hFE y asignar una tensin base-emisor tpica de 0.7 V. El clculo de las tensiones e intensidades del transistor proporciona su punto de trabajo Q. Para este circuito, Q viene definido por las siguientes ecuaciones:

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Recta de carga esttica del transistor bipolar
1.4 Representacin del punto de trabajo con la recta en carga esttica
En la figura 1.8.b se muestra la representacin grfica del punto de trabajo Q del transistor, especificado a travs de tres parmetros: ICQ, IBQ y la VCEQ. Este punto se encuentra localizado dentro de una recta denominada recta de carga esttica: si Q se encuentra en el lmite superior de la recta el transistor estar saturado, en el lmite inferior en corte y en los puntos intermedios en la regin lineal. Esta recta se obtiene a travs de la ecuacin del circuito que relaciona la IC con la VCE que, representada en las curvas caractersticas del transistor de la figura 1.8.b, corresponde a una recta.

La tercera ecuacin de (1.17) define la recta de carga obtenida al aplicar KVL al circuito de polarizacin, de forma que

Para dibujar esta recta de una manera sencilla en el plano (VCE, IC) del transistor se selecciona dos puntos: a) VCE=0, entonces IC=VCC/RC; b) IC=0, entonces VCE=VCC. Estos puntos se pueden identificar en la figura1.8.b y representan los cortes de la recta de carga esttica con los ejes de coordenadas. Una de las primeras decisiones relacionadas con la polarizacin de un transistor es seleccionar la situacin del punto Q. La seleccin ms prctica es situarle en la mitad de la recta de carga esttica para que la corriente de colector sea la mitad de su valor mximo, condicin conocida como excursin mxima simtrica. Evidentemente esta es una condicin de diseo que asegurar el mximo margen del punto Q a incrementos de cualquier signo de la intensidad de colector. Sin embargo, hay muchas otras condiciones de operacin del transistor que exige un

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desplazamiento de Q en uno u otro sentido. En estos casos la situacin del punto Q estar definida por las diferentes restricciones.

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Potencia de disipacin esttica mxima del BJT
1.4.1 Potencia de disipacin esttica mxima (PCMAX)
Un transistor de unin polarizado tiene unas tensiones y corrientes en sus terminales que le hacen disipar energa. Esta potencia de disipacin se puede obtener aplicando la definicin de potencia absorbida por un elemento tri-terminal, que en caso del transistor, se expresa como:

Debido a que generalmente la IB<<<IC y la VBE<<VCE, el primer trmino de esta ecuacin es despreciable frente al segundo, resultando que

Esta ecuacin representa a una hiprbola en el plano (VCE, IC) de las curvas caractersticas del transistor. El fabricante proporciona como dato la potencia de disipacin mxima de un transistor; como ejemplo, el BC547 tiene una PCMAX=500mW. En la figura 1.8.b se representa la hiprbola de potencia mxima de un transistor. Es preciso que el punto del trabajo Q est por debajo de esa curva ya que sino el transistor se daara por efecto Joule.

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Circuitos de polarizacin de transistores bipolares
1.5.- Circuitos de polarizacin de transistores bipolares
La seleccin del punto de trabajo Q de un transistor se realiza a travs de diferentes circuitos de polarizacin que fijen sus tensiones y corrientes. En la siguiente figura 1.9 se incluyen los circuitos de polarizacin ms tpicos basados en resistencias y fuentes de alimentacin; adems, se indican las ecuaciones que permiten obtener el punto de trabajo de los transistores. Estos circuitos presentan diferencias en algunos casos importantes. Por ejemplo, el circuito de la figura 1.8.a (pgina anterior) es poco recomendable por carecer de estabilidad; bajo ciertas condiciones se puede producir deriva trmica que autodestruye el transistor. La polarizacin de corriente de base de la figura 1.9 es mucho ms estable aunque el que ms se utiliza con componentes discretos es el circuito de autopolarizacin. La polarizacin de colector-base asegura que el transistor nunca entra en saturacin al mantener su tensin colector-base positiva

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Por: Gustavo A. Ruiz Robredo ruizrg@unican.es

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FET (Field Effect Transistor)
El FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo elctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente. El FET est compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que estn unidas entre si. Ver la figura Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. La regin que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama "canal". La corriente circula de Drenaje (D) a Fuente (S). Ver el grfico. Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. El terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta o gate se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg). A mayor voltaje -Vgg, ms angosto es el canal y ms difcil para la corriente pasar del terminal drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensin -Vgg para la que el canal queda cerrado se llama "punch-off" y es diferente para cada FET El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y requieren que halla cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de colector. El FET es controlado por tensin y los cambios en tensin de la compuerta (gate) a fuente (Vgs) modifican la regin de rarefaccin y causan que vare el ancho del canal.

Curva caracterstica del FET

Este grfico muestra que al aumentar el voltaje Vds (voltaje drenador - fuente), para un Vgs (voltaje de compuerta) fijo, la corriente aumenta rpidamente (se comporta como una resistencia) hasta llegar a un punto A (voltaje de estriccin), desde donde la corriente se mantiene casi constante hasta llegar a un punto B (entra en la regin de disrupcin o ruptura), desde donde la corriente aumenta rpidamente hasta que el transistor se destruye.

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Si ahora se repite este grfico para ms de un voltaje de compuerta a surtidor (Vgs), se obtiene un conjunto de grficos. Ver que Vgs es "0" voltios o es una tensin de valor negativo. Si Vds se hace cero por el transistor no circular ninguna corriente. (ver grficos a la derecha) Para saber cual es el valor de la corriente se utiliza la frmula de la curva caracterstica de transferencia del FET. Ver grfico de la curva caracterstica de transferencia de un transistor FET de canal tipo P en el grfico inferior derecha. La frmula es: ID = IDSS (1 - [Vgs / Vgs (off)] ) donde: - IDSS es el valor de corriente cuando la Vgs = 0 - Vgs (off) es el voltaje cuando ya no hay paso de corriente entre drenaje y fuente (ID = 0) - Vgs es el voltaje entre entre la compuerta y la fuente para la que se desea saber ID

Resistencia del canal RDS


Como Vgs es el voltaje que controla el paso de la corriente ID (regula el ancho del canal), se puede comparar este comportamiento como un resistor cuyo valor depende del voltaje VDS. Esto es slo vlido para Vds menor que el voltaje de estriccin (ver punto A en el grfico). Entonces si se tiene la curva caracterstica de un FET, se puede encontrar La resistencia RDS con la siguiente frmula: RDS = VDS/ID Los smbolos del FET son:

Fet canal N ---- Fet canal P

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MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versin NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P. Una delgada capa de material aislante formada de dixido de silicio (SiO2) (tambin llamada "slice" o "slica") es colocada del lado del semiconductor y una capa de metal es colocada del lado de la compuerta (GATE) (ver la figura) En el MOSFET de canal N la parte "N" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain) En el MOSFET de canal P la parte "P" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain)

En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es controlada por la corriente que circula por la base. Sin embargo en el caso de los transistores FET, la corriente de salida es controlada por una tensin de entrada (un campo elctrico). En este caso no existe corriente de entrada. Los transistores MOSFET se pueden daar con facilidad y hay que manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de xido es muy delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta tensin o hay electricidad esttica.

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MOSFET: Principio de operacin
Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensin en la compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source) Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensin positiva se debe aplicar en la compuerta. As los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atrados a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos. El movimiento de estos electrones, crea las condiciones para que aparezca un puente para los electrones entre el drenaje y la fuente. La amplitud o anchura de este puente (y la cantidad de corriente) depende o es controlada por la tensin aplicada a la compuerta.

En el caso del MOSFET de canal P, se da una situacin similar. Cuando se aplica una tensin negativa en la compuerta, los huecos (ausencia de electrones) del canal P del drenaje y de la fuente son atrados hacia la compuerta y pasan a travs del canal N que hay entre ellos, creando un puente entre drenaje y fuente. La amplitud o anchura del puente (y la cantidad de corriente) depende de la tensin aplicada a la compuerta. Debido a la delgada capa de xido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no hay corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensin aplicada a la compuerta. Nota: El sentido de la corriente mostrada en los diagramas el es convencional, no la del flujo de electrones.

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Manipulacin del MOSFET MOS FET
MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada. El aislamiento entre la compuerta y el canal es el dixido de silicio (SiO2). Ver el diagrama. Esta capa aislante (rea gris) es tan delgada que se si produjera un campo elctrico fuerte, podra destruirse, es por eso que la manipulacin del MOSFET es tan importante Debido a la alta resistencia de la capa de dixido de silicio, la carga en el capacitor no se dispersa rpidamente , sino que se acumula. Esta acumulacin de carga puede producir un campo elctrico destructivo.

El mayor peligro para un MOSFET son las cargas estticas durante la manipulacin del mismo en un da seco. Tambin causan peligro los cautines para soldar, que por lo general no estn aislados de la lnea de corriente alterna (C.A.). Para evitar que el MOSFET se dae de manera accidental, algunos fabricantes incluyen un diodo zener conectado entre la compuerta (G) y la fuente (S) con el nodo hacia la compuerta y el ctodo hacia la fuente.

Este zener esta diseado para que conduzca a 50 voltios por lo que VGS (tensin compuerta - fuente) siempre se mantendr por debajo o igual al valor de esta tensin, y por ende por debajo del valor de tensin destructivo. Ver la figura. Otra manera de asegurarse de que el MOSFET no se dae es almacenarlo y transportarlo con ayuda de esponjas conductoras, que cortocircuitan los terminales del MOSFET y as no exista tensin entre ellos. Si no fuese posible conocer si el MOSFET tiene la proteccin antes mencionada, la persona que manipular el elemento debe de asegurarse que su cuerpo no est cargado de esttica. Existen unas pulseras especiales conectadas a un punto de tierra, pensadas para mantener descargado el cuerpo del usuario.

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C-MOSFET (Complementary MOS FET)
Principio de operacin.
C-MOS FET es la abreviacin de Complementary Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Complementary MOS FET MOSFET complementario.

Este circuito es la combinacin de un MOSFET de canal P y un MOSFET de canal N.

Funcionamiento:
- Cuando la entrada tiene un nivel de tensin negativo (L), el MOSFET de canal P conduce y el MOSFET de canal N no lo hace - Cuando la entrada tiene un nivel de tensin positivo (H), el MOSFET de canal N conduce y el MOSFET de canal P no lo hace Se puede ver que el funcionamiento de ambos es siempre opuesto. Una caracterstica importante de este circuitos es que la corriente de salida, que se puede considerar relativamente alta, es controlada con facilidad. Cuando la entrada est en nivel bajo (L), la salida est conectada directamente a la fuente de alimentacin a travs del MOS FET de canal P y se tiene un nivel alto (H). Cuando la entrada est en nivel alto (H), la salida est conectada directamente a la tierra a travs del MOS FET de canal N y se tiene un nivel bajo (L). El nivel de salida de la salida es siempre el inverso que el de la entrada (hay inversin de fase). En el circuito C-MOS FET el MOSFET de canal P y el de canal N podran no iniciar o dejar la conduccin bajo las mismas condiciones, esto debido a que la tensin en la compuerta, que hace que el MOSFET deje de conducir, tiene un valor que va de 1 a 2 voltios. Esta caracterstica depende de cada MOSFET en particular y es comn observar que la corriente de drenaje de un MOSFET es cero (MOSFET en corte) an cuando la tensin en la compuerta no lo sea.

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Transistores de efecto de campo (FET)
1.6- Transistor de efecto de campo (FET)
Los transistores de efecto de campo o FET (Field Effect Transistor) son particularmente interesantes en circuitos integrados y pueden ser de dos tipos: transistor de efecto de campo de unin o JFET y transistor de efecto de campo metal-xido semiconductor (MOSFET). Son dispositivos controlados por tensin con una alta impedancia de entrada (1012 ohmios). Ambos dispositivos se utilizan en circuitos digitales y analgicos como amplificador o como conmutador. Sus caractersitcas elctricas son similares aunque su tecnologa y estructura fsica son totalmente diferentes.

Ventajas del FET


1) Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012 ohmios). 2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. 3) Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT. 4) Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar ms dispositivos en un CI. 5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin para valores pequeos de tensin drenaje-fuente. 6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento. 7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.

Desventajas que limitan la utilizacin de los FET


1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada. 2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT. 3) Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica. En este apartado se estudiarn brevemente las caractersticas de ambos dispositivos orientadas principalmente a sus aplicaciones analgicas.

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Caractersticas elctricas del JFET
1.7.- Caractersticas elctricas del JFET
El JFET de canal n est constituido por una barra de silicio de material semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a ambos lados. Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate). En la figura 1.10.a se describe un esquema de un JFET de canal n, en la 1.10.b el smbolo de este dispositivo y en la 1.10.c el smbolo de un JFET de canal P La polarizacin de un JFET exige que las uniones p-n estn inversamente polarizadas. En un JFET de canal n, o NJFET, la tensin de drenador debe ser mayor que la de la fuente para que exista un flujo de corriente a travs de canal. Adems, la puerta debe tener una tensin ms negativa que la fuente para que la unin p-n se encuentre polarizado inversamente. Ambas polarizaciones se indican en la figura 1.11.

Las curvas de caractersticas elctricas de un JFET son muy similares a las curvas de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por tensin a diferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por corriente. Por ello, en el JFET intervienen como parmetros: ID (intensidad drain o drenador a source o fuente), VGS (tensin gate o puerta a source o fuente) y VDS (tensin drain o drenador a source o fuente). Se definen cuatro regiones bsicas de operacin: corte, lineal, saturacin y ruptura. A continuacin se realiza una descripcin breve de cada una de estas regiones para el caso de un NJFET.

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JFET en regin de corte y regin lineal
JFET en regin de corte
En esta regin la intensidad entre drenador y fuente es nula (ID=0). En este caso, la tensin entre puerta y fuente es suficientemente negativa que las zonas de inversin bloquean y estrangulan el canal cortando la corriente entre drenador y fuente. En las hojas tcnicas se denomina a esta tensin como de estrangulamiento o pinch-off y se representa por VGS(off) o Vp. Por ejemplo, el BF245A tiene una VGS(off)=-2V.

JFET en regin lineal


En esta regin, el JFET se comporta como una resistencia no lineal que es utilizada en muchas aplicaciones donde se precise una resistencia variable controlada por tensin. El fabricante proporciona curvas de resistencia drenador-fuente (rds(on)) para diferentes valores de VGS tal como se muestra en la figura 1.12. En esta regin el transistor JFET verifica las siguientes relaciones:

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JFET en regin de saturacin y regin ruptura
JFET en regin de saturacin
En esta regin, de similares caractersticas que un BJT enla regin lineal, el JFET tiene unas caractersticas lineales que son utilizadas en amplificacin. Se comporta como una fuente de intensidad controlado por la tensin VGS cuya ID es prcticamente independiente de la tensin VDS. La ecuacin que relaciona la ID con la VGS se conoce como ecuacin cuadrtica o ecuacin de Schockley que viene dada por donde Vp es la tensin de estrangulamiento y la IDSS es la corriente de saturacin. Esta corriente se define como el el valor de ID cuando VGS=0, y esta caracterstica es utilizada con frecuencia para obtener una fuente de corriente de valor constante

(IDSS).

La ecuacin 1.22 en el plano ID y VGS representa una parbola desplazada en Vp. Esta relacin junto a las caractersticas del JFET de la figura 1.11 permiten obtener grficamente el punto de trabajo Q del transistor en la regin de saturacin. La figura 1.13 muestra la representacin grfica de este punto Q y la relacin existente en ambas curvas las cuales permiten determinar el punto de polarizacin de un transistor utilizando mtodos grficos.

JFET en regin de ruptura


Una tensin alta en los terminales del JFET puede producir ruptura por avalancha a travs de la unin de puerta. Las especificaciones de los fabricantes indican la tensin de ruptura entre drenaje y fuente con la puerta cortocircuitada con la fuente; esta tensin se designa por BVDSS y su valor est comprendido entra 20 y 50 V.

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Las tensiones de polarizacin nunca deben superar estos valores para evitar que el dispositivo se deteriore. Por ltimo, comentar las diferencias existentes entre un NJFET y PJFET. Las ecuaciones desarrolladas anteriormente para el JFET son vlidas para el PJFET considerando el convenio de signos indicados en la tabla 1.2.

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Transistores MOSFET
1.8. Transistores MOSFET
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo elctrico para crear una canal de conduccin. Son dispositivos ms importantes que los JFET ya que la mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnologa MOS. Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A su vez, estos transistores pueden ser de acumulacin (enhancement) o deplexion (deplexion); en la actualidad los segundos estn prcticamente en desuso y aqu nicamente sern descritos los MOS de acumulacin tambin conocidos como de enriquecimiento. La figura 1.14 indica los diferentes smbolos utilizados para describir los transistores MOS.

En la figura 1.15 se describe la estructura fsica de un MOSFET de canal N con sus cuatro terminales: puerta, drenador fuente y substrato; normalmente el sustrato se encuentra conectado a la fuente. La puerta, cuya dimensin es WL, est separado del substrato por un dielctrico (Si02) formando una estructura similar a las placas de un condensador. Al aplicar una tensin positiva en la puerta se induce cargas negativas (capa de inversin) en la superficie del substrato y se crea un camino de conduccin entre los terminales drenador y fuente. La tensin mnima para crear ese capa de inversin se denomina tensin umbral o tensin de threshold (VT) y es un parmetro caracterstico del transistor. Si la

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VGS<VT, la corriente de drenador-fuente es nula; valores tpicos de esta tensin son de de 0.5 V a 3 V.

