AO DE LA INTEGRACIN NACIONAL Y EL RECONOCIMIENTO DE NUESTRA DIVERSIDAD

UNIVERSIDAD SAN PEDRO

FACULTAD DE INGENIERA
ESCUELA ACADMICA PROFESIONAL DE INGENIERA INFORMTICA Y DE SISTEMAS

ALUMNO

: LA TORRE HINSBI WILFREDO

CODIGO

: 2007200143

CICLO

: VI

DOCENTE

: WILMER CARRASCO ALVARADO

CURSO

: ARQUITECTURA DE COMPUTADORAS

TEMA

: MEMORIA DEL COMPUTADOR

CHIMBOTE-PERU 2012

INDICE
INTRODUCCION.3 1- DEFINICION 4 2- CLASIFICACION.4 3- CARACTERISTICAS.10 4- FUNCIONAMIENTO CON EL MICROPROCESADOR EN LA EJECUCION DE UN PROGRAMA..11 5- PROBLEMAS DE ERROR Y SOLUCIONES DE FUNCIONAMIENTO DE LA MEMORIA RAM.12 6- CONCLUSION13 7- BIBLIOGRAFIA.13

INTRODUCCIN
El propsito del almacenamiento es guardar datos que la computadora no est usando. El almacenamiento tiene tres ventajas sobre la memoria: 1. Hay ms espacio en almacenamiento que en memoria. 2. El almacenamiento retiene su contenido cuando se apaga el computador 3. El almacenamiento es ms barato que la memoria. El medio de almacenamiento ms comn es el disco magntico. El dispositivo que contiene al disco se llama unidad de disco (drive). La mayora de las computadoras personales tienen un disco duro no removible. Adems usualmente hay una o dos unidades de disco flexible, las cuales le permiten usar discos flexibles removibles. El disco duro normalmente puede guardar muchos ms datos que un disco flexible y por eso se usa disco duro como el archivero principal de la computadora. Los discos flexibles se usan para cargar programas nuevos, o datos al disco duro, intercambiar datos con otros usuarios o hacer una copia de respaldo de los datos que estn en el disco duro. Una computadora puede leer y escribir informacin en un disco duro mucho ms rpido que en el disco flexible. La diferencia de velocidad se debe a que un disco duro est construido con materiales ms pesados, gira mucho ms rpido que un disco flexible y est sellado dentro de una cmara de aire, las partculas de polvo no pueden entrar en contacto con las cabezas. La memorizacin consiste en la capacidad de registrar sea una cadena de caracteres o de instrucciones (programa) y tanto volver a incorporarlo en determinado proceso como ejecutarlo bajo ciertas circunstancias. El computador dispone de varios dispositivos de memorizacin: La memoria ROM La memoria RAM Las memorias externas. Un aspecto importante de la memorizacin es la capacidad de hacer ese registro en medios permanentes, bsicamente los llamados "archivos" grabados en disco. El acumulador

La principal memoria externa es el llamado "disco duro", que est conformado por un aparato independiente, que contiene un conjunto de placas de plstico magnetizado apto para registrar la "grabacin" de los datos que constituyen los "archivos" y sistemas de programas. Ese conjunto de discos gira a gran velocidad impulsado por un motor, y es recorrido tambin en forma muy veloz por un conjunto de brazos que "leen" sus registros. Tambin contiene un circuito electrnico propio, que recepciona y graba, como tambin lee y dirige hacia otros componentes del computador la informacin registrada.

MEMORIA DEL COMPUTADOR

1) DEFINICION
En informtica, la memoria (tambin llamada almacenamiento) se refiere a parte de los componentes que integran una computadora. Son dispositivos que retienen datos informticos durante algn intervalo de tiempo. Las memorias de computadora proporcionan una de las principales funciones de la computacin moderna, la retencin o almacenamiento de informacin. Es uno de los componentes fundamentales de todas las computadoras modernas que, acoplados a una unidad central de procesamiento (CPU por su sigla en ingls, central processing unit), implementa lo fundamental del modelo de computadora de Arquitectura de von Neumann, usado desde los aos 1940. En la actualidad, memoria suele referirse a una forma de almacenamiento de estado slido conocido como memoria RAM (memoria de acceso aleatorio, RAM por sus siglas en ingls random access memory) y otras veces se refiere a otras formas de almacenamiento rpido pero temporal. De forma similar, se refiere a formas de almacenamiento masivo como discos pticos y tipos de almacenamiento magntico como discos duros y otros tipos de almacenamiento ms lentos que las memorias RAM, pero de naturaleza ms permanente. Estas distinciones contemporneas son de ayuda porque son fundamentales para la arquitectura de computadores en general.

2) CLASIFICACION
Las memorias han evolucionado mucho desde los comienzos del mundo de la computacin. Conviene recordar los tipos de memorias de semiconductores empleadas como memoria principal y unas ligeras pinceladas sobre cada una de ellas para enmarcar las memorias flash dentro de su contexto. Organizando estos tipos de memoria conviene destacar tres categoras si las clasificamos en funcin de las operaciones que podemos realizar sobre ellas, es decir, memorias de slo lectura, memorias de sobre todo lectura y memorias de lectura escritura.

2.1- MEMORIAS DE SLO LECTURA

ROM: Se usan principalmente en microprogramacin de sistemas. Los fabricantes las suelen emplear cuando producen componentes de forma masiva. Es una memoria solamente de lectura es totalmente inalterable sin esta memoria la maquina no arrancara. La memoria principal es la convencional que va de 0 a 640 kb.

Cuando la mquina arranca comienza a trabajar el disco y realiza un testeo, para lo cual necesita memoria, esta memoria es la convencional (ROM) y est dentro del mother (en el bios). Apenas arranca utiliza 300 kb, sigue testeando y llega a mas o menos 540 kb donde se planta. A medida de que comenzaron a haber soft con ms necesidad de memoria apareci la llamada memoria expandida que iba de 640 kb a 1024 kb. Una vez que se utilizaba toda la memoria convencional se utilizaba la expandida que utiliza la memoria RAM. A medida que pasa el tiempo los 1024 kb eran escasos y se creo la memoria extendida que va de 1024 kb a infinito que es la memoria RAM pura. PROM: (Programmable Read Only Memory): El proceso de escritura es elctrico. Se puede grabar posteriormente a la fabricacin del chip, a diferencia de las anteriores que se graba durante la fabricacin. Permite una nica grabacin y es ms cara que la ROM. Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible (o antifusible), que puede ser quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser programada (pueden ser escritos los datos) una sola vez a travs de un dispositivo especial, un programador PROM. Estas memorias son utilizadas para grabar datos permanentes en cantidades menores a las ROMs, o cuando los datos deben cambiar en muchos o todos los casos. Pequeas PROM han venido utilizndose como generadores de funciones, normalmente en conjuncin con un multiplexor. A veces se preferan a las ROM porque son bipolares, habitulamente Schottky, consiguiendo mayores velocidades. Una PROM comn se encuentra con todos los bits en valor 1 como valor por defecto de fbrica; el quemado de cada fusible, cambia el valor del correspondiente bit a 0. La programacin se realiza aplicando pulsos de altos voltajes que no se encuentran durante operaciones normales (12 a 21 voltios). El trmino Read-only (slo lectura) se refiere a que, a diferencia de otras memorias, los datos no pueden ser cambiados (al menos por el usuario final).

2.2- MEMORIAS DE SOBRE TODO LECTURA

EPROM (EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM borrable programable): Es un tipo de chip de memoria ROM inventado por el ingeniero Dov Frohman que retiene los datos cuando la fuente de energa se apaga. En otras palabras, es no voltil. Est formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o transistores de puerta flotante. Cada uno de ellos viene de fbrica sin carga, por lo que es ledo como un 1 (por eso una EPROM sin grabar se lee como FF en todas sus celdas). Se programan mediante un dispositivo electrnico que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrnicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 0. Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante exposicin a una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la luz excitan a los electrones de las celdas provocando que se

descarguen. Las EPROMs se reconocen fcilmente por una ventana transparente en la parte alta del encapsulado, a travs de la cual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado. EEPROM: Son las siglas de electrically-erasable programmable read-only memory (ROM programable y borrable elctricamente), en espaol o castellano se suele referir al hablar como E PROM y en ingls E-Squared-PROM. Es un tipo de memoria ROM que puede ser programado, borrado y reprogramado elctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante rayos ultravioletas. Aunque una EEPROM puede ser leda un nmero ilimitado de veces, slo puede ser borrada y reprogramada entre 100.000 y 1.000.000 de veces. Estos dispositivos suelen comunicarse mediante protocolos como I C, SPI y Microwire. En otras ocasiones se integra dentro de chips como microcontroladores y DSPs para lograr una mayor rapidez. La memoria flash es una forma avanzada de EEPROM creadas por Dr. Fujio Masuoka mientras trabajaba para Toshiba in 1984 y fueron presentadas en la Reunion de Aparatos Electrnicos de la IEEE de 1984. Intel vio el potencial de la invencin y en 1988 lanzo el primer chip comercial del tipo NOR. MEMORIA FLASH: Est basada en las memorias EEPROM pero permite el borrado bloque a bloque y es ms barata y densa. La memoria flash es una forma evolucionada de la memoria EEPROM que permite que mltiples posiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operacin de programacin mediante impulsos elctricos, frente a las anteriores que slo permite escribir o borrar una nica celda cada vez. Por ello, flash permite funcionar a velocidades muy superiores cuando los sistemas emplean lectura y escritura en diferentes puntos de esta memoria al mismo tiempo. Flash, como tipo de EEPROM que es, contiene un array de celdas con un transistor evolucionado con dos puertas en cada interseccin. Tradicionalmente slo almacenan un bit de informacin. Las nuevas memorias flash, llamadas tambin dispositivos de celdas multi-nivel, pueden almacenar ms de un bit por celda variando el nmero de electrones que almacenan. Estas memorias estn basada en el transistor FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal Oxide Semiconductor) que es, esencialmente un transistor NMOS con un conductor (basado en un xido metlico) adicional entre la puerta de control (CG Control Gate) y los terminales fuente/drenador contenidos en otra puerta (FG Floating Gate) o bien que rodea a FG y es quien contiene los electrones que almacenan la informacin. MEMORIA FLASH DE TIPO NOR: Cuando los electrones se encuentran en FG, modifican (prcticamente anulan) el campo elctrico que generara CG en caso de estar activo. De esta forma, dependiendo de si la celda est a 1 a 0, el campo elctrico de la celda existe o no. Entonces, cuando se lee la celda poniendo un determinado voltaje en CG, la

corriente elctrica fluye o no en funcin del voltaje almacenado en la celda. La presencia/ausencia de corriente se detecta e interpreta como un 1 un 0, reproduciendo as el dato almacenado. En los dispositivos de celda multi-nivel, se detecta la intensidad de la corriente para controlar el nmero de electrones almacenados en FG e interpretarlos adecuadamente. Para programar una celda de tipo NOR (asignar un valor determinado) se permite el paso de la corriente desde el terminal fuente al terminal sumidero, entonces se coloca en CG un voltaje alto para absorber los electrones y retenerlos en el campo elctrico que genera. Este proceso se llama hot-electron injection. Para borrar (poner a 1, el estado natural del transistor) el contenido de una celda, expulsar estos electrones, se emplea la tcnica de Fowler-Nordheim tunnelling, un proceso de tunelado mecnico cuntico. Esto es, aplicar un voltaje inverso bastante alto al empleado para atraer a los electrones, convirtiendo al transistor en una pistola de electrones que permite, abriendo el terminal sumidero, que los electrones abandonen el mismo. Este proceso es el que provoca el deterioro de las celdas, al aplicar sobre un conductor tan delgado un voltaje tan alto. Cabe destacar que las memorias flash estn subdividas en bloques (en ocasiones llamados sectores) y por lo tanto, para el borrado, se limpian bloques enteros para agilizar el proceso, ya que es la parte ms lenta del proceso. Por esta razn, las memorias flash son mucho ms rpidas que las EEPROM convencionales, ya que borran byte a byte. No obstante, para reescribir un dato es necesario limpiar el bloque primero para reescribir su contenido despus. MEMORIAS FLASH DE TIPO NAND: Basadas en puertas lgicas NAND funcionan de forma ligeramente diferente: usan un tnel de inyeccin para la escritura y para el borrado un tnel de soltado. Las memorias basadas en NAND tienen, adems de la evidente base en otro tipo de puertas, un coste bastante inferior, unas diez veces de ms resistencia a las operaciones pero slo permiten acceso secuencial (ms orientado a dispositivos de almacenamiento masivo), frente a las memorias flash basadas en NOR que permiten lectura de acceso aleatorio. Sin embargo, han sido las NAND las que han permitido la expansin de este tipo de memoria, ya que el mecanismo de borrado es ms sencillo (aunque tambin se borre por bloques) lo que ha proporcionado una base ms rentable para la creacin de dispositivos de tipo tarjeta de memoria. Comparacin de memorias flash basadas en NOR y NAND Para comparar estos tipos de memoria se consideran los diferentes aspectos de las memorias tradicionalmente valorados. La densidad de almacenamiento de los chips es actualmente bastante mayor en las memorias NAND. El coste de NOR es mucho mayor. El acceso NOR es aleatorio para lectura y orientado a bloques para su modificacin. Sin embargo, NAND ofrece tan solo acceso directo para los bloques y lectura secuencial dentro de los mismos. En la escritura de NOR podemos llegar a modificar un solo bit. Esto destaca con la limitada

reprogramacin de las NAND que deben modificar bloques o palabras completas. La velocidad de lectura es muy superior en NOR (50100 ns) frente a NAND (10 s de la bsqueda de la pgina + 50 ns por byte). La velocidad de escritura para NOR es de 5 s por byte frente a 200 s por pgina en NAND. La velocidad de borrado para NOR es de 1 s por bloque de 64 KB frente a los 2 ms por bloque de 16 KB en NAND. La fiabilidad de los dispositivos basados en NOR es realmente muy alta, es relativamente inmune a la corrupcin de datos y tampoco tiene bloques errneos frente a la escasa fiabilidad de los sistemas NAND que requieren correccin de datos y existe la posibilidad de que queden bloques marcados como errneos e inservibles. En resumen, los sistemas basados en NAND son ms baratos y rpidos pero carecen de una fiabilidad que los haga eficiente, lo que demuestra la necesidad imperiosa de un buen sistema de archivos. Dependiendo de qu sea lo que se busque, merecer la pena decantarse por uno u otro tipo.

2.3- MEMORIAS DE LECTURA/ESCRITURA (RAM)

MEMORIA RAM o Memoria e acceso Aleatorio (Random Acces Memory):Esta memoria es como un escritorio al igual que los escritorios tienen cajones donde ordenan la informacin, cuanto mas grande sea el escritorio (plano de apoyo) mas cajones voy a tener de tal suerte que el micro va a perder menos tiempo en buscar y ordenar la informacin La importancia de esta memoria es tan grande que si esta ausente la PC NO ARRANCA, Acta como si estuviera muerta no hay sonido ni cursor en la pantalla ni luces que se enciendan o apaguen. Para que sirve: Almacena las instrucciones que debe ejecutar el micro en cada momento Este es el lugar fsico donde debe trabajar el procesador cuando abrimos un programa sus instrucciones se copian automticamente en la memoria, y cuando cerremos el programa todo se borrara ( volatizara ) Tambin copia los trabajos que estamos haciendo en ese programa En la Ram se copian programas que coordinan el funcionamiento de la Pc: La primera parte de la Ram est reservada para guardar las instrucciones de los dispositivos electrnicos. En este lugar no se puede guardar nada ya que lo utiliza el sistema para saber como manejar los dispositivos. DRAM (Dynamic Random Access Memory): Los datos se almacenan como en la carga de un condensador. Tiende a descargarse y, por lo tanto, es necesario un proceso de refresco peridico. Son ms simples y baratas que las SRAM. Este tipo de memoria se utilizan des los aos 80 hasta ahora en toda las computadoras Esta memoria tiene una desventaja hay que estimularla (Refresco) permanentemente porque se olvida de todo. Como se estimula: requiere un procesador que ordene el envi de cargas elctricas, a este tipo de memorias se lo conoce como memoria estticas Otras de las desventajas de esta memoria es que es lenta y la ventaja es que es barata. Obviamente al tener estas desventajas se le incorporaron distintas tecnologas para mejorarlas.

 FPM DRAM: La ventaja de este memoria consiste en pedir permiso una sola vez u llevarse varios datos consecutivos esto comenz a usarse principios de os aos noventa y dio buenos resultados a estos mdulos se los denominaron SIMM FPM DRAM y pueden tener 30 o 72 pines y se la utiliza en las Pentium I lo que logro con esta tecnologa es agilizar el proceso de lectura, estas memorias ya no se utilizan mas. EDO DRAM: Estas memorias aparecieron en el 95, y se hicieron muy populares ya que estaban presentes en todas las Pentium I MMX y tenia la posibilidad de localizar un dato mientras transfera otro de diferencia de las anteriores que mientras transfera un dato se bloqueaba. Estas EDO SIMM eran de 72 pines RDRAM: Es una memoria muy costosa y de compleja fabricacin y la utilizan procesador Pentim IV para arriba corre a velocidades de 800 Mhz sus mdulos se denominan Rimm de 141 pines y con un anho de 16 bits, para llenar un banco de memoria de 64 bits hay que instalar 4 memorias, es posible que estas memoria sean retiradas del mercado por ser tan costosas SDRAM: Esta Memoria entro en el mercado en los aos 97, y mejoro la velocidad siendo su ritmo de trabajo igual a la velocidad de Bus (FSB) es decir que tienen la capacidad de trabajar a la misma velocidad de mother al que se conectan. DDR SDRAM: En este caso se consigui que pudiera realizar dos transferencia en una pulsacin o tic-tac de reloj, esta memoria pude alcanzar velocidades de 200 a 266Mhz, Tiene una ventaja mas trabaja en sincrona con el bus del mother si este acelera la memoria tambin pero tiene una desventaja son muy caras. Se conoce como DIMM DDR SDRAM PC 1600 Y PC 2100. SRAM (Static Random Access Memory): Los datos se almacenan formando biestables, por lo que no require refresco. Igual que DRAM es voltil. Son ms rpidas que las DRAM y ms caras. MEMORIA CACH o SRAM: La memoria cach trabaja igual que la memoria virtual, tenemos cach en el procesador, en los discos y en el mother y nos guarda direcciones de memoria. Si ejecutamos un programa en principio, lo cerramos y luego los volvemos a ejecutar, la memoria cach nos guarda la ubicacin (direccin) en el disco, cuando lo ejecut, y lo que hicimos con el programa. Es mucho ms rpida cuando ya usamos un programa Existen 3 tipos de memoria cach: - Cache L1: Esta dividido en dos bloques uno contiene las instrucciones y otro los datos y cuando se habla de su capacidad de almacenamiento se dice que es de 216 Kb .

El cache L1 se encuentra dentro del interior del procesador y funciona a la misma velocidad que el micro con capacidades que van desde 28 hasta 264Kb - Cache L2 interno y externo: La primeras memoria cach estaban ubicadas en el mother luego se construyeron en el procesador, pero no dentro del dado del procesador por lo que es mas lento que el cach L1, mientras que el externo lo encontramos el mother. La computadoras que tienen las tres tecnologas de cach van a ser mas rpidas. - Cache L3: Algunos micro soportan un nivel de cach mas el L3 que esta localizado en el mother. EL AMD 6k-3 soporta este cach.

3) CARACTERISTICAS
En el ordenador hay dos tipos bsicos de memorias, las memorias de slo lectura, o ROM (Read Only Memory), y las memorias de lectura/escritura, o RAM (Random Access Memory). Para poder estudiarlas vamos a introducir en este apartado una serie de conceptos que permiten caracterizar los diversos tipos de memoria. 3.1- Duracin de la informacin En relacin a la permanencia de la informacin grabada en las memorias, hay 4 posibilidades: a) Memorias permanentes: Son memorias que contienen siempre la misma informacin y no pueden borrarse. Como ejemplo de este tipo de memorias se pueden citar las memorias de semiconductores tipo ROM. b) Memorias Voltiles: Precisan estar continuamente alimentadas de energa. Si se corta dicho suministro se borra la informacin que poseen. En contraposicin estn las no voltiles, en las que la informacin permanece aunque se elimine la alimentacin. c) Memorias de lectura destructiva: Su lectura implica el borrado de la informacin, por lo que despus de leer en ellas, hay que volver a grabarlas. Un ejemplo de este tipo son las memorias de ferrita. Memorias de lectura no destructiva son, por ejemplo, los discos y banda magntica. d) Memorias con refresco: La informacin slo dura un cierto tiempo. Para que no desaparezca, hay que regrabar la informacin de forma peridica (seal de refresco). 3.2- Modo de acceso Segn el mtodo utilizado para localizar la informacin tenemos: a) Acceso aleatorio: En las memorias de acceso aleatorio se accede directamente al byte o posicin deseada, en un tiempo independiente de la direccin a la que se quiere acceder, por ejemplo las memorias RAM son de acceso aleatorio.

