ESCUELA SUPERIOR POLITECNICA DE CHIMBORAZO

FACULTAD DE INFORMATICA Y ELECTRONICA

ESCUELA DE INGENIERIA ELECTRONICA EN CONTROL Y REDES INDUSTRIALES
ASIGNATURA: ELECTRONICA DE POTENCIA TRABAJO: No.3 TEMA: CIRCUITO DE PROTECCION DE TRANSISTORES PROFESOR: Ing. PABLO GUEVARA ESTUDIANTE: RODRIGO BORJA VEGA CODIGO: 245902 SEMESTRE: MARZO 2012 AGOSTO 2012. FECHA: 26 de abril de 2012

Circuitos de proteccin de transistores Protegen al transistor reduciendo sus prdidas de potencia en la conmutacin. No reducen las prdidas totales de conmutacin. Protegen al dispositivo del stress al que se ve sometido durante la conmutacin debido a las altas tensiones y corrientes. Los tiempos de conmutacin limitan el funcionamiento del transistor, por lo que nos interesara reducir su efecto en la medida de lo posible.

Los tiempos de conmutacin pueden ser reducidos mediante una modificacin en la seal de base, tal y como se muestra en la figura anterior. Puede verse como el semiciclo positivo est formado por un tramo de mayor amplitud que ayude al transistor a pasar a saturacin (y por tanto reduce el ton) y uno de amplitud suficiente para mantener saturado el transistor (de este modo la potencia disipada no ser excesiva y el tiempo de almacenamiento no aumentar). El otro semiciclo comienza con un valor negativo que disminuye el toff, y una vez que el transistor est en corte, se hace cero para evitar prdidas de potencia. En consecuencia, si queremos que un transistor que acta en conmutacin lo haga lo ms rpidamente posible y con menores prdidas, lo ideal sera atacar la base del dispositivo con una seal como el de la figura anterior. Para esto se puede emplear el circuito de la figura siguiente.

En estas condiciones, la intensidad de base aplicada tendr la forma indicada a continuacin:

Durante el semiperiodo t1, la tensin de entrada (Ve) se mantiene a un valor Ve (mx). En estas condiciones la VBE es de unos 0.7 v y el condensador C se carga a una tensin VC de valor:

Debido a que las resistencias R1 y R2 actan como un divisor de tensin. La cte. de tiempo con que se cargar el condensador ser aproximadamente de:

Con el condensador ya cargado a VC, la intensidad de base se estabiliza a un valor IB que vale:

En el instante en que la tensin de entrada pasa a valer -Ve(min), tenemos el condensador cargado a VC, y la VBE=0.7 v. Ambos valores se suman a la tensin de entrada, lo que produce el pico negativo de intensidad IB (mn):

A partir de ese instante el condensador se descarga a travs de R2 con una constante de tiempo de valor R2C. Para que todo lo anterior sea realmente efectivo, debe cumplirse que:

Con esto nos aseguramos que el condensador est cargado cuando apliquemos la seal negativa. As, obtendremos finalmente una frecuencia mxima de funcionamiento:

Un circuito ms serio es el de Control Antisaturacin:

El tiempo de saturacin (tS) ser proporcional a la intensidad de base, y mediante una suave saturacin lograremos reducir tS :

Inicialmente tenemos que:

En estas condiciones conduce D2, con lo que la intensidad de colector pasa a tener un valor:

Si imponemos como condicin que la tensin de codo del diodo D1 se mayor que la del diodo D2, obtendremos que IC sea mayor que IL:

CIRCUITO DE PROTECCION PARA TRANSISTORES DE POTENCIA Los lmites de corriente de esta configuracin de potencia son dados por el resistor de 13kohm que puede ser alterado, as como por el resistor de 0,33ohm. Q1 y Q2 deben ser montados en buenos disipadores de calor. Para los valores indicados, la potencia mxima del circuito est alrededor de 40W (20V x 2A).

IL

IL

DL

Ds

i
C

P v

v i

REFERENCIAS: www.unicrom.com ELECTRONICA DE POTENCIA MUHAMMAD RASHID