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07/11/2010 Electrnica Unicrom
- Bobina (inductor) - Bobina / inductor con ncleo metlico - Bobinas / inductor con ncleo de aire Transformador ideal Transformador real (circuitos equivalentes) Autotransformador Embobinado y reparacin de transformadores Clculo de transformadores Relay, rel o relevador
Transformador de potencia - Utilizacin del transformador de potencia - Constitucin del transformador de potencia - Principio de funcionamiento del transformador de potencia - Relacin de transformacin K - Polaridad de un transformador - Prdidas de potencia en un transformador - Rendimiento de un transformador - Impedancia y tensin de corto circuito de un transformador Transformadores con diferentes cargas - Transformador con carga resistiva - Transformador con carga capacitiva - Transformador con carga inductiva Acople de transformadores - Conexin de transformadores monofsicos - Conexin de transformadores trifsicos
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Caractersticas de Transistor bipolar - Introduccin, corrientes en el transistor bipolar Modos de operacin del BJT: - Operacin activa lineal - Operacin en corte - Operacin en saturacin - Regin de ruptura y zona inversa - Punto de trabajo Q - Recta de carga esttica - Potencia de disipacin esttica mxima - Circuitos de polarizacin FET de juntura o JFET MOSFET MOSFET. Principio de operacin Manipulacin del MOSFET C-MOSFET
Caractersticas del FET - Ventajas y desventajas del FET - Caractersticas elctricas del JFET - JFET en regin de lineal y corte - JFET en regin de saturacin y ruptura - Transistores MOSFET - Regiones de corte y lineal de transistores NMOS (MOSFET) - Regiones de saturacin y ruptura de transistores NMOS (MOSFET) - Polarizacin de los FET
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Circuitos Integrados
+ El temporizador 555 - Distribucin de patillas del temporizador 555 - Multivibrador astable con temporizador 555 - Multivibrador monostable con temporizador 555 - Oscilador astable con 555 con t1 = t2 + Temporizador (Timer): Circuito fundamental en el control electrnico - Fundamentos del Temporizador (Timer). Control automtico de sistema de agua de sanitarios - Ajustes, modos y aplicaciones del Temporizador (Timer). Secuenciador con tiempos de encendido y apagado configurables + El Amplificador operacional - Inicios, caractersticas, ganancia a lazo abierto - Ganancia a lazo cerrado (realimentacin), inversor en CC - Circuito inversor en CA, frecuencia, saturacin, tierra virtual - Amplificador Operacional con fuente nica. Capacitor de bloqueo - Amplificador Operacional no inversor, ganancia, impedancia de entrada y salida - Comparadores con amplificador operacional - Comparador de ventana con dos amplificadores operacionales - Comparador regenerativo (disparador Schmitt) - generador de onda cuadrada - Integrador con amplificador operacional - Generador de onda triangular, entrada senoidal en un integrador - Derivador con amplificador operacional - Rectificador de instrumentacin de media onda - Rectificador de instrumentacin de onda completa
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- Transistor uniunin (UJT) - Caractersticas del Transistor de Uniunin programable (PUT) - Funcionamiento de PUT. Oscilador - Encapsulado de los transistores - Disipadores de calor (heatsinks) - Fusible - Funcionamiento bsico del Triodo Cdigos normalizados de semiconductores - JEDEC: Cdigo americano - JIS: Cdigo japons - PROELECTRON: Cdigo europeo
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Concepto, unidades
Una resistencia o resistor es un elemento que causa oposicin al paso de la corriente, causando que en sus terminales aparesca una diferencia de tensin (un voltaje).
En el grfico ms abajo tenemos un bombillo / foco en el paso de la corriente que sale del terminal positivo de la batera y regresa al terminal negativo.
Smbolo de la resistencia Este bombillo / foco que todos tenemos en nuestros hogares es una resistencia. Las resistencias se representan con la letra R y el valor de stas se mide en Ohmios ().
Las resistencias o resistores son fabricadas en una amplia variedad de valores. Hay resistencias con valores de Kilohmios (K), Megaohmios (M). Ests dos ltimas unidades se utilizan para representar resistencias muy grandes. En la siguiente tabla vemos las equivalencias entre ellas: 1 Kilohmio (K) = 1,000 Ohmios () 1 Megaohmio (M) = 1,000,000 Ohmios () 1 Megaohmio (M) = 1,000 Kilohmios (K) Para poder saber el valor de las resistencias sin tener que medirlas, existe un cdigo de colores de las resistencia que nos ayuda a obtener con facilidad este valor con slo verlas. Para obtener la resistencia de cualquier elemento de un material especfico, es necesario conocer algunos datos propios de ste, como son: su longitud, rea transversal, resistencia especfica o resistividad del material con que est fabricada.
Conductancia
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Tolerancia
La tolerancia de una resistencia / resistor es un dato que nos dice que tanto (en porcentaje) puede variar el valor de la resistencia (hacia arriba o hacia a bajo) de su valor indicado.Valores tpicos de tolerancia son 5%, 10% y 20%, pero tambin hay de 0.1%, 0.25%, 0.5%, 1%, 2%, 3% y 4%. La representacin de la tolerancia en un resistor se puede ver en el cdigo de colores de las resistencias. Ejemplo: un resistor de 1000 ohmios con una tolerancia del 10% puede tener un valor entre 900 y 1100 ohmios.
Valores normalizados
Los valores comunes de resistencias son: 1.0, 1.2, 1.5, 1.8, 2.2, 2.7, 3.3, 3.9, 4.7, 5.6, 6.8, 8.2, etc., todas ellas x 10n, donde n = 0,1,2,3,4,5,6. A continuacin se presentan los valores normalizados de stas para diferentes casos de tolerancia.
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Soldabilidad
Un resistor al ser soldado, puede cambiar su valor hasta en un 25%, si esta est expuesta por mucho tiempo al calor del soldador. Hay que realizar soldaduras rpidas y si es posible con usar elementos metlicos, como disipadores, unidos a los terminales a soldar, para radiar el calor.
Disipacin de potencia
Cuando circula una corriente por una resistor, se produce calor, que es energa que no se aprovecha. Este calor (potencia a disipar) es un inconveniente y debe disiparse al ambiente. La capacidad de disipacin de calor de un resistor depende de su tamao. A mayor tamao, mayor capacidad de disipacin. Ver la Ley de Joule
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Hay bsicamente dos tipos de Resistencias: Las resistencias de valores fijos y las Resistencias variables, que a su vez se subdividen dependiendo de caractersticas propias. A continuacin se presenta una tabla con una clasificacin general:
Resistencia / resistor Nota: Ver la tabla de clasificacin de izquierda a derecha Resistores de Pelcula (qumicas): se utilizan en potencias bajas, que van desde 1/8 watt hasta los 3 watts y consisten en pelculas que se colocan sobre bases de cermica especial. Este tipo de resistores depende del material, sea carbn o compuestos metlicos. Hay resistores de pelcula metlica y de carbn. Resistores bobinados: se fabrican con hilos resistivos que son esmaltados, cementados, vitrificados o son recubiertos de un material cermico. Estos resistores por lo general pueden disipar potencias que van desde los 5 watts (vatios) hasta los 100 watts o ms. Ver Resistencias bobinadas Resistores Variables: Resistores Ajustables Potencimetro de ajuste Potencimetro giratorio Potencimetro de cursor - Resistores Resistores de pelcula gruesa de Pelcula metlica - Resistores de pelcula delgada
Resistores Fijos: R E S I S T 0 R E S Tienen un valor nominal fijo. Se dividen en resistores de pelcula y bobinadas
Resistores de carbn
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De De De De De
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Una resistencia bobinada es una resistencia fabricada con una alambre conductor de una resistividad (resistencia especfica) alta. Este alambre es de una aleacin especial y est arrollado sobre un soporte de un tubo de material refractario como la cermica, porcelana, etc. Nota: Un material refractario es aquel que no permite la conduccin del calor, si no que al contrario lo refleja. El valor de la resistencia bobinada queda determinado por la seccin transversal del alambre, su longitud y la resistencia especfica de la aleacin de ste. Las resistencias bobinadas se utilizan cuando la potencia que deben de disipar es muy alta. Una vez que la resistencia ha sido construida generalmente se recubre con una capa de esmalte vitrificado. Este tipo de resistencia se puede comparar con el filamento de una lmpara incandescente, donde la potencia se transforma en calor (En una lmpara incandescente, esta potencia se transforma parte en luz y parte en calor) Cuanto mas largo es el alambre y mayor es la seccin de ste, mayor ser la capacidad de disipacin de potencia que podr aguantar, pues mayor ser la superficie de radiacin del calor. Estas resistencias se fabrican hasta valores de 100 Kilohmios aproximadamente, debido problemas con las dimensiones fsicas. La idea es lograr la mayor disipacin de calor en el menor espacio posible. Las resistencias bobinadas por lo general pueden disipar potencias que van desde los 5 watts (vatios) hasta los 100 watts o ms En el diagrama se puede observar el tubo refractario en color azul y los hilos a alambres que lo rodean. Los puntos negros representan los alambres que entran y salen de la pantalla formando como una bobina o resorte muy ajustado alrededor del tubo.
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Sobre estos resistores se pintan unas bandas de colores. Cada color representa un nmero que se utiliza para obtener el valor final del resistor. Las dos primeras bandas indican las dos primeras cifras del valor del resistor, la tercera banda indica cuantos ceros hay que aumentarle al valor anterior para obtener el valor final de la resistor. La cuarta banda nos indica la tolerancia y si hay quinta banda, sta nos indica su confiabilidad
- El resistor tiene un valor de 2400,000 Ohmios +/- 5 % - El valor mximo de este resistor es: 25200,000 - El valor mnimo de este resistor es: 22800,000 - El resistor puede tener cualquier valor entre el mximo y mnimo calculados.
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Potencimetros
Los potencimetros y los restatos se diferencias entre si, entre otras cosas, por la forma en que se conectan. En el caso de los potencimetros, stos se conectan en paralelo al circuito y se comporta como un divisor de voltaje. Ver la figura.
Restatos
En el caso del restato, ste va conectado en serie con el circuito y se debe tener cuidado de que su valor (en ohmios) y su la potencia (en Watts (vatios)) que puede aguantar sea el adecuado para soportar la corriente I en amperios (ampere) que va a circular por l.
Los potencimetros se utilizan para variar niveles de voltaje y los restatos para variar niveles de corriente
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El condensador o capacitor almacena energa en la forma de un campo elctrico (es evidente cuando el capacitor funciona con corriente directa) y se llama capacitancia o capacidad a la cantidad de cargas elctricas que es capaz de almacenar El smbolo del capacitor se muestra al lado derecho: La capacidad depende de las caractersticas fsicas del condensador: - Si el rea de las placas que estn frente a frente es grande la capacidad aumenta - Si la separacin entre placas aumenta, disminuye la capacidad - El tipo de material dielctrico que se aplica entre las placas tambin afecta la capacidad - Si se aumenta la tensin aplicada, se aumenta la carga almacenada.
Dielctrico o aislante
Un dielctrico o aislante es un material que evita el paso de la corriente, y su funcin es aumentar la capacitancia del capacitor. Los diferentes materiales que se utilizan como dielctricos tiene diferentes grados de permitividad(diferente capacidad para el establecimiento de un campo elctrico
Mientras mayor sea la permitividad, mayor es la capacidad del condensador. La capacitancia de un condensador est dada por la frmula: C = Er x A / d
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Inductancia parsita
La inductancia parsita se debe a la forma en que est construido el capacitor y se representa como una bobina en serie con el mismo. A bajas frecuencias es despreciable, pero a frecuencias ms altas, influye en la reactancia del capacitor y no debe despreciarse.
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Cuando un capacitor se carga a corriente constante, el voltaje entre sus terminales es proporcional al tiempo de carga.
