LABORATORIO N 1 - CARACTERIZACIN DE UNA CLULA SOLAR DE SILICIO MONOCRISTALINO, MAYO 2012.

Caracterizacin de una clula solar de silicio monocristalino

Alumnos: Fernando Angel Liozzi (41878), Ricardo Fonseca (97022) Profesores: Tit-1 Dr.-Ing. Kurt Taretto, ASD-1 Ing. Marcos Soldera Facultad de Ingeniera Universidad Nacional del Comahue Informe de Laboratorio n 1 - Energa Fotovoltaica

I.

IntroduccIn

160m 140m 120m 100m

120m 105m 90m 75m

n la actualidad una gran cantidad de dispositivos electrnicos necesitan autonoma, y para lograrla requieren una fuente de alimentacin independiente. Si bien existen muchas alternativas Fig. 1. Panel solar. de fuentes de alimentacin, las clulas solares pueden lograr tensiones y corrientes elctricas adecuadas para muchos sistemas, y a la vez poseer dimensiones y pesos apropiados. Es importante destacar el bajo impacto ambiental que producen las clulas solares por ser fuentes de energas renovables. Para poder hacer un ptimo uso de esta tecnologa, es importante que las clulas solares posean alta eficiencia, confiabilidad, durabilidad y ser econmicas. La Fig. 1 muestra una ilustracin CAD de un panel solar constituido por varias clulas solares. En este laboratorio experimental se trabaj sobre una clula solar de silicio monocristalino de 4.22 cm2 utilizando un reflector de diodos led cuya corriente mxima de trabajo es de 700 mA, considerando que para dicha corriente incide sobre la clula una potencia lumnica de 21.6 mW/cm2. En base a las mediciones realizadas, se determinaron su resistencia serie, resistencia paralelo, las idealidades n1 y n2, la tensin en vaco, la corriente de cortocircuito y el rendimiento en condiciones de mxima iluminacin posible con el equipamiento disponible. Con las estimaciones de los parmetros y el circuito equivalente se simul la dependencia de las curvas con la variacin de la temperatura.

60m 40m 20m 0 -20m -40m

45m 30m 15m 0 -15m -30m 1.0

-2.0

-1.5

-1.0

-0.5

0.0

0.5

Tensin, V [V] Fig. 2. Curvas ajustadas de tensin/corriente bajo iluminacin (celeste), curva de tensin/potencia (verde) de una clula solar de A=4.22 cm2. Los puntos corresponden a las mediciones experimentales. En rojo se muestra un ajuste lineal para obtener la resistencia en paralelo Rp.

plcita I = I (V) . Si consideramos (1) como funcin de todos los parmetros y variables, es decir, F ^V, I, n1, n2, RS, RP, I01, I02, I fotoh , podemos generar ternas experimentales de la forma ^Vi, Ii, 0h tales que la funcin objetivo cumpla F ^Vi, Ii, n1, n2, RS, RP, I01, I02, I fotoh = 0 , y estimar los parmetros. Una forma de hacerse es minimizando la suma de los errores f = / F ^Vi, Ii, n1, n2, RS, RP, I01, I02, I fotoh
i 2

II.

curva tensIn-corrIente bajo IlumInacIn

Los parmetros que se extraen de la curva de tensin/corriente son la eficiencia h, el factor de forma FF, la corriente de cortocircuito y la tensin de circuito abierto. Analizando los datos, se pueden obtener las resistencias serie y paralelo Rs y Rp, los factores de idealidad n1 y n2, las corrientes de saturacin I01 y I02, as como tambin h y FF [1]. La ecuacin de la curva real de tensin/corriente de la clula solar est dada por I = I01 ^e n V - 1h + I01 ^e n V - 1h + A B B B IB B B C A B B B IB B B C B B
V - I RS
1 t 1

aplicando el mtodo de multiplicadores de Lagrange. En estas condiciones, la estimacin de los parmetros se