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Regin de corte y Lineal de transistor NMOS FET
Regiones de operacin del NMOS FET
Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura fsica muy diferente pero sus ecuaciones analticas son muy similares. Por ello, en los transistores MOS se definen las mismas regiones de operacin: corte, lineal, saturacin y ruptura. En la figura 1.16 se muestran las curvas de caractersticas elctricas de un transistor NMOS con las diferentes regiones de operacin que son descritas brevemente a continuacin

Regin de corte
Se verifica que VGS<VT y la corriente ID es nula.

Regin lineal
El transistor se comporta como un elemento resistivo no lineal controlado por tensin. Verifica las siguientes ecuaciones:

siendo

un parmetro caracterstico del MOS que depende de la tecnologa a travs de la constante k y del tamao de la puerta del transistor (W la anchura y L la longitud).

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Regin de saturacin y ruptura de transistor NMOS FET
Regin de saturacin de un MOSFET de canal N (NMOS)
El transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensin VGS. Verifica las siguientes ecuaciones

siendo el parmetro descrito en la ecuacin 1.24. Ver: MOSFET en regiones de corte y lineal En esta regin, la relacin cuadrtica entre VGS e ID se representa en la grfica de la izquierda de la figura 1.16 (Ver: MOSFET en regiones de corte y lineal), y de una manera similar a los transistores JFET, puede ser utilizada para determinar por mtodos grficos el punto de polarizacin de los transistores aunque rara vez se recurre a ellos.

Regin de ruptura de un MOSFET de canal N (NMOS)


Un transistor MOS puede verse afectado por fenmenos de avalancha en los terminales drenador y fuente, y roturas en la capa de xido fino de la puerta que pueden daar irreversiblemente al dispositivo.

Por ltimo, sealar que en la tabla 1.3 se indican las diferencias en el signo y sentido de las corrientes y tensiones existentes entre transistores NMOS y PMOS.

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Polarizacin de los FET
1.9 Polarizacin de los FET
Los circuitos bsicos que se utilizan para polarizar los BJT se pueden emplear para los MOSFET. EL JFET tiene el inconveniente de que la tensin VGS debe ser negativa en un NJFET (positiva en un PJFET) que exige unos circuitos de polarizacin caractersticos para este tipo de dispositivos. En este apartado nicamente se presentan dos de los circuitos ms utilizados: polarizacin simple (figura 1.17), se utiliza una fuente de tensin externa para generar una VGS<0, y autopolarizacin (figura 1.18), la cada de tensin en la resistencia RS debida a ID permite generar una VGS<0.

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Por: Gustavo A. Ruiz Robredo ruizrg@unican.es

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Optoacoplador
El Optoacoplador es un dispositivo que se compone de un diodo LED y un fototransistor, de manera de que cuando el diodo LED emite luz, ilumine el fototransistor y conduzca. Estos dos elementos estn acoplados de la forma ms eficiente posible. La corriente de salida IC del optocoplador (corriente de colector del fototransistor) es proporcional a la corriente de entrada IF (corriente en el diodo LED). La relacin entre estas dos corrientes se llama razn de transferencia de corriente (CTR) y depende de la temperatura ambiente. A mayor temperatura ambiente, la corriente de colector en el fototransistor es mayor para la misma corriente IF (la corriente por el diodo LED) La entrada (circuito del diodo) y la salida (circuito del fototransistor) estn 100% aislados y la impedancia de entrada es muy grande (1013 ohms tpico) El optoacoplador es un dispositivo sensible a la frecuencia y el CTR disminuye al aumentar sta. Este elemento puede sustituir a elementos electromecnicos como rels, conmutadores. De esta manera se eliminan los golpes, se mejora la velocidad de conmutacin y casi no hay necesidad de mantenimiento.

Otros tipos de optoacopladores

Optoacoplador con Fotodiodo - Optoacoplador con Darlington

Optoacoplador con Fototiristor (SCR) - Optoacoplador con Triac

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LDR - Fotorresistencia

Light Dependent Resistor (LDR)


El LDR (resistor dependiente de la luz) es una resistencia que vara su valor dependiendo de la cantidad de luz que la ilumina.

Los valores de una fotorresistencia cuando est totalmente iluminada y cuando est totalmente a oscuras vara. Puede medir de 50 ohmios a 1000 ohmios (1K) en iluminacin total y puede ser de 50K (50,000 Ohms) a varios megaohmios cuando est a oscuras. El LDR es fabricado con materiales de estructura cristalina, y utiliza sus propiedades fotoconductoras. Los cristales utilizados ms comunes son: sulfuro de cadmio y seleniuro de cadmio. El valor de la fotorresistencia (en Ohmios) no vara de forma instantnea cuando se pasa de luz a oscuridad o al contrario, y el tiempo que se dura en este proceso no siempre es igual si se pasa de oscuro a iluminado o si se pasa de iluminado a oscuro.

Esto hace que el LDR no se pueda utilizar en muchas aplicaciones, especialmente aquellas que necesitan de mucha exactitud en cuanto a tiempo para cambiar de estado (oscuridad a iluminacin o iluminacin a oscuridad) y a exactitud de los valores de la fotorresistencia al estar en los mismos estados anteriores. Su tiempo de respuesta tpico es de aproximadamente 0.1 segundos. Pero hay muchas aplicaciones en las que una fotorresistencia es muy til. En casos en que la exactitud de los cambios no es importante como en los circuitos:

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- Luz nocturna de encendido automtico, que utiliza una fotorresistencia para activar una o mas luces al llegar la noche. - Rel controlado por luz, donde el estado de iluminacin de la fotorresistencia, activa o desactiva un Relay (rel), que puede tener un gran nmero de aplicaciones El LDR o forresistencia es un elemento muy til para aplicaciones en circuitos donde se necesita detectar la ausencia de luz de da.

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Fotodiodo

Fotodiodo. Diodo detector de luz


El fotodiodo se parece mucho a un diodo semiconductor comn, pero tiene una caracterstica que lo hace muy especial: es un dispositivo que conduce una cantidad de corriente elctrica proporcional a la cantidad de luz que lo incide (lo ilumina). Luz incidente

Sentido de la corriente generada Esta corriente elctrica fluye en sentido opuesto a la flecha del diodo y se llama corriente de fuga. El fotodiodo se puede utilizar como dispositivo detector de luz, pues convierte la luz en electricidad y esta variacin de electricidad es la que se utiliza para informar que hubo un cambio en el nivel de iluminacin sobre el fotodiodo. Si el fotodiodo quedara conectado, de manera que por l circule la corriente en el sentido de la flecha (polarizado en sentido directo), la luz que lo incide no tendra efecto sobre l y se comportara como un diodo semiconductor normal. La mayora de los fotodiodos vienen equipados con un lente que concentra la cantidad de luz que lo incide, de manera que su reaccin a la luz sea ms evidente. A diferencia del LDR o fotorresistencia, el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta ms pequeo. Si se combina un fotodiodo con una transistor bipolar, colocando el fotodiodo entre el colector y la base del transistor (con el ctodo del diodo apuntado al colector del transistor), se obtiene el circuito equivalente de un fototransistor.

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Fototransistor
Fototransistor = Fotodiodo + Transistor
Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, solo que puede trabajar de 2 maneras diferentes: - Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn) - Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminacin). Se pueden utilizar las dos en forma simultnea, aunque el fototransistor se utiliza principalmente con la patita de la base sin conectar. (IB = 0) La corriente de base total es igual a corriente de base (modo comn) + corriente de base (por iluminacin): IBT = IB + IP Si se desea aumentar la sensibilidad del fototransistor, debido a la baja iluminacin, se puede incrementar la corriente de base (IB), con ayuda de polarizacin externa El circuito equivalente de un fototransistor, es un transistor comn con un fotodiodo conectado entre la base y el colector, con el ctodo del fotodiodo conectado al colector del transistor y el nodo a la base. El fototransistor es muy utilizado para aplicaciones donde la deteccin de iluminacin es muy importante. Como el fotodiodo, tiene un tiempo de respuesta muy corto, solo que su entrega de corriente elctrica es mucho mayor. En el grfico se puede ver el circuito equivalente de un fototransistor. Se observa que est compuesto por un fotodiodo y un transistor. La corriente que entrega el fotodiodo (circula hacia la base del transistor) se amplifica veces, y es la corriente que puede entregar el fototransistor. Nota: es la ganancia de corriente del fototransistor.

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Diodo LED

Diodo LED. Diodo emisor de luz. Light-Emitting Diode


Si alguna vez ha visto, unas pequeas luces de diferentes colores que se encienden y apagan, en algn circuito electrnico, ha visto los diodo LED en funcionamiento.

Smbolo del diodo LED El LED es un tipo especial de diodo, que trabaja como un diodo comn, pero que al ser atravesado por la corriente elctrica, emite luz. Existen diodos LED de varios colores que dependen del material con el cual fueron construidos. Hay de color rojo, verde, amarillo, mbar, infrarrojo, entre otros. Elctricamente el diodo LED se comporta igual que un diodo de silicio o germanio. Si se pasa una corriente a travs del diodo semiconductor, se inyectan electrones y huecos en las regiones P y N, respectivamente. Dependiendo de la magnitud de la corriente, hay recombinacin de los portadores de carga (electrones y huecos). Hay un tipo de recombinaciones que se llaman recombinaciones radiantes (aqu la emisin de luz). La relacin entre las recombinaciones radiantes y el total de recombinaciones depende del material semiconductor utilizado (GaAs, GaAsP,y GaP) Dependiendo del material de que est hecho el LED, ser la emisin de la longitud de onda y por ende el color.

Debe de escogerse bien la corriente que atraviesa el LED para obtener una buena intensidad luminosa y evitar que este se pueda daar. El LED tiene un voltaje de operacin que va de 1.5 V a 2.2 voltios aproximadamente y la gama de corrientes que debe circular por l est entre los 10 y 20 miliamperios (mA)
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en los diodos de color rojo y de entre los 20 y 40 miliamperios (mA) para los otros LEDs. Los diodos LED tiene enormes ventajas sobre las lmparas indicadoras comunes, como su bajo consumo de energa, su mantenimiento casi nulo y con una vida aproximada de 100,000 horas. El diodo LED debe ser protegido. Una pequea cantidad de corriente en sentido inverso no lo daar, pero si hay picos inesperados puede daarse. Una forma de protegerlo es colocar en paralelo con el diodo LED pero apuntando en sentido opuesto un diodo de silicio comn. Aplicaciones tiene el diodo LED. Se utiliza ampliamente en aplicaciones visuales, como indicadoras de cierta situacin especfica de funcionamiento. Ejemplos - Se utilizan para desplegar contadores - Para indicar la polaridad de una fuente de alimentacin de corriente continua. - Para indicar la actividad de una fuente de alimentacin de corriente alterna. - En dispositivos de alarma, etc. Las desventajas del diodo LED son que su potencia de iluminacin es tan baja, que su luz es invisible bajo una fuente de luz brillante y que su ngulo de visibilidad est entre los 30 y 60. Este ltimo problema se corrige con cubiertas difusoras de luz.

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Diodo Lser. Luz Lser
Diodo lser. Luz monocromtica coherente.
El diodo lser se obtuvo como resultado de la continuacin del desarrollo del diodo LED. La palabra LASER proviene de las siglas en ingls:

Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation


que significa:

Amplificacin de luz por Emisin estimulada de radiacin


Lo anterior se refiere a un extrao proceso cuntico, donde la luz caracterstica emitida por electrones cuando pasan de un estado de alta energa a un estado de menor energa, estimulan a otros electrones para crear "saltos" similares. El resultado es una luz sincronizada que sale del material. Otra caracterstica importante es que la luz emitida no slo tiene la misma frecuencia (color), sino tambin la misma fase. (tambin est sincronizada). Este es el motivo por el cual luz lser se mantiene enfocada an a grandes distancias. En el caso de una fuente de luz blanca comn, esta genera todos los diferentes colores (a sus respectivas frecuencias) en forma de rayos dispersos (van en diferentes direcciones) y no estn en fase. En el caso de una fuente de luz lser todos los rayos son del mismo color (monocromticos) o lo que es lo mismo, tienen la misma frecuencia y estn en fase Nota:los colores del grfico no guardan relacin con los colores ni la frecuencia que irradia la luz en la realidad Los diodos LED comunes, irradian una sola luz (son monocromticos), una sola frecuencia, pero no estn en fase y se propagan en forma dispersa. En cambio los diodos LASER, producen una luz coherente. Esta luz no slo es monocromtica (un solo color), sino que es monofsica (estn en fase), resultando en un rayo de luz muy preciso.

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Los diodos LASER tienen una gran cantidad de aplicaciones, lectura y escritura de discos pticos, donde slo un rayo de luz muy angosto puede ver una rea microscpica en la superficie de un disco. Para mediciones precisas en donde es indispensable un rayo de luz que no se disperse. Algunos diodos lser requieren de circuitos que generen pulsos de alta potencia, para entregar grandes cantidades de voltaje y corriente en pequeos instantes de tiempo. Otros diodos lser necesitan de un funcionamiento continuo pero a menor potencia. Con el envejecimiento los diodos lser podran necesitar mas corriente para generar la misma potencia entregada. Pero no hay que olvidarse que estos elementos tienen una vida muy larga.

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Display de 7 segmentos
El displays de 7 segmentos, es un componente que se utiliza para la representacin de nmeros en muchos dispositivos electrnicos. Cada vez es ms frecuente encontrar LCDs en estos equipos (debido a su bajsima demanda de energa), todava hay muchos que utilizan el display de 7 segmentos por su simplicidad. Este elemento se ensambla o arma de manera que se pueda activar cada segmento (diodo LED) por separado logrando de esta manera combinar los elementos y representar todos los nmeros en el display (del 0 al 9). El display de 7 segmentos ms comn es el de color rojo, por su facilidad de visualizacin. Cada elemento del display tiene asignado una letra que identifica su posicin en el arreglo del display. Ver el grfico

- Si se activan o encienden todos los segmentos se forma el nmero "8" - Si se activan solo los segmentos: "a,b,c,d,f," se forma el nmero "0" - Si se activan solo los segmentos: "a,b,g,e,d," se forma el nmero "2" - Si se activan solo los segmentos: "b,c,f,g," se forma el nmero "4" p.d. representa el punto decimal

El display nodo comn


En el display nodo comn, todos los nodos de los diodos LED unidos y conectados a la fuente de alimentacin. En este caso para activar cualquier elemento hay que poner el ctodo del elemento a tierra a travs de una resistencia para limitar la corriente que pasa por el elemento

El display ctodo comn


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El display ctodo comn tiene todos los nodos de los diodos LED unidos y conectados a tierra. Para activar un segmento de estos hay que poner el nodo del segmento a encender a Vcc (tensin de la fuente) a travs de una resistencia para limitar el paso de la corriente

Tambin hay display alfanumricos que permiten representar tanto letras como nmeros

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LCD: Display de Cristal Lquido (Liquid Crystal Display)
Los LCD son visualizadores pasivos, esto significa que no emiten luz como el visualizador o display alfanumrico hecho a base de un arreglo de diodos LEDs. Es por esa razn que, algunas veces, cuando intentamos ver la hora en un reloj que utiliza esta tecnologa, es necesario una fuente de luz adicional. El LCD tiene muy bajo consumo de energa si se lo compara con el display o visualizador alfanumrico y son compatibles con la tecnologa CMOS, caracterstica que permite que se utilice en equipos porttiles (ejemplo: los relojes de pulsera, calculadoras, etc.). Tiene una vida aproximada de 50,000 horas. Hay diferentes tipos de presentaciones y son muy fciles de configurar. Hay desde visualizadores comunes de 7 segmentos, hasta una matriz de puntos, todos ellos muy delgados.

Cmo funciona un LCD?


El LCD modifica la luz que lo incide. Dependiendo de la polarizacin que se est aplicando, el LCD reflejar o absorber ms o menos luz. Cuando un segmento recibe la tensin de polarizacin adecuada no reflejar la luz y aparecer en la pantalla del dispositivo como un segmento oscuro. Seguro que ms de un lector habr visto este fenmeno en calculadoras, relojes, etc. El lquido de un LCD est entre dos placas de vidrio paralelas con una separacin de unos micrones. Estas placas de vidrio tienen unos electrodos especiales que definen, con su forma, los smbolos, caracteres, etc. que se visualizarn. La superficie del vidrio que hace contacto con el lquido es tratada de manera que induzca la alineacin de los cristales en direccin paralela a las placas. Esta alineacin permite el paso de la luz incidente sin ninguna alteracin. Cuando se aplica la polarizacin adecuada entre los electrodos, aparece un campo elctrico entre estos electrodos (campo que es perpendicular a las placas) y esto causa que las molculas del liquido se agrupen en sentido paralelo a este (el campo elctrico) y cause que aparezca una zona oscura sobre un fondo claro (contraste positivo). De esta manera aparece la informacin que se desea mostrar.

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Modos de visualizacin del LCD (Liquid Crystal Display)
Modos de visualizacin:
Modo reflector: En esta modo el sistema LCD utiliza un reflector de difusin (una lmina reflectora), que refleja la luz ambiente a travs del visualizador. Excelente para reas donde siempre hay luz disponible y como no requiere de una fuente de energa se puede utilizar con bateras. Este modo ofrece un alto contraste. Modo transmisor: En este modo el visualizador LCD es iluminado desde atrs en forma artificial. Se utiliza mucho para visualizaciones negativas (segmentos claros sobre fondo oscuro). Modo transflector: Este modo es un hbrido de los dos modos antes mencionados y se utiliza para desplegar la informacin bajo cualquier condicin de iluminacin. En este modo el display LCD refleja tanto la luz ambiente como la luz artificial de fondo difusa para uso nocturno.