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P=W/t W=Pxt
P=IxV
En la ltima frmula, si se considera que la corriente es constante (corriente continua), entonces la potencia es proporcional al voltaje. Si el voltaje aumenta en forma lineal, la potencia aumentar igual. Ver el diagrama
Como la potencia vara en funcin del tiempo, no se puede aplicar la frmula W = P x t, para calcular la energa transferida. Pero observando el grfico, se ve que esta energa se puede determinar midiendo el rea bajo la curva de la figura. El rea bajo la curva es igual a la mitad de la potencia en el momento t, multiplicada por t. Entonces: W = (P x t) / 2. Pero se sabe que P = V x I. Si se reemplaza esta ltima frmula en la anterior se obtiene: W = (V x I x t) / 2, y como I x t = CV, entonces:
W = (CV2 / 2) julios
Donde: W = trabajo en julios C = Capacidad en faradios V = voltaje en voltios en los extremos del capacitor
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Capacitores fijos:
Estos se diferencian entre si por el tipo de dielctrico que utilizan. Materiales comunes son: la mica, plstico y cermica y para los capacitores electrolticos, xido de aluminio y de tantalio. Hay de diseo tubular, y de varias placas y dielctrico intercalados. El diseo de mltiples placas es un diseo para aumentar el rea efectiva de la placa. Entre placa y placa se coloca el aislante y se hace una conexin de placa de de por medio, como si fueran capacitores en paralelo. (ver diagrama).
1 - Condensadores de cermica
Son capacitores en donde las inductancias parsitas y las prdidas son casi nulas. La constante dielctrica de estos elementos es muy alta (de 1000 a 10,000 veces la del aire) - Algunos tipos de cermica permiten una alta permitividad y se alcanza altos valores de capacitancia en tamaos pequeos, pero tienen el inconveniente que son muy sensibles a la temperatura y a las variaciones de voltaje. - Hay otros tipos de cermica que tienen un valor de permitividad menor, pero que su sensibilidad a la temperatura, voltaje y el tiempo es despreciable. Estos capacitores tienen un tamao mayores que los otros de cermica. Se fabrican en valores de fracciones de picoFaradios hasta nanoFaradios.
Capacitor tubular
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3 - Condensadores de mica:
Capacitores que consisten de hojas de mica y aluminio colocados de manera alternada y protegidos por un plstico moldeado. Son de costo elevado. Tiene baja corriente de fuga (corriente que pierden los condensadores y que hacen que este pierda su carga con el tiempo) y alta estabilidad. Su rango de valores de va de los pF a 0.1 uF.
4 -Capacitores de poliester:
Sustituyen a los capacitores de papel, solo que el dielctrico es el polister. Se crearon capacitores de polister metalizado con el fin de reducir las dimensiones fsicas. Ventajas: muy poca prdida y excelente factor de potencia
5 - Condensadores electrolticos:
Estos capacitores pueden tener capacitancias muy altas a un precio razonablemente bajo. Tienen el inconveniente de que tienen alta corriente de fuga y un voltaje de ruptura bajo. Son polarizados y hay que tener cuidado a hora de conectarlos pues pueden estallar si se conectan con la polaridad invertida. Se utilizan principalmente en fuentes de alimentacin. Fsicamente estos elementos constan de un tubo de aluminio cerrado, en donde est el capacitor. Tienen una vlvula de seguridad que se abre en el caso de que el electrolito entre en ebullicin, evitando as el riesgo de explosin. Ver capacitor electroltico
6 - Condensadores de tantalio:
Son polarizados por lo que hay que tener cuidado a la hora de conectarlo.
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C = EA / d
donde: - A = superficie - d = separacin de placas - E = constante dielctrica Si el valor de la constante dielctrica (E) aumenta, tambin aumenta la capacitancia del capacitor. Este dielctrico es un electrolito constituido por xido de aluminio impregnado en un papel absorbente. Cuando se fabrica el capacitor electroltico, se arrollan dos lminas de aluminio, separadas por un papel absorbente impregnado con el electrolito.
Despus se hace circular una corriente entre las placas, con el propsito de provocar una reaccin qumica que crear una capa de xido de aluminio que ser el dielctrico (aislante). Ver diagrama. Fsicamente consta de un tubo de aluminio cerrado, dentro del cual se haya el capacitor. Est provisto de una vlvula de seguridad que se abre en caso de que que el electrolito (de all viene el nombre) entre en ebullicin y evitando el riesgo de explosin.
El capacitor electroltico es un elemento polarizado, por lo que sus terminales no pueden ser invertidas. Generalmente el signo de polaridad viene indicado en el cuerpo del capacitor. El inconveniente que tienen estos capacitores es que el voltaje permitido entre sus terminales no es muy alto. Si fuera necesario cambiar este capacitor, se debe
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Al igual que en los resistores este cdigo permite de manera fcil establecer su valor
Despus del tercer nmero aparece muchas veces una letra que indica la tolerancia del capacitor expresada en porcentaje (algo parecido a la tolerancia en las resistores). Ver el prrafo siguiente
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Ejemplos: 1) 2E 185 K 2E: 250 V 183: 18 x 103 pF = 18 000 pF K: tolerancia 10% El capacitor es de: 18,000 pF +/- 10% con una tensin mxima de 250V 2) 1H 323 M 1H: 50V. 324: 3 x 104 pF = 30, 000 pF M: tolerancia = 20% El capacitor es de: 30,000 pF +/- 20% con una tensin mxima de 50V.
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El inductor es diferente del condensador / capacitor, que almacena energa en forma de campo elctrico Todo cable por el que circula una corriente tiene a su alrededor un campo magntico, siendo el sentido de flujo del campo magntico, el que establece la ley de la mano derecha (ver electromagnetismo). Al estar el inductor hecho de espiras de cable, el campo magntico circula por el centro del inductor y cierra su camino por su parte exterior. Una caracterstica interesante de los inductores es que se oponen a los cambios bruscos de la corriente que circula por ellas. Esto significa que a la hora de modificar la corriente que circula por ellos (ejemplo: ser conectada y desconectada a una fuente de alimentacin de corriente continua), esta intentar mantener su condicin anterior. Este caso se da en forma continua, cuando una bobina esta conectada a una fuente de corriente alterna y causa un desfase entre el voltaje que se le aplica y la corriente que circula por ella. En otras palabras:
La bobina o inductor es un elemento que reacciona contra los cambios en la corriente a travs de l, generando un voltaje que se opone al voltaje aplicado y es proporcional al cambio de la corriente.
Inductancia, unidades
La inductancia mide el valor de oposicin de la bobina al paso de la corriente y se miden en Henrios (H), pudiendo encontrarse valores de MiliHenrios (mH). El valor depende de:
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Para poder incrementar el valor de la inductancia de una bobina se coloca dentro de ella un ncleo metlico de caractersticas magnticas muy especiales, que lo que hacen es reforzar el campo magntico. El magnetismo del material del ncleo depende de la polarizacin de "los dominios magnticos moleculares", cuando el campo magntico que afecta el inductor cambia continuamente. Estos dominios deben poder cambiar su posicin para que el ncleo cumpla su objetivo. Los dominios magnticos podrn o no seguir las variaciones del campo magntico dependiendo del material de que est hecho el ncleo. Si esta variacin del campo magntico no puede ser seguida el ncleo pierde su razn de ser y lo dominios moleculares se desordenan, quedando el ncleo despolarizado magnticamente. El material magntico que se utiliza como ncleo de la bobina depende de la frecuencia a la que trabajar esta. - Metal slido: para frecuencias muy bajas. - Metal laminado: para frecuencias de 10 hertz (Hz) a algunos kilohertz (Khz) - Ncleos de polvo metlico: para frecuencias arriba de cientos de Kilohertz y hasta varios cientos de Megahertz (Mhz) - Ncleo de aire: frecuencia superiores a los 500 Megahertz. En este caso el ncleo metlico se vuelve obsoleto. Notas: - 1 hertz = 1 ciclo por segundo - Bobina = Inductor
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La frmula a utilizar es la siguiente: L(uH)=(0.393a2n2)/(9a+10b) Donde: - n: es la cantidad de espiras (vueltas de alambre) del inductor - a: es el radio del inductor en centmetros - b: es la longitud del arrollado del inductor en centmetros Esta frmula es una buena aproximacin para inductores de una longitud mayor o igual a 0.8a. Ver el grfico anterior. Ejemplo 1: Se tiene una bobina o inductor de 32 espiras, 13 vueltas por centmetro y 25 mm de dimetro. Cul ser su inductancia? - a = 25 mm / 2 = 1.25 centmetros - b = 32 / 13 = 2.46 - n = 32 Entonces: L = (0.393 x 1.252 x 322) / (9 x 1.25 + 10 x 2.46) = 17.54 uHenrios Ejemplo 2: Se desea construir una bobina o inductor que sea de 10 uHenrios (uHenrys), que tenga 2.54 centmetros de dimetro y una longitud de 3.175 centmetros. Entonces: - a = 2.54 centmetros / 2 = 2.27 centmetros - b = 3.175 centmetros - L = 10 uHenrios Se despeja de la ecuacin original la variable "n" en funcin de todas las dems.
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Se compone de un ncleo de hierro sobre el cual se han arrollado varias espiras (vueltas) de alambre conductor. Este conjunto de vueltas se llaman bobinas y se denominan: Bobina primaria o "primario" a aquella que recibe el voltaje de entrada y Bobina secundaria o "secundario" a aquella que entrega el voltaje transformado. La Bobina primaria recibe un voltaje alterno que har circular, por ella, una corriente alterna. Esta corriente inducir un flujo magntico en el ncleo de hierro. Como el bobinado secundario est arrollado sobre el mismo ncleo de hierro, el flujo magntico circular a travs de las espiras de ste. Al haber un flujo magntico que atraviesa las espiras del "Secundario", se generar por el alambre del secundario un voltaje. En este bobinado secundario habra una corriente si hay una carga conectada (el secundario conectado por ejemplo a un resistor)
La razn de transformacin del voltaje entre el bobinado "Primario" y el "Secundario" depende del nmero de vueltas que tenga cada uno. Si el nmero de vueltas del secundario es el triple del primario. En el secundario habr el triple de voltaje. La frmula:
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Entonces: Vs = Ns x Vp / Np Un transformador puede ser "elevador o reductor" dependiendo del nmero de espiras de cada bobinado. Si se supone que el transformador es ideal. (la potencia que se le entrega es igual a la que se obtiene de l, se desprecian las perdidas por calor y otras), entonces: Potencia de entrada (Pi) = Potencia de salida (Ps). Pi = Ps Si tenemos los datos de corriente y voltaje de un dispositivo, se puede averiguar su potencia usando la siguiente frmula. Potencia = voltaje x corriente P = V x I (en watts) Aplicando este concepto al transformador y como P(bobinado pri) = P(bobinado sec) entonces... La nica manera de mantener la misma potencia en los dos bobinados es que cuando el voltaje se eleve, la corriente se disminuya en la misma proporcin y viceversa. Entonces:
As, para conocer la corriente en el secundario (Is) cuando tengo: - Ip (la corriente en el primario), - Np (espiras en el primario) y - Ns (espiras en el secundario) se utiliza siguiente frmula: Is = Np x Ip / Ns
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Circuitos equivalentes para transformadores de potencia y audio para video y RF (radio frecuencia)
Normalmente en los diseos y anlisis donde se utilizan transformadores, es muy comn utilizar las caractersticas de ste como si fuera transformador ideal Esto - No - No - No - No significa que: tiene prdidas por calor hay cadas de voltaje en los bobinados de los arrollados hay capacitancias debido a los bobinados hay prdidas por histresis en el ncleo, etc.
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Autotransformador reductor
- Si se aplica una tensin alterna entre los puntos A y B, y se mide la tensin de salida entre los puntos C y D, se dice que el autotransformador es reductor de tensin.
Autotransformador elevador
- Si se aplica una tensin alterna entre los puntos C y D, y se mide la tensin de salida entre los puntos A y B, se dice que el autotransformador es elevador de tensin.
relacin de vueltas Ns / Np > 1 Los autotransformadores tienen la ventaja sobre los transformadores comunes, de un peso y costo menor. En lugar de tener un bobinado de alta tensin de N1 espiras, se debe preveer, para el bobinado de baja tensin, con un nmero N2 de espiras, un nmero de espiras adicional de N1 - N2.