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b) Acceso secuencial: En las memorias de acceso secuencial se llega a la posicin deseada a travs de una secuencia de posiciones, que depende de donde est la informacin en el momento en el que se quiere acceder a ella, por ejemplo para acceder a una informacin en una cinta magntica es necesario recorrer la cinta hasta encontrar la informacin deseada. 3.3- Tiempo de acceso Se denomina tiempo de acceso al que transcurre entre el instante en que se enva una operacin de acceso a memoria y el instante en que se dispone de la primera informacin buscada. Segn el tiempo de acceso se puede hablar de memorias rpidas o lentas, pero como eso no es demasiado preciso, es mejor citar el tiempo de acceso, que se mide normalmente en nanosegundos. 4.4- Capacidad Es la cantidad de informacin que puede almacenar una memoria. Dado que la informacin se almacena en el sistema binario, la capacidad se mide en bytes. Se utiliza el byte porque es el menor tamao de informacin, a la que se puede acceder en una operacin de acceso a memoria, ya que cada posicin de memoria almacena un byte.

4) FUNCIONAMIENTO CON EL MICROPROCESADOR EN LA EJECUCION DE UN PROGRAMA

Cuando las aplicaciones se ejecutan, primeramente deben ser cargadas en memoria RAM. El procesador entonces efecta accesos a dicha memoria para cargar instrucciones y enviar o recoger datos. Reducir el tiempo necesario para acceder a la memoria, ayuda a mejorar las prestaciones del sistema. La diferencia entre la RAM y otros tipos de memoria de almacenamiento, como los disquetes o discos duros, es que la RAM es mucho ms rpida, y se borra al apagar el ordenador.

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5) PROBLEMAS DE ERROR Y SOLUCIONES DE FUNCIONAMIENTO DE LA MEMORIA RAM

Las memorias RAM son uno de los componentes ms importantes en nuestra computadora, ya que junto con la motherboard, el procesador y el disco rgido, es la que nos permite que nuestra PC funcione, y adems las capacidades que posea la memoria inciden directamente en la velocidad y rendimiento que alcance el equipo. Al igual que el resto de los componentes de hardware de la PC, los mdulos de memoria RAM pueden presentar con el correr del tiempo algunos inconvenientes en su funcionamiento, provocando que el rendimiento de nuestra PC disminuya considerablemente. En otros casos, es posible que al instalar una nueva memoria RAM en el equipo, sta no funcione de manera correcta, por lo que es recomendable examinar con detalle que el mdulo de memoria se halle perfectamente colocado en el zcalo correspondiente que posee la motherboard para estos efectos. Si el error contina, quizs la nueva memoria pueda llegar a estar daada de fbrica, o bien puede presentar incompatibilidad con la motherboard, por cual es recomendable consultar a quien nos haya vendido el mdulo. En el caso en que el error producido por la memoria RAM no est ligado a problemas fsicos de la misma, es recomendable realizar un exhaustivo test, que nos permitir evaluar cul es la avera que hace que la memoria falle. Existen en la actualidad una gran cantidad de herramientas de software, que nos permiten detectar errores de manera automtica. Estas aplicaciones resultan de gran utilidad, no slo para realizar un testeo de la memoria RAM, sino tambin de otros de los componentes del hardware de la PC. Algunos de los programas de testeo ms utilizados por los usuarios, que brindan una completa evaluacin de las averas, son el RAMTester Utility, MemTest y MemTest versin 86 que se caracterizan por ser freeware, por otro lado contamos con DocMemory que es una aplicacin shareware. En el caso en que los errores continen, lo ideal es contactar algn servicio tcnico que pueda realizar un chequeo de los mdulos de memoria RAM por intermedio de una serie de dispositivos especiales que testean los circuitos de la memoria.

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6) CONCLUSIN
Como hemos visto, la aparicin de las computadoras electrnicas es bastante reciente, y ha tenido un avance vertiginoso. Tanto es as, que hoy en da la competencia entre las empresas productoras de computadores a provocado la aparicin de nuevos modelos con perodos muy cortos de tiempo, los cuales a veces son de meses. Lo que provoca un aumento en: las velocidades de los procesadores; capacidades de almacenamiento; velocidad de transferencia de los buses; etctera. La memoria funciona de manera similar a un juego de cubculos divididos usados para clasificar la correspondencia en la oficina postal. A cada bit de datos se asigna una direccin. Cada direccin corresponde a un cubculo (ubicacin) en la memoria.

7) BIBLIOGRAFIA
http://www.monografias.com/trabajos16/memorias/memorias.shtml www.slideshare.net/Sofylutqm/memoria-del-computador www.informatica-hoy.com.ar/.../La-memoria-de-la-computadora. http://es.wikipedia.org/wiki/Memoria_(informtica)

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