Tema1 Aco 12

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos
Tema 1: Introduccin
1.1 1.2 1.3 1.4 14 1.5 1.6 Seales y sistemas Cuestiones tecnolgicas g Ruido Tcnicas generales T i l Modelado de sensores USI: Universal Sensor Interface
1.7 Bibliografa 1 7 Bibli f

1
Tema 1: Introduccin

2
Una seal es una magnitud cuyas variaciones en el tiempo llevan informacin sobre un proceso o magnitud fsica. fsica
1.1. Seales y sistemas s
Mecnica Trmica Magntica Elctrica ptica Qumica
Un sistema transforma seales de entrada en seales de salida segn una determinada funcin de transferencia:
T : x(t ) y (t )
Un sistema es causal si y slo si la seal de salida en un instante de tiempo t0 depende slo del valor actual y de los valores de la seal de entrada antes de t0. Cualquier sistema real es causal causal. Un sistema es invariante en el tiempo si y slo, para cualquier t0 y cualquier seal de entrada x(t), se cumple:
T [ x(t )] = y (t ) T [ x(t t0 )] = y (t t0 )
4
Un sistema es lineal si y slo si, para cualesquiera nmeros reales c1 y c2 y cualesquiera seales de entrada x1(t) y x2(t) se cumple: (t),
T [c1 x1 (t ) + c2 x2 (t )] = c1T [ x1 (t )] + c2T [ x2 (t )]
Los sistemas reales varan en el tiempo y no son lineales. Sin embargo, casi siempre pueden aproximarse mediante sistemas lineales e invariantes en el tiempo, bajo p , j unas condiciones de operacin predefinidas y dentro de los intervalos de tiempo de inters.
SISTEMAS SENSORES
Un transductor es un dispositivo o sistema que convierte seales de un tipo de energa a otro. Un sensor convierte seales no elctricas en seales elctricas. Un actuador convierte seales elctricas en seales no elctricas.
SISTEMAS SENSORES
La funcin del sistema de medida es asignar, de manera objetiva y emprica, un nmero a una propiedad o cualidad de un objeto o evento. Dicho nmero establece la escala de medida del sistema, y est relacionado de alguna manera con los valores establecidos por los estndares de medida. La realizacin de una medida implica, adems de la adquisicin de la informacin, el procesamiento de dicha informacin y la presentacin de resultados.
SISTEMAS SENSORES
Los sistemas de acondicionamiento de seal proporcionan, a partir de la seal de salida de un sensor, una seal adecuada para ser presentada, almacenada o post-procesada. post-procesada
Sistema de acondicionamiento clsico
SISTEMAS SENSORES
Los sistemas de acondicionamiento de seal proporcionan, a partir de la seal de salida de un sensor, una seal adecuada para ser presentada, almacenada o post-procesada. post-procesada
Sistema de acondicionamiento con salida cuasi-digital cuasi digital

Menor costo y complejidad. Menor rea y menor consumo. Margen dinmico grande. Alta inmunidad al ruido e interferencias.
9
SISTEMAS SENSORES
El papel de la electrnica analgica es crtico. Es necesario cumplir una serie de exigentes requisitos relacionados con:
o Ruido o Voltaje de alimentacin o Consumo de potencia o Velocidad o Rechazo a interferencias o Bajo costo o Fiabilidad
10
SISTEMAS SENSORES
Los sistemas inteligentes (smart systems) recogen datos del entorno mediante sensores, toman decisiones mediante sistemas electrnicos y actan mediante actuadores.
11
CARACTERIZACIN DE SISTEMAS
Los conceptos que se definirn a continuacin son slo vlidos para sistemas instantneos, es decir, tanto los sensores como el circuito de acondicionamiento deben ser mucho ms rpidos que las seales de entrada.
12
1. Error (absoluto): es la diferencia entre la salida del sistema y su valor ideal:
e( xin ) = yout ( xin ) yout ,ideal ( xin )

El error d depende d l seal d entrada. d de la l de t d
13
2. 2 Error relativo: es la relacin entre el error absoluto y el valor ideal de la salida:
er ( xin ) =
yout ( xin ) yout ,ideal ( xin ) yout ,ideal ( xin )
Esta definicin slo tiene sentido si se cumple:
yout ( xin ) yout ,ideal ( xin ) << yout ,ideal ( xin )
er ( xin ) << 1
14
3. 3 Exactitud: es la capacidad del sistema de producir errores pequeos. 4. Precisin: es l capacidad d l sistema d d el mismo 4 P i i la id d del i t de dar l i valor de la magnitud medida al realizar varias veces la medicin en las mismas condiciones, prescindiendo de la concordancia o discrepancia con el valor real de la magnitud medida.
15
Exactitud vs Precisin vs.
e AVG ( xin ) = E[Yout ( xin )] yout ,ideal ( xin )