Se puede introducir color en los visualizadores LCD de las siguientes maneras: - Polarizadores selectivos de color. Estos producen segmentos de color sobre un fondo brillante o segmentos brillantes sobre un fondo de color. - Filtros de color. Pueden ser una lmina o estar impresos en el visualizador. Estos filtros trabajan mejor con iluminacin trasera. - Luz trasera de color. Cuando los segmentos no han sido energizados, aparecen oscuros, pero cuando se energizan permiten el paso de la luz de color.

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La lmpara incandescente
Cmo est construida una lmpara incandescente?
El componente principal de la lmpara incandescente es el filamento, que cuando pasa corriente a travs de l, puede ser calentado como resistencia hasta el estado incandescente, mantenindose en este estado por mucho tiempo. Este filamento tiene que fabricarse de un material con un alto punto de fusin (punto en que por la temperatura se derrita) y este es el Tungsteno cuyo punto de fusin es 3655 K (grados Kelvin). Este filamento debe estar protegido en un medio que evite que se deteriore. Este ambiente se logra ponindolo dentro de un bulbo, bombillo o ampolla de vidrio que este al vaco o con un gas inerte. La lmparas incandescentes con filamento de tungsteno es mucho ms eficiente que las que tiene otros materiales. El filamento de tungsteno se torna incandescente a partir de los 1000 K (grados Kelvin), pudiendo llegar a 1800 K y 2500 K lo que significa que su eficiencia luminosa est entre 1 y 8 lumens por vatio (lumen es una unidad de medida de intensidad de luz). Mientras ms se aumenta la temperatura del filamento (aumentando el voltaje entre sus terminales) , la luz emitida por l es ms blanca. No es conveniente incrementar el voltaje que alimenta un filamento pues esto reduce la vida til de la lmpara. De hecho es necesario un corto perodo de calentamiento luego de encenderla, para despus alcanzar su temperatura estable. La longitud del filamento lo define el voltaje de operacin del bulbo, a ms voltaje, ms largo es el filamento y a veces significa ms soportes internos dentro del bulbo de vidrio Si una lmpara necesita menor corriente para emitir luz, el grosor del filamento ser menor. Este filamento se mantiene en su posicin dentro del bulbo con ayuda de unos alambres electrodos, que son los que permiten que la conexin elctrica con el exterior del bulbo sea posible Si las lmparas son del tipo miniatura, los alambres electrodos salen directamente al exterior, en otros casos utilizan un casquillo enroscable o con unos pequeos pines laterales (se utilizan en los automviles). Una lmpara de tungsteno puede operar con cualquier tipo de fuente de tensin, sea de corriente continua o corriente alterna, aunque la vida de la lmpara es menor cuando opera en corriente continua

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Principios de operacin de una lmpara incandescente con filamento de tungsteno
Una lmpara incandescente tiene como elemento principal un filamento de tungsteno. Este filamento convierte la energa elctrica en luz y calor. La luz irradiada es un espectro continuo compuesto principalmente de energa en la regin gama infrarroja cercana, una cantidad til en la regin visible y una muy pequea en la regin ultravioleta. Todo lo anterior vara segn la temperatura que tenga el filamento de tungsteno. Si la temperatura del filamento aumenta, la radiacin de luz se desplaza a a longitudes de onda ms cortas, dando una mayor proporcin a la radiacin visible y una luz ms blanca. La sensibilidad del ojo humano abarca desde aproximadamente de 400 nm en azul hasta 700 nm en rojo y la sensibilidad pico est en los 555 nm en el color verde. Todo esto dentro de la gama visible

Eficiencia luminosa
La eficiencia luminosa es la relacin entre el flujo luminoso emitido y la potencia consumida y se expresa en lumens / watts. La eficiencia es controlada por la temperatura de operacin del filamento. El problema es que a mayor temperatura del filamento mayor es la velocidad de evaporacin del tungsteno y por consiguiente menor el tiempo de vida de la lmpara.

Unidades de medida
La unidad de medida para la luz son las unidades fotomtricas. La fotometra trata la sensibilidad relativa del ojo a diferentes longitudes de onda La velocidad del flujo o caudal de una salida de luz es conocida como flujo luminoso, y..... El flujo luminoso emitido por unidad de ngulo slido en una direccin es conocido como intensidad de luz. La salida luminosa de una lmpara con filamento de tungsteno es medida como el flujo luminoso total emitido en todas direcciones, y esto se expresa en lumens Cuando la lmpara tiene una salida luminosa direccional (lmparas que utilizan un lente), la "iluminnancia" del foco proyectado es expresado en Lux, que que es una medida de la luz que incide sobre una superficie:

1 Lux = 1 lumen / m
Tambin se utiliza el siguiente trmino

1 lumen / pie = 10.76 lux aproximadamente

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La emisin infrarroja de una lmpara de tungsteno
Como se comento antes, mucha de la radiacin de una lmpara de tungsteno est en la regin infrarroja, en especial si el filamento est a temperaturas menores. Las longitudes de onda que abarcan hasta 3000 nm son transmitidas casi sin prdidas por el bulbo de vidrio. Por este motivo las lmparas de tungsteno son especialmente eficientes para los detectores de infrarrojos. Una lmpara de tungsteno utilizada como emisor de infrarrojo tiene ms tiempo de vida pues se puede alimentar a menor tensin. Notas: nm = nanometros

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Lmpara de tubo fluorescente
Ventajas de la lmpara fluorescente.
La lmpara fluorescente tiene mucha ventajas si se la compara con la lmpara incandescente.

Las ms importante son: - Un consumo de corriente que puede ser hasta tres veces menor que la de una lmpara incandescente - Mejor respuesta de color. Es fcil observar que los colores son ms fieles al verdadero. - La emisin de luz es de 4 a 6 veces mayor que la de una lmpara incandescente de la misma potencia - Provee una luz ms uniforme y menos deslumbrante, porque el ra de iluminacin es mayor - Calentamiento reducido - La duracin promedio de vida es de 7500 horas en condiciones normales. Las lmparas fluorescentes son de descarga, de baja presin. Se pueden elegir entre diferentes clases de luz y se construyen de varias formas y tamaos. Hay de un pin y de 2 pines La lmpara fluorescente est compuesta de un tubo de vidrio que est revestido por su parte interior con una sustancia fluorescente. Dentro del tubo hay gases y vapor de mercurio a baja presin. Este tubo tiene, en sus dos extremos, un filamento y un electrodo sensor. Ver el diagrama.

Constitucin de una lmpara fluorescente


Pines de contacto Filamentos de wolframio Revestimiento (sustancia fosforada) Gas, que puede ser: argn, nen, et. y gotas de mercurio

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Tubo fluorescente de precalentamiento
Cuando circula una corriente elctrica por los filamentos de un tubo fluorescente, stos se vuelven incandescentes. Ver el grfico B Como los filamentos tienen un revestimiento de bario (emisivo), emiten electrones que ionizan el gas argn, volatilizan el mercurio y convierten el gas en conductor. Ver el primer grfico. La corriente elctrica puede entonces circular a travs del tubo fluorescente. El gas se vuelve conductor debido al sobrevoltaje provocado por el balastro cuando la corriente circula por el arrancador. Ver grfico A El arrancador abre y cierra el circuito mediante una lmina bimetlica y sto hace que las bobinas del balastro, mediante el fenmeno de induccin, provoquen un sobrevoltaje instantneo que convierte el gas en conductor.

Al chocar los electrones dentro del tubo fluorescente con el gas de mercurio y el gas argn o nen, producen una luz ultravioleta.

Esta luz al incidir sobre la capa fosforada que reviste el tubo, produce la luz fluorescente caracterstica de estas lmparas. Una vez que el tubo fluorescente haya arrancado el arrancador (la lmina bimetlica) no trabaja ms y no permite el paso de la corriente a travs de l, quedando slo el balastro. Ver grfico C.

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Temporizador 555. Distribucin de patillas
El temporizador 555 es un excepcional circuito integrado, muy difundido en nuestros das. Naci hace ms de 30 aos y contina utilizndose actualmente, puede ver una Breve resea histrica del temporizador 555 Se puede ver de las figuras que, independientemente del tipo de encapsulado, la numeracin de las patillas del temporizador es la misma. El 556 es un circuito integrado con 2 temporizadores tipo 555 en una sola unidad de 14 pines y el 558 tiene 4 temporizadores tipo 555 en una sola unidad de 14 pines. Ver las representaciones del temporizador 555

Distribucin de pines del temporizador 555


1 - Tierra o masa 2 - Disparo: Es en esta patilla, donde se establece el inicio del tiempo de retardo, si el 555 es configurado como monostable. Este proceso de disparo ocurre cuando este pin va por debajo del nivel de 1/3 del voltaje de alimentacin. Este pulso debe ser de corta duracin, pues si se mantiene bajo por mucho tiempo la salida se quedar en alto hasta que la entrada de disparo pase a alto otra vez. 3 - Salida: Aqu veremos el resultado de la operacin del temporizador 555, ya sea que est conectado como monostable, astable u otro. Cuando la salida es alta, el voltaje de salida es el voltaje de aplicacin (Vcc) menos 1.7 Voltios. Esta salida se puede obligar a estar en casi 0 voltios con la ayuda de la patilla # 4 (reset) 4 - Reset: Si se pone a un nivel por debajo de 0.7 Voltios, pone la patilla de salida # 3 a nivel bajo. Si por algn motivo esta patilla no se utiliza hay que conectarla a Vcc para evitar que el 555 se "resetee" 5 - Control de voltaje: Cuando el temporizador 555 se utiliza en el modo de controlador de voltaje, el voltaje en esta patilla puede variar casi desde Vcc (en la practica como Vcc-1 voltio) hasta casi 0 V (en la practica aprox. 2 Voltios). As es posible modificar los tiempos en que la patilla # 3 esta en alto o en bajo independiente

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del diseo (establecido por las resistencias y condensadores conectados externamente al 555). El voltaje aplicado a la patilla # 5 puede variar entre un 45% y un 90 % de Vcc en la configuracin monostable. Cuando se utiliza la configuracin astable, el voltaje puede variar desde 1.7 voltios hasta Vcc. Modificando el voltaje en esta patilla en la configuracin astable causar la frecuencia original del astable sea modulada en frecuencia (FM). Si esta patilla no se utiliza, se recomienda ponerle un condensador de 0.01uF para evitar las interferencias 6 - Umbral: Es una entrada a un comparador interno que tiene el 555 y se utiliza para poner la salida (Pin # 3) a nivel bajo bajo 7 - Descarga: Utilizado para descargar con efectividad el condensador externo utilizado por el temporizador para su funcionamiento. 8 - V+: Tambin llamado Vcc, es el pin donde se conecta el voltaje de alimentacin que va de 4.5 voltios hasta 16 voltios (mximo). Hay versiones militares de este integrado que llegan hasta 18 Voltios El temporizador 555 se puede conectar para que funcione de diferentes maneras, entre los mas importantes estn: multivibrador astable y como multivibrador monoestable

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Multivibrador astable con circuito integrado 555
Multivibrador Astable con circuito integrado 555
Este tipo de funcionamiento del temporizador 555 se caracteriza por una salida con forma de onda cuadrada (o rectangular) continua de ancho predefinido por el diseador del circuito. El esquema de conexin y las formas de onda de entrada y salida del multivibrador astable se muestran en los siguientes grficos. La seal de salida tiene un nivel alto por un tiempo T1 y en un nivel bajo un tiempo T2. Los tiempos de duracin dependen de los valores de las resistores: R1 y R2 y del capacitor C1.

Conexin y onda de salida del multivibrador astable con temporizador 555

T1 = 0.693(R1+R2)C1 y T2 = 0.693 x R2 x C1 (en segundos) La frecuencia con que la seal de salida oscila est dada por la frmula: f = 1 / [0.693 x C1 x (R1 + 2 x R2)] y el perodo es simplemente = T = 1 / f Hay que recordar que el perodo es el tiempo que dura la seal hasta que sta se vuelve a repetir (Tb - Ta), ver el grfico.

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Multivibrador monostable con temporizador 555
Multivibrador monoestable con circuito integrado 555
El multivibrador monostable entrega a su salida un solo pulso de un ancho establecido por el diseador (tiempo de duracin). El esquema de conexin y las formas de onda de la entrada y salida se muestran en los siguientes grficos. Ver que el tiempo en nivel alto de la salida de multivibrador monostable depende del resistor R1 y el capacitor C1. La frmula para calcular el tiempo de duracin (tiempo que la salida esta en nivel alto) es: T = 1.1 x R1 x C1 (en segundos)

Conexin y onda de salida del multivibrador monostable con temporizador 555

Observar que es necesario que la seal de disparo, sea de nivel bajo y de muy corta duracin en el PIN # 2 del circuito integrado para iniciar la seal de salida.

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Multivibrador astable con temporizador 555 y t1 = t2
Por: Jorge Olaves I. jorge_olaves2004@hotmail.com Maracaibo-Edo Zulia, Venezuela.

El circuito astable original que se disea con el temporizador 555 no permite obtener t1 = t2. Este siguiente circuito, con la ayuda de unos elementos adicionales diodos (D1 y D2) y haciendo que las resistencias R = R' logra este cometido. El circuito permite generar una onda cuadrada con t1 = t2, aplicando t = 0.693 RC solamente, no as con t1 = 0.693 R1C y t2 = 0.693 (R1+R2) donde t1 = t2. Los tiempos de carga y descarga del condensador son iguales, dada la imaginacin del lector este puede llevarse a diversos planos, tales como: el disparo para realizar un inversor CC - CA, sincronizacin de seal para determinar una frecuencia.

Oscilador astable con un temporizador 555 donde t1 = t2

T = t1 + t2 El periodo:T = t1 + t2 y la frecuencia: f = 1 / T Recordar que el perodo es el tiempo que dura la seal desde que se inicia en un momento dado hasta que ste se vuelve a repetir.

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El temporizador (timer), fundamentos, control electrnico

El Temporizador (Timer): Circuito fundamental para el control electrnico


Por: Jorge L. Jimnez. Director de LADELEC Barranquilla, Colombia Octubre 2006 www.ladelec.com

Tutorial terico-prctico sobre el circuito Temporizador; contiene fundamentos, modos, ajustes y aplicaciones de los temporizadores. Dirigido a personas con conocimientos bsicos de electrnica.

Fundamentos

Iniciamos el tutorial con un ejemplo real. Arma el circuito de la figura 1. Pulse momentneamente el suiche y al soltarlo observe el brillo del led. Ahora cambie el C por uno de 470uF/25V y repita el proceso. Concluimos que el tiempo de descarga del C es mayor cuando aumenta su valor en uF. Ahora veamos la carga del C. Armamos el circuito de la figura 2. Con la ayuda de un tester multmetro mida el voltaje DC en los pines del C y observe como va aumentando lentamente su voltaje de carga. Ahora cambie la R por una de 1M y mida nuevamente. Concluimos que el tiempo de carga es mayor cuando aumenta el valor de R. Esto nos marca el principio de funcionamiento de los temporizadores a saber que el tiempo viene dado por el circuito RC asociado. Un circuito completo real de un temporizador lo observamos en la figura 3. El temporizador estar activo un perodo igual a: t = 1.1( R . C) Si queremos que este circuito maneje cargas reales de 120VAC debemos utilizar la seal activa en alto del pin 3 (salida) y amplificarla mediante un transistor driver. Este activar un rel que servir para manejar lo que queramos acorde a la capacidad de sus contactos. Un circuito real que maneja la vlvula de agua de un sistema sanitario por un tiempo ajustado en el temporizador es el siguiente:

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Observe que en esencia es el mismo circuito, solo se han agregado unos cuantos dispositivos para dar una aplicacin real.

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El Temporizador (Timer): Circuito fundamental para el control electrnico
Ajustes, modos, aplicaciones Ajustes
Al saber que el tiempo o perodo es igual a

t = 1.1( R . C)
deducimos que para ajustar el tiempo solo debemos variar uno de los dos valores; bien sea C R. El resultado ser un mayor o menor tiempo dependiendo si es mayor o menor el valor de R C. Usualmente se vara R cambindola por un potencimetro ya que es ms fcil. Ahora bien hay un circuito temporizador que se ajusta con suiches de seleccin el cual es el que mostramos a continuacin con su tabla de tiempos Como puedes observar es el mismo principio de funcionamiento ya que en el pin 1 y 2 van los componentes R C; el suiche pulsador de inicio est en el pin 6 que viene haciendo las veces del suiche de la figura 1 y los suiches de seleccin de temporizacin propios del integrado se conectan al pin 12 y 13. De esta forma uno programa cuanto tiempo va a activar o temporizar el circuito.

Modos
Hasta aqu hemos visto como trabaja el temporizador activando una carga desde que le damos start inicio. Podemos decir que este es el modo activo en alto. Sin embargo puede presentarse una necesidad que haga todo lo contrario: es decir que se active en bajo y pase a alto solo despus que haya pasado el temporizado. Este es el caso de los protectores de nevera que al recibir energa no la conectan enseguida sino solo despus de que ha pasado el temporizado. Para ello solo tenemos que invertir la posicin de los componentes R y C. La R que estaba arriba se coloca donde iba el C y el C pasa al lugar de la R. Todo lo dems queda igual y solo resta colocarle el circuito de potencia que queramos.