TABLA I valores estImados de los parmetros de (1) @ t=24 c. r2=99.9% Parmetros Idealidad 1 Idealidad 2 Resistencia Serie Resistencia Paralelo Corriente de saturacin 1 Corriente de saturacin 2 Fotocorriente n1 n2 RS RP I01 I02 Ifoto Estimacin 0.974(4) 3.04(8) 0.86(1) W 3.0(7) $ 102 W 9.8(7) $ 10-12 A 2(1) $ 10-5 A 13.1(6) mA Error Rel. % 0.411% 2.63% 1.2% 23% 7.1% 50% 4.58% 1

V - I RS
2 t 2

V - I RS - I foto RP

(1)

La ecuacin (1) es una relacin funcional implcita en las variables tensin/corriente, y no puede escribirse de forma ex-

Potencia, P [W]

Corriente, I [A]

80m

60m

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1 t 2 t 2 |2 = / 8wx _ xi - xi i + wy _ yi - yi i B ; donde wi = v i i=1

n
i i

Corriente, I [A]

muestra en la Tabla I, el nmero entre parntesis representa la incertidumbre en la ltima cifra. El error relativo porcentual se obtiene como Dx x $ 100 % . Para la estimacin, se usaron las incertidumbres en las medidas de tensin y corriente, calculadas a partir de las ecuaciones que provee el fabricante de los instrumentos en el manual del usuario. Al tratar a las incertidumbres (si) como pesos [4], la ecuacin chi-cuadrado a minimizar es

100m

RS

10m

n1
1m

100

n2

Debido a que la resistencia paralelo es suficientemente alta su valor puede obtenerse sin mayor error directamente de la pendiente de la curva de tensin/corriente de acuerdo a su pendiente alrededor de V=0 [1]. Sin embargo, RP es ms difcil de estimar cuanto mayor es. dI R P 1 = dV
V"0

10

(2)

1 0

RP
500m

Para el ajuste de la curva tensin/corriente alrededor de V=0, se utiliz un ajuste lineal, de la forma
I = R P1 $ V + b

As se obtiene directamente el valor RP y su incertidumbre RP = 29 (2) $ 101 X En este ajuste se logr un R2=97.2 %. Para hacer el ajuste se utilizaron slo 8 de un total de 28 puntos experimentales. El error relativo porcentual mediante este ajuste local es del 6.9 % mientras que para el valor calculado de RP mostrado en la Tabla I, el error relativo porcentual es del 23 %, si bien es cierto que hay ms dispersin en esta medicin, hay que tener en cuenta que en ella se ha utilizado ms informacin para la estimacin y su valor es ms confiable. El valor de la potencia mxima corresponde al valor absoluto del mnimo de la curva de potencia mostrada en la Fig. 2 en color verde. En la Fig. 3 se muestran los valores de potencia en escala positiva; y se enfatiza el punto de mxima potencia.
0 0.0

Fig. 4. Curva de tensin/corriente a oscuras. En rojo se muestra la curva de ajuste de los puntos experimentales mediante (1). En verde un ajuste lineal local, en las zonas de influencias de las idealidades. Las regiones sombreadas corresponden a la zona de influencia del parmetro especificado.

Tensin, V [V]

Usando la curva estimada y minimizando, obtenemos Pmx = 3.6 mW

^V = 0.36 V; I = 10 mAh

de esta manera el rendimiento mximo es P h = P m$xA $ 100% = 4.0 % foto La corriente de cortocircuito ISC = 13.02 mA y la tensin de vaco VSC = 489.2 mV . Suponiendo una dependencia lineal entre la potencia lumnica absorbida y la corriente de cortocircuito, podemos inferir la Isc a 100 mW/cm2. ISC _21.6 mW cm2 i = 13.2 mA ISC _100 mW cm2 i = 60.3 mA

-2m

VOC

1.1m

A modo comparativo, una clula de silicio policristalino expuesta a una iluminacin normal de 100 mW/cm2 entrega 38.1 mA/cm2 [3]. La clula utilizada posee un rea de 4.22 cm2, que implica una corriente ISC = 161 mA .
TABLA II valores estImados de los parmetros @ t=24 c. Parmetros Idealidad 1 Idealidad 2 Resistencia Serie Resistencia Paralelo Corriente de saturacin 1 n1 n2 RS RP I01 I02 Ifoto Estimacin R2=99.9% a 0.98(1) [1.0 %] 3.22(9) [2.80 %] 0.87(6) W [6.90 %] 6.8(3) $ 102 W [4.4%] 9.8(7) $ 10-12 A 2(1) $ 10-5 A 0Ab Lineal. R2=99.99% 2.55(6) [2.35 %] 4.32(8) [1.85 %]

-4m

2.1m

-6m

3.2m

-8m

Pmx

3.6m 4.3m

-10m

5.4m

-12m

ISC

6.4m

Potencia, P [W]

Corriente, I [A]

-14m

0.0

7.5m 0.5

Corriente de saturacin 2 Fotocorriente

a b

Tensin, V [V] Fig. 3. Grfico correspondiente al tercer cuadrante de la Fig. 2 se ha modificado la escala para su mejor visualizacin. Se muestran la potencia en escala positiva.

Estimacin mediante (1). Para realizar el ajuste se asigna Ifoto =0 A, por ser la curva a oscuras. 2

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III.

curva tensIn-corrIente en oscurIdad

600m

Tensin de circuito abierto, VOC [V]

El anlisis de las curvas e tensin/corriente mediante grficos semilogartmicos permite distinguir las diferentes componentes de (1) excepto Ifoto que es cero. Haciendo un anlisis similar al que se hizo para la curva tensin/corriente iluminada, se obtiene la curva de ajuste de los puntos experimentales, mostrada con color rojo en la Fig. 4. En este ajuste de (1) se asigno el valor cero a Ifoto. Tambin puede hacerse una estimacin de las idealidades de forma localizada dentro de su zona e influencia mediante un ajuste lineal. Suponiendo que exp (V n $ Vt) & 1 y despreciando el efecto de RS, podemos escribir 1 ln ^ I h = ln ^ I0h + n $ V $ V t De esta manera ln(I) es una funcin lineal de V. Ajustando localmente mediante esta expresin, se obtienen directamente los valores estimados de n y Vt con sus respectivas incertidumbres. El hacer el ajuste con ambas rectas vinculadas, tambin se delimita la zona de influencia de cada idealidad. Se han usado para el ajuste las incertidumbres tomadas en las mediciones de tensin y corriente como se describi con anterioridad. La Tabla II muestra los valores resultados de los ajustes por ambos mtodos. Los valores entre corchetes representan los errores relativos porcentuales.

500m

n1
400m

300m

200m

100m

n2
0

-100m

-11

-10

-9

-8

-7

-6

-5

-4

Fig. 6. Tensin Voc vs Ln(|Isc|). En rojo se muestra la curva de ajuste completa, en verde el ajuste lineal localizado para cada idealidad.

Ln(|Isc|)

Iv.

curva voc vs Isc

La curva VOC vs ISC debe obtenerse iluminando la clula con distintos niveles de iluminacin (por ejemplo utilizando filtros de distinta transmitancia delante de la clula), sin alterar el espectro de iluminacin. El ajuste de los datos experimentales se realiz con (1) al hacer I=0. En esta condicin, la resistencia RS no interviene en VOC, pero s la resistencia paralelo RP. Los valores estimados mediante este mtodo se muestran en la Tabla III. La curva ajustada se muestra de color rojo en la Fig. 6.

