EJEMPLO 6.

1: Calcular las tensiones VBE, VBC y VCE as como las corrientes IB, IC e IE del circuito de la figura 6.7, cuando EB = 0 V.

Figura 6.7: Circuito del ejemplo 6.1 SOLUCIN: La base del transistor est conectada a la fuente a travs de una resistencia RB. Puesto que la diferencia de potencial entre los extremos del generador es nula, no puede polarizarse la unin BE en directa, por lo que el transistor est en corte, es decir:

VBC = VBE - VCE = 0 - 10 = - 10 V Pueden obtenerse los mismos resultados si se sustituye el transistor en el circuito por su modelo equivalente:

EJEMPLO 6.2: En el circuito de la Figura 6.7 calcular VBE, VBC y VCE as como las corrientes IB, IC e IE cuando EB = 5 V y cuando EB = 7 V. La ganancia de corriente del transistor es F = 100. SOLUCIN: Al aplicar una diferencia de potencial positiva (> 0,7) a la base se polariza la unin BE en directa. Adems, si EB, es inferior a la de la fuente conectada al colector, la tensin de colector ser superior a la de la base, con lo que la unin BC estar polarizada en inversa. Se dan, por lo tanto, las condiciones necesarias para la operacin en RAN, con lo que se verifica aproximadamente que:

; Estas dos ecuaciones pueden introducirse en el circuito empleando el modelo equivalente:

Figura 6.12: Anlisis del transistor en RAN El anlisis del circuito permite aadir dos ecuaciones nuevas para el clculo de I B, IC y VCE:

De la primera expresin se obtiene

Teniendo en cuenta que

Finalmente:

En la tabla siguiente se adjuntan los resultados numricos de los dos casos requeridos en el enunciado: IB EB = 5 V EB = 7 V 43 A 63 A IC 4,3 mA 6,3 mA IE 4,343 mA 6,363 mA VBE 0,7 V 0,7 V VCE 5,7 V 3,7 V VBC -5 V -3 V

EJEMPLO 6.3: En el circuito de la Figura 6.7 calcular VBE, VBC y VCE as como las corrientes IB, IC e IE cuando EB = 15 y 20 V. La ganancia de corriente del transistor es F = 100. SOLUCIN: En este caso la tensin aplicada a la base con respecto al emisor es claramente superior a la aplicada al colector. Por lo tanto el transistor est operando en la regin de saturacin. Sustituyendo el modelo correspondiente en el circuito original se tiene que:

En la tabla siguiente se presentan los resultados numricos para los casos indicados en el enunciado del problema: IB EB = 5 V EB = 7 V 143 A 193 A IC 10 mA 10 mA IE 10,14 mA 10,19 mA VBE 0,7 V 0,7 V VCE 0 0 VBC 0,7 V 0,7 V

6.4.2 APLICACION DEL MODELO DE EBERS-MOLL A LA REGION ACTIVA NORMAL

En este apartado se van a simplificar las ecuaciones de Ebers-Moll, deducidas en el apartado anterior para el caso de que el transistor se encuentre funcionando en la RAN. Como ya se ha comentado, el funcionamiento en la RAN de un transistor se caracteriza por tener la unin PN polarizada en directa (con VBE 0.7V) y la unin base colector polarizada en inversa (VBC < 0). Obsrvese que bajo estas condiciones las expresiones exponenciales de las ecuaciones de Ebers_Moll se pueden simplificar

y las ecuaciones quedan reducidas a:

Como el segundo sumando de estas ecuaciones suele ser despreciable frente al valor de I B, IC e IE, a partir de las ecuaciones B. y C., se puede obtener la relacin

que concuerda con la deducida en el apartado 6.2.2.

6.4.3 MODELO HIBRIDO PARA PEQUENTILDE;AS SENTILDE;ALES DE ALTERNA

En este subapartado se presenta el modelo hbrido del transistor BJT, uno de los ms ampliamente utilizados para el anlisis de las pequeas seales de alterna. Para la deduccin del mismo se consideran las siguientes hiptesis: Transistor polarizado en RAN Oscilaciones alternas de baja amplitud y baja frecuencia

6.4.3.1 Expresiones generales

Segn se ha indicado en el apartado 6.3, el punto de operacin de un transistor bipolar viene indicado por cuatro variables elctricas. De entre las diversas opciones posibles, para la deduccin del modelo hbrido se escogen como variables independientes la corriente IB y la tensin VCE, mientras que las dependientes son VBE e IC. De este modo, las ecuaciones caractersticas del transistor vendrn dadas por dos funciones f1 y f2 tales que:

Las tensiones y corrientes de un punto de polarizacin concreto vendrn dadas por las expresiones anteriores:

Supongamos que sobre este punto de operacin Q se aade una componente alterna, caracterizada por un IB y por un VCE. Para calcular el VBE y el IC pueden sustituirse las funciones f1 y f2 en las cercanas del punto Q por las tangentes respectivas en dicho punto. Como se trata de funciones de dos variables independientes, las expresiones sern las siguientes:

A partir de este momento, para simplificar la notacin se escribirn con letra minscula los incrementos de las variables. La expresin anterior admite una representacin matricial:

en donde los coeficientes hij se llaman parmetros hbridos, puesto que tienen diferentes unidades entre s. hie : Impedancia de entrada () hre: Ganancia inversa de tensin hfe : Ganancia directa de corriente, o ganancia dinmica hoe : Admitancia de salida (-1)

6.4.3.2 Clculo de los parmetros hbridos

Para el clculo de los parmetros hij se van a emplear las expresiones resultantes del modelo de EbersMoll para la RAN.

Funcin f1 => Funcin f2 =>

Tal y como puede observarse, los coeficientes hre y hoe son nulos segn estos clculos. Este resultado refleja las limitaciones del modelo de Ebers-Moll propuesto, ya que en realidad hre 5 x 10-5 y hoe 6 x 10-6 -1. Sin embargo, su valor es tan pequeo que en muchos casos son aceptables las expresiones obtenidas anteriormente. 6.4.3.3 Representacin grfica El modelo hbrido , con las simplificaciones mostradas en el subapartado anterior, admite la siguiente representacin grfica:

6.5.5 METODO DE CALCULO

Cuando todos los componentes de un circuito responden a ecuaciones lineales, se puede aplicar el principio de superposicin. En este caso, los transistores no son componentes lineales. Sin embargo, teniendo en cuenta que las seales aplicadas son de baja amplitud, el transistor opera soportando pequeas oscilaciones con respecto a unas magnitudes continuas, luego s que es posible aplicar la superposicin teniendo en cuenta el punto de operacin:

1. 2. 3.

Clculo del punto de operacin DC: Se sustituyen los condensadores por circuito abierto. A continuacin se introduce el modelo DC del transistor en RAN y se calculan los valores de las corrientes y tensiones de polarizacin. Determinacin del modelo AC del transistor: Ha de emplearse el modelo de pequeas seales, particularizando para en los resultados del punto 1. Estudio del circuito en AC. En este estudio las componentes de continua no afectan a la relacin de las amplitudes de las ondas AC. Por consiguiente pueden cortocircuitarse las fuentes de tensin continua. Si el diseo del circuito es correcto, los condensadores pasan a comportarse como cortocircuitos.

6.5.6 EJEMPLO DE CALCULO

A continuacin se aplica este procedimiento al clculo de su funcionamiento en vaco.

en el ltimo esquema presentado, en

1) Punto de operacin DC

Figura 6.28: Esquema equivalente DC del circuito Figura 6.27. Segn el circuito equivalente DC:

2) Parmetros del modelo equivalente AC

Los parmetros del modelo AC son la resistencia de entrada corriente

y la ganancia dinmica de

. Ambos han sido definidos en el subapartado 6.4.3.2 de este captulo.

3) Estudio AC
La figura 6.24 muestra el esquema equivalente del circuito para las seales de alterna.

Figura 6.29: Circuito equivalente AC La resistencia RB est conectada por un terminal a la fuente de seales y a la base, y por el otro a la fuente de alimentacin EC. Idealmente, esta fuente no ofrece ningn obstculo para las seales de alterna (si su resistencia interna es nula), se comporta como un cortocircuito que conecta R B con tierra. En el lado derecho del esquema, RC se une por una parte con el colector del transistor, y por la otra con tierra a travs de la fuente de alimentacin. Es de vital importancia que se tenga en cuenta que en este esquema slo se relacionan las amplitudes de las ondas, y no sus valores instantneos. Los valores de rIN y AV pueden obtenerse a partir del esquema de la figura 6.24.

Como

Ntese que para el clculo de los parmetros rIN y AV no es necesario definir el valor de vIN, ya que en ambos casos se calcular variaciones de una magnitud con respecto a esa tensin de entrada.

http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/tecnicas/electro_dis/ensenanzastecnicas/electronica-de-dispositivos/ejercicios-03-bjt.pdf