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Resumen de conceptos
Relacin de transformacin: Es la relacin entre el nmero de espiras del primario y del secundario, la cual es igual a la relacin entre la tensin del primario y del secundario sin carga. Relacin entre corrientes: Es inversa a la relacin de transformacin. Rendimiento: Nos dice cuanta potencia se aplica al transformador y cuanta entrega este a la carga. La diferencia se pierde en los devanados en forma de calor por efecto JOULE, debido a que estos no tienen una resistencia nula, y tambin en el ncleo debido a histresis y corrientes de Foucault. Ncleos: Son las chapas de material ferro-magntico, hierro al que se aade una pequea porcin de silicio. Se recubre de barniz aislante que evita la irculacin de corrientes de Foucault. Potencia= V x I N1/N2 = V1/V2
Frmulas Area = A donde * = 0.8 si el ncleo es fino y 1.2 si el ncleo es de inferior calidad. Se da en cm2 y est determinada por los lados del sector azul de la figura. Es el resultado de L x L. El nmero de vueltas por voltio = A x 0.02112 El voltaje deseado para cada caso se dividir por el resultado de este nmero. Ejemplo real:Embobinar un transformador de 200 W con un V primario = 115V y un V secundario=50V. Comenzamos por el rea del transformador:
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Nmero de vueltas por voltio: A x 0.02112 = 14.14 x 0.02112 VxV = 0.29 Entonces: 115 V / 0.29 = 396 vueltas en el primario. 50 V / 0.29 = 172 vueltas en el secundario. Ahora sabiendo la potencia (200W) podemos calcular la corriente presente en ambos devanados. I=W/V I = 200/ 115 I = 1.73 amperios en el primario. I = 200/ 50 I = 4 amperios en el secundario. Si utilizamos una tabla de equivalencias en AWG como la que mostramos a continuacin sabremos el calibre del alambre a utilizar. De acuerdo a la tabla, para el primario necesitamos comprar alambre calibre 20 y para el secundario alambre calibre 16. AWG 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 Diam. mm 7.35 6.54 5.86 5.19 4.62 4.11 3.67 3.26 2.91 2.59 2.30 2.05 1.83 1.63 1.45 Amperaje 120 96 78 60 48 38 30 24 19 15 12 9,5 7,5 6,0 4,8 AWG 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 Diam. mm 1.29 1.15 1.024 0.912 0.812 0.723 0.644 0.573 0.511 0.455 0.405 0.361 0.321 0.286 0.255 Amperaje 3,7 3,2 2,5 2,0 1,6 1,2 0,92 0,73 0,58 0,46 0,37 0,29 0,23 0,18 0,15
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Tutorial que muestra el mtodo a seguir para el bobinado de un transformador cuando se tiene el ncleo y se conocen los voltajes para el primario y el secundario. Frmula: Area= A X B Siendo A = 4 cm y B = 5 cm, entonces: Area = 4 cm x 5 cm = 20 cm
Constante: (K) = 37.54 Espira = Significa una vuelta en el carretn. Frmula = K / Area = Espiras x voltios (Tambin AREA = Seccin del ncleo = SN) Ejemplo: 37.54 / 20 = 1.877 espiras por voltio As que si queremos un transformador de 120V a 18V, tenemos: 1.877 x 120v = 225.24 espiras en el embobinado primario 1.877 x 18v = 33.78 espiras en el embobinado secundario Frmula para la potencia mxima: (AREA) Siendo Area = 20cm, entonces; Potencia mxima = (20) = 400 Watts o Vatios Por la ley de potencia : I = W /V, tenemos que: IP (corriente en el primario) = 400/120 = 3.33 Amperes que nos da: AWG # 18 (calibre del cable) IS (corriente en el secundario) = 400/18 = 22.2 Amperes que nos da: AWG # 10 (calibre del cable)
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El Rel es un interruptor operado magnticamente. El rel se activa o desactiva (dependiendo de la conexin) cuando el electroimn (que forma parte del rel) es energizado (le ponemos un voltaje para que funcione). Esta operacin causa que exista conexin o no, entre dos o ms terminales del dispositivo (el rel). Esta conexin se logra con la atraccin o repulsin de un pequeo brazo, llamado armadura, por el electroimn. Este pequeo brazo conecta o desconecta los terminales antes mencionados.
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En el grfico anterior se muestra el procedimiento general de distribusin de energa desde su generacin hasta la entrega final de esta en la industria o para uso domstico. Nota: - Muchas industrias no obienen su conexin de alimentacin del punto con voltaje de 120 / 240V sino del punto de 34.5 KV - 1 KV = 1000 V. Ejemplo 34.5 KV = 34500 voltios. - Los voltajes mostrados en el grfico anterior podran variar de un pas a otro.
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- Ncleo:
Construido con chapas magnticas con alta proporcin de silicio (4%), grano orientado y prdidas por histresis muy bajas, las cuales tienen por un lado un aislamiento impregnado en el proceso metalrgico. De acuerdo a su disposicin, los ncleos pueden ser: a- Simple o de columnas: Es estos los bobinados van dispuestos sobre las dos columnas. El flujo magntico se canaliza a travs de las columnas y las culatas. b- Doble o acorazado: La columna central tiene el doble de seccin que las culatas laterales, los bobinados van dispuestos en la columna central. El flujo magntico se canaliza de la columna central hacia las culatas laterales. Las columnas de seccin rectangular se usan en pequeos transformadores (hasta 50KVA). En los transformadores de mayor potencia, se utiliza la seccin escalonada, para aumentar la superficie de enfriamiento.
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El flujo 1 al estar canalizado en el ncleo, induce en las espiras del bobinado secundario una fuerza electromotriz (E2). Las espiras del bobinado primario tambin estn en la influencia del 1. por lo tanto en ellas se va a inducir una fuerza contraelectromotriz (E1), que se opone al voltaje de alimentacin, dando como resultado una disminucin de la intensidad de corriente I1
Cuando se le aplica carga (R) al bobinado secundario, circula por l la intensidad de corriente I2, la cual produce el flujo magntico 2, opuesto al 1, por lo tanto reduce el flujo resultante en el ncleo dando como resultado que la fuerza contraelectromotriz disminuya y la intensidad de corriente I1 aumente.
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Dado que la fuerza contraelectromotriz es directamente proporcional al flujo inductor (1), al disminuir ste, por la contraposicin del 2, se da un incremento en la corriente I1.
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K= N1/N2
En un transformador al vaco (sin carga), las fuerzas electromotrices inducidas (E1 y E2) guardan un relacin directa, por lo que tambin se puede determinar la relacin de transformacin con E1 y E2.
K= E1/E2
Otra forma de determinar la relacin de transformacin es partiendo de las intensidades (corrientes) nominales del bobinado primario y del bobinado secundario (I1 e I2), basado en la relacin inversa que guardan con las fuerza electromotrices.
K= I2/I1
En el grfico anterior se ilustran los parmetros de N1, N2, E1, E2, I1 e I2 De lo anterior se resume que la relacin de transformacin se determina:
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Polaridad Aditiva:
La polaridad positiva se da cuando en un transformador el bobinado secundario est arrollado en el mismo sentido que el bobinado primario. Esto hace que los flujos de los dos bobinados giren en el mismo sentido y se sumen. Los terminales H1 y X1 estn cruzados. Ver diagrama.
Polaridad Sustractiva:
La polaridad sustractiva se da cuando en un transformador el bobinado secundario esta arrollado en sentido opuesto al bobinado primario. Esto hace que los flujos de los dos bobinados giren en sentidos opuestos y se resten. Los terminales H1 y X1 estn en lnea. Ver diagrama.
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I1 es corriente en el bobinado primario e I2 es corriente en el secundario que est en corto circuito. El valor de la impedancia del transformador (Imp) debe tomarse en cuenta a la hora de realizar acoples para que no existan desbalances a la hora de aplicarle carga al banco de transformadores. Tambin indica la eficiencia y calidad del transformador, ya que mientras ms alto es el valor de la impedancia, mayores sern sus prdidas.
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Se puede ver en el diagrama anterior que la corriente y el voltaje estn en fase como corresponde a una carga resistiva. Para realizar el clculo de la representacin vectorial, se toma como ejemplo: E2 = 240V, ec = 10V, con un ngulo de desfase de 60
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d) Luego se alimenta el banco. - Si los transformadores tienen polaridad distinta, el voltmetro indicar algn valor de voltaje. - Si los transformadores tienen la misma polaridad, el voltmetro no indicar ningn voltaje. En este ltimo caso se pueden hacer los puentes en forma definitiva. (diagrama de la derecha) De lo contrario se intercambian los puentes. Ver: Polaridad de un transformador
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Conexin Estrella
Conexin Delta
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Nota: Las conexiones se hacen el los secundarios de los transformadores a no ser que se indique lo contrario.
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d) Luego se alimenta el banco. - Si los transformadores tienen polaridad distinta, el voltmetro indicar algn valor de voltaje. - Si los transformadores tienen la misma polaridad, el voltmetro no indicar ningn voltaje. En este ltimo caso se pueden hacer los puentes en forma definitiva. (diagrama de la derecha) De lo contrario se intercambian los puentes. Ver: Polaridad de un transformador
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Conexin Estrella
Conexin Delta
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Nota: Las conexiones se hacen el los secundarios de los transformadores a no ser que se indique lo contrario.
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Smbolo del diodo ( A - nodo, K - ctodo) Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P, separados por una juntura llamada barrera o unin. Esta barrera o unin es de 0.3 voltios en el diodo de germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el diodo de silicio.
Polarizacin directa
Es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta de la flecha (la del diodo), o sea del nodo al ctodo. En este caso la corriente atraviesa el diodo con mucha facilidad comportndose prcticamente como un corto circuito.
Polarizacin inversa
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Recordar que los diodos comunes, como el diodo rectificador (en donde se aprovechan sus caractersticas de polarizacin directa y polarizacin inversa), conducen siempre en el sentido de la flecha. En este caso la corriente circula en contra de la flecha que representa el diodo. Si el diodo zener se polariza en sentido directo se comporta como un diodo rectificador comn. Cuando el diodo zener funciona polarizado inversamente mantiene entre sus terminales un voltaje constante. En el grfico se ve el smbolo de diodo zener (A - nodo, K - ctodo) y el sentido de la corriente para que funcione en la zona operativa Se analizar el diodo Zener, no como un elemento ideal, si no como un elemento real y se debe tomar en cuenta que cuando ste se polariza en modo inverso si existe una corriente que circula en sentido contrario a la flecha del diodo, pero de muy poco valor.
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La regin en el grfico en que la corriente disminuye cuando la tensin aumenta (entre Vp y Vv) se llama "zona de resistencia negativa" El diodo tunnel se llama tambin diodo Esaki en honor a su inventor japons Leo Esaki Los diodos tunnel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy rpidamente, cambiando de estado de conduccin al de no conduccin incluso ms rpido que los diodos Schottky. Desgraciadamente, este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene una corriente de fuga muy grande cuando estn polarizados en reversa. As estos diodos slo encuentran aplicaciones reducidas como en circuitos osciladores de alta frecuencia.
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El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el grfico de transistor. El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra (emisor) , una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin. Este factor se llama (beta) y es un dato propio de cada transistor. Entonces: - Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a (factor de amplificacin) por Ib (corriente que pasa por la patilla base). - Ic = * Ib - Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, slo que, la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de l, o viceversa. Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se cambia Vcc. Ver figura.
En el segundo grfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender que a ms corriente la curva es ms alta.
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Entonces utilizando la ecuacin (2) y la ecuacin (3) se obtiene: IE2 = 2 x IB2 = 2 x IE1 Reemplazando en la ecuacin anterior el valor de IE1 (ver ecuacin (1) ) se obtiene la ecuacin final de ganancia del transistor Darlington.
IE2 = 2 x 1 x IB1
Como se puede deducir, este amplificador tiene una ganancia mucho mayor que la de un transistor corriente, pues aprovecha la ganancia de los dos transistores. ( la ganancias se multiplican). Si se tuvieran dos transistores con ganancia 100 ( = 100) conectados como un transistor Darlington y se utilizara la frmula anterior, la ganancia sera, en teora: 2 x 1 = 100 x 100 = 10000. Como se ve es una ganancia muy grande. En la realidad la ganancia es menor.
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Figura 1.1. Smbolos y sentidos de referencia para un transistor bipolar a) NPN y b) PNP.
Ebers y Moll desarrollaron un modelo que relacionaba las corrientes con las tensiones en los terminales del transistor. Este modelo, conocido como modelo de Ebers-Moll, establece las siguientes ecuaciones generales que, para un transistor NPN, son: F = 0.99, R= 0.66, IES = 10-15A, ICS = 10-15A
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donde IES y ICS representan las corrientes de saturacin para las uniones emisor y colector, respectivamente, aF el factor de defecto y aR la fraccin de inyeccin de portadores minoritarios. En un transistor bipolar PNP, las ecuaciones de Ebers-Moll son:
Para un transistor ideal, los anteriores cuatro parmetros estn relacionados mediante el teorema de Reciprocidad
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Operando con estas ecuaciones, se obtiene una relacin entre ambas intensidades de forma que: donde: Sustituyendo la ecuacin 1.1 en 1.7, resulta: siendo:
F, es la ganancia en corriente en continua del transistor que en las hojas de caractersticas del fabricante se representa por hFE. Este parmetro es muy importante en un transistor de unin y define la relacin entre las corrientes de colector y base. Al ser ICO una corriente muy baja, el segundo trmino de la ecuacin (1.9) puede ser despreciado frente al primero. Como resultado, se obtiene una relacin muy utilizada para analizar transistores que operen en esta regin La ecuacin (1.11) indica que en la regin activa lineal la relacin entre las corrientes de colector y base es constante. Sin embargo, en la prctica la hFE de los transistores vara hasta en un 500% debido principalmente a tres factores:
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que incluye el valor tpico de la hFE con un rango de valores mximo y mnimo. 3) Temperatura. La dependencia de la hFE con la temperatura se puede observar en las grficas que proporciona el fabricante para tal fin. En la figura 1.4 se describe diferentes curvas normalizadas a 25 de hFE para temperaturas de 55C y 175C.
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Estas corrientes son extremadamente bajas y pueden ser despreciadas; a efectos prcticos se puede considerar al transistor como si no existiese. Sin embargo, en muchos circuitos resulta interesante establecer cuando se dan las condiciones de conduccin de un transistor, es decir, fijar la frontera entre la regin de corte y lineal. Esta frontera no es clara y el transistor pasa de una regin a otra de una manera gradual. Es decir, el transistor est en la regin lineal cuando tiene corrientes significativas en sus terminales y est en corte cuando esas corrientes son muy bajas. Normalmente, se asigna una VBE umbral (VBEy) a partir de la cual las corrientes tienen un valor suficientemente alto; esta VBEy suele estar comprendida entre 0.4 y 0.5 V. En la figura 1.5 se muestra grficamente la relacin entre la VBE y la IC en donde se puede observar como por debajo de 0.58 V (typ) la corriente de colector es de bajo valor (<100).
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La cada de tensin entre el colector y emisor es muy baja debido a que ambas uniones pn se encuentran directamente polarizadas. De esta manera, se verifica que
siendo, de 1.13,
Los valores tpicos de la VCE(sat) estn prximos a 0.1 o 0.2 V y la VBE(sat) es ligeramente superior a la de la regin lineal (0.8 V). El transistor est operando con una relacin F(sat)=IC/IB variable e inferior a la F de la regin lineal. En la figura 1.6 aparece una curva tpica que proporciona el fabricante relacionando la VCE(sat) con la IC realizada con una F(sat)=20. La VCE(sat) est comprendida entre 70mV y 200mV, y por ello, en muchos circuitos se considera prcticamente 0V. En esta regin el transistor se comporta de una manera no lineal.
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Zona inversa
En la regin inversa los terminales colector y emisor se intercambian, es decir, el emisor hace la funcin de colector y viceversa. Las curvas elctricas son muy similares a las indicadas en la figura 1.2 aunque las prestaciones del transistor sufren una gran disminucin al carecer de simetra; el colector est menos dopado y tiene mayor tamao que el emisor. El efecto ms importante es la disminucin de la ganancia en corriente en continua que pasa a tener valores altos (p.e., F=200) en la regin directa lineal a valores bajos (p.e., I=2) en la regin inversa lineal.
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Si suponemos que el transistor se encuentra en la regin directa lineal, entonces se puede relacionar las intensidades de base y colector a travs de la hFE y asignar una tensin base-emisor tpica de 0.7 V. El clculo de las tensiones e intensidades del transistor proporciona su punto de trabajo Q. Para este circuito, Q viene definido por las siguientes ecuaciones:
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La tercera ecuacin de (1.17) define la recta de carga obtenida al aplicar KVL al circuito de polarizacin, de forma que
Para dibujar esta recta de una manera sencilla en el plano (VCE, IC) del transistor se selecciona dos puntos: a) VCE=0, entonces IC=VCC/RC; b) IC=0, entonces VCE=VCC. Estos puntos se pueden identificar en la figura1.8.b y representan los cortes de la recta de carga esttica con los ejes de coordenadas. Una de las primeras decisiones relacionadas con la polarizacin de un transistor es seleccionar la situacin del punto Q. La seleccin ms prctica es situarle en la mitad de la recta de carga esttica para que la corriente de colector sea la mitad de su valor mximo, condicin conocida como excursin mxima simtrica. Evidentemente esta es una condicin de diseo que asegurar el mximo margen del punto Q a incrementos de cualquier signo de la intensidad de colector. Sin embargo, hay muchas otras condiciones de operacin del transistor que exige un
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Debido a que generalmente la IB<<<IC y la VBE<<VCE, el primer trmino de esta ecuacin es despreciable frente al segundo, resultando que
Esta ecuacin representa a una hiprbola en el plano (VCE, IC) de las curvas caractersticas del transistor. El fabricante proporciona como dato la potencia de disipacin mxima de un transistor; como ejemplo, el BC547 tiene una PCMAX=500mW. En la figura 1.8.b se representa la hiprbola de potencia mxima de un transistor. Es preciso que el punto del trabajo Q est por debajo de esa curva ya que sino el transistor se daara por efecto Joule.
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Este grfico muestra que al aumentar el voltaje Vds (voltaje drenador - fuente), para un Vgs (voltaje de compuerta) fijo, la corriente aumenta rpidamente (se comporta como una resistencia) hasta llegar a un punto A (voltaje de estriccin), desde donde la corriente se mantiene casi constante hasta llegar a un punto B (entra en la regin de disrupcin o ruptura), desde donde la corriente aumenta rpidamente hasta que el transistor se destruye.
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En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es controlada por la corriente que circula por la base. Sin embargo en el caso de los transistores FET, la corriente de salida es controlada por una tensin de entrada (un campo elctrico). En este caso no existe corriente de entrada. Los transistores MOSFET se pueden daar con facilidad y hay que manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de xido es muy delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta tensin o hay electricidad esttica.
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En el caso del MOSFET de canal P, se da una situacin similar. Cuando se aplica una tensin negativa en la compuerta, los huecos (ausencia de electrones) del canal P del drenaje y de la fuente son atrados hacia la compuerta y pasan a travs del canal N que hay entre ellos, creando un puente entre drenaje y fuente. La amplitud o anchura del puente (y la cantidad de corriente) depende de la tensin aplicada a la compuerta. Debido a la delgada capa de xido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no hay corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensin aplicada a la compuerta. Nota: El sentido de la corriente mostrada en los diagramas el es convencional, no la del flujo de electrones.
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El mayor peligro para un MOSFET son las cargas estticas durante la manipulacin del mismo en un da seco. Tambin causan peligro los cautines para soldar, que por lo general no estn aislados de la lnea de corriente alterna (C.A.). Para evitar que el MOSFET se dae de manera accidental, algunos fabricantes incluyen un diodo zener conectado entre la compuerta (G) y la fuente (S) con el nodo hacia la compuerta y el ctodo hacia la fuente.
Este zener esta diseado para que conduzca a 50 voltios por lo que VGS (tensin compuerta - fuente) siempre se mantendr por debajo o igual al valor de esta tensin, y por ende por debajo del valor de tensin destructivo. Ver la figura. Otra manera de asegurarse de que el MOSFET no se dae es almacenarlo y transportarlo con ayuda de esponjas conductoras, que cortocircuitan los terminales del MOSFET y as no exista tensin entre ellos. Si no fuese posible conocer si el MOSFET tiene la proteccin antes mencionada, la persona que manipular el elemento debe de asegurarse que su cuerpo no est cargado de esttica. Existen unas pulseras especiales conectadas a un punto de tierra, pensadas para mantener descargado el cuerpo del usuario.
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Funcionamiento:
- Cuando la entrada tiene un nivel de tensin negativo (L), el MOSFET de canal P conduce y el MOSFET de canal N no lo hace - Cuando la entrada tiene un nivel de tensin positivo (H), el MOSFET de canal N conduce y el MOSFET de canal P no lo hace Se puede ver que el funcionamiento de ambos es siempre opuesto. Una caracterstica importante de este circuitos es que la corriente de salida, que se puede considerar relativamente alta, es controlada con facilidad. Cuando la entrada est en nivel bajo (L), la salida est conectada directamente a la fuente de alimentacin a travs del MOS FET de canal P y se tiene un nivel alto (H). Cuando la entrada est en nivel alto (H), la salida est conectada directamente a la tierra a travs del MOS FET de canal N y se tiene un nivel bajo (L). El nivel de salida de la salida es siempre el inverso que el de la entrada (hay inversin de fase). En el circuito C-MOS FET el MOSFET de canal P y el de canal N podran no iniciar o dejar la conduccin bajo las mismas condiciones, esto debido a que la tensin en la compuerta, que hace que el MOSFET deje de conducir, tiene un valor que va de 1 a 2 voltios. Esta caracterstica depende de cada MOSFET en particular y es comn observar que la corriente de drenaje de un MOSFET es cero (MOSFET en corte) an cuando la tensin en la compuerta no lo sea.
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Las curvas de caractersticas elctricas de un JFET son muy similares a las curvas de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por tensin a diferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por corriente. Por ello, en el JFET intervienen como parmetros: ID (intensidad drain o drenador a source o fuente), VGS (tensin gate o puerta a source o fuente) y VDS (tensin drain o drenador a source o fuente). Se definen cuatro regiones bsicas de operacin: corte, lineal, saturacin y ruptura. A continuacin se realiza una descripcin breve de cada una de estas regiones para el caso de un NJFET.
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(IDSS).
La ecuacin 1.22 en el plano ID y VGS representa una parbola desplazada en Vp. Esta relacin junto a las caractersticas del JFET de la figura 1.11 permiten obtener grficamente el punto de trabajo Q del transistor en la regin de saturacin. La figura 1.13 muestra la representacin grfica de este punto Q y la relacin existente en ambas curvas las cuales permiten determinar el punto de polarizacin de un transistor utilizando mtodos grficos.
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En la figura 1.15 se describe la estructura fsica de un MOSFET de canal N con sus cuatro terminales: puerta, drenador fuente y substrato; normalmente el sustrato se encuentra conectado a la fuente. La puerta, cuya dimensin es WL, est separado del substrato por un dielctrico (Si02) formando una estructura similar a las placas de un condensador. Al aplicar una tensin positiva en la puerta se induce cargas negativas (capa de inversin) en la superficie del substrato y se crea un camino de conduccin entre los terminales drenador y fuente. La tensin mnima para crear ese capa de inversin se denomina tensin umbral o tensin de threshold (VT) y es un parmetro caracterstico del transistor. Si la
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Regin de corte
Se verifica que VGS<VT y la corriente ID es nula.
Regin lineal
El transistor se comporta como un elemento resistivo no lineal controlado por tensin. Verifica las siguientes ecuaciones:
siendo
un parmetro caracterstico del MOS que depende de la tecnologa a travs de la constante k y del tamao de la puerta del transistor (W la anchura y L la longitud).
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siendo el parmetro descrito en la ecuacin 1.24. Ver: MOSFET en regiones de corte y lineal En esta regin, la relacin cuadrtica entre VGS e ID se representa en la grfica de la izquierda de la figura 1.16 (Ver: MOSFET en regiones de corte y lineal), y de una manera similar a los transistores JFET, puede ser utilizada para determinar por mtodos grficos el punto de polarizacin de los transistores aunque rara vez se recurre a ellos.
Por ltimo, sealar que en la tabla 1.3 se indican las diferencias en el signo y sentido de las corrientes y tensiones existentes entre transistores NMOS y PMOS.
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Los valores de una fotorresistencia cuando est totalmente iluminada y cuando est totalmente a oscuras vara. Puede medir de 50 ohmios a 1000 ohmios (1K) en iluminacin total y puede ser de 50K (50,000 Ohms) a varios megaohmios cuando est a oscuras. El LDR es fabricado con materiales de estructura cristalina, y utiliza sus propiedades fotoconductoras. Los cristales utilizados ms comunes son: sulfuro de cadmio y seleniuro de cadmio. El valor de la fotorresistencia (en Ohmios) no vara de forma instantnea cuando se pasa de luz a oscuridad o al contrario, y el tiempo que se dura en este proceso no siempre es igual si se pasa de oscuro a iluminado o si se pasa de iluminado a oscuro.
Esto hace que el LDR no se pueda utilizar en muchas aplicaciones, especialmente aquellas que necesitan de mucha exactitud en cuanto a tiempo para cambiar de estado (oscuridad a iluminacin o iluminacin a oscuridad) y a exactitud de los valores de la fotorresistencia al estar en los mismos estados anteriores. Su tiempo de respuesta tpico es de aproximadamente 0.1 segundos. Pero hay muchas aplicaciones en las que una fotorresistencia es muy til. En casos en que la exactitud de los cambios no es importante como en los circuitos:
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Sentido de la corriente generada Esta corriente elctrica fluye en sentido opuesto a la flecha del diodo y se llama corriente de fuga. El fotodiodo se puede utilizar como dispositivo detector de luz, pues convierte la luz en electricidad y esta variacin de electricidad es la que se utiliza para informar que hubo un cambio en el nivel de iluminacin sobre el fotodiodo. Si el fotodiodo quedara conectado, de manera que por l circule la corriente en el sentido de la flecha (polarizado en sentido directo), la luz que lo incide no tendra efecto sobre l y se comportara como un diodo semiconductor normal. La mayora de los fotodiodos vienen equipados con un lente que concentra la cantidad de luz que lo incide, de manera que su reaccin a la luz sea ms evidente. A diferencia del LDR o fotorresistencia, el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta ms pequeo. Si se combina un fotodiodo con una transistor bipolar, colocando el fotodiodo entre el colector y la base del transistor (con el ctodo del diodo apuntado al colector del transistor), se obtiene el circuito equivalente de un fototransistor.
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Smbolo del diodo LED El LED es un tipo especial de diodo, que trabaja como un diodo comn, pero que al ser atravesado por la corriente elctrica, emite luz. Existen diodos LED de varios colores que dependen del material con el cual fueron construidos. Hay de color rojo, verde, amarillo, mbar, infrarrojo, entre otros. Elctricamente el diodo LED se comporta igual que un diodo de silicio o germanio. Si se pasa una corriente a travs del diodo semiconductor, se inyectan electrones y huecos en las regiones P y N, respectivamente. Dependiendo de la magnitud de la corriente, hay recombinacin de los portadores de carga (electrones y huecos). Hay un tipo de recombinaciones que se llaman recombinaciones radiantes (aqu la emisin de luz). La relacin entre las recombinaciones radiantes y el total de recombinaciones depende del material semiconductor utilizado (GaAs, GaAsP,y GaP) Dependiendo del material de que est hecho el LED, ser la emisin de la longitud de onda y por ende el color.
Debe de escogerse bien la corriente que atraviesa el LED para obtener una buena intensidad luminosa y evitar que este se pueda daar. El LED tiene un voltaje de operacin que va de 1.5 V a 2.2 voltios aproximadamente y la gama de corrientes que debe circular por l est entre los 10 y 20 miliamperios (mA)
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- Si se activan o encienden todos los segmentos se forma el nmero "8" - Si se activan solo los segmentos: "a,b,c,d,f," se forma el nmero "0" - Si se activan solo los segmentos: "a,b,g,e,d," se forma el nmero "2" - Si se activan solo los segmentos: "b,c,f,g," se forma el nmero "4" p.d. representa el punto decimal
Tambin hay display alfanumricos que permiten representar tanto letras como nmeros
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Se puede introducir color en los visualizadores LCD de las siguientes maneras: - Polarizadores selectivos de color. Estos producen segmentos de color sobre un fondo brillante o segmentos brillantes sobre un fondo de color. - Filtros de color. Pueden ser una lmina o estar impresos en el visualizador. Estos filtros trabajan mejor con iluminacin trasera. - Luz trasera de color. Cuando los segmentos no han sido energizados, aparecen oscuros, pero cuando se energizan permiten el paso de la luz de color.
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Eficiencia luminosa
La eficiencia luminosa es la relacin entre el flujo luminoso emitido y la potencia consumida y se expresa en lumens / watts. La eficiencia es controlada por la temperatura de operacin del filamento. El problema es que a mayor temperatura del filamento mayor es la velocidad de evaporacin del tungsteno y por consiguiente menor el tiempo de vida de la lmpara.
Unidades de medida
La unidad de medida para la luz son las unidades fotomtricas. La fotometra trata la sensibilidad relativa del ojo a diferentes longitudes de onda La velocidad del flujo o caudal de una salida de luz es conocida como flujo luminoso, y..... El flujo luminoso emitido por unidad de ngulo slido en una direccin es conocido como intensidad de luz. La salida luminosa de una lmpara con filamento de tungsteno es medida como el flujo luminoso total emitido en todas direcciones, y esto se expresa en lumens Cuando la lmpara tiene una salida luminosa direccional (lmparas que utilizan un lente), la "iluminnancia" del foco proyectado es expresado en Lux, que que es una medida de la luz que incide sobre una superficie:
1 Lux = 1 lumen / m
Tambin se utiliza el siguiente trmino
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Las ms importante son: - Un consumo de corriente que puede ser hasta tres veces menor que la de una lmpara incandescente - Mejor respuesta de color. Es fcil observar que los colores son ms fieles al verdadero. - La emisin de luz es de 4 a 6 veces mayor que la de una lmpara incandescente de la misma potencia - Provee una luz ms uniforme y menos deslumbrante, porque el ra de iluminacin es mayor - Calentamiento reducido - La duracin promedio de vida es de 7500 horas en condiciones normales. Las lmparas fluorescentes son de descarga, de baja presin. Se pueden elegir entre diferentes clases de luz y se construyen de varias formas y tamaos. Hay de un pin y de 2 pines La lmpara fluorescente est compuesta de un tubo de vidrio que est revestido por su parte interior con una sustancia fluorescente. Dentro del tubo hay gases y vapor de mercurio a baja presin. Este tubo tiene, en sus dos extremos, un filamento y un electrodo sensor. Ver el diagrama.
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Al chocar los electrones dentro del tubo fluorescente con el gas de mercurio y el gas argn o nen, producen una luz ultravioleta.
Esta luz al incidir sobre la capa fosforada que reviste el tubo, produce la luz fluorescente caracterstica de estas lmparas. Una vez que el tubo fluorescente haya arrancado el arrancador (la lmina bimetlica) no trabaja ms y no permite el paso de la corriente a travs de l, quedando slo el balastro. Ver grfico C.
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T1 = 0.693(R1+R2)C1 y T2 = 0.693 x R2 x C1 (en segundos) La frecuencia con que la seal de salida oscila est dada por la frmula: f = 1 / [0.693 x C1 x (R1 + 2 x R2)] y el perodo es simplemente = T = 1 / f Hay que recordar que el perodo es el tiempo que dura la seal hasta que sta se vuelve a repetir (Tb - Ta), ver el grfico.
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Observar que es necesario que la seal de disparo, sea de nivel bajo y de muy corta duracin en el PIN # 2 del circuito integrado para iniciar la seal de salida.
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El circuito astable original que se disea con el temporizador 555 no permite obtener t1 = t2. Este siguiente circuito, con la ayuda de unos elementos adicionales diodos (D1 y D2) y haciendo que las resistencias R = R' logra este cometido. El circuito permite generar una onda cuadrada con t1 = t2, aplicando t = 0.693 RC solamente, no as con t1 = 0.693 R1C y t2 = 0.693 (R1+R2) donde t1 = t2. Los tiempos de carga y descarga del condensador son iguales, dada la imaginacin del lector este puede llevarse a diversos planos, tales como: el disparo para realizar un inversor CC - CA, sincronizacin de seal para determinar una frecuencia.
T = t1 + t2 El periodo:T = t1 + t2 y la frecuencia: f = 1 / T Recordar que el perodo es el tiempo que dura la seal desde que se inicia en un momento dado hasta que ste se vuelve a repetir.
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Tutorial terico-prctico sobre el circuito Temporizador; contiene fundamentos, modos, ajustes y aplicaciones de los temporizadores. Dirigido a personas con conocimientos bsicos de electrnica.
Fundamentos
Iniciamos el tutorial con un ejemplo real. Arma el circuito de la figura 1. Pulse momentneamente el suiche y al soltarlo observe el brillo del led. Ahora cambie el C por uno de 470uF/25V y repita el proceso. Concluimos que el tiempo de descarga del C es mayor cuando aumenta su valor en uF. Ahora veamos la carga del C. Armamos el circuito de la figura 2. Con la ayuda de un tester multmetro mida el voltaje DC en los pines del C y observe como va aumentando lentamente su voltaje de carga. Ahora cambie la R por una de 1M y mida nuevamente. Concluimos que el tiempo de carga es mayor cuando aumenta el valor de R. Esto nos marca el principio de funcionamiento de los temporizadores a saber que el tiempo viene dado por el circuito RC asociado. Un circuito completo real de un temporizador lo observamos en la figura 3. El temporizador estar activo un perodo igual a: t = 1.1( R . C) Si queremos que este circuito maneje cargas reales de 120VAC debemos utilizar la seal activa en alto del pin 3 (salida) y amplificarla mediante un transistor driver. Este activar un rel que servir para manejar lo que queramos acorde a la capacidad de sus contactos. Un circuito real que maneja la vlvula de agua de un sistema sanitario por un tiempo ajustado en el temporizador es el siguiente:
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Observe que en esencia es el mismo circuito, solo se han agregado unos cuantos dispositivos para dar una aplicacin real.
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t = 1.1( R . C)
deducimos que para ajustar el tiempo solo debemos variar uno de los dos valores; bien sea C R. El resultado ser un mayor o menor tiempo dependiendo si es mayor o menor el valor de R C. Usualmente se vara R cambindola por un potencimetro ya que es ms fcil. Ahora bien hay un circuito temporizador que se ajusta con suiches de seleccin el cual es el que mostramos a continuacin con su tabla de tiempos Como puedes observar es el mismo principio de funcionamiento ya que en el pin 1 y 2 van los componentes R C; el suiche pulsador de inicio est en el pin 6 que viene haciendo las veces del suiche de la figura 1 y los suiches de seleccin de temporizacin propios del integrado se conectan al pin 12 y 13. De esta forma uno programa cuanto tiempo va a activar o temporizar el circuito.
Modos
Hasta aqu hemos visto como trabaja el temporizador activando una carga desde que le damos start inicio. Podemos decir que este es el modo activo en alto. Sin embargo puede presentarse una necesidad que haga todo lo contrario: es decir que se active en bajo y pase a alto solo despus que haya pasado el temporizado. Este es el caso de los protectores de nevera que al recibir energa no la conectan enseguida sino solo despus de que ha pasado el temporizado. Para ello solo tenemos que invertir la posicin de los componentes R y C. La R que estaba arriba se coloca donde iba el C y el C pasa al lugar de la R. Todo lo dems queda igual y solo resta colocarle el circuito de potencia que queramos.
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Historia
El Amplificador Operacional fue desarrollado para ser utilizado en computadoras analgicas en los inicios de los aos 1940. Los primeros Amplificadores Operacionales (Op. Amp.) utilizaban los tubos al vaco, eran de gran tamao y consuman mucha potencia. En 1967 la empresa "Fairchild Semiconductor" introdujo al mercado el primer amplificador operacional en la forma de un circuito integrado, logrando disminuir su tamao, consumo de energa y su precio. Este dispositivo es un amplificador lineal de alto rendimiento, con una gran variedad de usos.
El terminal + es el terminal no inversor. El terminal - es el terminal inversor Hay varios tipos de presentacin de los amplificadores operacionales, como el paquete dual en lnea (DIP) de 8 pines o patitas. Para saber cual es el pin 1, se ubica una muesca entre los pines 1 y 8, siendo el # 1 el pin que est a la izquierda de la muesca cuando se pone el integrado como se muestra en el diagrama. La distribucin de los terminales del Amplificador operacional en el Circuito integrado DIP de 8 patillas es:
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Respuesta de frecuencia
El amplificador operacional no amplifica de la misma manera para todo el rango de frecuencias. Conforme la frecuencia de la seal a amplificar aumenta, la capacidad del Amplificador Operacional para amplificar disminuye. Hay una frecuencia en particular para la cual la ganancia de tensin ha disminuido al 70.7 % de la ganancia a frecuencias medias. (la ganancia a disminuido en 3 dB. (decibeles)) Esta es la frecuencia de corte y nos indica el lmite superior del ancho de banda (BW) de este Op. Amp.
Saturacin
Si se aumenta la seal de entrada en amplificador operacional, aumentar tambin la salida. Pero hay un lmite mximo al que puede llegar la salida (aproximadamente entre 1.5 y 2 voltios menos que la tensin entregada por las fuentes de alimentacin). Despus de esta tensin, aunque aumentemos la entrada la salida no aumentar Entonces hay una seal de entrada mxima que har que la seal de salida llegue tambin a su mximo. (mximo permitido por la fuente). Si seal de entrada es mayor a sta se produce la saturacin y la tensin de salida ser recortada en los picos negativos y positivos. Ver figura.
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Tierra virtual
Cuando un amplificador operacional no est saturado, trabaja en condiciones normales. As la diferencia de tensin entre la entrada inversora y tierra es casi 0 voltios. Entonces se dice que la entrada inversora es una tierra virtual. Si el amplificador entra en saturacin, lo anterior ya no es cierto, pues aparece una tensin entre la entrada inversora y tierra.
Enlaces relacionados - Amplificador diferencial - Integrador con amplificador operacional - Generador de onda triangular, entrada senoidal en un integrador - Convertidor Tensin a Corriente con Amplificador operacional
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La tensin de polarizacin de obtiene con la siguiente frmula: Vpolarizacin = R4 / (R3 + R4) x Vfuente alimentacin La ganancia se obtiene con las frmulas: Av = - Vo / Vin = - R2 / R1
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Enlaces relacionados - Amplificador diferencial - Integrador con amplificador operacional - Generador de onda triangular, entrada senoidal en un integrador
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Del grfico se ve que la tensin en R1 es igual a VR1 = [R1 / (R1 + R2)] x Vsal (por divisin de tensin) En operacin normal la tensin entre las entradas (inversora y no inversora) es prcticamente cero, lo que significa que la entrada Ven es igual a VR1. Entonces con Ven = VR1, y con la formula anterior
Impedancia de entrada
La impedancia de entrada del amplificador no inversor es mucho mayor que la del amplificador inversor. Se puede obtener este valor experimentalmente colocando en la entrada no inversora una resistencia R de valor conocido. Ver el siguiente grfico En los terminales de la resistencia R habr una cada de tensin debido al flujo de una corriente por ella que sale de la fuente de seal y entra en el amplificador operacional. Esta corriente se puede obtener con la ayuda de la ley de ohm: I = VR / R, donde VR = Ven - V(+) Para obtener la impedancia de entrada se utiliza la siguiente frmula (ley de Ohm):
Zin = V+ / I
Donde - V(+): es la tensin en el terminal de entrada no inversor del amplificador
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Impedancia de salida
La impedancia de salida se puede obtener, como la impedancia de entrada, experimentalmente.
1 - Se mide la tensin en la salida del amplificador operacional sin carga Vca. (Al no haber carga, no hay corriente y por lo tanto, no hay cada de tensin en Zo.) 2 - Se coloca despus en la salida un resistor de valor conocido RL. 3 - Se mide la tensin en la carga (tensin nominal) = VRL 4 - Se obtiene la corriente por la carga con al ayuda de la ley de ohm: I = VRL / RL 5 - Para obtener la impedancia de salida Zo se utiliza la siguiente formula:
Zo = [VCA - VRL] / I
Donde: - Zo = impedancia de salida - VCA = tensin de salida del operacional sin carga - RL = resistencia de carga - VRL = tensin de salida del amplificador operacional con carga - I = corriente en la carga
Enlaces relacionados - Amplificador diferencial - Integrador con amplificador operacional - Generador de onda triangular, entrada senoidal en un integrador
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Comparador Inversor
Un Amplificador Operacional puede ser utilizado para determinar cual de dos seales en sus entradas es mayor. (se utiliza como comparador). Basta con que una de estas seales sea ligeramente mayor para que cause que la salida del amplificador operacional sea mxima, ya sea positiva (+Vsat) o negativa (-Vsat). Esto se debe a que el operacional se utiliza en lazo abierto (tiene ganancia mxima) La ganancia real de un amplificador operacional es de 200,000 o ms y la frmula de la seal de salida es: Vout = AOL (V1 V2) Donde: - Vout = tensin de salida - AOL = ganancia de amplificador operacional en lazo abierto (200,000 o ms) - V1 y V2 = tensiones de entrada (las que se comparan) Vout no puede exceder la tensin de saturacin del amplificador operacional, sea esta saturacin negativa o positiva. (normalmente este valor es unos 2 voltios menos que el valor de la fuente ( V+ V- ) Del grfico se ve que el valor de la entrada en V2 es mayor que la de V1 (que se utiliza como referencia y tiene un valor fijo), hasta que en un momento t1, V2 cambia y ahora es menor que V1.
Como V2 est conectado a la entrada no inversora del operacional, la salida (Vout) est en saturacin positiva, hasta que llega a t1, en donde la salida ahora est en saturacin negativa.
Comparador No inversor
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Comparador Inversor
En este comparador la tensin de referencia se aplica a la entrada no inversora, y la seal a detectar ser aplicada a la entrada inversora. La tensin de referencia puede ser positiva o negativa. - Si la seal a detectar tenga una tensin superior a la tensin de referencia, la salida ser una tensin igual a -Vsat (tensin de saturacin negativa). - Si la seal de entrada tiene una tensin inferior a la seal de referencia, la salida ser igual a +Vsat (tensin de saturacin positiva)
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Comparador de ventana con dos amplificadores operacionales La lmpara slo se encender cuando la salida de los amplificadores operacionales sea un nivel bajo.
Formas de onda de la salida y entrada del comparador de ventana De los dos diagramas anteriores se puede ver con claridad que el nivel bajo a la salida sucede cuando la seal de entrada (ver onda triangular) esta por encima del lmite superior (lnea roja) y por debajo del lmite inferior (lnea azul). Este nivel bajo en la salida activara la lmpara o circuito de alarma que indica el estado no permitido.
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Ver que el comparador en configuracin bsica est en lazo abierto (no tiene resistencias de realimentacin para controlar la ganancia del operacional) y su ganancia es mxima. (saturacin, ya sea positiva o negativa) Esto significa que la seal a comparar debe ser una seal libre de ruidos, (ver lnea roja en el segundo grfico) pues estos causaran que hayan tensiones de salida falsas. Si una seal de entrada de 0.01 voltios fuera afectada por ruido que tuviera una amplitud de 0.5 voltios pico-pico. Esta seal aun estando en la parte positiva del grfico, tendra un valor negativo no deseado de 0.01 - 0.25 = - 0.16 voltios (valor negativo) salida errnea Para evitar estas salidas falsas en el comparador se utiliza la realimentacin positiva en el circuito. La tensin de realimentacin es la que aparece en el resistor Rb, se aplica a la entrada no inversora del amplificador operacional y se obtiene con ayuda de la frmula:
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En el siguiente grfico se puede ver una seal de entrada (lnea recta) de 3 voltios que se mantiene continuo con el pasar del tiempo.
Onda de entrada
El el siguiente grfico se muestra que el rea bajo la curva en un momento cualquiera es igual al valor de la entrada multiplicado por el tiempo. Vsal = Vent xt
Onda de salida
primer segundo, el rea bajo la curva es Vent x t = 3 x 1 = 3 siguiente segundo, el rea bajo la curva es Vent x t = 3 x 2 = 6 tercer segundo, el rea bajo la curva es Vent x t = 3 x 3 = 9 cuarto segundo, el rea bajo la curva es Vent x t = 3 x 4 = 12
Dando los valores de resistor R = 1 M y capacitor C = 1 uF al primer grfico, el valor de la tensin de salida es: Vsal = - (1 / RC) x Vent x t. La ganancia de este amplificador en este caso es: -1 / (1 x 106 x 1 x 10-6) = -1, y el signo negativo se debe a que el amplificador operacional est configurado como amplificador inversor As: al terminar el primer segundo, Vsal = - Vent x t = - 3 x 1 = - 3 al terminar el siguiente segundo, Vsal = - Vent x t = - 3 x 2 = - 6
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En este caso el rea acumulada inicia con un valor negativo debido a la parte de la seal de entrada (Vent) que existe entre -90 y 0. De 0 a 90 el rea acumulada es positiva. Esta rea se resta del rea negativa previa hasta cancelarse cuando se llega a los 90. Despus el rea acumulada vuelve a crecer hasta llegar a los 180. Despus de los 180 la entrada empieza a disminuir y esto causa que tambin empiece a disminuir el rea acumulada. La forma de onda de la salida es invertida a la del rea acumulada debido a que la entrada de la seal se hace en la entrada inversora Matemticamente: - rea acumulada = -Vp cos t - Salida invertida = Vsal = Vp cos t Con la tensin pico de salida = Vp = (1 / RC) Vent La tensin de salida ser: Vsal = (1 / RC) Vent cos t
Enlaces relacionados - Orden, fase, relacin de tensin entrada / salida - Filtros (concepto)
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Estos dos ltimos componentes reducen la capacidad de derivacin del circuito, pero slo lo hacen hasta la frecuencia que determinan los resistores y capacitores.
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Funcionamiento:
- Cuando la tensin de entrada es cero: los diodos no estn polarizados y se comportan como circuitos abiertos. El amplificador funciona como si estuviera en circuito abierto. Ver grfico. - Cuando la tensin en la entrada cambia ligeramente hacia un valor negativo: La entrada en el pin inversor del operacional ser negativo, causando que la salida sea positiva, as conduce D2 a travs de Rf y el diodo D1 no conduce Nota: En lazo abierto (ver el grfico anterior) la ganancia del operacional es muy grande (200,000 aproximadamente). Si la tensin en la entrada cambia ligeramente hacia un valor negativo, este valor ser amplificado y habr seal suficiente para polarizar D2. La seal necesaria para hacer conducir el diodo 2 es: Vin = Vo / Ganancia = 0.7 / -200,000 = -0.35 x 10-15 Voltios = -0.35 microvoltios Acordarse que: Ganancia = Vo / Vin - Cuando la seal pasa por el nivel de cero voltios (0 V.) (de negativo a positivo): Nuevamente el D2 se comporta como un circuito abierto, mientras D1 conduce y cierra el lazo de realimentacin del amplificador.
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12.1- Introduccin
La electrnica de potencia concierne a los circuitos con tiristores, a su diseo y a su funcin en el control de potencia en un sistema. Existen gran variedad de tiristores, pero todos ellos tienen ciertas propiedades en comn: son dispotivos de estado slido que se disparan bajo ciertas condiciones pasando de un estado de alta impedancia a uno de baja, estado que mantiene mientras que la corriente y la tensin sean superiores a un valor mnimo denominado niveles de mantenimiento. Estructuralmente, todos los tiristores consisten en varias capas alternadas de silicio dopado con impurezas p y n. El disparo de un tiristor se realiza inyectando corrientes en esas uniones de forma que, mediante una reaccin regenerativa, conmuta o conduccin y lo mantiene en este estado aunque la seal de disparo sea retirada, siempre que se verifiquen unos requerimientos mnimos de tensin y corriente. Estas caractersticas hacen que los tiristores sean mucho ms tiles que los conmutadores mecnicos, en trminos de flexibilidad, duracin y velocidad.