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Aplicaciones
Los temporizadores estn presentes en casi todos los circuitos electrnicos. Aparte de los ejemplos mostrados tenemos uno muy usual en la industria: Un sistema temporizado secuencial de procesos. El circuito esta mostrado abajo y sirve para controlar un proceso (por ejemplo una inyectora de plsticos) y al terminar el proceso reiniciarse automticamente.

Por: Jorge L. Jimnez. www.ladelec.com

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Amplificador Operacional: Caractersticas, ganancia a lazo abierto

Historia
El Amplificador Operacional fue desarrollado para ser utilizado en computadoras analgicas en los inicios de los aos 1940. Los primeros Amplificadores Operacionales (Op. Amp.) utilizaban los tubos al vaco, eran de gran tamao y consuman mucha potencia. En 1967 la empresa "Fairchild Semiconductor" introdujo al mercado el primer amplificador operacional en la forma de un circuito integrado, logrando disminuir su tamao, consumo de energa y su precio. Este dispositivo es un amplificador lineal de alto rendimiento, con una gran variedad de usos.

Caractersticas del Op. Amp. (AO)


Bsicamente el Amp. Op. (Op. Amp.) es un dispositivo amplificador de la diferencia de sus dos entradas, con una alta ganancia, una impedancia de entrada muy alta, (mayor a 1 Megaohm) y una baja impedancia de salida (de 8 a 20 ohmios). Con estas caracterstica se deduce que las corrientes de entrada son prcticamente nulas y que tiene la caracterstica de poder entregar corriente relativamente alta (ver datos del fabricante). Internamente el Amplificador Operacional contiene un gran nmero de transistores, resistores, capacitores, etc..

El terminal + es el terminal no inversor. El terminal - es el terminal inversor Hay varios tipos de presentacin de los amplificadores operacionales, como el paquete dual en lnea (DIP) de 8 pines o patitas. Para saber cual es el pin 1, se ubica una muesca entre los pines 1 y 8, siendo el # 1 el pin que est a la izquierda de la muesca cuando se pone el integrado como se muestra en el diagrama. La distribucin de los terminales del Amplificador operacional en el Circuito integrado DIP de 8 patillas es:

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- pin 2: entrada inversora ( - ) - pin 3: entrada no inversora ( + ) - pin 6: salida (out) Para alimentar un amplificador operacional se utilizan 2 fuentes de tensin: - una positiva conectada al pin 7 y - otra negativa conectada al pin 4 Tambin hay otra presentacin con 14 pines. En algunas versiones no hay muesca, pero hay un circulo pequeo cerca de la patita # 1.

Ganancia en lazo abierto


Esta ganancia es aquella que tiene el amplificador operacional cuando no existe ningn camino de realimentacin entre la salida y alguna de las dos entradas. Ver el diagrama inferior. La ganancia del amplificador en lazo abierto est dada por la siguiente frmula: AV = Vsal/Vent Donde: AV = ganancia de tensin Vsal = tensin de salida Vent = tensin de entrada En un amplificador operacional ideal, esta ganancia es infinita. Como el operacional es real, su ganancia est entre 20,000 y 200,000 (en amplificador operacional 741C). Este tipo de configuracin se utiliza en comparadores, en donde lo que se desea es saber cual de las dos entradas tiene mayor tensin.

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Amplificador Operacional
Ganancia en lazo cerrado (realimentacin)
Para poder controlar la ganancia de tensin que tiene un amplificador operacional, se le provee de una realimentacin negativa, que har que este circuito sea mucho ms estable. La ganancia es dada por la siguiente frmula: AV = - Vo / Vin. El signo menos indica que la seal en la salida ser la opuesta a la entrada (sale invertida, una tensin positiva aplicada a la entrada produce una tensin negativa a la salida). El valor de la ganancia est dada por: AV = - R2 / R1 Si se modifican los valores de R2 y R1, se modifica la ganancia. Ejemplo: Si R2 = 500 Kohmios y R1 = 10 Kohmios, entonces AV = - Vo / Vin = - R2 / R1 = - 500 / 10 = - 50. La ganancia ser de 50 y la seal a la salida estar invertida (signo menos)

Amplificacin en CC (amplificador inversor)


Si al amplificador con ganancia de 50 mencionado en el prrafo anterior, se la aplica una seal de 0.1 voltios = 100 mV (milivoltios) en la entrada, la salida ser: Vo = - Av x Vin = - 50 x 0.1V. = - 5 V. La entrada positiva y salida la salida est ampliada e invertida (negativa). Nota: El grfico no est a escala

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Amplificador Operacional
Amplificador inversor, respuesta de frecuencia, saturacin, tierra virtual
El amplificador inversor amplifica e invierte (ver el signo menos) una seal de corriente alterna. En este caso la seal alterna de entrada sale amplificada en la salida, pero tambin desfasada 180 (invertida). La ganancia de tensin se obtiene con la frmula: AV = -Vsal/Vent y AV = -R2/R1 Si Vent = 0.1 V = 100 mV y Vsal = -10 V, entonces AV = -10 / 0.1 = -100. Las magnitudes de la seales alternas se pueden medir en tensin pico, pico-pico o RMS.

Respuesta de frecuencia
El amplificador operacional no amplifica de la misma manera para todo el rango de frecuencias. Conforme la frecuencia de la seal a amplificar aumenta, la capacidad del Amplificador Operacional para amplificar disminuye. Hay una frecuencia en particular para la cual la ganancia de tensin ha disminuido al 70.7 % de la ganancia a frecuencias medias. (la ganancia a disminuido en 3 dB. (decibeles)) Esta es la frecuencia de corte y nos indica el lmite superior del ancho de banda (BW) de este Op. Amp.

Saturacin
Si se aumenta la seal de entrada en amplificador operacional, aumentar tambin la salida. Pero hay un lmite mximo al que puede llegar la salida (aproximadamente entre 1.5 y 2 voltios menos que la tensin entregada por las fuentes de alimentacin). Despus de esta tensin, aunque aumentemos la entrada la salida no aumentar Entonces hay una seal de entrada mxima que har que la seal de salida llegue tambin a su mximo. (mximo permitido por la fuente). Si seal de entrada es mayor a sta se produce la saturacin y la tensin de salida ser recortada en los picos negativos y positivos. Ver figura.

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Tierra virtual
Cuando un amplificador operacional no est saturado, trabaja en condiciones normales. As la diferencia de tensin entre la entrada inversora y tierra es casi 0 voltios. Entonces se dice que la entrada inversora es una tierra virtual. Si el amplificador entra en saturacin, lo anterior ya no es cierto, pues aparece una tensin entre la entrada inversora y tierra.

Enlaces relacionados - Amplificador diferencial - Integrador con amplificador operacional - Generador de onda triangular, entrada senoidal en un integrador - Convertidor Tensin a Corriente con Amplificador operacional

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Amplificador Operacional
Amplificador de fuente nica, capacitor de bloqueo
Cuando se utilizan amplificadores operacionales, se indica que stos deben de funcionar con dos tipos de tensin: una positiva y otra negativa. Esto podra no ser un problema si se tiene ms de una fuente, pero en equipos porttiles es normal que slo se utilice una fuente de tensin (como una batera o pila) Para lograrlo se elimina la fuente de tensin negativa y se implementa una divisin de tensin. Ver que con esta divisin de tensin se elev el nivel de tensin que antes era 0 voltios y ahora tiene un valor igual a la mitad del valor de la fuente de alimentacin utilizada. La divisin de tensin se implementa con dos resistencias R3 y R4 y es aplicada a la entrada no inversora. La tensin sobre R4 establece la tensin de polarizacin aplicada a la entrada no inversora y produce un desplazamiento en el nivel de tensin en CC a la salida del amplificador. Ver la siguiente figura. La tensin de salida ser, de esta manera, similar a la salida original con dos fuentes de tensin, pero desplazada en nivel en una cantidad igual a la tensin de polarizacin (5 voltios si se supone que R3 = R4).

La tensin de polarizacin de obtiene con la siguiente frmula: Vpolarizacin = R4 / (R3 + R4) x Vfuente alimentacin La ganancia se obtiene con las frmulas: Av = - Vo / Vin = - R2 / R1

Condensador / capacitor de bloqueo


Si se agrega un divisor de tensin se estara entregando a la fuente de la seal de entrada un nivel de corriente continua. Para evitar sto se incluye en el paso de la seal de entrada un condensador de bloqueo (C) que dejar pasar la seales alternas y detendr la corriente continua. (a esto se le llama desacoplar la fuente de seal de la entrada)

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Nota: Tomar en cuenta que tanto la entrada inversora, como la no inversora estn al mismo nivel de tensin y que si se pone un nivel de tensin en CD en la entrada no inversora, tambin aparecer en la entrada inversora.

Enlaces relacionados - Amplificador diferencial - Integrador con amplificador operacional - Generador de onda triangular, entrada senoidal en un integrador

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Amplificador Operacional
No inversor, ganancia de tensin, impedancia de entrada y salida
En este caso la seal a amplificar se aplica al pin no inversor (+) del amplificador operacional. Como el nombre lo indica, la seal de salida no est invertida respecto a la entrada

Del grfico se ve que la tensin en R1 es igual a VR1 = [R1 / (R1 + R2)] x Vsal (por divisin de tensin) En operacin normal la tensin entre las entradas (inversora y no inversora) es prcticamente cero, lo que significa que la entrada Ven es igual a VR1. Entonces con Ven = VR1, y con la formula anterior

Ven = [R1 / (R1 + R2)] x Vsal.


Despejando para Vsal / Vent (ganancia de tensin)

AV = Vsal / Ven = (R1 + R2 ) / R1 = R1 / R1 + R2 / R1 entonces AV = 1 + R2 / R1


De la anterior frmula se deduce que la ganancia de tensin en este tipo de amplificador ser de 1 o mayor.

Impedancia de entrada
La impedancia de entrada del amplificador no inversor es mucho mayor que la del amplificador inversor. Se puede obtener este valor experimentalmente colocando en la entrada no inversora una resistencia R de valor conocido. Ver el siguiente grfico En los terminales de la resistencia R habr una cada de tensin debido al flujo de una corriente por ella que sale de la fuente de seal y entra en el amplificador operacional. Esta corriente se puede obtener con la ayuda de la ley de ohm: I = VR / R, donde VR = Ven - V(+) Para obtener la impedancia de entrada se utiliza la siguiente frmula (ley de Ohm):

Zin = V+ / I
Donde - V(+): es la tensin en el terminal de entrada no inversor del amplificador

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operacional - I : es la corriente anteriormente obtenida

Impedancia de salida
La impedancia de salida se puede obtener, como la impedancia de entrada, experimentalmente.

1 - Se mide la tensin en la salida del amplificador operacional sin carga Vca. (Al no haber carga, no hay corriente y por lo tanto, no hay cada de tensin en Zo.) 2 - Se coloca despus en la salida un resistor de valor conocido RL. 3 - Se mide la tensin en la carga (tensin nominal) = VRL 4 - Se obtiene la corriente por la carga con al ayuda de la ley de ohm: I = VRL / RL 5 - Para obtener la impedancia de salida Zo se utiliza la siguiente formula:

Zo = [VCA - VRL] / I
Donde: - Zo = impedancia de salida - VCA = tensin de salida del operacional sin carga - RL = resistencia de carga - VRL = tensin de salida del amplificador operacional con carga - I = corriente en la carga

Enlaces relacionados - Amplificador diferencial - Integrador con amplificador operacional - Generador de onda triangular, entrada senoidal en un integrador

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Comparador con Amplificador Operacional

Comparador Inversor
Un Amplificador Operacional puede ser utilizado para determinar cual de dos seales en sus entradas es mayor. (se utiliza como comparador). Basta con que una de estas seales sea ligeramente mayor para que cause que la salida del amplificador operacional sea mxima, ya sea positiva (+Vsat) o negativa (-Vsat). Esto se debe a que el operacional se utiliza en lazo abierto (tiene ganancia mxima) La ganancia real de un amplificador operacional es de 200,000 o ms y la frmula de la seal de salida es: Vout = AOL (V1 V2) Donde: - Vout = tensin de salida - AOL = ganancia de amplificador operacional en lazo abierto (200,000 o ms) - V1 y V2 = tensiones de entrada (las que se comparan) Vout no puede exceder la tensin de saturacin del amplificador operacional, sea esta saturacin negativa o positiva. (normalmente este valor es unos 2 voltios menos que el valor de la fuente ( V+ V- ) Del grfico se ve que el valor de la entrada en V2 es mayor que la de V1 (que se utiliza como referencia y tiene un valor fijo), hasta que en un momento t1, V2 cambia y ahora es menor que V1.

Como V2 est conectado a la entrada no inversora del operacional, la salida (Vout) est en saturacin positiva, hasta que llega a t1, en donde la salida ahora est en saturacin negativa.

Comparador No inversor

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En este comparador la tensin de referencia se aplica a la entrada inversora, y la seal a detectar ser aplicada a la entrada no inversora. La tensin de referencia puede ser positiva o negativa. - Si la seal a detectar tenga una tensin superior a la tensin de referencia, la salida ser una tensin igual a +Vsat (tensin de saturacin positiva). - Si la seal de entrada tiene una tensin inferior a la seal de referencia, la salida ser igual a -Vsat (tensin de saturacin negativa)

Comparador Inversor
En este comparador la tensin de referencia se aplica a la entrada no inversora, y la seal a detectar ser aplicada a la entrada inversora. La tensin de referencia puede ser positiva o negativa. - Si la seal a detectar tenga una tensin superior a la tensin de referencia, la salida ser una tensin igual a -Vsat (tensin de saturacin negativa). - Si la seal de entrada tiene una tensin inferior a la seal de referencia, la salida ser igual a +Vsat (tensin de saturacin positiva)

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Comparador de ventana con operacionales (Op. Amp.)

Comparador de ventana con dos Amplificadores Operacionales


Algunas veces es necesario saber si una seal o nivel de tensin est dentro o fuera de un lmite aceptable. Con ayuda de un comparador (amplificador operacional) que controle el nivel superior y otro comparador que controle el nivel inferior, se puede implementar un comparador de ventana. El nivel de tensin a censar (Vin) se aplica a la entrada inversora del operacional que controla el lmite superior (ver Vh) y tambin a la entrada no inversora del operacional que controla el lmite inferior (ver VL). Ver el grfico

Comparador de ventana con dos amplificadores operacionales La lmpara slo se encender cuando la salida de los amplificadores operacionales sea un nivel bajo.

Formas de onda de la salida y entrada del comparador de ventana De los dos diagramas anteriores se puede ver con claridad que el nivel bajo a la salida sucede cuando la seal de entrada (ver onda triangular) esta por encima del lmite superior (lnea roja) y por debajo del lmite inferior (lnea azul). Este nivel bajo en la salida activara la lmpara o circuito de alarma que indica el estado no permitido.

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Comparador regenerativo

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Comparador regenerativo con Amplificador Operacional (Disparador schmitt)
Generador de onda cuadrada
Cuando se utiliza un comparador en su configuracin bsica, existe el inconveniente de que slo es necesario que la entrada a comparar tenga un nivel ligeramente diferente al de referencia para que la salida pase a saturacin positiva o negativa.

Ver que el comparador en configuracin bsica est en lazo abierto (no tiene resistencias de realimentacin para controlar la ganancia del operacional) y su ganancia es mxima. (saturacin, ya sea positiva o negativa) Esto significa que la seal a comparar debe ser una seal libre de ruidos, (ver lnea roja en el segundo grfico) pues estos causaran que hayan tensiones de salida falsas. Si una seal de entrada de 0.01 voltios fuera afectada por ruido que tuviera una amplitud de 0.5 voltios pico-pico. Esta seal aun estando en la parte positiva del grfico, tendra un valor negativo no deseado de 0.01 - 0.25 = - 0.16 voltios (valor negativo) salida errnea Para evitar estas salidas falsas en el comparador se utiliza la realimentacin positiva en el circuito. La tensin de realimentacin es la que aparece en el resistor Rb, se aplica a la entrada no inversora del amplificador operacional y se obtiene con ayuda de la frmula:

Vrealimentacin = +/- Rb x Vsat/(Ra + Rb)


+Vrealimentacin = VHL - Vrealimentacin = VLH (ver signos "+" y "" que indican que hay dos tensiones de realimentacin, una positiva y una negativa) Analizar el grfico de la derecha de izquierda a

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derecha - Cuando Ventrada < VHL entonces la Salida = V+ (voltaje de saturacin positivo) - Cuando Ventrada > VHL entonces la Salida = V- (voltaje de saturacin negativo) - La salida se mantendr en voltaje de saturacin negativa mientras la onda triangular este por encima de VHL, despus pase por cero ( 0 ) y seguir as hasta... - Cuando Ventrada < VLH entonces la salida = V+ (voltaje de saturacin positivo) - Cuando Ventrada > VLH entonces la salida = V+ (voltaje de saturacin positivo) y se mantendr as hasta .... - Cuando Ventrada > VHL entonces la Salida = V- (voltaje de saturacin negativo) Este circuito tambin se utiliza como generador de onda cuadrada partiendo de una onda triangular como se puede ver del grfico anterior. Este tipo de circuito, debido a su configuracin, tiene una "curva de histresis" debido a que la salida slo pasa de saturacin positiva a negativa y viceversa cuando Ventrada excede a los valores de tensin de realimentacin tanto positiva como negativa. Ver: Histresis

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Integrador con Amplificador Operacional
rea bajo la curva
Un circuito integrador realiza un proceso de suma llamado "integracin". La tensin de salida del circuito integrador es proporcional al rea bajo la curva de entrada (onda de entrada), para cualquier instante.