Otra forma sera analizar la curva de tensin/corriente en una tensin V* que verifique V*>>Vt, de forma tal que la influencia de Rp resulte despreciable. Adems supondremos que la fotocorriente no depende de la tensin, es decir Ifoto(V*)=-ISC. Obtenemos entonces I = I0 $ e
V* - I $ R S nid $ Vt

- ISC

(2)

cuya derivada respecto de la corriente es dV* -1 i dI = RS + nid Vt _ ISC + IB S S SAB B B B C a b x y (3)

500m

Tensin de circuito abierto, VOC [V]

400m

300m

vemos que dV*/dI vara de forma lineal respecto de (|ISC|+I)-1, ya que tiene la forma de una ecuacin lineal de la forma y = a + b $ x. En la Fig. 7 se muestra la estimacin lineal de (3), que se hace fijando el valor de la pendiente b=(nid.Vt ) y slo se estima la ordenada al origen a=RS. Para la estimacin se utilizaron slo 4 puntos ya que se dispona de muy pocas mediciones en esta zona de influencia de la resistencia serie RS.
TABLA III valores estImados de los parmetros @ t=24 c. Parmetros Idealidad 1 n1 n2 RS RP I01 I02 Ifoto 682.207(2) W 9.8(7) $ 10-12 A 2(1) $ 10-5 A Estimacin R2=99.9% a 1.0(3) [30 %] 3.2(7) [22 %] Lineal. R2=99.99% 2.0(3) [15 %] 3.91(6) [1.53 %] 0.8(1) [13 %]

200m

100m

Idealidad 2 Resistencia Serie Resistencia Paralelo

0 -14m

Corriente de saturacin 1

-12m

-10m

-8m

-6m

-4m

-2m

Fig. 5. Curva Voc vs Isc. Se muestra en rojo la curva ajustada de los datos experimentales (puntos azules) mediante (1) al hacer I=0 y considerar . Ifoto=-ISC.

Corriente de cortocirtuito, ISC [A]

Corriente de saturacin 2 Fotocorriente

a

Estimacin mediante (1) al hacer I=0 y considerar Ifoto=-ISC. 3

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2.2 2.0 1.8 1.6

18.0m 16.0m 14.0m 12.0m

Iilum/offset-Ioscuras, I [A]

10.0m 8.0m 6.0m 4.0m 2.0m 0.0

dV*/dI

1.4 1.2 1.0 0.8 0.6

-2.0m

-2.0

-1.5

-1.0

-0.5

0.0

0.5

1.0

10

20

30

40

50
-1

60

70

80

Tensin, V [V]
Fig. 9. Comparativa entre las curvas de tensin/corriente a oscuras y bajo iluminacin mediante la diferencia de las curvas mostrada en la Fig. 8

Fig. 7. Ajuste mediante (3) para la estimacin de la resistencia serie RS. La pendiente de la recta es fija (nid.Vt ) y slo se estima la ordenada al origen. El ajuste se realiza considerando slo la zona de influencia de RS (para dicha zona slo disponamos de 4 puntos).

(ISC+I)

ISC VOC = nid $ ln e I o 0 cuya derivada respecto de ln(|ISC|) est dada por dVOC = nid $ Vt d ln _ ISC i

La ordenada al origen de esta expresin es directamente el valor de la resistencia serie RS, y se puede calcular siempre y cuando el valor de la idealidad nid sea conocido. Si no se conoce nid puede obtenerse mediante una medicin de la curva de VOC vs |ISC|, la cual permite extraer directamente nid porque las resistencias no intervienen en VOC, ISC. Evaluando (2) en I=0, es decir, V=VOC y despejando para VOC, hallamos

De acuerdo a esta expresin, una regin lineal de la curva VOC vs ln(|ISC|) tiene una pendiente dada por nid.Vt, de la cual extraemos nid (consideramos n1). El ajuste mediante esta expresin se muestra con rectas verdes en la Fig. 6, y los parmetros estimados en la Tabla III.

v.
140m 120m 100m

comparatIva de las curvas tensIn-corrIente

en oscurIdad e IlumInacIn

Corriente, I [A]

80m 60m 40m 20m 0 -20m -2.0 -1.5 -1.0 -0.5 0.0 0.5 1.0

En la Fig. 8 se superponen las curvas de tensin/corriente en oscuridad (azul) e iluminacin (roja), a esta ltima se la tiene que desplazar ya que la curva iluminada no pasa por cero. La Fig. 9 muestra la diferencia de estas curvas. Para valores de tensiones mucho mayores a Vt, se aprecia una leve diferencia entre las curvas que supone una dependencia de la fotocorriente con la tensin, pero es sutil y no se comete mayor error al suponer que no existe dependencia. Esta suposicin se utiliz anteriormente para obtener el valor de RS de la medicin de la curva de tensin/corriente.

