Informe Final N5

Alumno: Edward Andrade Choque Codigo: 20050152c Cod.Curso: EE-131M

1) Hacer un diagrama del circuito utilizado y en un cuadro aparte, dar los valores de VL e IL obtenidos por medicin directa, y correspondiente valor de RL determinado indirectamente. El circuito utilizado es:

El RL a partir de las mediciones es: VL 6.7 6.39 6.27 5.9 5.44 4.91 4.04 3.35 2.55 1.47 0.01 IL 0.17 0.18 0.19 0.22 0.25 0.28 0.31 0.33 0.4 0.46 0.54 RL 39.412 35.500 33.0 26.818 21.760 14.964 14.194 10.152 6.375 3.196 0.0185

2) En la misma tabla indicar el valor de la potencia pl que se consume en rl, y pf que es la que entrega la fuente en cada caso de los determinados anteriormente.

RL 39.412 35.500 33.0 26.818 21.760 14.964 14.194 10.152 6.375 3.196 0.0185

PL 1.139 1.15 1.1913 1.298 1.36 1.374 1.252 1.105 1.02 0.67 0.05

Pf 1.7 1.8 1.9 2.2 2.5 2.8 3.1 3.3 4.0 4.6 5.4

3) Graficar PL vs RL para determinar grficamente el valor de RL, con el que se obtiene el valor de la resistencia de carga que absorbe la mxima potencia.
1.6 1.4 1.2 1 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0185 ; 0.005 0 10.000 20.000 30.000 40.000 50.000 14.964 ; 1.374 21.760 ; 1.36 26.818 ; 1.298 14.194 ; 1.252 33.0 ; 1.1913 10.152 ; 1.105 35.500 ; 1.15 6.375 ; 1.02 39.412 ; 1.139

3.196 ; 0.67

Series1

4) Calcular en cada caso el valor de la eficiencia n. = = RL 39.412 35.500 33.0 26.818 21.760 14.964 14.194 10.152 6.375 3.196 0.0185 n 0.67 0.6389 0.627 0.59 0.544 0.492 0.404 0.335 0.255 0.146 0.0009

5) Graficar RL vs n y determine el valor de n, correspondiente al valor de RL que da potencia mxima.

0.8 0.7 33.0 ; 0.627 0.6 0.5 0.4 0.3 6.375 ; 0.255 0.2 3.196 ; 0.146 0.1 0 0.0185 ; 0.0009

39.412 ; 0.67

26.818 ; 0.59 35.500 ; 0.6389 21.760 ; 0.544 14.964 ; 0.492 14.194 ; 0.404 10.152 ; 0.335 Series1

5.000

10.000 15.000 20.000 25.000 30.000 35.000 40.000 45.000

6) Comparar el valor de RL obtenido grficamente, que da la mxima potencia, con la resistencia equivalente de Thevenin. El valor de RL para la cual dicha carga absorbe mxima potencia, obtenido grficamente y de los cuadros es de 15.8 ohm, mientras que el valor de la resistencia equivalente de Thevenin medido en el laboratorio fue de aproximadamente 15.9 ohm. Estos resultados nos arrojan un error de 0.629%, ya que la resistencia de la carga debi ser de 15 ohm, para la mxima transferencia de potencia. 7) Observaciones, conclusiones y recomendaciones de la experiencia realizada. Se observo en los experimentos realizados que la medicin de la resistencia para que se de la mxima potencia no es igual al equivalente thevenin eso se debe a los cables y perdidas de potencia en el restato de la fuente de tensin. Una recomendacin si en caso los datos no son bien exactos podramos ajustarlos mediante mnimos cuadrados o polinomios de interpolacin. 8) Mencionar 3 aplicaciones prcticas de la experiencia realizada completamente sustentadas. A) PARMETROS DE DISPERSIN Parmetros de dispersin o parmetros-S son propiedades usadas en ingeniera elctrica, ingeniera electrnica, e ingeniera de sistemas de comunicacin y se utilizan para describir el comportamiento elctrico de redes elctricas lineales cuando se someten a varios estmulos de rgimen permanente por pequeas seales. Son miembros de una familia de parmetros similares usados en ingeniera electrnica, siendo otros ejemplos: Parmetros-Y1, Parmetros-Z2, Parmetros-H, Parmetros-T o Parmetros-ABCD34. A pesar de ser aplicables a cualquier frecuencia, los parmetros-S son usados principalmente para redes que operan en radiofrecuencia (RF) y frecuencias de microondas, ya que representan parmetros que son de utilidad particular en RF. En general, para redes prcticas, los parmetros-S cambian con la frecuencia a la que se miden, razn por la cual sta debe especificarse para cualquier medicin de parmetrosS, junto con la impedancia caracterstica o la impedancia del sistema. Los parmetros-S se representan en una matriz y por lo tanto obedecen las reglas del lgebra de matrices. Muchas propiedades elctricas tiles de las redes o de componentes pueden expresarse por medio de los parmetros-S, como por ejemplo la ganancia, prdida por retorno, relacin de onda estacionaria de tensin (ROEV), coeficiente de reflexin y estabilidad de amplificacin. El trmino 'dispersin' (del ingls, scattering) es probablemente ms comn en ingeniera ptica que en ingeniera de RF, pues se refiere al efecto que se observa cuando una onda electromagntica plana incide sobre una obstruccin o atraviesa medios dielctricos distintos. En el contexto de los parmetros-S, dipersin se refiere a la forma en que las corrientes y tensiones que se desplazan en una lnea de transmisin son afectadas cuando se encuentran con una discontinuidad debida por la