Integrador con un amplificador operacional

En el siguiente grfico se puede ver una seal de entrada (lnea recta) de 3 voltios que se mantiene continuo con el pasar del tiempo.

Onda de entrada

El el siguiente grfico se muestra que el rea bajo la curva en un momento cualquiera es igual al valor de la entrada multiplicado por el tiempo. Vsal = Vent xt

Onda de salida

Por ejemplo: al terminar el al terminar el al terminar el al terminar el

primer segundo, el rea bajo la curva es Vent x t = 3 x 1 = 3 siguiente segundo, el rea bajo la curva es Vent x t = 3 x 2 = 6 tercer segundo, el rea bajo la curva es Vent x t = 3 x 3 = 9 cuarto segundo, el rea bajo la curva es Vent x t = 3 x 4 = 12

Dando los valores de resistor R = 1 M y capacitor C = 1 uF al primer grfico, el valor de la tensin de salida es: Vsal = - (1 / RC) x Vent x t. La ganancia de este amplificador en este caso es: -1 / (1 x 106 x 1 x 10-6) = -1, y el signo negativo se debe a que el amplificador operacional est configurado como amplificador inversor As: al terminar el primer segundo, Vsal = - Vent x t = - 3 x 1 = - 3 al terminar el siguiente segundo, Vsal = - Vent x t = - 3 x 2 = - 6

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al terminar el tercer segundo, Vsal = Vent x t = - 3 x 3 = - 9 al terminar el cuarto segundo, Vsal =Vent x t = - 3 x 4 = - 12 Esta tensin de salida no crece indefinidamente (en sentido negativo). Hay un momento, como se puede ver el ltimo grfico en que sta lnea se mantiene a un valor constante. Esto sucede cuando el amplificador llega a su tensin de saturacin.

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Generador de onda triangular. Integrador con Amplificador Operacional
Entrada senoidal, salida triangular
Si a un integrador se le mantiene la entrada a un nivel de corriente continua (constante), por un largo periodo de tiempo, este llegar a saturacin. Observando las figuras del grfico ms abajo se puede ver que si la onda de entrada es cuadrada, el rea acumulada es la que se muestra en la primera figura y la forma de onda de la salida ser la que se muestra en la tercera figura. Se puede ver que la tercera figura es el inverso de la segunda debido a que se utiliza un amplificador operacional como inversor Entre t0 y T1: En el grfico superior se ve que mientras la tensin de entrada (Vent) se mantiene constante positiva el rea acumulada aumenta y la tensin de salida (Vsal) tiene pendiente negativa debido a la inversin (la seal de entrada ingresa por el terminal inversor del amplificador operacional). En t1: La forma de onda de la entrada cambia su polaridad bruscamente a un valor negativo, el rea acumulada va disminuyendo y la forma de onda de la salida tiene pendiente positiva. En t2: La entrada cambia a un valor positivo bruscamente y el ciclo se vuelve a repetir. En el grfico anterior el tiempo en que la seal de entrada permanece constante, ya sea positiva o negativa, no es suficiente para que el integrador de se sature en su salida Si la entrada es una onda cuadrada, el integrador se puede utilizar como generador de onda triangular

Seal de entrada sinusoidal


Si la tensin de entrada es sinusoidal, las diferentes formas de onda se ven en el siguiente grfico

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En este caso el rea acumulada inicia con un valor negativo debido a la parte de la seal de entrada (Vent) que existe entre -90 y 0. De 0 a 90 el rea acumulada es positiva. Esta rea se resta del rea negativa previa hasta cancelarse cuando se llega a los 90. Despus el rea acumulada vuelve a crecer hasta llegar a los 180. Despus de los 180 la entrada empieza a disminuir y esto causa que tambin empiece a disminuir el rea acumulada. La forma de onda de la salida es invertida a la del rea acumulada debido a que la entrada de la seal se hace en la entrada inversora Matemticamente: - rea acumulada = -Vp cos t - Salida invertida = Vsal = Vp cos t Con la tensin pico de salida = Vp = (1 / RC) Vent La tensin de salida ser: Vsal = (1 / RC) Vent cos t

Enlaces relacionados - Orden, fase, relacin de tensin entrada / salida - Filtros (concepto)

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Derivador con Amplificador Operacional
Ondas de entrada y salida
Derivador es un circuito en el que la seal de salida es proporcional a la derivada en el tiempo de la seal de entrada. En otras palabras la salida es proporcional a la velocidad de variacin de la seal de la entrada.

Velocidad de cambio = Vent / t


Nota: = cambio

Tipos de ondas de entrada:


Seal de entrada es una tensin fija (ejemplo: 3 Voltios): La velocidad de variacin de la seal de entrada es cero y por consiguiente la salida tambin ser cero. Seal de entrada es una onda cuadrada: Cada vez que la seal cambia de nivel hay un brusca variacin en la seal de entrada (se pasa de un nivel de tensin a otro en un tiempo muy corto) y en la salida se observan unos picos, tanto en el sentido positivo como negativo. (dependiendo del sentido de la variacin). Seal de entrada es un onda triangular: La seal de salida es cuadrada, ejemplo: En el caso de la onda cuadrada de 3 voltios de amplitud: Velocidad de cambio = (3 V - 0 V) / (0.005 s - 0 s) = 600 voltios / s Si el tiempo fuera menor la velocidad de cambio aumentara. La salida de cada salto est invertida debido a que la entrada est conectada al la patita inversora del amplificador operacional Cuando la seal de entrada es sinusoidal, la salida del derivador es como se muestra en el siguiente grfico Aqu Vsal = - VP cos wt (negativo pues el derivador es tambin inversor) Como VP = A Vent w, entonces Vsal = - A Vent w cos wt Vsal = - A Vent 2pif cos wt De la ltima frmula se puede ver que un derivador es proporcional a la frecuencia

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de la seal de entrada. La mayor velocidad se da cuando la seal cruza el eje horizontal con un ngulo pronunciado. Si hubiese ruido a la entrada, ste normalmente sera de una frecuencia ms alta comparado con la seal a derivar, esto causara que pequeos valores de ruido aparezcan a la salida mucho ms grandes. Para evitar sto se coloca en la entrada un resistor R1 y un capacitor C1 se agrega en paralelo con la resistencia de realimentacin para reducir la inclinacin a oscilar del circuito.

Estos dos ltimos componentes reducen la capacidad de derivacin del circuito, pero slo lo hacen hasta la frecuencia que determinan los resistores y capacitores.

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Rectificador instrumentacin de media onda con Amplificador Operacional
Funcionamiento
Para poder comprender mejor lo que se plantea en este tutorial se recomienda que vea primero Inicios, caractersticas, ganancia a lazo abierto, Ganancia a lazo cerrado (realimentacin), inversor en CC, Circuito inversor en CA, frecuencia, saturacin, tierra virtual. Si ya lo hizo o considera que no es necesario contine Cuando se analiza los rectificadores de media onda o rectificador de onda completa para fuentes de alimentacin, se puede notar que en casi todos los casos se desprecia la cada de tensin (0.7 voltios aproximadamente) que hay en los diodos. Cuando se rectifica seales alternas de 110 o 220 voltios, despreciar 0.7 voltios no es problema. Pero cuando se trata de rectificar una seal alterna de una amplitud mucho menor (en el orden de los milivoltios), esta cada en el diodo es importante, y ms, si la seal a rectificar tiene una amplitud menor a la tensin de diodo polarizado en directo (0.7 V.) Para poder rectificar estas tensiones tan pequeas, se utiliza un amplificador operacional (Op. Amp.). Ver el grfico anterior.

Funcionamiento:
- Cuando la tensin de entrada es cero: los diodos no estn polarizados y se comportan como circuitos abiertos. El amplificador funciona como si estuviera en circuito abierto. Ver grfico. - Cuando la tensin en la entrada cambia ligeramente hacia un valor negativo: La entrada en el pin inversor del operacional ser negativo, causando que la salida sea positiva, as conduce D2 a travs de Rf y el diodo D1 no conduce Nota: En lazo abierto (ver el grfico anterior) la ganancia del operacional es muy grande (200,000 aproximadamente). Si la tensin en la entrada cambia ligeramente hacia un valor negativo, este valor ser amplificado y habr seal suficiente para polarizar D2. La seal necesaria para hacer conducir el diodo 2 es: Vin = Vo / Ganancia = 0.7 / -200,000 = -0.35 x 10-15 Voltios = -0.35 microvoltios Acordarse que: Ganancia = Vo / Vin - Cuando la seal pasa por el nivel de cero voltios (0 V.) (de negativo a positivo): Nuevamente el D2 se comporta como un circuito abierto, mientras D1 conduce y cierra el lazo de realimentacin del amplificador.

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Rectificador instrumentacin de 1/2 onda (continuacin) y Rectificador de onda completa con Amplificador Operacional
Funcionamiento
Para poder comprender mejor lo que se plantea en este tutorial se recomienda que vea primero: Inicios, caractersticas, ganancia a lazo abierto, Ganancia a lazo cerrado (realimentacin), inversor en CC, Circuito inversor en CA, frecuencia, saturacin, tierra virtual. Si ya lo hizo o considera que no es necesario contine

- Cuando empieza a aplicar el ciclo positivo, una pequea tensin a


la entrada mantiene el diodo D2 sin conducir. La entrada inversora del amplificador operacional se mantiene a tierra virtual y el amplificador es recortado en una cada del diodo por debajo del nivel de tierra, con D2 apagado no circula corriente por Rf y la salida es 0 voltios En otras palabras, si una pequea tensin de entrada (microvoltios) es aplicada, se mantiene D2 apagado y el amplificador operacional es llevado a saturacin negativa. De esta manera la salida se mantiene en 0 voltios por todo el ciclo positivo de la seal de entrada. Y...... el ciclo se vuelve a repetir.

Rectificador para instrumentacin de onda completa


Para lograr obtener una salida totalmente rectificada. se ponen unos elementos adicionales al rectificador de media onda que ya se conoce En el rectificador de media onda, en el ciclo positivo de la entrada, el diodo 2 no conduce, y no se obtiene la seal a la salida. En el diagrama anterior la resistencia Ra esta conectada entre la entrada Ven y la entrada no inversora del segundo operacional. La salida del segundo operacional entonces entrega una seal negativa (El semiciclo positivo de la seal de entrada se invierte una vez) Tambin la seal de salida del primer operacional se aplica a la entrada del segundo operacional. En este caso el semiciclo negativo de la seal de entrada se invierte en el primer operacional y se vuelve a invertir en el segundo. Y el ciclo se vuelve a repetir.

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De esta manera se obtiene un rectificador de onda completa. El capacitor C, si se conecta mediante "S", se utiliza para "aplanar" la salida.

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Introduccin a los Tiristores
Por: Gustavo A. Ruiz Robredo ruizrg@unican.es

12.1- Introduccin

La electrnica de potencia concierne a los circuitos con tiristores, a su diseo y a su funcin en el control de potencia en un sistema. Existen gran variedad de tiristores, pero todos ellos tienen ciertas propiedades en comn: son dispotivos de estado slido que se disparan bajo ciertas condiciones pasando de un estado de alta impedancia a uno de baja, estado que mantiene mientras que la corriente y la tensin sean superiores a un valor mnimo denominado niveles de mantenimiento. Estructuralmente, todos los tiristores consisten en varias capas alternadas de silicio dopado con impurezas p y n. El disparo de un tiristor se realiza inyectando corrientes en esas uniones de forma que, mediante una reaccin regenerativa, conmuta o conduccin y lo mantiene en este estado aunque la seal de disparo sea retirada, siempre que se verifiquen unos requerimientos mnimos de tensin y corriente. Estas caractersticas hacen que los tiristores sean mucho ms tiles que los conmutadores mecnicos, en trminos de flexibilidad, duracin y velocidad.

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Estos dispositivos se utilizan en control de potencia, convertidores DC-DC o DCAC o AC-DC o AC-AC, motores, luz incandescente, etc. En la figura 12.1 se muestran los smbolos de los dispositivos pertenecientes a la familia de los tiristores. El rectificador controlado se silicio o Silicon Controlled Rectifiers (SCR) es el tiristor de mayor inters hoy en da. Fue introducido en 1956 por los laboratorios de Bell Telephone y son capaces de controlar hasta 10MW con niveles de corriente de hasta 2000A a 18000V. El control de estos dispotivos se realiza a travs de transistores, familias lgicas, luz (en triacs optoelectrnicos), transistores de uniunin (UJTs), transistores uniunin programables (PUTs), conmutadores bidireccionales de silicio (SBSs), etc.

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Diodo de 4 capas (Diodo Shockley)
12.2.- Diodo de cuatro capas
El diodo de cuatro capas o diodo Shockley es un dispositivo compuesto por cuatro capas semiconductoras npnp, cuya estructura y smbolo se describen en la figuras 12.2.a y 12.2.b. Esencialmente es un dispositivo interruptor. Al aplicar un tensin positiva entre nodo y ctodo se puede observar que la unin J1 y J3 est polarizada en directa, y la unin J2 polarizada en inversa. En estas condiciones nicamente circula una corriente muy baja (despreciable) y el dispositivo se encuentra cortado. Aumentando esta tensin positiva se llega a una tensin VBO de ruptura o avalancha donde la corriente crece de forma abrupta y la cada de tensin decrece de la misma manera. En este momento, el diodo ha conmutado desde el estado de bloqueo a conduccin.

Una manera sencilla de entender el funcionamiento de este diodo consiste en separar su estructura fsica en dos mitades (figura 12.2.c). La mitad izquierda es un transistor NPN y la mitad derecha PNP, resultando el circuito mostrado en la figura 12.3.d que normalmente es referido como candado. Las caractersticas elctricas de un diodo de cuatro capas se muestran en la grfica de la figura 12.3. En esta grfica, se pueden identificar dos zonas y cuatro regiones de operacin:

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1.- Zona directa (V > 0) 1.a) Regin de corte. El diodo se encuentra en corte con unas corrientes muy bajas. En esta regin se puede modelar como una resistencia ROFF de valor

1.b) Regin de resistencia negativa. Cuando la tensin entre nodo y ctodo es suficientemente alta se produce la ruptura de la unin con un incremento muy elevado en corriente comportndose el diodo como si fuera una resistencia negativa debido a la realimentacin positiva de su estructura. 1.c) Regin de saturacin o conduccin. En esta regin, la cada de tensin entre nodo y ctodo est comprendida entre 0.5V y 1.5V, prcticamente independiente de la corriente. Se mantendr en este estado siempre que la tensin y corriente alcancen unos valores mnimos conocidos como niveles de mantenimiento definidos por VH e IH. 2.- Zona inversa (V < 0 ) 2.a) Regin de ruptura. El diodo puede soportar una tensin mxima inversa VRSM que superado ese valor entra en conduccin debido a fenmenos de ruptura por avalancha.

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SIDAC (Silicon Diode for Alternating Current)
12.2.1 - SIDAC
El SIDAC es un dispositivo bilateral de disparo de alta tensin y corriente. Es bsicamente un diodo de cuatro capas con unas caractersticas elctricas simtricas. En la figura 12.4.a se describe su estructura fsica, en la figura 12.4.b el smbolo de este dispositivo y en la figura 12.4.c sus caractersticas elctricas simtricas. El SIDAC se utiliza en aquellas aplicaciones que se necesitan una tensin de disparo VBO cuyos valores estn comprendidos entre 120 V y 270V (tpicos).

El MKP3V120 de Motorola es un ejemplo tpico de un SIDAC, con una corriente mxima de 1A y una tensin de ruptura de VBO = 120 V (pertenece a la serie MKP3VXXX en donde las tres ltimas cifras definen la VBO). En la figura 12.5 se indican sus caractersticas I-V en estado de conduccin. En este caso, la tensin nodo-ctodo es aproximadamente ~1.1V prcticamente independiente de la corriente. Una de las aplicaciones ms tpicas del SIDAC es como generador de diente de sierra en donde se aprovecha las caractersticas de disparo y bloqueo de este dispositivo.