vI.

tensIn trmIca

La tensin trmica se define como k$T Vt _ q

Tensin, V [V]
Constante de Boltzmann Carga elemental Temperatura Kelvin k q T 1.3806488(13) x 10-23 J K-1 1.602176565(35) x 10-19 C 273.15+(t [C])

Fig. 8. Comparativa entre las curvas de tensin/corriente a oscuras (azul) y bajo iluminacin (rojo). La curva bajo iluminacin fue desplazada verticalmente una cantidad +Ifoto (offset). De esta forma se superponen para comparacin. Se han graficado los valores experimentales unidos por lneas.

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Rs Ifoto D1 D2

Vt = 25.61 (28) mV Vt = 25.6 (3) mV

Carga

Rp

Fig. 10. Circuito equivalente de la clula solar completo para simulacin spice.

Al trabajar con estas constantes y su incertidumbre asociada, el NIST (Instituto Nacional de Estndar y Tecnologa) recomienda tratar la propagacin de incertidumbres de la siguiente manera n 2f 2 u c2 _ y i = / d 2x n u2 _ xi i i i=1 donde uc es la incertidumbre estndar combinada, que representa el desvo estndar de la incertidumbre, para una estimacin del mensurando Y denotado por y. Donde Y=f(X1, X2, ..., Xn) y y=f(x1, x2, ..., xn). Y las variables xi son independientes entre s [2]. En nuestro laboratorio se utiliz un sensor de temperatura por termocupla K. Dicho instrumento seala una incertidumbre en la medida de ! _1 % + 3 C i , que corresponde al 1 % de la lectura (error relativo) ms 3 C. Considerando k Vt _ k, q, t i = q $ _273.15 + t i podemos evaluar su valor para las constantes y la temperatura de trabajo con su incertidumbre estndar combinada.
2 2 b 5463 + t l Dk 2 k2 b 5463 + t l Dq 2 20 20 k 2 Dt 2 + + 2 4 2 q q q

La incertidumbre estndar combinada es del orden de la dcima de milivoltio. La mayor incertidumbre es aportada por el instrumento de medicin de temperatura, por lo que podra haberse tratado a las constantes como valores exactos y los valores anteriores seran los mismos.

vII.

condIcIones de experImentacIn

El receptculo donde se encuentra la clula solar se mantiene en completa oscuridad con respecto al entorno, tanto para la medicin a oscuras como para la medicin bajo iluminacin controlada. Se realiz la experimentacin a temperatura ambiente no controlada y con poca precisin en la medicin; la iluminacin fue provista por diodos LED. Los instrumentos de medicin de tensin y corriente poseen una precisin elevada, sobre todo el ampermetro. Se han tomado suficientes datos para poder hacer un anlisis estadstico aceptable sobre las curvas de tensin/corriente, no as para la curva de tensin a circuito abierto contra corriente de cortocircuito. Se utiliz una fuente de tensin regulada comn, pero se desconoce su estabilidad en la tensin suministrada, y su ripple; la cual se variaba mediante un potencimetro de elevada resolucin.

vIII.