SISTEMA EXACTO Y PRECISO
16

SISTEMA PRECISO, NO EXACTO PRECISO
17

SISTEMA EXACTO, NO PRECISO EXACTO
18

NI EXACTO NI PRECISO
19
5. 5 Sensibilidad (factor de escala): para un sistema cuya salida est relacionada con la entrada xin mediante la ecuacin yout=f(xin), la sensibilidad en el punto xa, S(xa), viene dada por:
S=
yout xin
xin = xa
La sensibilidad depende del punto de operacin Q.
20
6. 6 Resolucin: mnimo incremento en la entrada para el que se obtiene un cambio en la salida. Es decir, es la mnima variacin de la entrada que puede ser detectada.
R = x =
y y = S Q (yout / xin ) Q
21
7. 7 Offset: valor de la seal de salida cuando la entrada es cero:
yOFF = f (0)
Offset de entrada: valor necesario en la entrada para que la salida sea 0.
f (xOFF ) = 0 (x
22
8. 8 Tiempo de respuesta: tiempo que transcurre desde que se produce un cambio en la seal de entrada hasta que ese cambio se refleja en la salida. 9. Linealidad: capacidad de proporcionar una seal de salida que tenga una relacin lineal con la seal de entrada entrada. 10. Histresis: fenmeno por el que la evolucin del sistema depende de su historia.
23
Tema 1: Introduccin

24
MICROSISTEMA
1.2 Cu uestione tecnolgicas es
Fiabilidad Componentes parsitas mnimas y

bien definidas definidas. Ensamblaje sencillo, barato e independiente del nmero de interconexiones. interconexiones
K. Makinwa, Designing Smart Sensors in Standard CMOS, ESSCIRC 2007.
25
MICROSISTEMA
Menor libertad en el diseo del sensor. Problemas de costo y rendimiento al reducir las dimensiones de la tecnologa. Menor rendimiento rendimiento.
K. Makinwa, Designing Smart Sensors in Standard CMOS, ESSCIRC 2007.
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MICROMDULO
Tecnologas
ptimas para sensores y para los circuitos. Mayor rendimiento rendimiento.
los
P. Malcovati, F. Maloberti, Interface Circuitry and Microsystems, Chap. 17 in MEMS: Design, Analysis and Applications.
27
MICROMDULO
Ensamblado costoso y no fiable. Nmero limitado de conexiones

entre sensor y circuito de acondicionamiento. Componentes parsitas grandes.
P. Malcovati, F. Maloberti, Interface Circuitry and Microsystems, Chap. 17 in MEMS: Design, Analysis and Applications.
28
Tema 1: Introduccin

29
Q es el ruido? Qu l id ?
Es aquella componente de voltaje o corriente no deseada q p j que se superpone con la componente de seal que se procesa o que interfiere con el proceso de medida.
1.3 Ruido R Ruido interno o inherente:
Se genera en los dispositivos ge e a e os d spos t os electrnicos como consecuencia de su naturaleza fsica. Es de naturaleza aleatoria aleatoria. Puede ser peridico, intermitente o aleatorio.
Ruido externo o interferencias:

Se genera como resultado de la ge e a co o esu tado a interaccin elctrica o magntica entre el circuito y el exterior, o entre diferentes partes del propio circuito.
30
1. Anlisis temporal
1.3 Ruido R
Suponemos que todas las seales de ruido tienen un valor promedio nulo.
31
Distribucin d l Di t ib i de la amplitud: lit d
1.3 Ruido R
Funcin de densidad de probabilidad (PDF): probabilidad de que la variable X (en este caso, amplitud) tome un valor entre x y x+dx.
p X ( x)dx = probabilidad de x<X<x+dx

Probabilidad de que la amplitud tome un valor entre a y b:
P (a < x < b) = p X ( x)dx

a
32
Distribucin d l Di t ib i de la amplitud: lit d
1.3 Ruido R
Ejemplo: distribucin gaussiana
p X ( x) =
1 ( x m) 2 exp 2 2 2
: la desviacin estndar m: la media de la distribucin