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Generador diente sierra con SIDAC MKP3V120
En la figura 12.6.a se presenta el esquema de este circuito basado en el MKP3V120. Las principales caractersticas de este dispositivo son:

En la figura 12.6.b se muestra la forma de onda de Vo que se asemeja a un diente de sierra. El funcionamiento del circuito es el siguiente. El condensador se carga a travs de R cuando el SIDAC est cortado. En estas condiciones, el dispositivo se comporta como una resistencia ROFF de valor

Esta resistencia es tan elevada que a efectos prcticos se puede considerar como despreciable. La ecuacin de carga del condensador parte de una tensin inicial V H (VH =1.1V), correspondiente a la tensin de mantenimiento del SIDAC, hasta la tensin final Vcc (Vcc = 200V). Esta ecuacin es

La tensin Vo(t) evoluciona de forma exponencial tal como se muestra en la figura 12.6.b. Este proceso de carga del condensador finalizar cuando el SIDAC entre en conduccin, situacin que se produce cuando la tensin Vo(t) alcance la tensin de ruptura, es decir, el proceso de carga durar un tiempo to correspondiente al tiempo que tarda Vo(t) en tomar el valor VBO, es decir, Vo(t=to) = VBO = 120 V. Este tiempo est definido por la siguiente ecuacin

En el momento que entra en conduccin el SIDAC, ste descarga rpidamente el condensador C hasta su tensin de mantenimiento (VH). El dispositivo estar permanentemente en ese estado siempre que se asegure la corriente de mantenimiento IH de 100mA. Pero en este circuito, la corriente que circula por R es

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que es menor que la corriente de mantenimiento, luego el SIDAC pasar a estado de corte de forma natural permitiendo que el condensador se cargue nuevamente a travs de R y se repita el proceso indefinidamente. Si se desea que el SIDAC permanezca en conduccin permanente con VO=VH es preciso asegurar la corriente de mantenimiento, para lo cual la resistencia R tiene que ser menor que el valor de la resistencia crtica obtenido por la siguiente expresin

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SBS - Silicon Bidirectional Switch
El SBS o Silicon Bidirectional Switch es un dispositivo de baja potencia simtrico para aplicaciones de disparo ms verstil que el SIDAC. Tiene adems un terminal adicional (gate o G) que permite modificar sus caractersticas de disparo con pequeos pulsos de corriente (decenas de A). Su reducido coste, alta velocidad y capacidad para disparar puertas de tiristores con altos valores de corriente hace que este dispositivo sea muy til en muchas aplicaciones. EL SBS no es solamente un versin mejorada del diodo de cuatro capas, sino que es fabricado como un circuito integrado constituido por transistores, diodos y resistencias. La figura 12.7.a muestra su smbolo, la figura 12.7.b su estructura a nivel circuital y la figura 12.7.c sus caractersticas I-V. El MBS4991 de Motorola es un ejemplo tpico de un SBS simtrico. Sus parmetros caractersticos de acuerdo a la grfica de la figura 12.7.c son: V =8 V, I =175 A, I =0.7 mA y V =1.4 V. El disparo de este dispositivo se puede realizar bien superando la tensin V o bien aplicando una corriente de puerta I =100A.

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Rectificador Gobernado de Silicio o SCR
El SCR o Silicon Controled Rectifier es un dispositivo triterminal (A o nodo, C o ctodo y G o gate o puerta de control) muy similar al diodo de cuatro capas descrito en la anterior seccin pero que posee una entrada adicional (G) que permite disparar el dispositivo antes de alcanzar la VBO. En la figura 12.8.a se muestra el smbolo del SCR y en la figura 12.8.b su modelo a nivel transistor. En el modelo a nivel de transistor se observa claramente que al introducir una corriente por la lnea G se produce la conduccin de los transistores, es decir, el disparo del dispositivo sin ser necesario alcanzar la VBO. La figura 12.9 permite ver claramente como las caractersticas del SCR varan con la corriente de su puerta cuyos valores son del orden de miliamperios o inferiores.

A continuacin se detallan algunos parmetros caractersticos de los SCR. Tiempo de conduccin (Turn-on Time). Tiempo de duracin mnima de la tensin de disparo para pasar el SCR de bloqueo a conduccin. Este tiempo tiene dos

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componentes: TON=td+tr, siendo td el tiempo de retraso (delay time) y tr el tiempo de subida (rise time). Por ejemplo, el 2N5060 tiene el TON=td+tr =3s+0.2s=3.2s. Tiempo de corte (Turn-off Time). Tiempo que el SCR puede permanecer por debajo de las condiciones de mantenimiento. El 2N5060 tiene un TOFF =tq de 10s. Mxima corriente de conduccin. Mxima corriente eficaz que puede circular por el SCR durante el estado de conduccin. Para el 2N5060, la IT(rms) =0.8A. Velocidad crtica de elevacin . Variaciones muy rpidas de tensin entre el nodo y ctodo en un SCR pueden originar un disparo indeseado. Para evitar este problema, la variacin de tensin nodo-ctodo no debe superar un valor conocido como velocidad crtica de elevacin (dv/dt); si se supera este valor adems de producir el disparo puede llegar a deteriorar el dispositivo. El 2N5060 tiene un dv/dt=30V/s. A veces transitorios en las lneas de alimentacin pueden originar problemas de comportamiento del SCR al ser superado su velocidad crtica de elevacin. Los circuitos de proteccin contra transitorios de corriente (figura 12.10.a) y transitorios de tensin (figura 12.10.b) evitan este indeseado disparo. Bsicamente son filtros basados en RC o inducciones que eliminan esas seales espreas.

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Activacin o disparo de tiristores: Por puerta
12.4.- Activacin o disparo y bloqueo de los tiristores
El tiristor es un dispositivo de estado slido que su modo de operacin emula a un rel. En estado de conduccin tiene una impedancia muy baja que permite circular grandes de niveles de corriente con una tensin nodo-ctodo del orden de 1V. En estado de corte, la corriente es prcticamente nula y se comporta como un circuito abierto. A continuacin se describen las diferentes maneras de activar o disparar y de bloqueo de un tiristor. Existen cuatro maneras de poner a un tiristor en estado de conduccin:

a) Activacin o disparo por puerta.


El mtodo ms comn para disparar un tiristor es la aplicacin de una corriente en su puerta. Los niveles de tensin y corriente de disparo en la puerta deben tener un rango de valores comprendidos dentro de una zona de disparo de seguridad. Si se sobrepasa ese lmite puede no dispararse el tiristor o puede deteriorarse el dispositivo; por ejemplo, para el 2N5060 la mxima potencia eficaz que puede soportar la puerta es PG(av)=0,01 W. Grficamente, en la figura 12.11 se muestra la forma tpica de esa zona de seguridad de disparo del SCR TF521S de Sanken Electric; obsrvese la su elevada dependencia con la temperatura. Este tiristor soporta corrientes de hasta IT(rms) = 5A y la corriente mxima de disparo es IGT(max) es I=15mA a 25C para una VGT(max) V =2.5 V. Otro ejemplo es el C701 de SPCO capaz de soportar 1300A con una corriente IGT=500mA. Adems, el disparo debe tener una duracin dependiente del tiristor con valores tpicos de 1 useg para que resulte eficaz. El tiempo de conexin o de activacin es el tiempo que tarda en conducir el tiristor desde que se ha producido el disparo. Los valores tpicos de tiristores comerciales estn alrededor de 1 a 3 useg, aunque para aplicaciones especiales como son los moduladores de impulsos de radar se fabrican tiristores con valores por debajo de 100nseg.

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Activacin de tiristores: Por luz, tensin de ruptura, aumento de dv/dt
b) Activacin o disparo por luz.
Un haz luminoso dirigido hacia una de las uniones del tiristor provoca su disparo. Son los dispositivos conocidos como foto-SCR o LASCR y sus derivados (fotoTRIAC, opto-TRIAC, etc). El SP-101 de Sunpower es un ejemplo tpico de un LASCR de 2 A que precisa de una radicacin luminosa efectiva de 24mW/cm 2 con una longitud de onda de 850nm para su activacin.

c) Activacin por tensin de ruptura.


Una aumento de la tensin nodo-ctodo puede provocar fenmenos de ruptura que activa el tiristor. Esta tensin de ruptura directa (VBO) solamente se utiliza como mtodo para BO disparar los diodos de cuatro capas.

b) Disparo por aumento de dv/dt.


Un rpido aumento de la tensin directa de nodo ctodo puede producir una corriente transitoria de puerta que active el tiristor. Generalmente se elimina este problema utilizando circuitos de proteccin basados en R, C o L (figuras 12.10.a y 12.10.b). Valores tpicos de dv/dt estn comprendidos entre 5V/useg a 500V/useg.

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Existen numerosos circuitos de disparo de tiristores que pueden ser clasificados en tres tipos bsicos en funcin del tipo de seal de disparo: DC, impulso o fase de alterna. Los circuitos de disparo en DC estn basados en un interruptor mecnico o electr nico (figura 12.12.a) que incluyen circuitos de proteccin para evitar daos al tiristor. Ests seales tambin pueden ser generadas desde un ordenador o cualquier circuito de control digital (figura 12.12.b). Los circuitos de disparo por impulso estn basados generalmente en un transformador de acoplo que transmite el pulso de disparo (figura 12.12.c). Este transformador permite el aislamiento elctrico entre el tiristor y el circuito de control y precisa menor potencia de disparo. Sin embargo, son ms voluminosos debido al tamao del transformador y suelen ser sustituidos por opto-acopladores luminosos. Por ltimo, los circuitos de disparo en alterna estn diseados para sincronizar la fase entre el suministro en alterna y el disparo que permita la regulacin en potencia (figura 12.12.d). Debido a la importancia de este ltimo tipo de disparo, se va a dedicar un apartado completo a su estudio.

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Bloqueo de un tiristor
La conmutacin en corte o bloqueo es el proceso de poner en estado de corte al tiristor que puede realizarse de tres formas: conmutacin natural, polarizacin inversa o conmutacin por puerta.

a) Conmutacin natural.
Cuando la corriente del nodo se reduce por debajo de un valor mnimo, llamado corriente de mantenimiento, el tiristor se corta. Sin embargo, hay que sealar que la corriente nominal de un tiristor es del orden de 100 veces la corriente de mantenimiento. Para reducir esa corriente es preciso abrir la lnea, aumentando la impedancia de carga o derivando parte de la corriente de carga a un circuito paralelo, es decir, cortocircuitando el dispositivo.

b) Corte por polarizacin inversa.


Una tensin inversa nodo-ctodo tender a interrumpir la corriente del nodo. La tensin se invierte en un semiperiodo de un circuito de alterna, por lo que un tiristor conectado a la lnea tendr una tensin inversa en un semiperiodo y se cortar. Esto se llama conmutacin por fase o conmutacin de lnea alterna.

c) Corte por puerta.


Algunos tiristores especialmente diseados, como los GTO, se bloquean con una corriente de puerta negativa. El tiempo de conmutacin en corte es el tiempo que tarda en bloquearse un tiristor. Con conmutacin natural su valor est comprendido entre 1 a 10seg, mientras que conmutacin forzada puede ser de 0.7 a 2seg. Sin embargo, existen gran variedad de tiristores diseados para tener tiempos de conmutacin muy bajos.

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Regulacin de potencia en SCR
Existe una gran variedad de aplicaciones de potencia basados en los tiristores como elementos de control. Su propiedad de conmutacin de corte a conduccin y viceversa resulta muy til cuando se desea controlar la transferencia de potencia a una carga. Las aplicaciones ms comunes de uso domstico son los reguladores de luz, control de velocidad de motores, etc.

En la figura 12.13 se muestra la estructura bsica de un circuito regulador de potencia bsico. Se quiere entregar una determina energa de la red elctrica a una carga (ZL) y, para ello, se utiliza un tiristor (en este caso un SCR) como dispositivo de control y un circuito de disparo que controla ese tiristor. Este circuito de disparo introduce un desfase respecto al inicio de la onda sinusoidal; a se le denomina ngulo de desfase o de disparo y a - ngulo de conduccin. En la figura 12.14 se representa las formas de onda del regulador de potencia. Se identifican tres zonas del funcionamiento del tiristor: 1) 0 < . El SCR est bloqueado. En estas condiciones no circula ninguna corriente por la carga v (IL=0) y la VAK = Vmsen 2) < . En el instante = el circuito de disparo aplica un pulso que hace entrar el SCR a conduccin. Aparece una corriente por la carga de valor IL = Vmsen/ZL, si se desprecia la cada de tensin en el SCR (VAK~0V). En esas condiciones, VS = VL+VAK VS. 3) < 2 . En el instante = el SCR conmuta a corte de forma natural. En el semiperiodo negativo el SCR se mantiene a corte porque la tensin del nodo es inferior a la del ctodo. La corriente es nula (IL = 0) y la VAK = Vmsen

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En trminos eficaces, la corriente eficaz (rms) entregada a la carga se obtiene mediante la siguiente ecuacin

y, de una manera similar, la tensin eficaz (rms) de la carga

La potencia eficaz entregada a la carga se define como el producto de la corriente eficaz por la tensin eficaz.

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Variantes del SCR: LASCR, GTO, PUT

12.6.- Variantes del SCR


Existen otros dispositivos de cuatro capas cuyo modo de funcionamiento es similar a la de un SCR. En esta seccin se realiza una breve descripcin de las variantes del SCR ms importantes.

12.6.1.- Foto-SCR o LASCR


El foto-SCR o SCR activado por luz (light activated SCR o LASCR) es, como su propio nombre indica, un SCR cuyo disparo es controlado por luz. Cuando la luz incidente es suficientemente intensa, el SCR se dispara y permanece en conduccin aunque desaparezca esa luz.

En la figura 12.15.a se muestra su smbolo y en la figura 12.15.b aparece una aplicacin sencilla del foto-SCR con una resistencia ajustable que controla la intensidad de luz incidente de disparo. Un ejemplo de un LASCR es el SP-101 de SunPower que se activa cuando la luz incidente es de 24mW/cm2

12.6.2.- GTO

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El GTO o Gate Turn-Off SCR es un tiristor que puede ser disparado con un pulso positivo a su terminal gate y bloqueado si se aplica un impulso negativo a ese mismo terminal. El GTO se emplea actualmente en muchas aplicaciones interesantes en el dominio de altas potencias cuyo control se realiza fcilmente mediante transistores bipolares. Los bajos requerimientos de potencia de su control facilitan la aplicacin de tcnicas de modulacin de anchura de pulsos. En la figura 12.16 se indica su smbolo. El MGTO1000/2000 de Motorola es un GTO diseado para aplicaciones de alta velocidad y es capaz de porporcionar hasta 18 A.

12.6.3.- PUT
El PUT o programmable unijunction transistor perteneciente a la familia de los dispositivos uniunin y sus caractersticas son similares al SCR. En la figura 12.17.a se indica su smbolo. Es un dispositivo de disparo nodo-puerta (anode-gate) puesto que su disparo se realiza cuando la puerta tenga una tensin ms negativa que el nodo, es decir, la conduccin del PUT se realiza por control de las tensiones en sus terminales. Como ejemplo sencillo, la figura 12.17.b muestra el esquema de un oscilador de relajacin basado en este dispositivo. La tensin de puerta est fijada a un valor constante a travs de las resistencias R1 y R2. Si inicialmente el condensador est descargado, la tensin del nodo es menor que la de la puerta (VA < VG) y el PUT est cortado. En estas condiciones, el condensador se carga a travs de R aumentando la tensin del nodo. Llegar un momento en que VA = VG y, en ese instante, se dispara el PUT el cual descarga bruscamente el condensador C produciendo una cada de tensin en la resistencia Ro. Si R y Ro tienen un valor que impida circular a travs del PUT la corriente de mantenimiento mnima de conduccin el dispositivo se cortar y el condensador se carga nuevamente a travs de R repitindose el proceso.

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TRIAC - Triode for Alternative Current

12.6.4.- TRIAC
Un TRIAC (TRIode for Alternative Current) es un SCR bidireccional que se comporta como dos SCR en paralelo e invertidos, de tal manera que este dispositivo puede controlar corriente en cualquier direccin. Normalmente, tiene una tensin de ruptura alta y el procedimiento normal de hacer entrar en conduccin a un TRIAC es a travs de un pulso de disparo de puerta (positivo o negativo). La figura 12.18.a muestra su smbolo y la figura 12.18.b su modelo equivalente basado en dos SCR conectados en oposicin. Ejemplos tpicos de TRIACS: BT136 (de 5 A) y el BT138 (16 A) de Philips y la serie MAC de Motorola con corrientes de 8 A (MAC97-8) hasta 350 A (MAC224A4).

12.6.5.- TRIAC con acoplado ptico (opto coupler TRIAC)


Los TRIACs acoplados pticamente combinan un diodo emisor de luz (LED) con un TRIAC foto-detector (fotoTRIAC) dentro de un mismo encapsulado opaco con un esquema mostrado en la figura 12.19. Al no existir conexin elctrica entre la entrada y la salida, el acoplo es unidireccional (LED al foto-TRIAC) y permite un aislamiento elctrico entre ambos dispositivos de hasta 7500 V (typ). Adems, algunos foto-TRIAC incluyen una circuito de deteccin de paso por cero que permite sincronizar seales de la red elctrica con seales de control del LED para ajustar el ngulo de conduccin.

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Como ejemplo de estos circuitos se encuentra el MOC3009 (Motorola) que necesita una corriente en el LED de 30mA para disparar el foto-TRIAC o el MOC3021 (Motorola) que nicamente requiere 10mA. Cuando el LED est apagado, el foto-TRIAC est bloqueado conduciendo una pequea corriente de fuga denominada IDRM (peak-blocking current). Cuando el diodo conduce, dispara al foto-TRIAC pudiendo circular entre 100mA y 1A. Al no ser un dispositivo que soporte grandes niveles de potencia, el propio foto-TRIAC en muchos casos acta sobre el control de un TRIAC de mucho mayor potencia, tal como se indica en la figura 12.20. En este circuito, una seal digital (por ejemplo, una seal de un microcomputador) activa el opto-acoplador que a su vez activa el TRIAC de potencia conectado a la red elctrica; el valor de R est comprendido entre 50 y 500 ohmios.

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Transistor uni-unin o UJT
El transistor de uni-unin (unijunction transistor) o UJT est constituido por dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor. En la figura 12.21.a aparece la estructura fsica de este dispositivo. El emisor est fuertemente dopado con impurezas p y la regin n dbilmente dopado con n. Por ello, la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es elevada (de 5 a 10K estando el emisor abierto). El modelo equivalente representado en la figura 12.21.b est constituido por un diodo que excita la unin de dos resistencias internas, R1 y R2 , que verifican RBB = R1 + R2. Cuando el diodo no conduce, la cada de tensin en R1 (V1) se puede expresar como

en donde VB2B1 es la diferencia de tensin entre las bases del UJT y n es el factor de divisin de tensin conocido como relacin intrnseca. El modelo de este dispositivo utilizando transistores se muestra en la figura 12.21.c, cuya estructura es muy similar a un diodo de cuatro capas. Cuando entra en conduccin los transistores la cada de tensin en R es muy baja. El smbolo del UJT se muestra en la figura 12.21.d.

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Funcionamiento de un UJT
El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR. En la grfica de la figura 12.22 se describe las caractersticas elctricas de este dispositivo a travs de la relacin de la tensin de emisor (VE) con la corriente de emisor (IE). Se definen dos puntos crticos: punto de pico o peak-point (Vp, Ip) y punto de valle o valley-point (Vv, Iv), ambos verifican la condicin de dVE/dIE = 0. Estos punto a su vez definen tres regiones de operacin: regin de corte, regin de resistencia negativa y regin de saturacin, que se detallan a continuacin:

Regin de corte
En esta regin, la tensin de emisor es baja de forma que la tensin intrnseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE < VP e IE < IP. Esta tensin de pico en el UJT viene definida por la siguiente ecuacin:

donde la VF vara entre 0.35 V a 0.7 V con un valor tpico de 0.5 V. Por ejemplo, para el 2N2646 es de 0.49V a 25C. El UJT en esta regin se comporta como un elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB.

Regin de resistencia negativa


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. Si la tensin de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es decir, VE=VP entonces el diodo entra en conduccin e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinacin. Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dVE/dIE < 0). En esta regin, la corriente de emisor est comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP < IE < IV).

Regin de saturacin
Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relacin lineal de muy baja resistencia entre la tensin y la corriente de emisor. En esta regin, la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto de valle, el UJT entrar de forma natural a la regin de corte. En la figura 12.22 tambin se observa una curva de tipo exponencial que relaciona la VE y la IE cuando la base B2 se encuentra al aire (IB2 = 0). Esta curva tiene una forma similar a la caracterstica elctrica de un diodo y representa el comportamiento del diodo de emisor.

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SCR - Silicon Controled Rectifier

SCR - Smbolo, estructura y funcionamiento bsico.


El SCR (Rectificador controlado de silicio) es un dispositivo semiconductor de 4 capas que funciona como un conmutador casi ideal. El smbolo y estructura del SCR son:

Analizando los diagramas: A = nodo, G = compuerta o Gate y C = K = ctodo

Funcionamiento bsico del SCR


El siguiente grfico muestra un circuito equivalente del SCR para comprender su funcionamiento. Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se producen dos corrientes: IC2 = IB1. IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a su vez causa ms corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1, y...... Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR.

Los parmetros del SCR son:


-VRDM: Mximo voljaje inverso de cebado (VG = 0) - VFOM: Mximo voltaje directo sin cebado (VG = 0) - IF: Mxima corriente directa permitida. - PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo. - VGT-IGT: Mximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado - IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener cebado el SCR - dv/dt: Mxima variacin de voltaje sin producir cebado. - di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de destruir el SCR.

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Nota: dv/dt, di/dt: Ver parmetros del SCR en SCR en corriente continua

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SCR - Silicon Controled Rectifier
En la figura inferior de muestra la dependencia entre el voltaje de conmutacin y la corriente de compuerta. Cuando el SCR est polarizado en inversa se comporta como un diodo comn (ver la corriente de fuga caracterstica que se muestra en el grfico). En la regin de polarizacin en directo el SCR se comporta tambin como un diodo comn, siempre que el SCR ya haya sido activado (On). Ver los puntos D y E. Para valores altos de corriente de compuerta (IG) (ver punto C), el voltaje de nodo a ctodo es menor (VC).

Si la IG disminuye, el voltaje nodo-ctodo aumenta. (ver el punto B y A, y el voltaje anodo-ctodo VB y VA). Concluyendo, al disminuir la corriente de compuerta IG, el voltaje nodo-ctodo tender a aumentar antes de que el SCR conduzca (se ponga en On / est activo)

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Tiristor (Silicon Controled Rectifier - SCR) en CC

Tiristor / SCR y la corriente continua


Activacin, el pulso, desactivacin, tiristor con carga inductiva
Antes de iniciar la lectura de este tutorial se recomienda leer el tutorial el tiristor. Si ya lo hizo o no lo considera conveniente, contine. El funcionamiento de un tiristor en corriente continua es fcil de entender. Normalmente el tiristor trabaja con polarizacin directa entre nodo (A) y ctodo (C o K) (la corriente circula en el sentido de la flecha del tiristor). Con esta condicin, slo es necesario aplicar un pulso en la compuerta (G) para activarlo. Este pulso debe de tener una amplitud mnima, para que la corriente de compuerta (IG) provoque la conduccin.

Activacion del tiristor


En el grfico siguiente se ve una aplicacin sencilla del tiristor en corriente continua. El SCR se comporta como un circuito abierto hasta que activa su compuerta (GATE) con un pulso de tensin que causa una pequea corriente. (se cierra momentneamente el interruptor S). El tiristor conduce y se mantiene conduciendo, no necesitando de ninguna seal adicional para mantener la conduccin. No es posible desactivar el tiristor (que deje de conducir) con la compuerta.

Caractersticas del pulso de disparo


La duracin del pulso aplicado a la compuerta G debe ser lo suficientemente largo para asegurar que la corriente de nodo se eleve hasta el valor de retencin. Otro aspecto importante a tomar en cuenta es la amplitud del pulso, que influye en la duracin de ste.

Desactivacin de un tiristor
El tiristor una vez activado, se mantiene conduciendo, mientras la corriente de nodo (IA) sea mayor que la corriente de mantenimiento (IH). Normalmente la compuerta (G) no tiene control sobre el tiristor una vez que este est conduciendo. Opciones para desactivar un tiristor: 1. Se abre el circuitos del nodo (corriente IA = 0) 2. Se polariza inversamente el circuito nodo-ctodo (el ctodo tendr un nivel de tensin mayor que el del nodo) 3. Se deriva la corriente del nodo IA , de manera que esta corriente se reduzca y sea menor a la corriente de mantenimiento IH.

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Si se disminuye lentamente el voltaje (tensin), el tiristor seguir conduciendo hasta que por l pase una cantidad de corriente menor a la llamada "corriente de mantenimiento o de retencin (IH)", lo que causar que el SCR deje de conducir aunque la tensin VG (voltaje de la compuerta con respecto a tierra) no sea cero. Como se puede ver el SCR , tiene dos estados: 1- Estado de conduccin, en donde la resistencia entre nodo y ctodo es muy baja 2- Estado de corte, donde la resistencia es muy elevada.

El Tiristor con carga inductiva


Cuando la carga del SCR no es resistiva pura como se muestra en el grfico anterior si no, una carga inductica, (se comporta como un inductor), es importante tomar en cuenta el tiempo que tarda la corriente en aumentar en una bobina. El pulso que se aplica a la compuerta debe ser lo suficientemente duradero para que la corriente de la carga iguale a la corriente de enganche y as el tiristor se mantenga en conduccin.

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Tiristor - SCR en AC

Tiristor / SCR y la corriente alterna


Antes de iniciar la lectura de este tutorial se recomienda leer los tutoriales el tiristor y el tiristor en corriente continua. Si ya lo hizo o no lo considera conveniente, contine

Control de fase con tiristor


Se usa principalmente para controlar la potencia que se entrega a una carga. (en el caso de la figura es un bombillo o foco) La fuente de voltaje puede ser de 110V c.a., 120V c.a., 240V c.a. , etc. La potencia suministrada a la carga se controla variando el ngulo de conduccin. El circuito RC produce un corrimiento de la fase entre la tensin de entrada y la tensin en el condensador que es la que suministra la corriente a la compuerta del SCR. Como R es un potencimetro, el valor resistivo puede variar y as producir un corrimiento de fase ajustable, que causar que la entrega de potencia a la carga (el bombillo) tambin sea variable. Con sto se logra que la intensidad de la luz en el bombillo vare. El diodo en la compuerta del SCR se usa para bloquear la tensin de compuerta durante el ciclo negativo (de 180 a 360)

Formas de onda de la seal de entrada y en la carga para diferentes corrimientos de fase.


- El 1er diagrama muestra la onda de entrada. Observar los ptos. 0, 180 y 360. - El 2do diagrama muestra la seal aplicada a la carga cuando el disparo es a los 45 - El 3er diagrama muestra la seal aplicada a la carga cuando el disparo es a los 150. En el segundo y tercer diagrama se ve que la semionda negativa ha

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desaparecido, y esto es debido a que el tiristor se comporta, cuando est conduciendo, como un diodo. El rea bajo la curva en el segundo y tercer diagrama representa la energa transferida a la carga. El segundo diagrama tiene un rea bajo la curva mayor, entonces indica que, en este caso, hay ms energa entregada al bombillo que en el tercer diagrama. El mximo corrimiento de fase se logra cuando el potencimetro tiene su mayor valor y el mnimo cuando este tiene su valor ms pequeo. Ver que cuando R = 0 (valor mnimo del potencimetro) el capacitor est en paralelo con el tristor y el ste se comporta prcticamente como un diodo, pues se dispara casi inmediatamente que la seal de entrada pasa los 0.

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Como proteger un tiristor

Proteccin del Tiristor


Proteccin contra los incrementos bruscos de corriente, proteccin contra cambios bruscos de tensin
Antes de iniciar la lectura de este tutorial se recomienda leer los tutoriales el tiristor, tiristor en corriente continua y tiristor en corriente alterna. Si ya lo hizo o no lo considera conveniente, contine. El tiristor puede daarse si no se toman algunas precauciones.

- Proteccin contra incrementos bruscos de corriente (di/dt).


"La derivada de la corriente con respecto al tiempo". La di/dt mxima es especificada por el fabricante. Este problema aparece cuando se tiene una carga capacitiva (tiene el comportamiento de un capacitor). Un capacitor descargado se comporta inicialmente (al ser conectado) como un corto circuito y la gran demanda de corriente tiene que atravesar el tiristor. Para evitar este problema se pone en serie con la carga un inductor (ver diagrama) de poco valor, para retardar el incremento de la corriente a un valor aceptable. Acordarse que el inductor se opone a cambios brusco de corriente.

- Proteccin contra cambios bruscos de tensin (dv/dt).


"La derivada de la tensin con respecto al tiempo". Los cambios bruscos de tensin entre el nodo (A) y el ctodo (K = C), pueden producir cebados no deseados, causando con ello que el tiristor se dispare y empiece a conducir. El dv/dt mximo es especificado por el fabricante. A veces por diferentes motivos, la tensin entre los terminales del SCR pueden cambiar en forma repentina y de manera evidente (el cambio de tensin es grande) Para evitar este inconveniente, se utiliza un circuito RC en paralelo con el tiristor como se muestra en el grfico de la derecha. Este circuito limita la velocidad de subida de la tensin en los terminales del tiristor. Acordarse que el capacitor se opone a cambio bruscos de tensin.

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TRIAC. Control de potencia en corriente alterna
El Triac es un dispositivo semiconductor que pertenece a la familia de los dispositivos de control tiristores. El triac es en esencia la conexin de dos tiristores en paralelo pero conectados en sentido opuesto y compartiendo la misma compuerta. (ver imagen).

El triac slo se utiliza en corriente alterna y al igual que el tiristor, se dispara por la compuerta. Como el triac funciona en corriente alterna, habr una parte de la onda que ser positiva y otra negativa. La parte positiva de la onda (semiciclo positivo) pasar por el triac siempre y cuando haya habido una seal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circular de arriba hacia abajo (pasar por el tiristor que apunta hacia abajo), de igual manera: La parte negativa de la onda (semiciclo negativo) pasar por el triac siempre y cuando haya habido una seal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circular de abajo hacia arriba (pasar por el tiristor que apunta hacia arriba) Para ambos semiciclos la seal de disparo se obtiene de la misma patilla (la puerta o compuerta). Lo interesante es, que se puede controlar el momento de disparo de esta patilla y as, controlar el tiempo que cada tiristor estar en conduccin. Recordar que un tiristor slo conduce cuando ha sido disparada (activada) la compuerta y entre sus terminales hay un voltaje positivo de un valor mnimo para cada tiristor) Entonces, si se controla el tiempo que cada tiristor est en conduccin, se puede controlar la corriente que se entrega a una carga y por consiguiente la potencia que consume. Ejemplo: Una aplicacin muy comn es el atenuador luminoso de lmparas incandescentes (circuito de control de fase). Donde: - Ven: Voltaje aplicado al circuito (A.C.) - L: lmpara - P: potencimetro - C: condensador (capacitor) - R: Resistor - T: Triac - A2: Anodo 2 del Triac
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- A3: Anodo 3 del Triac - G: Gate, puerta o compuerta del Triac El triac controla el paso de la corriente alterna a la lmpara (carga), pasando continuamente entre los estados de conduccin (cuando la corriente circula por el triac) y el de corte (cuando la corriente no circula) Si se vara el potencimetro, se vara el tiempo de carga de un capacitor causando que se incremente o reduzca la diferencia de fase de la tensin de alimentacin y la que se aplica a la compuerta

Notas: - La diferencia de fase o la fase entre dos seales u ondas se define como el ngulo (diferencia de tiempo) que existe entre los dos orgenes de las mismas. - En este documento se utiliza el termino tiristor como sinnimo de SCR.

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DIAC (Diode Alternative Current). Diodo de disparo bidireccional
Control de potencia en corriente alterna (AC)
El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseado para disparar TRIACs y Tiristores (es un dispositivo disparado por tensin). Tiene dos terminales: MT1 y MT2. Ver el diagrama.

El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero orientados en formas opuesta. La conduccin se da cuando se ha superado el valor de tensin del zener que est conectado en sentido opuesto. El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene una pequea corriente de fuga. La conduccin aparece cuando la tensin de disparo se alcanza. Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el DIAC se reduce y entra en conduccin dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o TRIAC. Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de potencia mediante control de fase. La curva caracterstica del DIAC se muestra a continuacin

En la curva caracterstica se observa que cuando - +V o - V es menor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un circuito abierto - +V o - V es mayor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un cortocircuito

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Sus principales caractersticas son: - Tensin de disparo - Corriente de disparo - Tensin de simetra (ver grafico anterior) - Tensin de recuperacin - Disipacin de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar potencia de 0.5 a 1 watt.)

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El Transistor UJT (UniJunction Transistor)
Muy importante: No es un FET El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un dispositivo con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un dispositivo de disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unin PN Fsicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones elctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexin hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N. En el lugar de unin el aluminio crea una regin tipo P en la barra, formando as una unin PN. Ver el siguiente grfico Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo est dado por la frmula: Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1 Donde: - n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante) - VB2B1 = Voltaje entre las dos bases La frmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7 dependiendo del dispositivo y la temperatura.

Dos ejemplos sencillos


1.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.63 y 24 voltios entre B2 y B1. Cul es el voltaje de disparo aproximado? Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.63 x 24) = 15.8 Voltios 2.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.68 y 12 voltios entre B2 y B1. Cul es el voltaje de disparo aproximado? Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.68 x 12) = 8.86 Voltios. Notas: - Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe haber entre E y B1 para que el UJT se dispare = Ip. - Es importante hacer notar que tambin se ha construido el UJT donde la barra es de material tipo P (muy poco). Se le conoce como el CUJT o UJT complementario. Este se comporta de igual forma que el UJT pero con las polaridades de las tensiones al revs

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PUT: Transistor Uniunin Programable
PUT: Caractersticas
Importante: No es un UJT (transistor uniunin)

El PUT (Transistor Uniunin programable) es un dispositivo que, a diferencia del transistor bipolar comn que tiene 3 capas (NPN o PNP), tiene 4 capas. El PUT tiene 3 terminales como otros transistores y sus nombres son: ctodo K, nodo A, puerta G. A diferencia del UJT, este transistor permite que se puedan controlar los valores de RBB y VP que en el UJT son fijos. Los parmetros de conduccin del PUT son controlados por la terminal G Este transistor tiene dos estados: Uno de conduccin (hay corriente entre A y K y la cada de voltaje es pequea) y otro de corte cuando la corriente de A a K es muy pequea. Este transistor se polariza de la siguiente manera: Del grfico, se ve que cuando IG = 0, VG = VBB * [ RB2 / (RB1 + RB2) ] = n x VBB donde: n = RB2 / (RB1 + RB2) La principal diferencia entre los transistores UJT y PUT es que las resistencias: RB1 + RB2 son resistencias internas en el UJT, mientras que el PUT estas resistencias estn en el exterior y pueden modificarse. Aunque el UJT y el PUT son similares, El Ip es ms dbil que en el UJT y la tensin mnima de funcionamiento es menor en el PUT.

