Memrias

Dispositivos que armazenam informaes codificadas digitalmente, atravs de um cdigo binrio qualquer. Essas informaes podem ser nmeros, letras (cdigo ASCII), caracteres quaisquer e comandos de operaes (programas). Podem ainda ser utilizadas para executarem funes de circuitos combinacionais. Aplicao de Circuitos de Memria:
Computador

ULA

UC

Memria Principal (semicondutora)

Memria Secundria (disco, ptico)

Processador Central (CPU)

A fim de simplificar o estudo a respeito de circuitos de memrias, podemos classificar as memrias em vrias categorias diferentes, considerando diferentes itens: a) Tipo de acesso; b) Volatilidade dos dados; c) De Escrita/Leitura ou Somente Leitura; d) Modo de Armazenamento; e) Densidade; f) Velocidade; g) Potncia (consumo); h) Custo.

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Diagrama de blocos geral de uma memria:

Dissipao de calor (efeito Joule)

Alimentao

Entrada de dados

Entrada de dados

Sada de dados

Memria

Sada de dados

Entradas de Endereamento

Entradas de Controle

Localizao da informao

(Seleo da pastilha, Escrita/Leitura).

Capacidade da memria: Ex1: Certo tipo de chip de memria semicondutora especificado com 2k x 8. Quantas palavras podem ser armazenadas neste chip? Qual o tamanho da palavra? Qual a quantidade bits que este chip pode armazenar? Soluo: 2k = 2 x 1.024 = 2.048 palavras Cada palavra de 8 bits (1 byte). O nmero total de bits , portanto: 2.048 x 8 = 16.384 bits ou 16k bits. Ex2: Qual a memria que armazena mais bits: uma memria de 3M x 8 ou uma memria que armazena 2M palavras, sendo o tamanho desta palavra 16 bits? Soluo: Memria 1) 3M x 8 = 3 x 1.024 x 1.024 x 8 = 25.165.824 bits. Memria 2) 2M x 16 = 2 x 1.024 x 1.024 x 16 = 33.554.432 bits. Observaes: 1k = 210 = 1M = 220 = 1G = 230 = 1.024 posies (endereos); 1.048.576 posies; 1.073.741.824 posies.

Ento:

4k x 20 = na realidade, uma memria de 4.096 x 20 = 81.920 bits.

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Acessando posies na memria: Supondo uma memria simples de 8 posies por 4 bits de dados, conforme ilustrado na figura abaixo:

Pela figura, temos que para enderear uma memria de 8x4, precisamos de 3 linhas de endereo (A2, A1, A0) e 4 linhas de dados (D3, D2, D1, D0). Para calcular o nmero de linhas de endereo, pode-se utilizar: 2x = nmero de endereos no exemplo 2x = 8 para calcular x, podemos usar o logaritmo neperiano:

ln 8 ln 2

2,079 0,693

Em outro exemplo, para uma memria de 1k palavras (1024 posies) de memria, so necessrias 10 linhas.

ln 1024 ln 2

6,931 0,693

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Exerccio 1: Suponha que dentro da memria mostrada na figura abaixo, desejamos acessar a posio 100H. Que informao seria extrada desta posio de memria? Qual o tamanho dessa memria? Linhas de Endereamento

A11A10A9A8 A7A6A5A4 A3A2A1A0

Dados 0000 0000 0000 0000 0000 0001 23H 11H Palavra 0 Palavra 1

0000 1111 1111 0001 0000 0000 0001 0000 0001

45H 67H 56H

Palavra 255 Palavra 256 Palavra 257

1111 1111 1111

49H
D7D6D5D4D3D2D1D0

Palavra 4095

Exerccio 2: Construa uma memria de 16x8 (16 palavras com 8 bits cada palavra). O endereo inicial dessa memria deve ser 0. Insira na posio 5H o dado 5FH, na posio 0H insira F1H e na posio BH insira 8CH.

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Tipos de Circuitos de Memria: a) Tipo de Acesso: - acesso aleatrio (randmico): RAM (Random Access Memory), disquete, disco de vinil - acesso seqencial: fita magntica.

Associado ao Tipo de acesso, temos o tempo de acesso de uma memria, que o tempo necessrio para se ter acesso ao contedo de uma posio de memria (ou endereo). Tempo de acesso = intervalo de tempo necessrio desde a entrada de um endereo at o momento em que a informao surge na sada. Para as memrias de escrita/leitura tambm o intervalo de tempo necessrio para a informao ser gravada (escrita). Podemos ter acesso a uma dada posio de memria de 2 maneiras diferentes: Acesso Seqencial Neste tipo de memria, dado o endereo desejado, se necessita percorrer todas as posies de memria anteriores para alcanar o endereo (posio) desejada e finalmente o seu contedo. Ex.: fita magntica para se ter acesso a uma informao gravada em um ponto qualquer, necessitamos percorrer toda a fita at esta posio para somente ento termos acesso informao l estocada. No caso da fita ainda, se uma informao estiver no fim do rolo, precisamos enrolar toda a fita at alcanar esse ponto, logo, o tempo de acesso ser longo. Se a informao estiver no incio da fita, o tempo de acesso ser menor. Neste tipo de memria, uma vez passado o endereo desejado, temos acesso imediato (quase) a informao l estocada. Ex.: disco de vinil, RAM (Random Access Memory). Note que este tipo de memria possui grande vantagem de exibir tempo de acesso pequeno e fixo para qualquer posio (endereo) de memria.

Acesso aleatrio (randmico)

b) Memrias quanto volatilidade dos dados: As memrias podem ser: volteis perdem seus dados quando perdem a alimentao; no volteis mantm os dados mesmo na ausncia de alimentao. Exemplos de memrias volteis: memrias feitas partir de materiais semicondutores, que possuem como elemento central, flip-flops, como as RAM dinmicas. Exemplos de memrias no-volteis: fitas magnticas, disquetes, CD-ROMs e memrias semicondutoras do tipo ROM, PROM, EPROM, EEPROM.

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RAMs Estticas (SRAMs):

RAMs Dinmicas (DRAMs):

Estocam dados em elementos do tipo flip-flops. Estocam dados na forma de cargas eltricas Mais cara, acesso mais rpido. Usada para capacitor. memrias cache de microprocessadores. Neste tipo de memria a clula da carga perde Exemplo: CI 7489 de 64 bits organizados na seu contedo num perodo de tempo muito forma de 16 palavras de 4 bits de largura. pequeno, assim este tipo de memria necessita ser "refrescada" muitas vezes por segundo (circuitos externos de refresh). A parte lgica deste tipo de memria simples, assim ela exige menos espao numa pastilha de silcio (ocupa parte da SRAM). E memrias dinmicas so encontradas em tamanhos (capacidades de armazenamento) maiores que as RAM estticas. Algumas RAMs dinmicas mais recentes j incorporam circuitos de refresh na prpria pastilha. Exemplo: MOS memory 2114 de 4096 bits organizados na forma de 1024 palavras de 4 bits cada. c) Memrias de Escrita/Leitura e Memrias s de Leitura: As memrias de escrita/leitura so aquelas que permitem tanto que se grave (escreva) informao, quanto se leia informaes. Exemplos: fita magntica, disquetes, RAMs. J as memrias somente de leitura s permitem leitura de informaes depois de os dados j terem sido gravados (ou programados) nela. Exemplo: disco de vinil, discos de CD-ROM (estampados),

Memrias s de leitura (ou programao quando possvel): ROMs Read-Only Memory, mscara pronta para determinada aplicao. As memrias ROM so do tipo fixa e permitem o acesso aleatrio a qualquer uma das suas posies. Permite apenas leitura do contedo e destinada a guardar informaes de forma permanente. Programable ROM, programvel por fusveis no permite erro na gravao dos dados. Erasable PROM, Apagvel com luz ultravioleta, programvel com tenso mais alta: 12 V ~ 25 V. Electrical Erasable PROM) ou Flash EPROM (programvel com nveis baixos de tenso: 5 Volts.
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PROMs EPROM EEPROM

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Exemplo de uma PROM: o armazenamento feito pelo usurio, agilizando processos industriais, atravs da queima de um fusvel diodo ou porta lgica. O procedimento para queima dos diodos fornecido pelos fabricantes e especfico para cada circuito (aplicao). Note que uma vez programada (gravada), esta memria no pode mais ser apagada para correes ou uma nova utilizao.

Quais so as palavras que foram gravadas na PROM?

Observaes: Decodificaes de endereo: Palavra: (No. Varivel de bits) Nible Byte Word Double-word = = = = 4 bits 8 bits 16 bits 32 bits
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Outros tipos de ROM: Arquitetura similar s PROM, mas de tecnologia MOS, que permite que o conjunto inteiro das informaes nela armazenada seja apagado atravs de um banho de luz ultravioleta (~250nm, 10 30 minutos) atravs de uma janela de quartzo localizada na face superior da pastilha. A gravao de dados feita atravs de circuito eletrnico especial. Deve-se aplicar um pulso da ordem de 12 50 Volts (depende do fabricante) na juno PN desejada (endereamento). O pulso para indicar a programao aplicado num pino especfico da pastilha (PGM), onde tambm foram polarizadas as linhas de endereos e dados. A durao desse pulso da ordem de 1 ms (varia conforme o fabricante). O apagamento ocorre em todos os bits da memria. EPROM: (Erasable PROM) Exemplo: CI 27C512 (64k x 8):

Tabela verdade da EPROM 27C512:

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Neste tipo de memria, tanto a gravao como o apagamento dos dados so feitos atravs de sinais eltricos. Utiliza capacitores de carga num circuito modificado capaz de garantir o armazenamento das informaes entre 20 30 anos. Este tipo de memria no necessita de uma tenso elevada de gravao, servem os 5 Volts da tenso de alimentao habitual. Em comparao com as memrias EPROMs, apresenta a vantagem de permitir seu apagamento e programao no circuito, apesar de seu custo superior. Tambm no necessrio se apagar toda a memria para corrigir algum dado ou usar a memria para novos valores (atualizar contedos). O tempo de programao depende de um pulso por cada palavra de dados: de 10 ms, contra 50 ms normalmente exigidos por uma EPROM. Permite programar e apagar a memria byte byte (acesso individual programao de cada byte) agregando grande flexibilidade. As memrias EEPROM so de mais baixa densidade e maior custo que as EPROMs. EEPROM (Electrical Erasable ROM) Estas memrias costumar comear sua numerao com, o prefixo 28, assim, uma 2864 indica uma memria EEPROM de 64k bits, equivalente em pinagem e modo de operao de leitura uma EPROM 2764.

Exemplo: 28C64A (8k X 8)

Caractersticas Tcnicas: Referencia: 28C64A Tipo: EEPROM CMOS Capacidade (bits): 8.192 X 8 Alimentao: 5V Tempos de Acesso: 120/150/200 ns Encapsulamento: DIL-28 y PLCC-32

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A memoria FLASH similar a EEPROM. Mas sua estrutura interna (de clulas) organizada em nvel de blocos. A figura abaixo nos mostra a arquitetura na forma de blocos (setores) de uma memria FLASH de 512K x 8. Cada um dos blocos se apaga independentemente dos outros, sendo necessrio apagar todo um bloco antes de sua programao.

Flash EPROM Programar esta memria um processo de troca de "1" por "0" lgico. Apagar um setor, muda todos os "0" lgicos deste sector por "1" lgicos. No possvel reprogramar um determinado endereo: se faz necessrio apagar previamente todo o setor antes de voltar a programar esse endereo. A programao se efetua com a aplicao de uma tenso de programao (geralmente entre 12V a 12.75 V). Exemplo: 27F256 (32K X 8):

Caractersticas tcnicas: Pode ser totalmente apagada num tempo muito curto: 1 seg. O tempo de programao por byte de 100 ms. Retm informao por aprox. 10 anos.

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Resumo das principais memrias semicondutoras: Tipo SRAM DRAM ROM PROM EPROM EEPROM Flash Categoria Leitura / escrita Leitura / escrita S leitura S leitura Principalmente leitura Principalmente leitura Leitura / escrita Apagamento Eltrico Eltrico Impossvel Impossvel Luz Ultravioleta Eltrico Eltrico Altervel por byte Sim Sim No No No Sim No Voltil Sim Sim No No No No No

d) Memrias quanto ao Modo de armazenamento: Quanto ao modo de armazenamento as memrias podem ser classificadas em estticas e dinmicas: Estticas Dinmicas So aquelas que, uma vez inserido um dado numa certa posio, este l permanece (indefinidamente). So aquelas em que necessitamos reinserir informao nela gravada, de tempos em tempos, num processo conhecido como refresh (ou ciclo de refresh de circuitos de memria). De tempos em tempos, refresca-se a informao contida em todas as posies de memria. Se o processo de refresh no ocorre, este tipo de memria esquece os dados que haviam sido estocados nela.

e) Memrias quanto sua Densidade:

Densidade Exemplo: Nmero de bits armazenados por rea fsica. Est relacionado capacidade total de armazenamento de uma memria. P/fitas magnticas: 20k bytes/ps

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f) Memrias quanto Velocidade:

Velocidade se refere rapidez com que os dados podem ser acessados (lidos) ou armazenados (gravados).

g) Memrias quanto Potncia (consumo):

Se refere a potncia consumida (ou dissipada) pela memria.

h) Memrias quanto Custo:

Aqui se leva em considerao o custo de armazenamento por bit, ou seja, o valor do semicondutor dividido pelo nmero de bits que pode armazenar. Exemplo: Qual circuito de memria mais econmico ? RAM ou Disco Rgido. Qual a memria mais veloz?

Concluso

Soluo de Compromisso: Custo Velocidade.

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Termos adotados na rea (nomenclatura): Escrita (Write) Leitura (Read) procedimento de armazenamento (gravao) de informao binria na memria. Numa operao de escrita, a informao colocada na entrada de dados copiada num certo endereo da memria procedimento de recuperao, leitura ou busca de informao contida numa memria. Numa operao de leitura a informao armazenada numa certa posio da memria (endereo), passada para fora da memria (pinos D0 Dn ou O0 On). Conjunto de bits que corresponde informao ou dado. terminais do CI utilizados para identificar a posio desejada de ser acessada na memria. terminais do CI, utilizados para introduo dos dados serem armazenados (comumente identificados como I1 In) terminais do CI onde so disponibilizados os dados armazenados numa certa posio de memria, durante uma operao de leitura (terminais comumente identificados como O1 On) Termo adotado para representar um conjunto de 1024 bytes (ou 210 = 1.024) Terminal de entrada do CI de memria que habilita ou inibe a operao do mesmo. til para reduzir a potncia dissipada e impedir operaes de leitura/escrita. Nem todos as pastilhas possuem esta entrada (CE). Entrada da pastilha utilizada para conectar/desconectar , as entradas/sadas(estado de alta impedncia - 3o estado). Este terminal normalmente identificado como CS (Chip Select) ou ME (Memory Enable). Em alguns circuitos, as entradas CE e CS so combinadas numa nica entrada.

Palavra: Entradas de Endereamento (Address Bus) Entrada de Dados Sadas de Dados

kilobyte Habilitao da Pastilha (Chip Enable) Seleo da Pastilha (Chip Select)

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Organizao geral de uma memria: De maneira geral podemos visualizar uma memria na forma como mostrado na figura seguir: E N D E R E O A0 An

Decodificador Y

buffer Deco difica dor X DADOS D0 Dm Controle

Matriz

CS Chip Select

WR / RD

Vp [Tenso de Programao]

Write / Read Exemplo de um RAM de 64 x 4:

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Conexes CPU x Memria:

Barramento de endereos

CPU

CI de Memria 1

CI de Memria 2

Barramento de dados

Barramento de controle
Note que o barramento de controle pode ser formado pelas linhas: -

R / W (Read/Write = indica que tipo de operao a CPU deseja realizar com o dispositivo externo); - IO / M (Distingue entre operaes de Entrada/Sada de dados IO ou operaes com memria (Memory)).

Note que esta comunicao de dados com a memria deve obedecer a certa hierarquia de temporizao de sinais: Ciclo de Leitura de dados de uma RAM:

tacc = tempo de acesso: tempo decorrido entre endereo estvel e dado estvel; tco = tempo de habilitao do chip: tempo de resposta do circuito ps seleo; tod = tempo de hold: tempo em que os dados permanecem vlidos na sada;
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ASSOCIAO DE MEMRIAS As memrias podem ser associadas para expandir sua capacidade de dados ou de localizaes. Se tivermos memrias de 256x4, podemos construir memria de 256x8, fazendo a seguinte ligao:

O barramento de endereos aplicado simultaneamente nas duas memrias. Tambm, o controle de leitura/escrita (R/W) e a seleo do chip (CS) so simultneos. Se quisermos escrever o dado 5Fh na posio de memria 7Bh devemos: 1 Selecionar o endereo 7Bh (A7-A0 = 0111 1011) 2 Aplicar os nveis 5Fh (0101 1111) no barramento de dados, sendo que o 5h aplicado em D7-D4 e o Fh aplicado em D3-D0 3 Selecionar a operao de escrita (R/W =0) 4 Selecionar os dispositivos (CS = 0)

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Utilizando a mesma memria de 256x4, podemos expandir sua capacidade de armazenamento. A figura abaixo mostra duas memrias de 256x4 ligadas para construir uma memria de 512x4.

Os endereos e o controle de leitura/escrita so simultneos, mas a seleo do chip fornecida por uma linha de endereo (A8). Se A8=0, a primeira memria selecionada e se A8=1, a segunda memria selecionada. A operao de escrita ou leitura deve seguir os passos dados no exemplo anterior. 1 2 3 4 Selecionar o endereo (A7-A0) desejado Se escrita: Aplicar os nveis desejados no barramento de dados. Selecionar a operao de escrita(0) ou de leitura(1) atravs de (R/W) Selecionar os chips (CS = 0). Neste caso, a linha A8 seleciona uma ou outra memria

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