33
Potencia de ruido promedio
Pav = lim
1 T T
2 vn (t ) dt RL
Valor cuadrtico medio (rms) 1.3 Ruido R
Vn ( rms )
1 = T
v (t )dt
2 n
1/ 2
siendo T un intervalo de tiempo adecuado para el promediado de la seal
El valor cuadrtico medio del voltaje de ruido indica la potencia de ruido normalizada. As, normalizada As si se aplica el voltaje de ruido vn(t) a una resistencia de valor 1, la potencia promedio disipada es:
Pav =
Vn2(rms ) ( 1
potencia de ruido normalizada
34
2. Anlisis 2 A li i espectral t l
1.3 Ruido R
Vn2 ( f )
Densidad espectral de potencia de ruido: Indica I di cunta potencia ll i lleva l seal d ruido para cada f la l de id d frecuencia. i
35
Densidad espectral Vn2(f) [V2/Hz]: Potencia promedio normalizada en un ancho de banda de 1 Hz Hz. Raz cuadrada de la densidad espectral: Vn(f) [V/Hz]
Por ejemplo, si decimos que el voltaje de ruido en la entrada de un amplificador a 100 MHz es 3 nV/Hz, queremos decir que l potencia promedio normalizada en un ancho d b d d 1 H la t i di li d h de banda de Hz centrado en 100 MHz es igual a 9x10-18 V2
1.3 Ruido R
36
Densidad espectral Vn2(f) [V2/Hz]: Potencia promedio normalizada en un ancho de banda de 1 Hz Hz.
1.3 Ruido R
37
Raz cuadrada de la densidad espectral: Vn(f) [V/Hz]
1.3 Ruido R
38
Potencia total (normalizada) [ 2]: ( ) [V ] Se obtendr al integrar la densidad espectral en todo el espectro de frecuencias. 1.3 Ruido R
Vn2( rms ) = Vn2 ( f )df

0
39
Ejemplo: Cul es la potencia promedio de la seal de ruido en un ancho de banda de 30Hz en torno a una frecuencia de 100Hz? Y en un ancho de banda de 0.1Hz?
1.3 Ruido R
40
Ruido blanco
1.3 Ruido R
Vn ( f ) = Vnw = 3.2 V / Hz
41
Ruido 1/f
1.3 Ruido R
Vn2 ( f ) = kv2 / f Vn ( f ) = kv / f
kv constante
42
Filtrado del ruido: Si una seal de espectro Sx(f) se aplica a un sistema lineal invariante en el tiempo cuya funcin de transferencia es H(s), el espectro de salida viene dado por:
SY ( f ) = S X ( f ) H ( f )
donde H( f )=H(s=j2f ). 1.3 Ruido R
43
Filtrado del ruido: Si una seal de espectro Sx(f) se aplica a un sistema lineal invariante en el tiempo cuya funcin de transferencia es H(s), el espectro de salida viene dado por:
SY ( f ) = S X ( f ) H ( f )
donde H( f )=H(s=2jf ). 1.3 Ruido R
La salida slo es funcin, por tanto, de la magnitud de la funcin de transferencia, y no de la fase. , Valor cuadrtico medio total de salida:
2 2 Vno ( rms ) = A( j 2f ) Vni ( f )df 2 0
44
Cmo sumar el efecto de varias fuentes de ruido?
1.3 Ruido R
fuentes de voltaje
fuentes de corriente
vno (t ) = vn1 (t ) + vn 2 (t )
2 Vno ( rms ) =
1 T 2 0 vn1 (t ) + vn 2 (t ) dt T 2 T vn1 (t )vn 2 (t )dt T 0

correlacin
45
2 Vno ( rms ) = Vn2 ( rms ) + Vn22 ( rms ) + 1
Coeficiente de correlacin:
1 T vn1 (t )vn 2 (t )dt T 0 C= Vn1( rms ) Vn 2 ( rms )

1.3 Ruido R
2 Vno ( rms ) = Vn2 ( rms ) + Vn22( rms ) + 2CVn1( rms )Vn 2( rms ) 1
Siempre -1C 1: C=1 C 1 C=-1 C=0 totalmente correlacionado y en fase (0 grados) totalmente correlacionado y fuera de fase (180 grados) no correlacionado (90 grados)
46
Si las seales no son correlacionadas, el valor cuadrtico medio de la suma viene dado por:
2 Vno ( rms ) = Vn2 ( rms ) + Vn22( rms ) 1
Las potencias de ruido se suman como si fueran vectores ortogonales. 1.3 Ruido R
El principio de superposicin se cumple para los valores de potencia promedio de las seales no correlacionadas.
Para reducir el ruido total, hay que reducir el ruido de la fuente cuya contribucin es mayor.
47
Suma de ruido filtrado

fuentes de ruido no correlacionadas
1.3 Ruido R
Si las entradas no estn correlacionadas, las salidas tampoco lo estn, por lo que se puede demostrar que:
Vno ( f ) =
i =1, 2 , 3
A ( j 2f )
i
2 Vni ( f )
48
Ruido trmico (Johnson)

El movimiento aleatorio de los electrones en un conductor introduce fluctuaciones en el voltaje medido entre los terminales del mismo, incluso si la corriente promedio que lo atraviesa es nula. 1.3 Ruido R
Vn2 ( f ) = 4kTR, f 0
k = 1.38 10 23 J / K T temperatura absoluta

ruido blanco: independiente de la frecuencia hasta unos 100 THz
49
Ruido trmico (Johnson)

El movimiento aleatorio de los electrones en un conductor introduce fluctuaciones en el voltaje medido entre los terminales del mismo, incluso si la corriente promedio que lo atraviesa es nula. 1.3 Ruido R
Vn2 ( f ) = 4kTR, f 0
2 I n ( f ) = 4kT / R, f 0
50
Capacitores e inductores
Los capacitores e inductores no generan ningn ruido, pero acumulan ruido.
1.3 Ruido R
51
Consideremos un circuito RC:
H ( j ) =
1.3 Ruido R
Vout 1 = , VR 1 + jCR
2
H ( j ) =
2
1 1+ C 2R2
2
Vn2,out ( f ) = H ( j 2f ) Vn2,in ( f ) =
4kTR 4kTR [V 2 / Hz ] 2 2 2 2 1 + 4 f C R
Potencia de ruido total (normalizada):
2 n ,out ( rms )
4kTR 2kT df = 2 2 2 2 1 + 4 f C R C
=
0
kT [V [V 2 ] C
52
Capacitores
1.3 Ruido R
Valor cuadrtico medio del voltaje de ruido:
Vn ,out ( rms ) =
kT C
[V [ ]
53
Ruido trmico en los transistores MOS

El ruido trmico asociado al canal del transistor puede p modelarse mediante una fuente de corriente conectada entre drenaje y fuente, de densidad espectral:
1.3 Ruido R
TRIODO:
2 I n ,th ( f ) = 4 KTg ds
SATURACIN: I n ,th ( f ) = 4 KTg ds 0

2
donde =2/3 para transistores de canal largo y mayor para transistores de canal corto, y gds0 es l conductancia gds cuando VDS=0. la d t i d 0
54

El ruido trmico asociado al canal del transistor para transistor, dispositivos MOS de canal largo operando en saturacin, puede modelarse mediante una fuente de corriente conectada entre drenaje y fuente, de densidad espectral: j , p 1.3 Ruido R
2 I n ,th ( f ) = 4 KTg ds 0
g ds 0
I = D VDS
=
VDS = 0
Cox W
(V V )V L GS TH DS VDS
)
VDS = 0
g ds 0 = Cox W
(VGS VTH ) = g m
55

El ruido trmico asociado al canal del transistor para transistor, dispositivos MOS de canal largo operando en saturacin, puede modelarse mediante una fuente de corriente conectada entre drenaje y fuente, de densidad espectral: j , p 1.3 Ruido R
2 I n ,th ( f ) = 4 KTg ds 0 = 4 KTg m
ruido trmico proporcional a la transconductancia
A menudo se emplea la expresin con gm, dado que es conveniente para el clculo de ruido referido a la entrada Sin entrada. embargo, la expresin con gds0 es ms precisa y es la que debera usarse.
56
Ruido flicker en los transistores MOS

El ruido flicker se debe a contaminacin y defectos en el cristal cristal. Se modela mediante una fuente de voltaje en serie con la compuerta, de valor: 1.3 Ruido R
Vn2,1/ f ( f ) =
K 1 CoxWL f
ruido 1/f inversamente proporcional al rea del transistor
donde la constante K depende de las caractersticas del dispositivo y puede variar mucho para dispositivos diferentes en un mismo proceso. Por ello, debe determinarse experimentalmente.
K 10 25V 2 F
57
Ruido flicker en los transistores MOS

El ruido flicker se debe a contaminacin y defectos en el cristal cristal. Se modela mediante una fuente de voltaje en serie con la compuerta, de valor: 1.3 Ruido R
Vn2,1/ f ( f ) =
K 1 CoxWL f
O puede modelarse como una fuente de corriente conectada entre la fuente y el drenaje del transistor: j
2 I n ,1/ f ( f ) = 2 Kg m K'I 1 = 2D WLCox f L f
58
Frecuencia de esquina fc en un transistor MOS

Vn2,out ,th ( f ) = Vn2,out ,1/ f ( f )
1.3 Ruido R
K 1 2 2 4kT g m = gm 3 CoxWL f c
fc = K 3 gm CoxWL 8kT
f c 500kHz 1MHz
59
Ruido en inversin dbil

El ruido en inversin dbil tiene su origen en el ruido de disparo (shot noise).
1.3 Ruido R
2 I n ( f ) = 2qI D (1 + e qVDS / kT )
60
1.3 Ruido R
61
Cmo comparar el ruido entre circuitos?
1.3 Ruido R
Si la etapa en fuente comn est seguida por un amplificador ideal (sin ruido), el ruido a la salida es el de la etapa primera multiplicado por A1. Es decir, el ruido a la salida es mayor cuanto mayor es la ganancia del amplificador ideal ideal. Sin embargo, la seal a la salida tambin est amplificada por el mismo factor A1, es decir, la relacin seal a ruido (SNR) no depende de A1.
62
A1
A2
vn,1 ideal id l
vn,1 ideal id l
1.3 Ruido R
vn.out1 = A1 vn ,1
vn.out 2 = A2 vn ,1
vout1 = g m RD A1vin
vout 2 = g m RD A2vin
g 2 R2 v2 SNR1 = SNR2 = 10 log m2 D in v n ,1rms

63
Signal-to-Noise Ratio (SNR)
potencia de la seal p SNR = 10 l log potencia de ruido

Si la potencia normalizada de la seal es V2x(rms) y la potencia de ruido es V2n(rms),
1.3 Ruido R
Vx ( rms ) Vx2( rms ) SNR = 10 log 2 = 20 log V V n ( rms ) n ( rms )

Si el valor cuadrtico medio del ruido y de la seal son iguales: SNR = 0 dB
64
1.3 Ruido R
NO es suficiente!!
Definimos el ruido referido a la entrada como el valor de la fuente de ruido que deberamos conectar a la entrada de nuestro circuito, supuesto ideal (cancelando todas las fuentes de ruido), Vn in2, tal que el ruido a la salida sea el mismo que el del circuito n,in original (incluyendo fuentes de ruido).
2 Vn2,out = Vni ,out = Av2Vn2,in i =1 n
65
1.3 Ruido R
La fuente de voltaje de ruido referido a la entrada y la fuente de corriente de ruido referido a la entrada son necesarias y suficientes para representar el ruido en cualquier circuito lineal de dos puertos puertos.
66
Cmo calcular el ruido referido a la entrada?
Vn2,in ,
1.3 Ruido R
2 I n ,in
67
Clculo del ruido en un circuito

1. Dibujar el equivalente de pequea seal del circuito. 2. Poner todas las fuentes externas a cero. 3. Tomar la salida vo (o io) 1.3 Ruido R 4. Para cada fuente de ruido vx o ix, calcular: Hx(s)=vo(s)/vx(s) (Hx(s)=io(s)/vx(s) ) o Hx(s)=vo(s)/ix(s) (Hx(s)=io(s)/ix(s)) (s) v (s) i 5. El ruido total a la salida ser:
2 2 2 vntott ,outt = H x ( s ) vx + H x ( s) ix t 2 2 x x
6. El ruido total referido a la entrada ser:

2 2 vntot ,in = vntot ,out / A( s) 2
68
Compuerta comn
1.3 Ruido R
69
Compuerta comn
2 vn ,out =
4kT 2 2 RD + 4kTg m RD RD
1.3 Ruido R
2 vn ,in =
4kTg m 4kT + 2 ( g m + g mb ) RD ( g m + g mb ) 2
70
Compuerta comn
2 vn ,out =
4kT 2 RD RD
1.3 Ruido R
2 I n,in =
4kT RD
71
Ancho de banda de ruido

El ancho de banda de ruido de un filtro es igual al rango de frecuencias de un filtro pared de ladrillo (brick-wall) con el mismo voltaje de ruido rms que el filtro dado, si se aplica ruido blanco en ambos casos (la ganancia mxima es la misma para ambos filtros).
1.3 Ruido R
Vn2,out ,tot = Vn2,out df

0
V02 Bn = Vn2,out ,tot = Vn2,out df

0
ancho de banda de ruido

72
Tema 1: Introduccin

73
1. Realimentacin
+
1.4 Tcnica generales 4 as
X(s)
Y(s)
XR(s)
Y A = <A X 1 + A
74
Efecto de la retroalimentacin en el ruido

vout = A1 (vin vout + vn )
vout = (vin + vn )
A1 1 + A1
La retroalimentacin no reduce el ruido!
75
2. 2 Tcnicas dinmicas de cancelacin de offset

El offset cambia en el tiempo por envejecimiento y variaciones de la temperatura, es d i ti d l t t decir, tiene un cierto i t ancho d b d y h de banda, se puede mostrar en la misma figura que el ruido:
Las tcnicas dinmicas de cancelacin de offset reducen tanto el offset como el ruido flicker.
76
Tcnica de autozero
La cancelacin se realiza en dos fases: fase de muestreo (1=1, 2=0) y fase de amplificacin (1=0, 2=1) . La salida no est disponible de manera continua, por lo que se aade S5 y C1. d
77
Amplificador operacional con autocalibracin
El principio de operacin es el mismo pero en lugar de un mismo, circuito sample-and-hold utiliza un ADC, un registro y un DAC. Ocupa ms rea, pero evita los problemas de fuga asociados al condensador Caz.
78
Tcnica ping-pong
La salida est disponible de manera continua: mientras un amplificador est en fase de muestreo el otro est en fase de p amplificacin, y viceversa. Adems de aumentar el consumo, aparecen glitches en el momento de conmutar entre un amplificador y otro otro.
79
Tcnica chopper
La seal de entrada es modulada y demodulada. El offset y el ruido, en cambio, se modulan slo una vez, por lo que son enviados a frecuencias mayores y pueden ser eliminados mediante un filtro pasa-baja.
80
Tcnica h T i chopper
81
Tcnica h T i chopper
82
3. Medicin de impedancias
v+ = R x I 0
R vout = 1 + 2 Rx I 0 R 1
83
3.1. Medicin de impedancias muy pequeas

Rx RP
resistencias parsitas en serie con el sensor no despreciables
v+ = ( Rx + RP1 ) I 0
R vout = 1 + 2 ( Rx + RP1 ) I 0 R 1
la salida depende tambin de RP1 p
84
3.1. Medicin de impedancias muy pequeas

Mtodo de Kelvin (4 hilos) ( )
Rx RP
v+ v = Rx I 0
vout = GIA Rx I 0
impedancia de entrada infinita
85
3.2. Medicin de impedancias muy grandes

Rx RP
resistencias parsitas en paralelo con el sensor no despreciables
v+ = ( Rx // RP ) I 0 R vout = 1 + 2 ( Rx // RP ) I 0 R 1
la salida depende tambin de RP p
86
3.2. Medicin de impedancias muy grandes

Rx RP
I x = V0 / Rx
vout =
RF V0 Rx
87
Mediciones de 2 puertos
Impedancias muy pequeas
Impedancias muy grandes
Mtodo de Kelvin (4 hilos)
88
4. Medicin de seales muy pequeas
1.4 Tcnica genera 4 as ales
LNA
Vin = 10 nV f0 = 10 kHz AV = 1000 BW = 100 kHz Sin(f) = 5 nV/Hz
Vout = 7.1 Vrms Vn,out = 1.6 mVrms 16
89
1.4 Tcnica genera 4 as ales
Vout = 7.1 Vrms
LNA
Vin = 10 nV f0 = 10 kHz AV = 1000 BW = 100 kHz Sin(f)=5 nV/Hz
Vn,outt = 50 Vrms
BPF
f0 = 10 kHz Q = 100
90
Lock In Lock-In Amplifier

1.4 Tcnica genera 4 ales as Vout = 7.1 Vrms Vn,out = 0.5 Vrms
LNA
Vin = 10 nV f0 = 10 kHz AV = 1000 BW = 100 kHz Siin(f)=5 nV/Hz (f) 5
PSD
f0 = 10 kHz BW = 0.01 Hz PSD: Phase Sensitive Detector
91
Deteccin sensible a f D t i ibl fase
seal de inters seal de referencia
V psd = VsigVref sin( sig t + sig ) sin(ref t + ref )
1 V psd = VsigVref cos( sig ref t + sig ref ) 2 1 VsigVref cos( sig + ref t + sig + ref ) 2
92
Deteccin sensible a f D t i ibl fase
seal de inters seal de referencia
ref = sig :
1 1 V psd = VsigVreff cos( sig reff ) VsigVreff cos(2t + sig + reff ) d i i i i 2 2
LPF seal de DC proporcional a la amplitud de la seal de entrada
93
Lock-In Amplifier
1 Vout = VsigVref cos( sig ref ) 2
94
Lock-In Amplifier
Vref
sig = ref : Vout = VsigVref
1 2
Vsig VM
95
Lock-In Amplifier
Vref
sig ref = 90 : Vout = 0
Vsig VM
96
Lock-In Amplifier L k I A lifi
1.4 Tcnica generales 4 as Modulacin mediante una seal cuadrada
97
Lock-In Amplifier L k I A lifi
Mezclador
Modulacin mediante una seal cuadrada
98
Lock In Lock-In Amplifier

99
Lock-In Lock In Amplifier
J. Wei et al., Implementation and Characterization of a femto-Farad Capacitive Sensor for pico-Liter Liquid Monitoring, Eurosensors09, pp. 120-123, 2009. 100
Lock-In Lock In Amplifier de doble fase

1 Vout1 = VsigVref cos 2
1 Vout 2 = VsigVref sin 2
101

Medicin de impedancias
102

Medicin de impedancias
A Yfera et al., An Integrated Circuit for Tissue Impedance Measure, EMBS02, pp. 88-93, 2002.
103
Tema 1: Introduccin

104
El diseo de circuitos de acondicionamiento requiere de un modelo adecuado d l sensores. d l d d de los

1.5 Modelado de sensores M o
Si el sensor no es elctrico la solucin ms prctica es modelarlo mediante un sistema equivalente en el dominio elctrico, de modo que el sistema completo pueda analizarse mediante simuladores estndar para circuitos p como SPICE. Tambin es posible recurrir a modelos comportamentales para modelar sistemas no-elctricos en SPICE.
105
TERMISTOR RESISTOR SENSIBLE A TEMPERATURA

NTC PTC
-t
+t
106

NTC
-t
* R = R e B (1/ T 1/ T0 ) T 0 R0: resistencia a la temperatura de referencia [] T0: temperatura de referencia [K] B: constante del material [K]
* Modelo vlido en un rango de temperaturas limitado
107

NTC
RT = R0 e B (1/ T 1/ T0 )
-t
Modelo SPICE
.SUBCKT NTC_10K_1 1 2 4 5 ETHERM 1 3 VALUE = { I(VSENSE)*10K*EXP( 3548/(V(4 5)+273) - 3548/(25+273) ) } 3548/(V(4,5)+273) VSENSE 3 2 DC 0 .ENDS
108
EFECTO HALL
VH = 0
VH
E H = v B
VH: voltaje Hall [V] w: anchura entre los electrodos d l sensor [ ] h t l l t d del [m] v: velocidad de los portadores de carga [m/s] B: campo magntico (eje Y) [T]
VH = wvB
E. Ramsden, Hall-Effect Sensors, Elsevier, 2006.
109
SENSOR DE EFECTO HALL
Formas comunes de los sensores de efecto Hall Aplicaciones
E. Ramsden, Hall-Effect Sensors, Elsevier, 2006. Hall-effect sensing and application, Honeywell MICROSWITCH Sensing and Control.
110

VB+ VH+ VH-
VB-
S: sensibilidad (V/B x I) [V/G] B: campo magntico [G] RIN: resistencia de entrada [] ROUT: resistencia de salida []
111
112
ISFET Ion-Sensitive Field Effect Transistor

P. Bergveld, Thirty years of ISFETOLOGY What happened in the past 30 years and what may happen in the next 30 years, Sensors and Actuators B, vol. 88, pp. 1-20, 2003.
113
J.Molina al., Fabricacin, J Molina et al Fabricacin montaje y caracterizacin de ISFETs, IX Workshop IBERCHIP, 2003. P. Bergveld, Thirty years of ISFETOLOGY What happened in the past 30 years and what may happen in the next 30 years, Sensors and Actuators B, vol. 88, pp. 1-20, 2003. 114
CGouy
8 w kTcbulk 2VT
C Helm =
IHP OHP WL OHP d IHP + IHP d OHP
S. Martinoia, A behavioural macromodel of the ISFET in SPICE, Sensors and Actuators B, vol. 62, pp. 182-189, 2000.
115
Tema 1: Introduccin

116
Diseo especfico para cada sensor: 1.6 Un niversal Sensor In S nterface Elevado costo no recurrente Ciclos de desarrollo largos Largo plazo de comercializacin
Interfaz Universal: Bajo costo j Versatilidad
117
1.6 Un niversal Sensor In S nterface
K.L. Kraver et al., A mixed-signal sensor interface microinstrument, Sensors and Actuators A, vol. 91, pp. 266-277, 2001.
118
X. Li et al., A High-Performance Universal Sensor Interface, Sensors for Industry Conference (Sicon), pp. 19-22, 2001.
119
Universal Transducer Interface, SMARTEC.
3.1mm x 2.1mm
120
V. Mattoli et al., A Universal Intelligent System-on-Chip Based Sensor Interface, Sensors, pp. 7716-7747, 2010.
?
121
V. Mattoli et al., A Universal Intelligent System-on-Chip Based Sensor Interface, Sensors, pp. 7716-7747, 2010.
TEDS: Transducer Electronic Data Sheet