introduccin de una red en una lnea de transmisin. Esto equivale a la onda encontrndose con una impedancia diferente de la impedancia caracterstica de la lnea. B) LA MATRIZ DE PARMETROS-S GENRICA Para la definicin de una red multi-puerto genrica, se asume que todos los puertos salvo el que se encuentra bajo consideracin o el par de puertos bajo consideracin tienen una carga conectada a ellos idntica a la impedancia del sistema y que cada puerto tiene asignado un entero 'n' que vara de 1 a N, donde N es el nmero total de puertos. Para un puerto n, la definicin de parmetros-S asociados se realiza en funcin de 'ondas de potencia' incidente y reflejada, an y bn respectivamente. Ondas de potencia son versiones normalizadas de las ondas viajeras de tensin incidente y reflejada correspondientes, y respectivamente, de acuerdo a la teora de lineas de transmisin. stas estn relacionadas con la impedancia del sistema Z0 de la siguiente manera:

Para todos los puertos de la red, las ondas de potencia reflejadas pueden definirse en trminos de la matriz de parmetros-S y las ondas de potencia incidentes a travs de la siguiente ecuacin:

Los elementos de los parmetros-S se representan individualmente con la letra mayscula 'S' seguida de dos subndices enteros que indican la fila y la columna en ese orden de la posicin del parmetro-S en la matriz de parmetros-S. La fase de un parmetro-S es la fase espacial a la frecuencia de prueba, y no la fase temporal (relacionada con el tiempo). C) REDES DE DOS PUERTOS La matriz de parmetros-S para una red de dos puertos es probablemente la ms comn y sirve como base para armar matrices de rdenes superiores correspondientes a redes ms grandes. En este caso, la relacin entre las ondas de potencia reflejada e incidente y la matriz de parmetros-S est dada por:

Expandiendo las matrices en ecuaciones, tenemos: b1 = S11a1 + S12a2 y b2 = S21a1 + S22a2 Cada ecuacin da la relacin entre las ondas de potencia reflejada e incidente en cada uno de los puertos de la red, 1 y 2, en funcin de los parmetros-S individuales de la red, S11, S12, S21 y S22. Si consideramos una onda de potencia incidente en el puerto 1 (a1) pueden resultar ondas existentes tanto del puerto 1 mismo (b1) o del puerto 2 (b2). Sin embargo, si, de acuerdo a la definicin de parmetros-S, el puerto 2 est terminado en una carga idntica a la impedancia del sistema (Z0), entonces, debido al TEOREMA DE TRANSFERENCIA DE POTENCIA MXIMA, b2 ser absorbida totalmente haciendo a2 igual a cero. Por lo tanto

and De forma similar, si el puerto 1 est terminado en la impedancia del sistema, entonces a1 se hace cero, dando

and Cada parmetro-S de una red de dos puertos tiene las siguientes descripciones genricas: S11 es el coeficiente de reflexin de la tensin del puerto de entrada S12 es la ganancia de la tensin en reversa S21 es la ganancia de la tensin en directa S22 es el coeficiente de reflexin de la tensin del puerto de salida

Hoja de Datos: