MICROSCPIO ELETRNICO DE VARREDURA SEM (Scanning Electron Microscopy)

Medidas para Caracterizao e Anlise de Materiais (IE607A)

Aluno: Pedro Ricardo Barbaroto RA: 001128 Professores: Frio Damiani Peter Jrgen Tatsch

Contedo:
1 - INTRODUO 2 - INTERAO DO FEIXE ELETRNICO COM A MATRIA 3 - MODOS DE OBTENO DE IMAGENS DO SEM 3.1 - Eltrons Secundrios (ES) 3.2 - Eltrons Retroespalhados (Backscatered Electrons) 3.3 - Corrente da Amostra 3.4 - Eltrons Transmitidos 3.5 - Corrente induzida do Feixe Eletrnico (EBIC) 3.6 - Catodoluminescncia 3.7 - Modo de Onda Termo-Acstica 3.8 - Imagem com Raio X 4 - MODOS ANALTICOS 5 - ESTRUTURA E ORIENTAO CRISTALINA 6 - ANLISE ELEMENTAR 7 - INFORMAES PRTICAS 8 - BIBLIOGRAFIA

INTRODUO
A idia inicial do microscpio eletrnico, foi realizada por Knoll em 1935. Ele conseguiu a focalizao do feixe eletrnico sobre a superfcie de uma amostra e a gravao da corrente emitida em funo da posio. Trs anos mais tarde, Ardenne construiu o primeiro microscpio eletrnico por varredura que possua duas lentes magnticas que focalizavam o feixe eletrnico. Dois conjuntos de bobinas foram usados para defletir o feixe sobre a amostra. A amostra deveria ter uma espessura fina e a corrente produzida, era usada para obter micrografias. 0 filme de gravao era colocado numa base giratria logo abaixo da amostra. 0 movimento de rotao era acoplado ao movimento do feixe. A amplia do instrumento era dado pelo movimento do filme, dividido pelo movimento do feixe. Estas medidas apresentavam muitos erros, os tempos de medida eram longos, e a corrente transmitida era baixa. 0 SEM possui trs partes principais: uma coluna eletro-ptica que gera e colima o feixe eletrnico. Um sistema de vcuo incluindo a cmara onde fica a amostra. E a parte de deteco do sinal e o sistema de gerao de imagem. Uma amostra submetida a um feixe de eltrons apresenta diversos tipos de sinais, propiciando a cada um deles um modo particular de operao. No caso particular de um SEM, o princpio de operao baseia-se fundamentalmente na quantificao dos eltrons secundrios emitidos por uma amostra como resposta a uma excitao eletrnica incidente. Esta medida de eltrons secundrios (ES) permite uma definio qualitativa da morfologia e topografia da amostra. 0 feixe de eltrons se origina em um ctodo geralmente de tungstnio aquecido por uma corrente eltrica (If). Os eltrons emitidos so acelerados desde o ctodo atravs de uma grade e um nodo aterrado (Vgn). Este sistema de eletrodos chamado de canho de eltrons. Posteriormente um sistema de lentes reduzem o dimetro do feixe de eltrons a aproximadamente 100 . A reduo realizada usando duas ou mais lentes magnticas em srie, cada uma capaz de reduzir o dimetro do feixe de eltrons de um fator de 20 a 100 vezes. Uma corrente ajustvel (Icd), aplicada a uma bobina de deflexo para mover o feixe de eltrons atravs da amostra. A razo desta corrente com a corrente Id na bobina de deflexo do tubo de raios catdicos, determina a ampliao do microscpio. Quando os eltrons primrios alcanam a amostra, a interao destes com os tomos do material, d origem a eltrons secundrios. 0 nmero de eltrons secundrios emitidos, varia de acordo com a geometria e outras propriedades da amostra. Os eltrons secundrios so coletados por um detetor, produzindo imagem. Os eltrons "backscattered" (retroespalhados) e ftons emitidos pela amostra pela ao do feixe de eltrons podem tambm ser usados para produzir imagens. Outras classes de imagens podem ser produzidas por eltrons transmitidos (TEM) e por correntes induzidas na amostra. O SEM uma ferramenta padro para inspeo e anlise em diversas reas de pesquisa desde a rea de materiais at a rea biolgica. Particularmente na indstria semicondutora, em medidas de caracterizao para microeletrnica, existe um conjunto de mtodos que oferecem alta resoluo e alta preciso. Estes mtodos so baseados fundamentalmente na interao da matria com os eltrons incidentes, e a emisso de ondas ou partculas (fotos, eltrons, ons, tomos, neutros, nutrons, fnons). Em geral, se quer obter as seguintes anlises. Proporcionar uma imagem de alguma posio da amostra com resoluo alta, desde dimenses entre 500 nm at dimenses abaixo de nm Realizar uma anlise elementar da amostra Obter uma identificao da natureza dos enlaces dos elementos presentes em uma amostra dada Proporcionar informao da composio C configurao do material como uma funo da profundidade imediatamente abaixo da superfcie, geralmente algumas micras Determinar localizaes precisas sobre a amostra com o objetivo de correlacionar medidas analticas para especificar caractersticas do dispositivo O SEM uma ferramenta verstil que proporciona parmetros eltricos e informao topogrfica durante a fabricao de circuitos integrados e dispositivos, na indstria de microeletrnica.

1 - INTRODUO
Faz-se uma descrio das idias bsicas e a estrutura de um microscpio eletrnico de varredura como mostrado na figura 1. Basicamente, existem trs grupos de componentes. Primeiro h a coluna eltro-ptica junto com a eletrnica associada. Depois, h o sistema de vcuo, incluindo a cmara e o porta amostra . O grupo final consiste na deteco do sinal e sistemas de exibio. A coluna eltro-ptica consiste em um acelerador de eltrons e duas, trs ou quatro lentes eletrnicas, dependendo do modelo. Um feixe de eltrons da fonte de eltrons flui pelas aberturas das lentes que tem a mesma funo, diminuir o dimetro do feixe. Como resultado desta diminuio o tamanho do foco sobre a amostra de 250 ou menos. Incorporado s lentes finais esto montados dois conjuntos de bobinas magnticas de varredura que, quando alimentadas por um gerador de varredura adequado, provoca uma deflexo do feixe dentro um certo padro em cima da superfcie da amostra como em um tubo de televiso. So includos trs outros elementos na coluna de eltrons: (i) Um conjunto de aberturas para ajudar definir a abertura angular subtendida como o feixe sobre a amostra e evitar contaminao das superfcies das lentes. (ii) Um conjunto de bobinas especialmente projetado para eliminar qualquer pequeno astigmatismo que pode ser introduzido no sistema. (iii) Um conjunto de bobinas em semi-ciclo ou placas , com os quais uma modulao pode ser sobreposta no feixe de eltrons. Um sistema de bombas proporciona o vcuo necessrio tanto na coluna de eltrons quanto na cmara da amostra. Uma parte importante da cmara da amostra a que permite mover a amostra debaixo do feixe de eltrons e examinar o ngulo exigido relativo ao feixe. O feixe de eltrons (feixe primrio) interage com a amostra resultando, entre outros efeitos, emisso de eltrons secundrios, uma corrente de eltrons refletidos, conduo induzida pelo feixe e, freqentemente, catodoluminescncia. Cada um destes sinais podem ser coletados, ampliados e usados para controlar o brilho de tubos de raios catdicos (TRCs). A posio do foco nestes TRCs determinada pelo mesmo gerador de varredura que ajusta a posio da feixe primrio na superfcie de amostra. Deste modo o sinal de um eltron secundrio, por exemplo, da superfcie de um determinado elemento, usado para controlar o brilho de um ponto correspondente em um TRC de forma que podem ser obtidos mapas da corrente de eltron secundrio. Normalmente o sinal pertinente alimentado ao controle de brilho de um tubo de raios catdicos com um fsforo com contraste de longa durao que pode ser observado visualmente. Alm disso, so feitos arranjos para o sinal a ser exibido em um tubo com fsforo com contraste de curta durao, de forma que o sinal possa ser fotografado. A amplitude controlada pelo gerador de varredura que garante que os tubos de raios catdicos so varridos em sincronismo com o feixe primrio. A sada deste gerador de varredura ligada nas bobinas de deflexo do TRC para corrigir o feixe, de forma que o tamanho da figura no tubo seja mantido constante com um tamanho de aproximadamente 10 x 10 cm, ou seja, que preencha a rea til do TRC. Para efeito de contraste s uma frao da varivel de sada usada para alimentar as bobinas de varredura do feixe primrio. O SEM uma ferramenta verstil que proporciona parmetros eltricos e informao topogrfica durante a fabricao de circuitos integrados e dispositivos, na indstria de microeletrnica.

Figura 1 - Diagrama de Blocos simplificado de um SEM.

2 - INTERAO DO FEIXE ELETRNICO COM A AMOSTRA

Para o entendimento da emisso do eltron secundrio e espalhamento dos eltrons fundamental conhecer bem a interao dos eltrons incidentes com os tomos do material bombardeado. O estudo deste fenmeno se desenvolveu a partir da elaborao das teorias que explicassem a interao dos raios com tomos individuais, na dcada de trinta. Os eltrons so acelerados atravs de uma diferena de potencial V0, geralmente de 1 a 50 KeV. Quando um feixe eletrnico com esta energia penetra no slido, grande parte da energia perdida inicialmente atravs da ionizao dos tomos da amostra. No primeiro tipo de interao o eltron primrio interage elasticamente com os tomos mais externos do material. No h troca de energia entre o eltron incidente e o tomo do material, mas o campo inerente dos tomos da amostra, causa uma troca de momento do eltron incidente, fazendo com que ele seja espalhado com um grande ngulo, sendo praticamente refletido para fora da amostra (figura 2). No segundo tipo de interao, o eltron primrio tambm defletido para fora da amostra, mas s depois de interagir no elasticamente com o tomo da amostra. O eltron vai interagindo com os tomos da amostra e vai perdendo energia atravs do processo de ionizao por impacto. Os eltrons ejetados tem energia cintica da ordem do eltron incidente. Este processo se repete at a energia cintica no ser mais suficiente para causar mais ionizao. A -10 energia de ionizao tipicamente da ordem de 3 a 8 eV. Este processo dura cerca de 10 segundos. Os eltrons secundrios se difundem e vo perdendo energia gradualmente gerando o aquecimento da rede atravs da gerao de fnons. Muitos dos eltrons secundrios formados perto da superfcie, tem energia cintica maior que a barreira de energia superficial da ordem de 2 a 6 eV, e tem grande chance de escapar da superfcie. Pela faixa de energia utilizada, a perda de energia devido a emisso de radiao pelo eltron incidente no campo coulombiano do ncleo desprezvel. Portanto este tipo de espalhamento considerado elstico. A maior perda de energia devido a interao dos eltrons rpidos do feixe incidente com os eltrons do material alvo. A interao eltron-eltron leva o eltron do material a um estado excitado, proporcional perda de energia do eltron incidente. A equao de Schroeder usada para calcular a probabilidade de um eltron vir a ocupar um determinado estado. Portanto a probabilidade relativa de um eltron de energia E0, perdendo E01, E02 ... de energia por coliso conhecida. Multiplicando as perdas de energia por estas probabilidades relativas, determinarmos a perda de energia por unidade de comprimento. No caso no relativstico, a taxa de perda de energia dado por: dE/ds = (2 e NZ/E) ln (E/Ei e /2) onde N o nmero de tomos/cm , Z o nmero atmico e Ei o potencial de excitao mdia do tomo. Esta expresso no distingue os dois tipos de eltrons que saem da coliso ionizante. Ela apresenta uma boa aproximao com experimentos com gases. Isto porque as interaes eltron-eltron so relativamente separadas espacialmente. A distncia entre as colises so muito menores nos slidos. devido a alta densidade. Com a diminuio do caminho livre mdio dos eltrons, a relao acima no se aplica aos slidos. Os fenmenos fsicos envolvidos se desenvolveram a partir da observao de certos eventos: Interao entre o feixe primrio e amostra, principalmente a taxa com que a energia absorvida em funo do comprimento A forma com a qual o feixe eletrnico leva emisso do segundo eltron e como esta emisso depende da temperatura, propriedades da amostra e energia do feixe Informao sobre os eltrons retroespalhados 0 feixe eletrnico gerando a emisso de ftons 0 modelo da distribuio de energia dos eltrons secundrios de baixa energia dado abaixo. Considere um feixe de eltrons primrios incidindo sobre uma placa de metal semi-infinita localizada no vcuo.
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A probabilidade de um ES alcanar a superfcie sem colises com os eltrons no slido dada por: P(E,,Z) = e
[-z / L(E) cos ]

onde L(E) o caminho livre mdio (PFM) considerado para "scattering" eltron-eltron para um eltron excitado de energia E. Para que um ES escape, sua energia deve ser maior que um valor crtico Ecr: Ecr = Ef +

onde Ef a energia de fermi e a funo trabalho do metal. A componente do momento deve ser portanto igual a: Pc = (2m Ecr)

Desprezando-se os efeitos de deflexo e refrao na superfcie, assume-se que o feixe eletrnico primrio se move em linha reta ao longo do eixo z dentro do slido. Com estas consideraes, possvel calcular o numero de eltrons secundrios excitados: f(E) = dN/dE = K (E - Ef - ) / (E - Ef)) 0 valor mximo de dN/dE ocorrera em um valor de energia Em, que maximiza f(E). Este valor facilmente encontrado diferenciando a equao anterior: Em = Ef + 4/3

Figura 2 - Interao do feixe de eltrons com a amostra (a) reflexo elstica, (b) reflexo no elstica (c) formao do eltron secundrio por ionozao de impacto (d) emisso de eltrons secundrios

3 - MODOS DE OBTENO DE IMAGENS DO SEM

3.1 - Eltrons Secundrios (ES) 0 modo ES de operao, o mais importante porque os eltrons so coletados facilmente atravs da grade coletora polarizada positivamente, ao lado da amostra e capaz de coletar correntes de poucos eltron volts. Aps a grade coletora, os ES so acelerados at o cintilador, que est com uma tenso de +10 kV e os quantas de luz gerados, so gravados pela fotomultiplicadora. Assim o detetor Everhart-Thornley funciona como um amplificador efetivo, introduzindo pouco rudo e uma largura de banda de passagem da ordem de 10 Mhz. A alta dependncia da emisso de ES com pequenas inclinaces da amostra, faz com que se tenha um alto contraste nos contornos e para pequenas partculas. Uma parte dos eltrons emitidos (da ordem de 20 a 50 %), produzidos pelo feixe principal, alcana uma resoluo da ordem de 5 a 20 nm. A outra frao de ES emitidos, devido aos eltrons refletidos. So desenvolvidas tcnicas para separar estas duas contribuies captando os sinais de multidetectores. Os ES so retardados com uma tenso positiva, e repelidos com uma tenso negativa aplicada superfcie da amostra, sendo influenciado pelo campo eletrosttico criado entre as regies com diferentes tenses. Este efeito gera o contraste de tenso. Polarizando positivamente, as reas aparecem escuras, e polarizando negativamente, claras. A influncia do campo eletrosttico, suprimida atravs da pr-acelerao dos ES em um campo de algumas centenas de voIts por milmetro na superfcie. 0 potencial local, medido com alta resoluo por meio de um espectrmetro eletrnico. Isto possibilita uma importante aplicao na tecnologia de circuitos integrados. Devido sua baixa energia de sada, os eltrons tem a trajetria afetada pela deformao do campo magntico causado pelas superfcies ferromagnticas. Este efeito possibilita um tipo de contraste magntico, devido a seleo angular.

Figura 3 - Foto de uma superfcie esfrica com zoom nas regies marcadas SEM no modo ES.

3.2 - Eltrons Retroespalhados (Backscatered Electrons) O mais importante mecanismo de contraste deste modo de funcionamento, a dependncia da reflexo com o nmero atmico mdio do material. O coeficiente de reflexo, depende tambm da orientao relativa dos eltrons do feixe incidente, em relao aos planos cristalinos. Uma onda plana de eltrons, propagando em um cristal, mostra anomalias na transmisso ou na absoro, dependendo do ngulo de incidncia. O resultado desta anisotropia de orientao, a diferena causada no coeficiente de reflexo de 1 a 10 %. A variao na orientao dos gros, em materiais policristalinos, permite a observao da orientao cristalina atravs do contraste de canalizao. Aps selecionar os LLE (low-loss elctron 10 a 100 eV) por filtragem de energia, possvel observar defeitos cristalinos simples, deslocamentos e rachadura, porque o efeito de canalizao contribui com o contraste somente em superfcies finas, com espessura da ordem do comprimento de absoro do campo primrio Block-wave. Ferromagnticos, que tem uma alta induo magntica interna B que afeta a trajetria dos eltrons, tanto que causa uma diferena no coeficiente de retroespalhamento em algumas dezenas porcento para diferentes orientaes de B. Este e o segundo tipo de contraste magntico.

3.3 - Corrente da Amostra

A corrente da amostra menor que a corrente da ponta de prova, dado a emisso do eltron secundrio e dos eltrons retroespalhados ou refletidos. Quando a emisso de ES suprimida por polarizao positiva a modulao da corrente da amostra, ser complementada com a variao do coeficiente de reflexo. Em muitos casos, este modo de operao traz vantagens. Este modo fcil de ser posto em prtica, devido ao fato de no ser preciso adicionar algum outro detector ao equipamento, para se obter a medida. Porm a baixa corrente da amostra, no diretamente amplificada com uma larga banda de passagem, devido ao longo tempo de deteco necessrio.

3.4 - Eltrons Transmitidos

Se a amostra transparente aos eltrons incidentes, os eltrons transmitidos so facilmente detectados por um cintilador colocado abaixo do suporte da amostra. Se a amostra tem uma transmissividade suficiente, eltrons de 10 a 50 keV so detectados. A deteco de eltrons transmitidos mais uma possibilidade de operao do SEM. pouco usada em relao aos outros mtodos. 3.5 - Corrente induzida do Feixe Eletrnico (EBIC)

Nos semicondutores milhares de pares eltron-lacunas so criados por eltron incidente. Na camada de depleo da juno P-N, o forte campo eltrico que separa os portadores minoritrios dos portadores majoritrios, faz com que os eltrons cheguem juno por difuso. 0 resultado a corrente EBIC, que ser amplificada e usada de maneira quantitativa para medir a largura da juno, sua profundidade alm da superfcie, o comprimento da difuso e a taxa de recombinao superficial dos portadores minoritrios. 0 sinal EBIC usado tambm para visualizar junes P-N alm da superfcie, localizar ruptura de avalanche e visualizar defeitos ativos atravs da influncia da taxa de recombinao de portadores minoritrios. 0 uso de barreira Schottky, formado atravs da evaporao de uma camada de metal, que forma um contato no hmico, permite investigar parmetros do semicondutor e defeitos na rede que no esto na juno P-N.

3.6 - Catodoluminescncia A emisso de luz ultravioleta ou luz visvel estimulada pelo bombardeamento eletrnico, detectada no detector de cintilao e no tubo de raios catdicos. Muitas substncias especialmente semicondutores e minerais que no tem muitas molculas orgnicas, permitem a observao atravs deste mtodo. possvel a observao no dispersivamente atravs de um sistema coletor de luz e fotomultiplicadora e dispersivamente introduzindo um espectrmetro entre a amostra e o detector. A baixa intensidade da catodoluminescncia de algumas substncias e a absoro de radiao por molculas orgnicas, traz restries ao mtodo. Sistemas de deteco extremamente sensveis so usados para catodoluminescncia, trabalhando com um grande ngulo slido de deteco. Este mtodo contm muitas informaes analticas que no so observadas por nenhum outro. A desvantagem, que ele s traz informaes qualitativas sobre um material particular. Porm este mtodo combinado com o EBIC possibilita a observao de recombinao de portadores de carga em defeitos da rede cristalina em um semicondutor. 3.7 - Modo de Onda Termo-Acstica

A onda acstica gerada pela expanso trmica peridica nas freqncias de 0,1 a 5 Ghz. depende do coeficiente de expanso trmica, da constante elstica e da anisotropia do meio onde a onda acstica se propaga. Este modo de operao fornece informaes que outros modos de operao do SEM no oferecem.

3.8 - Imagem com Raio X

Atravs do raio-x, geralmente usado para anlise elementar (elemental analysis). possvel tambm operar no modo de imagem. No mapeamento elementar de raio-x, o display CRT (Tubo de Raios Catdicos) apresenta um ponto brilhante, quando um quanta caracterstico de raio-x com energia pr-selecionada, vindo de um analisador multi-canal durante a varredura da imagem. A concentrao de pontos mede a concentrao de determinados elementos. Imagens de raios so produzidas atravs de um sinal de raio-x no dispersivo (TRIX, total rate imaging with x-rays) e traz muito mais informaes do que o mtodo BSE, por exemplo. Este mtodo apresenta uma dependncia em relao ao nmero atmico. Na microscopia de projeo com raio-x, a fonte puntual de raio-x produzida pelo feixe eletrnico do SEM. Esta fonte puntual atua como um centro de projeo de modo a ampliar a imagem de absoro de raio-x de organismos biolgicos ou filmes metlicos na emulso fotogrfica. Para cristais usado para formar imagens topogrficas gravando os feixes difratados de Bragg.

4 - MODOS ANALTICOS
0 termo modo analtico, usualmente empregado para descrever todos os modos que fornecem informaes quantitativas, principalmente com feixe de eltrons estacionrio. Desta forma o modo EBIC em materiais semicondutores e o modo catodoluminescncia so modos analticos quando so usados para medidas em semicondutores e parmetros do dispositivo. Outros mtodos analticos abordados so anlise cristalogrfica por difrao eletrnica e anlise elementar por raio-x e Auger eltron microanlise.

5 - ESTRUTURA E ORIENTAO CRISTALINA

A anisotropia de orientao do eltron Retro-espalhado, que resulta no contraste de canalizao, resultando no padro ECP (electron channelling pattern) atravs da incidncia do feixe primrio de eltrons sobre a rede cristalina. Este padro consiste nas bandas de Kikushi indexadas com o ndice de Miller, usado para a determinao da simetria e orientao do cristal.

A caracterstica angular de sada do feixe modulada pelas bandas de Kikushi. 0 padro EBSP (electron backscattering pattem) gravado numa tela fluorescente em emulso fotogrfica. A o vantagem deste mtodo o grande ngulo slido (~25 ) e o uso da ponta de prova de eltron 0 estacionrio, j que o ECP trabalha somente com um ngulo de 5 e o feixe causa um deslocamento da ponta eletrnica de 1 a 10 nm de dimetro por causa da aberrao esfrica da lente final. Tanto a orientao cristalogrfica como o contraste de canalizao, ambos os padres de difrao so causados pelo amortecimento exponencial do campo Bloch-wave dos eltrons incidentes ou retroespalhados na fina camada de apenas poucos nanmetros de espessura e muito sensveis contaminao e distores mecnicas na superfcie. Para ngulos grandes de inclinao da amostra, acontece o padro de reflexo de eltrons de alta energia (RHEED) que mostra no s as bandas de Kikuchi mas tambm os spots de difrao de Bragg e as linhas de Kikuchi.

6 - ANLISE ELEMENTAR
Muitos SEMs so equipados com um detetor dispersivo de energia lithium-drifted silicon, que permite a caracterstica de linhas de raio-x que ser gravado com a resoluo de E 150-200 eV de quanta de energia de raio-x. Espectrmetro dispersivo de comprimento de onda usa a reflexo de Bragg em um cristal e principalmente usado em raio-x microprovas, embora poucos SEMs so equipados com este tipo de espectrmetro, que tem a melhor resoluo da ordem de 5-20 eV mas com pequeno ngulo de deteco. Espectrmetros dispersivos de energia, tem a vantagem de que todo o quantum de energia com 1-20 keV so gravados simultaneamente e o espectro mostrado diretamente por meio de um analisador multicanal. Auger eltrons tem a vantagem de se excitarem com a alta produo para baixo nmero atmico, a excitao caracterstica de quanta de raio-x mostra a baixa emisso fluorescente de raio-x. Os eltrons Auger incidem na amostra sem perda de energia somente para superfcies de filmes muito finos, da ordem de algumas poucas monocamadas de espessuras e um feixe eletrnico da ordem de poucos keV necessrio para excitao tima.

7 - INFORMAES PRTICAS
Equipamento: SEM marca JEOL modelo JSM 5900 LV (low vacuum) entre 10 e 10 TORR Local: LNLS/LME, responsvel: Paulo Modos de funcionamento disponveis neste equipamento: - ES - Retro-espalhamento - Raio-x Aplicaes: Modo ES - anlise de topografias e superfcies Modo Retro-espalhamento - anlise de composio qumica em camadas mais profundas Modo Raio-x - microanlises, mapeamento e espectro. Preparao da Amostra A amostra deve ser limpa em acetona ou lcool e manipulada com pina para se evitar contaminao da mesma, fora isso, no requer nenhuma outra preparao prvia. Limitaces do equipamento As limitaes so quanto anlise de camadas muito finas (nanomtricas) e de alguns materiais que se carregam facilmente, como xido de silcio, e dificultam a anlise. A resoluo mxima de aproximadamente 15 nm (150 ).
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8 - BIBLIOGRAFIA
1.Scanning Electron Microscopy, Applications to materials and device science P.R.Thornton, Chapman and Hall Ltd,1968. 2.Scanning Electron Microscopy, Physics of Image Formation and Microanalysis, Ludwig Reimer.,Springer-Verlag, 1985. 3.Microscpio eletrnico de varredura, SEM, Fernando Chavez, Seminrio para o curso tcnicas para caracterizao em microeletrnica,1991.