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PUT: Funcionamiento. Oscilador
PUT: funcionamiento

Para pasar al modo activo desde el estado de corte (donde la corriente entre A y K es muy pequea) hay que elevar el voltaje entre A y K hasta el Valor Vp, que depende del valor del voltaje en la compuerta G Slo hasta que la tensin en A alcance el valor Vp, el PUT entrar en conduccin (encendido) y se mantendr en este estado hasta que IA corriente que atraviesa el PUT) sea reducido de valor. Esto se logra reduciendo el voltaje entre A y K o reduciendo el voltaje entre G y K

Ejemplo de oscilador con PUT


Una aplicacin tpica: Oscilador con PUT El funcionamiento es el siguiente: El condensador C se carga a travs de la resistencia R hasta que el voltaje en A alcanza el voltaje Vp. En este momento el PUT se dispara y entra en conduccin. El voltaje en VG cae casi hasta 0 (cero) voltios y el PUT se apaga, repitindose otra vez el proceso (oscilador). Ver a continuacin las formas de onda de las tensiones en C, K y G

La frecuencia de oscilacin es: f = 1 / 1.2 x RC

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Encapsulados de transistores y otros semiconductores
Los transistores bipolares, triacs, SCR y otros tipos de dispositivos semiconductores vienen en muchas presentaciones o encapsulados. Estas presentaciones dependen del tipo de aplicacin en que se les van a utilizar. Cada transistor (dispositivo semiconductor) tiene impreso en el cuerpo del mismo, el tipo de transistor que es, siendo as muy fcil poder encontrar sus caractersticas tcnicas en un manual como el ECG, NTE u otro. En estos manuales tambin se pueden encontrar transistores de caractersticas similares o muy parecidas a los que se les llama "equivalentes" Entre los encapsulados ms comumes estn: (hay ms) - El TO-92: Este transistor pequeo es muy utilizado para la amplificacin de pequeas seales. La asignacin de patitas (emisor - base - colector) no est estandarizado, por lo que es necesario a veces recurrir a los manuales de equivalencias para obtener estos datos. - El TO-18: Es un poco ms grande que el encapsulado TO-92, pero es metlico. En la carcasa hay un pequeo saliente que indica que la patita ms cercana es el emisor. Para saber la configuracin de patitas es necesario a veces recurrir a los manuales de equivalencias. - El TO-39: Tiene le mismo aspecto que es TO-18, pero es ms grande. Al igual que el anterior tiene una saliente que indica la cercana del emisor, pero tambin tiene la patita del colector pegado a la carcasa, para efectos de disipacin de calor. - El TO-126: Se utiliza mucho en aplicaciones de pequea a mediana potencia. Puede o no utilizar disipador dependiendo de la aplicacin en se este utilizando. Se fija al disipador por medio de un tornillo aislado en el centro del transistor. Se debe utilizar una mica aislante - El TO-220: Este encapsulado se utiliza en aplicaciones en que se deba de disipar potencia algo menor que con el encapsulado TO-3, y al igual que el TO-126 debe utilizar una mica aislante si va a utilizar disipador, fijado por un tornillo debidamente aislado. - El TO-3: Este encapsulado se utiliza en transistores de gran potencia. Como se puede ver en el grfico es de gran tamao debido a que tiene que disipar bastante calor. Est fabricado de metal y es muy normal ponerle un "disipador" para liberar la energa que este genera en calor. Este disipador no tiene un contacto directo con el cuerpo del transistor, pues este estara conectado directamente con el colector del transistor (ver siguiente

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prrafo). Para evitar el contacto se pone una mica para que sirva de aislante y a la vez de buen conductor trmico.

El disipador de fija al transistor con ayuda de tornillos adecuadamente aislados que se introducen el los orificios que estos tienen. (ver figura arriba) En el transistor con encapsulado TO-3 el colector esta directamente conectado al cuerpo del mismo (carcasa), pudiendo verse que slo tiene dos pines o patitas. Estas patitas no estn en el centro del transistor sino que ligeramente a un lado y si se pone el transistor como se muestra en la figura, al lado izquierdo estar el emisor y la derecha la base.

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Disipadores de calor (Heatsinks)
Los disipadores de calor son componentes metlicos que utilizan para evitar que algunos elementos electrnicos como los transistores bipolares , algunos diodos, SCR, TRIACs, MOSFETS, etc., se calienten demasiado y se daen. El calor que produce un transistor no se transfiere con facilidad hacia el aire que lo rodea.

Algunos transistores son de plstico y otros metlicos. Los que son metlicos transfieren con ms facilidad el calor que generan hacia el aire que lo rodea y, si su tamao es mayor, mejor. Es importante aclarar que el elemento transistor que uno ve, es en realidad la envoltura de un pequeo "chip" que es el que hace el trabajo, al cual se le llama "juntura" o "unin". La habilidad de transmitir el calor se llama conductancia trmica y a su recproco se le llama resistencia trmica (Rth) que tiene unidad de C/W (grado Centgrado/Watt). Ejemplo: Si la resistencia trmica RTH de un transistor es 5C/W, esto significa, que la temperatura sube 5C por cada Watt que se disipa. Ponindolo en forma de frmula se obtiene: - R = resistencia - T = temperatura - P = potencia

R = T/P, Donde:

La frmula anterior se parece mucho a una frmula por todos conocida: La Ley de Ohm. R = V/I. Donde se reemplaza V por T a I por P y R queda igual. Analizando el siguiente diagrama a la derecha: Donde: - TJ = Temperatura mxima en la "Juntura" (dato que suministra el fabricante) - TC = Temperatura en la carcasa. depende de la potencia que vaya a disipar el elemento y del tamao del disipador de calor y la temperatura ambiente. - TD = Temperatura del disipador de calor y depende de la temperatura ambiente y el valor de RDA (RD) - TA = Temperatura ambiente - RJC = Resistencia trmica entre la Juntura y la carcasa - RCD = Resistencia trmica entre la carcasa y el disipador (incluye el efecto de la mica, si se pone, y de la pasta de silicn). Mejor poner pasta de silicn y evitar poner la mica.

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- RDA = Resistencia trmica entre el disipador de calor y el Aire (Resistencia trmica del disipador) (RD) Ejemplo: Se utiliza un transistor 2N3055 que produce 60 Watts en su "juntura". Con los datos del transistor 2N3055, este puede aguantar hasta 200 Watts en su "juntura" (mximo) y tiene una resistencia trmica entre la juntura y la carcasa de: 1.5C/W (carcasa es la pieza metlica o plstica que se puede tocar en un transistor) Si la temperatura ambiente es de 23C, Cul ser la resistencia trmica del disipador de calor que se pondr al transistor? (RDA) Con RJC = 1.5C/W (dato del fabricante), la cada de temperatura en esta resistencia ser T = RxP = 1.5C x 60 Watts = 90 C (ver frmula) Con RCD = 0.15C/W (se asume que se utiliza pasta de silicn entre el elemento y el disipador de calor), la cada de temperatura en RCD es T = RxP = 0.15 x 60 Watts = 9C. Tomando en cuenta que la temperatura del aire (temperatura ambiente es de 23C), el disipador de calor tiene que disipar: 200C 90C 9C 23C = 78C. Esto significa que la resistencia trmica del disipador de calor ser: RDA = 78C/60 W = 1.3C/Watt. Con este dato se puede encontrar el disipador adecuado.

Importante:
Cuando se ponga un disipador de calor a un transistor, hay que evitar que haya contacto entre ellos. Se podra evitar sto con plstico o el aire, pero son malos conductores de calor. Para resolver este problema se utiliza una pasta especial que evita el contacto. La virtud de esta pasta es que es buena conductora de calor. De todas maneras hay que tomar en cuenta que esta pasta aislante tambin tiene una resistencia trmica. Es mejor evitar si es posible la utilizacin de la mica pues esta aumenta el RCD. El contacto directo entre el elemento y el disipador de calor, contrario a lo que se pueda pensar, aumenta el valor de RCD, as que es mejor utilizar la pasta.

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Fusible: Proteccin contra sobre corrientes y corto circuitos

El Fusible
El fusible es dispositivo utilizado para proteger dispositivos elctricos y electrnicos El fusible permite el paso de la corriente mientras sta no supere un valor establecido.

Fusible encapsulado de vidrio Si el valor de la corriente que pasa, es superior a ste, el fusible se derrite, se abre el circuito y no pasa corriente. Si esto no sucediera, el equipo que se alimenta se puede recalentar por consumo excesivo de corriente: (un corto circuito) y causar hasta un incendio. El fusible normalmente se coloca entre la fuente de alimentacin y el circuito a alimentar. En equipos elctricos o electrnicos comerciales, el fusible est colocado dentro de ste. El fusible est constituido por una lmina o hilo metlico que se funde con el calor producido por el paso de la corriente. Es una practica comn reemplazar los fusibles, sin saber el motivo por el cual este se "quem", y muchas veces el reemplazo es por un fusible de valor inadecuado. Los fusibles deben de tener la capacidad de conducir una corriente ligeramente superior a la que supuestamente se de "quemar". Esto con el propsito de permitir picos de corriente que son normales en algunos equipos. Los picos de corriente son valores de corriente ligeramente por encima del valor aceptable y que dura muy poco tiempo. Hay equipos elctricos que piden una gran cantidad de corriente cuando se encienden (se ponen en ON). Si se pusiera un fusible que permita el paso de esta corriente, permitira tambin el paso de corrientes causadas por fallas "normales" que haran subir la corriente por encima de lo normal. En otras palabras: el circuito no queda protegido.

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Un caso es el de los motores elctricos, que en el arranque consumen una cantidad de corriente bastante mayor a la que consumen en funcionamiento estable. Para resolver este problema hay fusibles especiales que permiten, por un corto perodo de tiempo (ejemplo: 10 milisegundos), dejar pasar una corriente hasta 10 veces mayor que la corriente normal. Si despus de pasado este tiempo la corriente sigue siendo grande, el fusible se "quema". Cuando se queme un fusible, siempre hay que reemplazarlo por uno de las mismas caractersticas, sin excepciones, previa revisin del equipo en cuestin, para determinar la causa de que el fusible se haya quemado.

Tipos de fusibles:
- Fusible desnudo: constituido por un hilo metlico (generalmente de plomo) que se funde por efecto del calor. - Fusible encapsulado de vidrio: utilizado principalmente en equipos electrnicos. - Fusible de tapn enroscable: pieza cilndrica de porcelana o similar, sobre la cual se pone una camisa roscada que sirve para que sea introducido en el circuito. El alambre (fusible) se coloca internamente, se fija con tornillos y se protege con una tapa roscada - Fusible de cartucho: Estn constituidos por una base de material aislante, sobre la cual se fijan unos soportes metlicos que sirvan para introducir a presin el cartucho. Ver diagrama. Algunos smbolos de fusibles se pueden ver a continuacin:

Notas: - Hay ms tipos de fusibles - Los fusibles tambin muestran entre sus especificaciones, el voltaje mximo al que se puede conectar.

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Funcionamiento bsico del triodo
Para comprender el funcionamiento de un tubo al vaco o vlvula electrnica se ver el concepto bsico del funcionamiento de un triodo. El triodo bsico se compone de un filamento, un ctodo, un nodo y una rejilla. Ver la figura.

Funcionamiento de un triodo
El filamento se calienta y causa que el ctodo libere electrones que inmediatamente tratan de llegar al nodo (plate / placa) que tiene voltaje positivo. Este continuo flujo de electrones se convierte en una corriente elctrica. Hay que acordarse que los electrones tienen carga negativa y son atrados por las cargas positivas como la del nodo Si en el camino de este flujo de electrones se pone un dispositivo adicional llamado grilla con voltaje negativo, este repeler algunos de los electrones que pasan del ctodo al nodo y como resultado habr una menor corriente. Si ahora se modifica el voltaje que se aplica a la rejilla del triodo, se modifica tambin la corriente entre ctodo y nodo (se modula la corriente). De esta manera un voltaje aplicado a la rejilla se modifica, tambin se modificar la corriente que pasa de ctodo a nodo Pero el tubo al vaco no es lineal. No lineal significa que no se da el caso de que si aumentamos al doble el voltaje en la rejilla, la corriente que pasa de ctodo a nodo se convierte en la mitad de lo que era antes. Una de las causas de esta no linealidad en la vlvula electrnica es que no todos los electrones que salen del ctodo no pasan al nodo, estos solamente se quedan en los alrededores de ctodo como una nube de electrones. Esta nube de carga negativa apoya el efecto que tiene la rejilla. Este efecto causa que la nube de electrones aumente. Esta nube de electrones aumentada nuevamente incrementa el efecto de la rejilla en el flujo de electrones y as se entra en un ciclo continuo que causa una mayor linealidad. La vida de un tubo o vlvula electrnica depende mucho de la temperatura, que a su vez depende del voltaje que tiene el filamento. Si se opera con el filamento muy caliente o muy fro la vida de el tubo al vaco se acorta. Algunos experimentadores han observado que si se disminuye el voltaje del filamento del triodo en aproximadamente el 20% de lo aconsejado por el fabricante, la operacin del tubo al vaco tiende a linealizarse, aunque este hecho no ha sido realmente comprobado.

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JEDEC Cdigo normalizado (Sistema de numeracin)
JEDEC Number System. El sistema americano
JEDEC viene de: Joint Electron Device Engineering Council. Este sistema tiene el siguiente formato: cifra, letra, secuencia de cifras, sufijo - La primera cifra indica el nmero de uniones PN que tiene el semiconductor - La letra siempre es "N" (silicio) - El secuencia de cifras es un nmero entre 100 y 9999 - El sufijo (si lo tiene) indica la ganancia del semiconductor. Si no hubiera sufijo el semiconductor, no tiene una ganancia determinada y podra ser cualquiera. Las opciones del sufijo son: A = baja ganancia B = ganancia media C = alta ganancia Ejemplos: 2N2222 es un transistor pues tiene dos uniones PN 1N4001 es un diodo pues tiene una unin PN 3N201A es un MOSFET de canal N (Amplificador / mesclador) que tiene 3 uniones PN y es de baja ganancia

Cdigo de colores de los diodos


Para designar los diodos hay tambin un sistema de designacin por colores. En este caso la secuencia de cifras que sigue a la letra N se codifica por un sistema de bandas de colores con las normas siguientes: Nota: La lectura siempres se realiza siempre de ctodo a nodo. El ctodo se identifica con facilidad pues las bandas siempre estn ms cerca de este terminal Cuando la secuencia es de 2 cifras: Hay una banda negra de anchura doble seguida de dos bandas, que representan cada una una cifra segn la tabla de abajo. Si existiese una letra como sufijo, se codifica con una cuarta banda segn la misma tabla.

Cuando la secuencia es de 3 cifras: Hay tres bandas representando, cada una, una cifra segn la tabla. Si existiese una letra como sufijo, se codifica con una cuarta banda segn la misma tabla.

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Cuando la secuencia es de 4 cifras: Hay cuatro bandas representando, cada una, una cifra segn la tabla. Si existiese una letra como sufijo, se codifica con una quinta banda segn la tabla mencionada. En caso de que esta ltima banda (sufijo) no se utilice, se debe poner en color negro.

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JIS Cdigo normalizado (Sistema de numeracin)
JIS Number System. El sistema japons
El sistema japons JIS System. JIS viene de: Japanese Industrial Standard Este sistema tiene el siguiente formato: Nmero, dos letras, nmero serial, sufijo. - El primer nmero indica la cantidad de uniones PN - Las 2 letras indican el tipo de aplicacin para el que fue fabricado el semiconductor segn el siguiente cdigo: SA: transistor PNP HF SB: Transistor PNP AF AD: Transistor NPN AF SC: Transistor NPN HF SF: Tiristores SH: Transistores de uniunion (UJT) SG: Dispositivo Gunn SJ: FET/MOSFET canal P SK: FET/MOSFET canal N SM: TRIAC SR: Rectificador ST: Diodo SS: Diodos de seal SQ: Diodo LED AV: Varicaps SZ: Diodo Zener - El nmero serial es un nmero entre 10 y 9999 - El sufijo indica si el tipo de semiconductor es aprobado para su uso por varias organizaciones japonesas.

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PRO ELECTRON Cdigo normalizado (Sistema de numeracin)
El Sistema europeo Pro Electron
Este sistema tiene el siguiente formato: dos letras, letra optativa, secuencia de cifras, sufijo.

La primera letra indica el material del semiconductor


A Germanio Ge B Silicio Si C Arseniuro de galio NaAs D Indio Antimonide InSb E Material compuesto como el empleado en generadores de efecto Hall y fotoconductores

La segunda letra indica el tipo de dispositivo:


A Diodo de baja potencia o seal. (Diodos de deteccin, de conmutacin, mezclador) B Diodo de capacitancia variable. (Diodo de sintona) C Transistor de audio frecuencia baja potencia D Transistor de audio frecuenca de potenia E Diodo tunnel F Transistor de alta frecuencia baja potencia G Dispositivos varios H Diodo sensible al magnetismo K Dispositivo efecto Hall L Transistor de potencia alta frecuency M Modulador o multiplicador Hall N Optoacopladores. (Componentes sensible a la radiacin) P Detectores de luz Q Emisor de luz (diodo LED) R Componente de control o de conmutacin de baja potencia como el SCR, diac, UJT, etc. S Transistor para aplicaciones de conmutacin de potencia T Componente de control o de conmutacin de potencia como el SCR, triac, etc. U Transistor de conmutacin de potencia V Antenas W Dispositivo de onda acustica X Diodo multiples, como el diodo varactor Y Diodo rectificador, diodo de potencia Z Diodo referencia de voltaje. Diodo estabilizador de voltaje como el diodo Zener.

La Tercera letra tiene el siguiente significado:


A cuando est despus de R o T indica que es un triac. B indica que es un transistor HBT (transistor bipolar de heterounin pseudomrfico). F cuando est despus de G, P o Q, indica emisor o receptor para fibra ptica. H indica que es un transistor HEMT (tipo especial de transistor FET). L cuando est despus de G o Q, indica lseres para aplicaciones que no se aplican a la fibra ptica.

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M cuando est despus de R son para para drivers de transistores. O cuando est despus de R, indica que es un optotriac. R cuando est despus de C, indica una red semiconductora resistiva. T cuando est despus de Q, indica que es un diodo LED bicolor. W cuando est despus de Z, indica que es un diodo supresor de transitorios. - El secuencia de cifras es un nmero entre 100 y 9999 (puede ser una letra y 2 cifras) - El sufijo, si esta presente, indica una subclasificacin del dispositivo A = baja ganancia B = ganancia media C = alta ganancia

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