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Una manera sencilla de entender el funcionamiento de este diodo consiste en separar su estructura fsica en dos mitades (figura 12.2.c). La mitad izquierda es un transistor NPN y la mitad derecha PNP, resultando el circuito mostrado en la figura 12.3.d que normalmente es referido como candado. Las caractersticas elctricas de un diodo de cuatro capas se muestran en la grfica de la figura 12.3. En esta grfica, se pueden identificar dos zonas y cuatro regiones de operacin:
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1.- Zona directa (V > 0) 1.a) Regin de corte. El diodo se encuentra en corte con unas corrientes muy bajas. En esta regin se puede modelar como una resistencia ROFF de valor
1.b) Regin de resistencia negativa. Cuando la tensin entre nodo y ctodo es suficientemente alta se produce la ruptura de la unin con un incremento muy elevado en corriente comportndose el diodo como si fuera una resistencia negativa debido a la realimentacin positiva de su estructura. 1.c) Regin de saturacin o conduccin. En esta regin, la cada de tensin entre nodo y ctodo est comprendida entre 0.5V y 1.5V, prcticamente independiente de la corriente. Se mantendr en este estado siempre que la tensin y corriente alcancen unos valores mnimos conocidos como niveles de mantenimiento definidos por VH e IH. 2.- Zona inversa (V < 0 ) 2.a) Regin de ruptura. El diodo puede soportar una tensin mxima inversa VRSM que superado ese valor entra en conduccin debido a fenmenos de ruptura por avalancha.
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El MKP3V120 de Motorola es un ejemplo tpico de un SIDAC, con una corriente mxima de 1A y una tensin de ruptura de VBO = 120 V (pertenece a la serie MKP3VXXX en donde las tres ltimas cifras definen la VBO). En la figura 12.5 se indican sus caractersticas I-V en estado de conduccin. En este caso, la tensin nodo-ctodo es aproximadamente ~1.1V prcticamente independiente de la corriente. Una de las aplicaciones ms tpicas del SIDAC es como generador de diente de sierra en donde se aprovecha las caractersticas de disparo y bloqueo de este dispositivo.
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En la figura 12.6.b se muestra la forma de onda de Vo que se asemeja a un diente de sierra. El funcionamiento del circuito es el siguiente. El condensador se carga a travs de R cuando el SIDAC est cortado. En estas condiciones, el dispositivo se comporta como una resistencia ROFF de valor
Esta resistencia es tan elevada que a efectos prcticos se puede considerar como despreciable. La ecuacin de carga del condensador parte de una tensin inicial V H (VH =1.1V), correspondiente a la tensin de mantenimiento del SIDAC, hasta la tensin final Vcc (Vcc = 200V). Esta ecuacin es
La tensin Vo(t) evoluciona de forma exponencial tal como se muestra en la figura 12.6.b. Este proceso de carga del condensador finalizar cuando el SIDAC entre en conduccin, situacin que se produce cuando la tensin Vo(t) alcance la tensin de ruptura, es decir, el proceso de carga durar un tiempo to correspondiente al tiempo que tarda Vo(t) en tomar el valor VBO, es decir, Vo(t=to) = VBO = 120 V. Este tiempo est definido por la siguiente ecuacin
En el momento que entra en conduccin el SIDAC, ste descarga rpidamente el condensador C hasta su tensin de mantenimiento (VH). El dispositivo estar permanentemente en ese estado siempre que se asegure la corriente de mantenimiento IH de 100mA. Pero en este circuito, la corriente que circula por R es
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que es menor que la corriente de mantenimiento, luego el SIDAC pasar a estado de corte de forma natural permitiendo que el condensador se cargue nuevamente a travs de R y se repita el proceso indefinidamente. Si se desea que el SIDAC permanezca en conduccin permanente con VO=VH es preciso asegurar la corriente de mantenimiento, para lo cual la resistencia R tiene que ser menor que el valor de la resistencia crtica obtenido por la siguiente expresin
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A continuacin se detallan algunos parmetros caractersticos de los SCR. Tiempo de conduccin (Turn-on Time). Tiempo de duracin mnima de la tensin de disparo para pasar el SCR de bloqueo a conduccin. Este tiempo tiene dos
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Existen numerosos circuitos de disparo de tiristores que pueden ser clasificados en tres tipos bsicos en funcin del tipo de seal de disparo: DC, impulso o fase de alterna. Los circuitos de disparo en DC estn basados en un interruptor mecnico o electr nico (figura 12.12.a) que incluyen circuitos de proteccin para evitar daos al tiristor. Ests seales tambin pueden ser generadas desde un ordenador o cualquier circuito de control digital (figura 12.12.b). Los circuitos de disparo por impulso estn basados generalmente en un transformador de acoplo que transmite el pulso de disparo (figura 12.12.c). Este transformador permite el aislamiento elctrico entre el tiristor y el circuito de control y precisa menor potencia de disparo. Sin embargo, son ms voluminosos debido al tamao del transformador y suelen ser sustituidos por opto-acopladores luminosos. Por ltimo, los circuitos de disparo en alterna estn diseados para sincronizar la fase entre el suministro en alterna y el disparo que permita la regulacin en potencia (figura 12.12.d). Debido a la importancia de este ltimo tipo de disparo, se va a dedicar un apartado completo a su estudio.
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a) Conmutacin natural.
Cuando la corriente del nodo se reduce por debajo de un valor mnimo, llamado corriente de mantenimiento, el tiristor se corta. Sin embargo, hay que sealar que la corriente nominal de un tiristor es del orden de 100 veces la corriente de mantenimiento. Para reducir esa corriente es preciso abrir la lnea, aumentando la impedancia de carga o derivando parte de la corriente de carga a un circuito paralelo, es decir, cortocircuitando el dispositivo.
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En la figura 12.13 se muestra la estructura bsica de un circuito regulador de potencia bsico. Se quiere entregar una determina energa de la red elctrica a una carga (ZL) y, para ello, se utiliza un tiristor (en este caso un SCR) como dispositivo de control y un circuito de disparo que controla ese tiristor. Este circuito de disparo introduce un desfase respecto al inicio de la onda sinusoidal; a se le denomina ngulo de desfase o de disparo y a - ngulo de conduccin. En la figura 12.14 se representa las formas de onda del regulador de potencia. Se identifican tres zonas del funcionamiento del tiristor: 1) 0 < . El SCR est bloqueado. En estas condiciones no circula ninguna corriente por la carga v (IL=0) y la VAK = Vmsen 2) < . En el instante = el circuito de disparo aplica un pulso que hace entrar el SCR a conduccin. Aparece una corriente por la carga de valor IL = Vmsen/ZL, si se desprecia la cada de tensin en el SCR (VAK~0V). En esas condiciones, VS = VL+VAK VS. 3) < 2 . En el instante = el SCR conmuta a corte de forma natural. En el semiperiodo negativo el SCR se mantiene a corte porque la tensin del nodo es inferior a la del ctodo. La corriente es nula (IL = 0) y la VAK = Vmsen
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En trminos eficaces, la corriente eficaz (rms) entregada a la carga se obtiene mediante la siguiente ecuacin
La potencia eficaz entregada a la carga se define como el producto de la corriente eficaz por la tensin eficaz.
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En la figura 12.15.a se muestra su smbolo y en la figura 12.15.b aparece una aplicacin sencilla del foto-SCR con una resistencia ajustable que controla la intensidad de luz incidente de disparo. Un ejemplo de un LASCR es el SP-101 de SunPower que se activa cuando la luz incidente es de 24mW/cm2
12.6.2.- GTO
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12.6.3.- PUT
El PUT o programmable unijunction transistor perteneciente a la familia de los dispositivos uniunin y sus caractersticas son similares al SCR. En la figura 12.17.a se indica su smbolo. Es un dispositivo de disparo nodo-puerta (anode-gate) puesto que su disparo se realiza cuando la puerta tenga una tensin ms negativa que el nodo, es decir, la conduccin del PUT se realiza por control de las tensiones en sus terminales. Como ejemplo sencillo, la figura 12.17.b muestra el esquema de un oscilador de relajacin basado en este dispositivo. La tensin de puerta est fijada a un valor constante a travs de las resistencias R1 y R2. Si inicialmente el condensador est descargado, la tensin del nodo es menor que la de la puerta (VA < VG) y el PUT est cortado. En estas condiciones, el condensador se carga a travs de R aumentando la tensin del nodo. Llegar un momento en que VA = VG y, en ese instante, se dispara el PUT el cual descarga bruscamente el condensador C produciendo una cada de tensin en la resistencia Ro. Si R y Ro tienen un valor que impida circular a travs del PUT la corriente de mantenimiento mnima de conduccin el dispositivo se cortar y el condensador se carga nuevamente a travs de R repitindose el proceso.
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12.6.4.- TRIAC
Un TRIAC (TRIode for Alternative Current) es un SCR bidireccional que se comporta como dos SCR en paralelo e invertidos, de tal manera que este dispositivo puede controlar corriente en cualquier direccin. Normalmente, tiene una tensin de ruptura alta y el procedimiento normal de hacer entrar en conduccin a un TRIAC es a travs de un pulso de disparo de puerta (positivo o negativo). La figura 12.18.a muestra su smbolo y la figura 12.18.b su modelo equivalente basado en dos SCR conectados en oposicin. Ejemplos tpicos de TRIACS: BT136 (de 5 A) y el BT138 (16 A) de Philips y la serie MAC de Motorola con corrientes de 8 A (MAC97-8) hasta 350 A (MAC224A4).
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en donde VB2B1 es la diferencia de tensin entre las bases del UJT y n es el factor de divisin de tensin conocido como relacin intrnseca. El modelo de este dispositivo utilizando transistores se muestra en la figura 12.21.c, cuya estructura es muy similar a un diodo de cuatro capas. Cuando entra en conduccin los transistores la cada de tensin en R es muy baja. El smbolo del UJT se muestra en la figura 12.21.d.
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Regin de corte
En esta regin, la tensin de emisor es baja de forma que la tensin intrnseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE < VP e IE < IP. Esta tensin de pico en el UJT viene definida por la siguiente ecuacin:
donde la VF vara entre 0.35 V a 0.7 V con un valor tpico de 0.5 V. Por ejemplo, para el 2N2646 es de 0.49V a 25C. El UJT en esta regin se comporta como un elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB.
Regin de saturacin
Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relacin lineal de muy baja resistencia entre la tensin y la corriente de emisor. En esta regin, la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto de valle, el UJT entrar de forma natural a la regin de corte. En la figura 12.22 tambin se observa una curva de tipo exponencial que relaciona la VE y la IE cuando la base B2 se encuentra al aire (IB2 = 0). Esta curva tiene una forma similar a la caracterstica elctrica de un diodo y representa el comportamiento del diodo de emisor.
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Si la IG disminuye, el voltaje nodo-ctodo aumenta. (ver el punto B y A, y el voltaje anodo-ctodo VB y VA). Concluyendo, al disminuir la corriente de compuerta IG, el voltaje nodo-ctodo tender a aumentar antes de que el SCR conduzca (se ponga en On / est activo)
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Desactivacin de un tiristor
El tiristor una vez activado, se mantiene conduciendo, mientras la corriente de nodo (IA) sea mayor que la corriente de mantenimiento (IH). Normalmente la compuerta (G) no tiene control sobre el tiristor una vez que este est conduciendo. Opciones para desactivar un tiristor: 1. Se abre el circuitos del nodo (corriente IA = 0) 2. Se polariza inversamente el circuito nodo-ctodo (el ctodo tendr un nivel de tensin mayor que el del nodo) 3. Se deriva la corriente del nodo IA , de manera que esta corriente se reduzca y sea menor a la corriente de mantenimiento IH.