122
IEEE 1451.4 Standard Overview http://zone.ni.com/devzone/cda/tut/p/id/3469 http://zone ni com/devzone/cda/tut/p/id/3469
TEDS par un acelermetro
123
Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos ESTNDAR IEEE 1451
STIM: Smart Transducer Interface Module - TEDS - Acondicionamiento de la seal - Conversin a digital
NCAP: Network Capable Application Processor - Comunicacin entre el bloque STIM y la red - Comunicacin con otros NCAPs - Conversin de la lectura de los sensores a unidades SI (interpretacin datos TEDS) - Alimentacin
124
Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos ESTNDAR IEEE 1451
El NCAP inicia la comunicacin activando un STIM El STIM responde con una seal de reconocimiento El STIM puede interrumpir al NCAP si se produce una excepecin (error de hardware, fallo de calibracin, fallo de autotest)
125
L. Bissi et al., Environmental monitoring system compliant with the IEEE 1451 standard and featuring a simplified transducer interface, Sensors and Actuators A, vol. 167, pp. 175-184, 2007. 126
Tema 1: Introduccin

127

[1] Electronic interfaces C Falconi et al Sensors and Actuators B vol 121 pp 295interfaces, C. al., B, vol. 121, pp. 295 329, 2007. [2] Analog Circuits for Sensors, B. J. Hosticka, 37th European Solid State Device Research Conference, pp. 97-102, 2007. [3] Smart Sensor Systems, ed. By G.C.M. Meijer, John Wiley and Sons, 2008. [4] Electronic Noise and Interfering Signals. Principles and Applications., G. Vasilescu, Springer.
1.7. Bib bliografa a
[5] Dynamic Offset Compensated CMOS Amplifiers, J F Witte K A A Makinwa J H Dynamic Amplifiers J.F. Witte, K.A.A. Makinwa, J.H. Huijsing, Springer. [6] High-Accuracy CMOS Smart Temperature Sensors, A. Bakker, J. Huijsing, Springer, 2000. [7] Practical design techniques for sensor signal conditioning, Walt Kester, Analog Devices Technical Reference Books, Prentice Hall, 1999. [8] About Lock-In Amplifiers, Applications Note #3 SRS (Stanford Research Systems) http://www.thinksrs.com/downloads/PDFs/ApplicationNotes/AboutLIAs.pdf htt // thi k /d l d /PDF /A li ti N t /Ab tLIA df [9] Designing Smart Sensors in Standard CMOS, K. Makinwa, 33th European Solid-State Circuits Conference, 2007. [10] An Overview of the IEEE-P1451 2 Smart Transducer Interface Module S P Woods IEEE-P1451.2 Module, S.P. et al., Analog Integrated Circuits and Signal Processing, vol. 14, pp. 167-177, 1997.
128

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Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

1.7 Bibliografa 1 7 Bibli f

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

1.7 Bibliografa 1 7 Bibli f

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Mecnica Trmica Magntica Elctrica ptica Qumica

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

T [c1 x1 (t ) + c2 x2 (t )] = c1T [ x1 (t )] + c2T [ x2 (t )]

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

1.1. Seales y sistemas s

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

1.1. Seales y sistemas s

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

1.1. Seales y sistemas s

Sistema de acondicionamiento clsico

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

1.1. Seales y sistemas s

Sistema de acondicionamiento con salida cuasi-digital cuasi digital

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

1.1. Seales y sistemas s

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

1.1. Seales y sistemas s

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

1.1. Seales y sistemas s

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

1.1. Seales y sistemas s

e( xin ) = yout ( xin ) yout ,ideal ( xin )

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

1.1. Seales y sistemas s

yout ( xin ) yout ,ideal ( xin ) yout ,ideal ( xin )

Esta definicin slo tiene sentido si se cumple:

yout ( xin ) yout ,ideal ( xin ) << yout ,ideal ( xin )

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

1.1. Seales y sistemas s

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

e AVG ( xin ) = E[Yout ( xin )] yout ,ideal ( xin )

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

e AVG ( xin ) = E[Yout ( xin )] yout ,ideal ( xin )

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

e AVG ( xin ) = E[Yout ( xin )] yout ,ideal ( xin )

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

e AVG ( xin ) = E[Yout ( xin )] yout ,ideal ( xin )

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

1.1. Seales y sistemas s

La sensibilidad depende del punto de operacin Q.

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

1.1. Seales y sistemas s

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

1.1. Seales y sistemas s

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

1.1. Seales y sistemas s

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

1.7 Bibliografa 1 7 Bibli f

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Fiabilidad Componentes parsitas mnimas y

K. Makinwa, Designing Smart Sensors in Standard CMOS, ESSCIRC 2007.

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

K. Makinwa, Designing Smart Sensors in Standard CMOS, ESSCIRC 2007.

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

ptimas para sensores y para los circuitos. Mayor rendimiento rendimiento.

Acondicionamiento de sensores resistivos y capacitivos

Ensamblado costoso y no fiable. Nmero limitado de conexiones