Carga positiva a una de carga negativa y no se interceptan.

Estas lneas no estn entrelazadas si no que tienden actuar como un amortiguador que evita la atraccin y ocasionar repulsin, ya que esta repulsin se debe a que las lneas de flujo cuando son ms densas y las cargas intenten acercarse, mientras mas cerca estn las carga mas fuerte ser la atraccin.

CAPACITANCIA
Para que se pueda definir capacitancia debemos tener claro lo que es un capacitor el cual es un dispositivo que almacena carga, energa, construido de forma simple mediante dos superficies conductoras separadas por un material aislante y el almacenamiento de cargas sobre sus placas se le llama capacitancia. Un capacitor tendr una capacitancia de 1 Faraday y 1 coulomb de carga se deposita sobre las placas mediante una diferencia de potencial de 1 volts en las placas. Los faraday es una medida grande para la capacitancia por tanto se utiliza el micro faraday (10-6) o pico faraday (10-12). Se determina por: C= Q/V C=Faraday Q= o Coulomb V=Volts

Las capacitancia ser mayor si el rea de las placas se incrementa la distancia de las placas se disminuye, o si el dielctrico se cambia de forma que Er se incremente. Al resolver para la distancia tenemos: D=EA/C Se sustituye E=V/D = V/EA/C =CV/EA Pero Q=CV tenemos E=Q/EA (v/m) lo cual presenta la intensidad del campo elctrico entre las placas en trminos de la permisividad Er, la carga Q y el rea superficial A de las placas.

TIPO DE CAPACITORES
Existen dos tipos de capacitores: *Capacitores fijos: La lnea curva representa la placa que regularmente se conecto al punto con el potencial ms bajo. Algunos capacitores son: Capacitores de marca: Costo de hoja de micas separadas por lminas metlicas. Las placas estn conectadas a 2 electrodos. El rea total ser el rea de una hoja multiplicada por el nmero de hojas dielctricas. El sistema se asla en un material de plstico apto en variaciones de temperatura y aplicaciones de alto voltaje. Se encuentra su corriente de fuga cerca de 100 m tiene intervalos de pico farad y 0.2mf, voltaje de 100v o ms.

Capacitor de cermica: Una base de cermica se cubre para ambos lados de un metal, cobre o placa. Se adhieren las terminales a las placas atreves de electrodos. Se aplica un recubrimiento aislante cermico o plstico sobre las placas y el dielctrico. Capacitor electroltico: Se aplica en voltajes, debido a sus caractersticas de aislamientos. (Alta corriente de fuga) adecuada entre las placas en una direccin; pero asumen las caractersticas de un conductor en la otra direccin, consta de una hoja de aluminio como una placa positiva y el oxido y el dielctrico. Se asocia al capacitor electroltico el voltaje de trabajo y este es el voltaje que puede aplicarse al capacitor durante varios periodos. Capacitores de tantalio: Existen el slido y el hmedo ambos se comprime polvo de tantalio de alta pureza en una forma cilndrica o rectangular. Capacitor de pelcula polister: La capa exterior del polister acta como funda aislante, cada hoja metlica se conecta a una terminal axial que trabajan con valores 1mf o 18mf puede actualizarse para redes de CD como ca. Capacitores variables: Tienen diferentes caractersticas desde modificar mediante el giro del eje en un extremo para varear el rea comn de las placas mviles y fijas. Se modifica mediante el giro del tornillo, el cual variara la distancia entre las placas y por tanto la capacitancia. Medicin Y Pruebas Todos los componentes de un circuito elctrico exhiben en mayor o menor medida una cierta capacidad por ello para verificar un capacitor es utilizada un medidor diseado para realizar las pruebas necesarias. Corrientes de fuga Esta corriente de fuga sucede cuando se aplica un voltaje en las placas de un capacitor, ya que esta corriente fluir debido a los electrones libres. Estas corrientes por lo general son pequeas ya que pueden ignorarse. Sin embargo algunos capacitores como el de tipo electroltico poseen altas corrientes de fuga. Semiconductores Es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas negativas (electrones). En los semiconductores se producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como el de las cargas positivas (huecos).