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El triac slo se utiliza en corriente alterna y al igual que el tiristor, se dispara por la compuerta. Como el triac funciona en corriente alterna, habr una parte de la onda que ser positiva y otra negativa. La parte positiva de la onda (semiciclo positivo) pasar por el triac siempre y cuando haya habido una seal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circular de arriba hacia abajo (pasar por el tiristor que apunta hacia abajo), de igual manera: La parte negativa de la onda (semiciclo negativo) pasar por el triac siempre y cuando haya habido una seal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circular de abajo hacia arriba (pasar por el tiristor que apunta hacia arriba) Para ambos semiciclos la seal de disparo se obtiene de la misma patilla (la puerta o compuerta). Lo interesante es, que se puede controlar el momento de disparo de esta patilla y as, controlar el tiempo que cada tiristor estar en conduccin. Recordar que un tiristor slo conduce cuando ha sido disparada (activada) la compuerta y entre sus terminales hay un voltaje positivo de un valor mnimo para cada tiristor) Entonces, si se controla el tiempo que cada tiristor est en conduccin, se puede controlar la corriente que se entrega a una carga y por consiguiente la potencia que consume. Ejemplo: Una aplicacin muy comn es el atenuador luminoso de lmparas incandescentes (circuito de control de fase). Donde: - Ven: Voltaje aplicado al circuito (A.C.) - L: lmpara - P: potencimetro - C: condensador (capacitor) - R: Resistor - T: Triac - A2: Anodo 2 del Triac
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Notas: - La diferencia de fase o la fase entre dos seales u ondas se define como el ngulo (diferencia de tiempo) que existe entre los dos orgenes de las mismas. - En este documento se utiliza el termino tiristor como sinnimo de SCR.
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El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero orientados en formas opuesta. La conduccin se da cuando se ha superado el valor de tensin del zener que est conectado en sentido opuesto. El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene una pequea corriente de fuga. La conduccin aparece cuando la tensin de disparo se alcanza. Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el DIAC se reduce y entra en conduccin dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o TRIAC. Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de potencia mediante control de fase. La curva caracterstica del DIAC se muestra a continuacin
En la curva caracterstica se observa que cuando - +V o - V es menor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un circuito abierto - +V o - V es mayor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un cortocircuito
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El PUT (Transistor Uniunin programable) es un dispositivo que, a diferencia del transistor bipolar comn que tiene 3 capas (NPN o PNP), tiene 4 capas. El PUT tiene 3 terminales como otros transistores y sus nombres son: ctodo K, nodo A, puerta G. A diferencia del UJT, este transistor permite que se puedan controlar los valores de RBB y VP que en el UJT son fijos. Los parmetros de conduccin del PUT son controlados por la terminal G Este transistor tiene dos estados: Uno de conduccin (hay corriente entre A y K y la cada de voltaje es pequea) y otro de corte cuando la corriente de A a K es muy pequea. Este transistor se polariza de la siguiente manera: Del grfico, se ve que cuando IG = 0, VG = VBB * [ RB2 / (RB1 + RB2) ] = n x VBB donde: n = RB2 / (RB1 + RB2) La principal diferencia entre los transistores UJT y PUT es que las resistencias: RB1 + RB2 son resistencias internas en el UJT, mientras que el PUT estas resistencias estn en el exterior y pueden modificarse. Aunque el UJT y el PUT son similares, El Ip es ms dbil que en el UJT y la tensin mnima de funcionamiento es menor en el PUT.
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Para pasar al modo activo desde el estado de corte (donde la corriente entre A y K es muy pequea) hay que elevar el voltaje entre A y K hasta el Valor Vp, que depende del valor del voltaje en la compuerta G Slo hasta que la tensin en A alcance el valor Vp, el PUT entrar en conduccin (encendido) y se mantendr en este estado hasta que IA corriente que atraviesa el PUT) sea reducido de valor. Esto se logra reduciendo el voltaje entre A y K o reduciendo el voltaje entre G y K
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El disipador de fija al transistor con ayuda de tornillos adecuadamente aislados que se introducen el los orificios que estos tienen. (ver figura arriba) En el transistor con encapsulado TO-3 el colector esta directamente conectado al cuerpo del mismo (carcasa), pudiendo verse que slo tiene dos pines o patitas. Estas patitas no estn en el centro del transistor sino que ligeramente a un lado y si se pone el transistor como se muestra en la figura, al lado izquierdo estar el emisor y la derecha la base.
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Algunos transistores son de plstico y otros metlicos. Los que son metlicos transfieren con ms facilidad el calor que generan hacia el aire que lo rodea y, si su tamao es mayor, mejor. Es importante aclarar que el elemento transistor que uno ve, es en realidad la envoltura de un pequeo "chip" que es el que hace el trabajo, al cual se le llama "juntura" o "unin". La habilidad de transmitir el calor se llama conductancia trmica y a su recproco se le llama resistencia trmica (Rth) que tiene unidad de C/W (grado Centgrado/Watt). Ejemplo: Si la resistencia trmica RTH de un transistor es 5C/W, esto significa, que la temperatura sube 5C por cada Watt que se disipa. Ponindolo en forma de frmula se obtiene: - R = resistencia - T = temperatura - P = potencia
R = T/P, Donde:
La frmula anterior se parece mucho a una frmula por todos conocida: La Ley de Ohm. R = V/I. Donde se reemplaza V por T a I por P y R queda igual. Analizando el siguiente diagrama a la derecha: Donde: - TJ = Temperatura mxima en la "Juntura" (dato que suministra el fabricante) - TC = Temperatura en la carcasa. depende de la potencia que vaya a disipar el elemento y del tamao del disipador de calor y la temperatura ambiente. - TD = Temperatura del disipador de calor y depende de la temperatura ambiente y el valor de RDA (RD) - TA = Temperatura ambiente - RJC = Resistencia trmica entre la Juntura y la carcasa - RCD = Resistencia trmica entre la carcasa y el disipador (incluye el efecto de la mica, si se pone, y de la pasta de silicn). Mejor poner pasta de silicn y evitar poner la mica.
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Importante:
Cuando se ponga un disipador de calor a un transistor, hay que evitar que haya contacto entre ellos. Se podra evitar sto con plstico o el aire, pero son malos conductores de calor. Para resolver este problema se utiliza una pasta especial que evita el contacto. La virtud de esta pasta es que es buena conductora de calor. De todas maneras hay que tomar en cuenta que esta pasta aislante tambin tiene una resistencia trmica. Es mejor evitar si es posible la utilizacin de la mica pues esta aumenta el RCD. El contacto directo entre el elemento y el disipador de calor, contrario a lo que se pueda pensar, aumenta el valor de RCD, as que es mejor utilizar la pasta.
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El Fusible
El fusible es dispositivo utilizado para proteger dispositivos elctricos y electrnicos El fusible permite el paso de la corriente mientras sta no supere un valor establecido.
Fusible encapsulado de vidrio Si el valor de la corriente que pasa, es superior a ste, el fusible se derrite, se abre el circuito y no pasa corriente. Si esto no sucediera, el equipo que se alimenta se puede recalentar por consumo excesivo de corriente: (un corto circuito) y causar hasta un incendio. El fusible normalmente se coloca entre la fuente de alimentacin y el circuito a alimentar. En equipos elctricos o electrnicos comerciales, el fusible est colocado dentro de ste. El fusible est constituido por una lmina o hilo metlico que se funde con el calor producido por el paso de la corriente. Es una practica comn reemplazar los fusibles, sin saber el motivo por el cual este se "quem", y muchas veces el reemplazo es por un fusible de valor inadecuado. Los fusibles deben de tener la capacidad de conducir una corriente ligeramente superior a la que supuestamente se de "quemar". Esto con el propsito de permitir picos de corriente que son normales en algunos equipos. Los picos de corriente son valores de corriente ligeramente por encima del valor aceptable y que dura muy poco tiempo. Hay equipos elctricos que piden una gran cantidad de corriente cuando se encienden (se ponen en ON). Si se pusiera un fusible que permita el paso de esta corriente, permitira tambin el paso de corrientes causadas por fallas "normales" que haran subir la corriente por encima de lo normal. En otras palabras: el circuito no queda protegido.
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Un caso es el de los motores elctricos, que en el arranque consumen una cantidad de corriente bastante mayor a la que consumen en funcionamiento estable. Para resolver este problema hay fusibles especiales que permiten, por un corto perodo de tiempo (ejemplo: 10 milisegundos), dejar pasar una corriente hasta 10 veces mayor que la corriente normal. Si despus de pasado este tiempo la corriente sigue siendo grande, el fusible se "quema". Cuando se queme un fusible, siempre hay que reemplazarlo por uno de las mismas caractersticas, sin excepciones, previa revisin del equipo en cuestin, para determinar la causa de que el fusible se haya quemado.
Tipos de fusibles:
- Fusible desnudo: constituido por un hilo metlico (generalmente de plomo) que se funde por efecto del calor. - Fusible encapsulado de vidrio: utilizado principalmente en equipos electrnicos. - Fusible de tapn enroscable: pieza cilndrica de porcelana o similar, sobre la cual se pone una camisa roscada que sirve para que sea introducido en el circuito. El alambre (fusible) se coloca internamente, se fija con tornillos y se protege con una tapa roscada - Fusible de cartucho: Estn constituidos por una base de material aislante, sobre la cual se fijan unos soportes metlicos que sirvan para introducir a presin el cartucho. Ver diagrama. Algunos smbolos de fusibles se pueden ver a continuacin:
Notas: - Hay ms tipos de fusibles - Los fusibles tambin muestran entre sus especificaciones, el voltaje mximo al que se puede conectar.
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Funcionamiento de un triodo
El filamento se calienta y causa que el ctodo libere electrones que inmediatamente tratan de llegar al nodo (plate / placa) que tiene voltaje positivo. Este continuo flujo de electrones se convierte en una corriente elctrica. Hay que acordarse que los electrones tienen carga negativa y son atrados por las cargas positivas como la del nodo Si en el camino de este flujo de electrones se pone un dispositivo adicional llamado grilla con voltaje negativo, este repeler algunos de los electrones que pasan del ctodo al nodo y como resultado habr una menor corriente. Si ahora se modifica el voltaje que se aplica a la rejilla del triodo, se modifica tambin la corriente entre ctodo y nodo (se modula la corriente). De esta manera un voltaje aplicado a la rejilla se modifica, tambin se modificar la corriente que pasa de ctodo a nodo Pero el tubo al vaco no es lineal. No lineal significa que no se da el caso de que si aumentamos al doble el voltaje en la rejilla, la corriente que pasa de ctodo a nodo se convierte en la mitad de lo que era antes. Una de las causas de esta no linealidad en la vlvula electrnica es que no todos los electrones que salen del ctodo no pasan al nodo, estos solamente se quedan en los alrededores de ctodo como una nube de electrones. Esta nube de carga negativa apoya el efecto que tiene la rejilla. Este efecto causa que la nube de electrones aumente. Esta nube de electrones aumentada nuevamente incrementa el efecto de la rejilla en el flujo de electrones y as se entra en un ciclo continuo que causa una mayor linealidad. La vida de un tubo o vlvula electrnica depende mucho de la temperatura, que a su vez depende del voltaje que tiene el filamento. Si se opera con el filamento muy caliente o muy fro la vida de el tubo al vaco se acorta. Algunos experimentadores han observado que si se disminuye el voltaje del filamento del triodo en aproximadamente el 20% de lo aconsejado por el fabricante, la operacin del tubo al vaco tiende a linealizarse, aunque este hecho no ha sido realmente comprobado.
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Cuando la secuencia es de 3 cifras: Hay tres bandas representando, cada una, una cifra segn la tabla. Si existiese una letra como sufijo, se codifica con una cuarta banda segn la misma tabla.
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Cuando la secuencia es de 4 cifras: Hay cuatro bandas representando, cada una, una cifra segn la tabla. Si existiese una letra como sufijo, se codifica con una quinta banda segn la tabla mencionada. En caso de que esta ltima banda (sufijo) no se utilice, se debe poner en color negro.
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Tutoriales: Electrnica componentes. Versin 1.00 http://www.unicrom.com/tutoriales_componentes.asp Web original: www.unicrom.com Cualquier informacin puedes participar en el foro: http://www.unicrom.com/fhome.asp
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