InfluencIa de la temperatura por sImulacIn spIce

DVt =

Nuestra temperatura de trabajo fue constante e igual a 24(3) C, as obtenemos

0.0

-5.0m

>T
-10.0m

Mediante los parmetros estimados con (1) mostrados en la Tabla I, se implement el circuito elctrico equivalente completo de la clula solar (ver Fig. 10) para predecir su dependencia con la temperatura. Se defini para este circuito un modelo spice simple para nuestros diodos con los valores obtenidos de I01, I02, n1 y n2, y se corri un anlisis paramtrico variando la temperatura. La forma de definir este modelo para el diodo D1 es p. ej. .model D1 D(Is=9.8pA N=0.974 )1, los dems parmetros los ajusta el software con valores tpicos para un diodo de silicio. El modelado del diodo y su dependencia con la temperatura est implementado en el software2 de simulacin spice utilizado. Este modelo spice es el estndar de Berkeley3 extendido para manejar con ms detalle el comportamiento en la regin de ruptura y la recombinacin de corriente. Se aprecia un leve aumento en la corriente de cortocircuito ISC y una disminucin de la tensin de circuito abierto VOC; debido a esto no se mejora la potencia entregada de la clula solar. Estas curvas se presentan en la Fig. 11. El circuito equivalente de la Fig. 10 se podra utilizar para la simulacin de cualquier circuito que haga uso de clulas solares (ya sea conectadas en serie o paralelo), como por ejemplo
1 Informacin sobre el modelo del diodo, disponible en LTwiki: http://ltwiki.org/index.php?title=D_Diode 2 Se utiliz LTspice IV que se puede descargar gratuitamente de la pgina de Linear Technology: http://ltspice.linear.com/software/LTspiceIV.exe 3 El artculo est disponible en: http://bwrc.eecs.berkeley.edu/icbook/ AdditionalMaterial/diode.pdf 5

Corriente, I [A]

-15.0m

-0.2

-0.1

0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

Fig. 11. Variacin de la curva tensin/corriente bajo iluminacin al variar la temperatura. Determinadas mediante la simulacin spice del circuito de la Fig. 9 con los valores estimados de los parmetros de (1).

Tensin, V [V]

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paneles solares.

Ix.

conclusIones

Se ha podido caracterizar una clula solar de manera aceptable, permitiendo observar el comportamiento real y la estimacin de sus parmetros con errores relativamente bajos segn el mtodo empleado. El rendimiento tpico de las clulas solares monocristalinas ronda el 15%. En nuestra caracterizacin obtuvimos un rendimiento del 4%, que est por debajo del valor tpico, sin embargo hay que tener en cuenta que se utilizaron diodos led para la iluminacin, cuyo espectro no es igual al espectro solar. Se comprob que la resistencia serie y paralela de la clula estudiada se encuentra dentro del rango de las clulas comerciales; las cuales muestran en general RS # A < 10 X $ cm2 , y RP # A > 1 kX $ cm2 dado que los valores obtenidos son de 3.67 X $ cm2 y 1.26 kX $ cm2 respectivamente. Los valores de las idealidades estimados estn de acuerdo a los valores tpicos encontrados para clulas de silicio. Mediante simulacin spice del modelo elctrico completo de la clula solar con los parmetros estimados, se muestra que la tensin de vaco VOC es sensible a los cambios de temperatura y su desviacin es mayor en relacin a la corriente de cortocircuito ISC, lo que implica, que la potencia que suministra la celda disminuye. Se han utilizado mtodos tradicionales para la caracterizacin, habiendo algunos que hacen uso de la derivacin numrica. Para una correcta derivacin numrica es necesario disponer de una mayor cantidad de datos experimentales de la que disponamos.

referencIas
[1] Kurt Taretto, Las clulas solares y sus fundamentos: Principios de funcionamiento y criterios de diseo, primera ed. Editorial Acadmica Espaola, 30 de Marzo de 2012, ISBN-10: 3847367803 , ISBN-13: 978-3847367802. [2] B. N. Taylor and C. E. Kuyatt, Guidelines for evaluating and expressing the uncertainty of nist measurement results, NIST, Tech. Rep., 1994, NIST Technical Note 1297. [3] Green, M. A., Emery, K., King, D. L., Igari, S. and Warta, W. (2003), Solar cell efficiency tables (version 21). Prog. Photovolt: Res. Appl., 11: 3945. doi: 10.1002/pip.47. [4] G. Fasano and R. Vio, Fitting straight lines with errors on both coordinates, Newsletter of Working Group for Modern Astronomical Methodology, No. 7, 2-7, Sept. 1988.