Caractersticas Del Silicio Y Germano Generalmente a estas se les introducen tomos de otros elementos denominados impurezas, de forma que la corriente se debe primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo de las impurezas introducida. Otra caracterstica que la diferencia se refiere a su festividad, estando est comprendida entre las de los metales y la de los aislantes. Disposicin esquemtica de los tomos de un semiconductor de silicio puro. No existes electrones ni huecos libre. Caractersticas Del Diodo Los diodos emisores tambin son conocidos con el nombre de LED (que tienen la particularidad de emitir la luz cuando son atravesadas por la corriente elctrica. Los diodos emisores de luz funcionan por un complicado proceso fsico en el que desprenden fotones al volver a su rbita de valencia. Diodos Zener: El diodo zener tambin llamado diodo regulador de tensin podemos definirlo como un elemento semiconductor de silicio que tiene las caractersticas de un diodo normal cuando trabaja en sentido directo, es decir, en sentido de paso; pero en sentido inverso y para una corriente inversa superior a un determinado valor, presenta una tensin de valor constante. Ese fenmeno de tensin constante en el sentido inverso convierte a los diodos de zener en dispositivos excepcionalmente tiles para obtener una tensin relativamente invisible a las variaciones d la tensin de alimentacin, es decir, como dispositivos reguladores de tensin. Semiconductores P, N En un semiconductor con impurezas con tipo n, no solo aumenta el nmero de electrones si no que tambin la cantidad de huecos disminuye por debajo del que tena el semiconductor puro. Las causas de esta disminucin se deben a que una parte de los electrones llenan algunos de los huecos existentes. A los semiconductores que contengan ya sea impurezas donadoras o aceptad de les llama respectivamente de tipo N o P. Es un semiconductor de tipo N, los electrones se denominan portadores mayoritarios y los huecos portadores minoritarios. En un material de tipo P. los huecos son portadores mayoritarios y los electrones portadores minoritarios. Diodo Componente que resiste en dos electrodos de polaridad opuesta y cuya funcin es dejar pasar la corriente nicamente en un sentido.

Semiconductor Es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo de la temperatura del ambiente en el que se encuentra. Ejemplo Circuito En Serie Qr =Q1 = Q2 = Q3 = Qn Qt = C t *E 1 / Ct = 1 / C1 + 1 / C2 + + 1 / Cn 1/C1 E V1= 1/C1 + 1/C2+ 1/Cn Ejemplo Paralelo Qt = Q1 + Q2 + Qn Q1 = Ct * E Ct = C1 + C2 + Cn
a) E 48 v 800 MF 60 MF 1200 MF a) E 60 V 200 MF 50 MF 10 MF

V1 = Q1 / Q2

1- Para la figura a, encuentre: a) Capacitancia total b) Determine la carga de cada placa c) Encuentre el voltaje de cada capacitor 2b- Para la figura b, encuentre: a) Capacitancia total b) Determine la carga de cada placa c) Encuentre la carga total 1 A) Serie
1

C=Q/V=

1 / Ct = 1 / 200 MF + 1 / 50MF + 1 / 10MF

= 8X10-6 = 8 F

B) = C1 * E = (8F) (60v) = 480 C

1 / C1 (E)

1 / 200 MF (60)

3 / 10

c) =
1 / C1 + 1 / C2 + 1 / C3

=
1 / 200 MF + 1 / 50 MF + 1 / 1 MF

1/8

0.3 0.125

= 2.4 V

2b a) Paralelo Ct = 800 MF + 60 MF + 1200 MF = 2060 MF b) Q1 = (800X10-6) (48v) = 0.0384 C Q2 = (60X10-8) (48v) = 2.88X10-3 C Q3 = (1200X106) (48v) = 0.0576 C c) Qt = Q1 + Q2 + Q3 Qt = 0.0384C + 2.88X10-3C + 0.0576C Qt = 0.09888 C

3 MF E = 120v 4 MF 2 MF

Q=? V = ? C = ?

2MF + 4MF = 6 MF

3 MF E = 120v 6 MF

1 / Ct =

1 1/ 3 MF + 1 / 6 NF

=2F

Q1 = (2F) (120) = 240 C Q2 = (4 MF) (40v) = 160 C Q3 = (2 MF) (40v) = 80 C Qt= (240 C
1/Ct E 1/C1 + 1/ C2 1/3 MF (129v) 1/3MF + 1/6 MF 40 5

V1=

= 80v

1/6 MF (129v) 1/3MF + 1/6 MF

20 0.5

= 40v
4 MF 6 MF

1 MF E = 30v 2 MF

3 MF 8 MF 5 MF 7 MF

C = 6MF + 7MF = 13MF

4 MF

1 MF E = 30v 2 MF

3 MF

13 MF

5 MF

C = 4MF + 5MF = 9MF

1 MF E = 30v 2 MF 3 MF 9 MF 13 MF

1 1 / 3MF + 1 / 9MF + 1 / 13MF

= 1.91MF

1 MF E = 30v 2 MF

1.91 MF

1.9MF + 2MF = 3.9 MF

1 MF E = 30v c 3.9 MF

= 0.79MF
1 / 1MF + 1 / 3.9MF

Qt = (0.79MF) (30) = 23.7 C Q1 = (4MF) (30v) = 120MC Q2 = (5MF) (30v) = 150MC Q3 = (6MF) (30v) = 180MC Q4 = (7MF) (30v) = 210MC Q5 = (1MF) (30v) = 30MC Q6 = (2MF) (30v) = 60MC Q7 = (3MF) (30v) = 90MC
8 MF 11 MF 2 MF 5 MF

V1 =

23.7C 13

= 1.82v

V2 =

23.7C 9

= 2.63v

7 MF 10 MF 1 MF 9 MF 12 MF 3 MF 6 MF 4 MF