LABORATORIO N 2 - CARACTERIZACIN DE UNA CLULA SOLAR EN FUNCIN DE LA TEMPERATURA, JUNIO 2012.

1
I. IntroduccIn
E
l rendimiento de las
clulas fotovoltaicas
se ve afectado en gran me-
dida por las variaciones de
temperatura. El aumento de
temperatura en las clulas
supone un incremento en
la corriente, pero al mismo
tiempo una disminucin mucho mayor, en proporcin, de la
tensin. El efecto global es que la potencia del panel disminuye
al aumentar la temperatura de trabajo del mismo, y con ello la
efciencia. Una radiacin de 1000 W/m
2
es capaz de calentar un
panel al menos 30 grados por encima de la temperatura del aire
circundante.
Una de las posibles soluciones a este problema, se ha encon-
trado en el desarrollado los paneles solares hbridos como el
que se muestra en la Fig. 1, que integran la energa solar foto-
voltaica y trmica en un nico panel solar. La idea es que el ex-
ceso de calor existente en las clulas fotovoltaicas se transfera
a un absorbedor de temperatura que calienta un fuido portador,
como en las aplicaciones de energa solar trmica. Se puede,
entonces, utilizar dicho calor para la produccin de agua ca-
liente, climatizacin, etc. en el caso de estar instalado en un
edifcio de viviendas, o para la refrigeracin del propio panel
fotovoltaico, mejorando as su rendimiento para la produccin
de electricidad.
Se midieron las caractersticas de tensin/corriente en una
clula de silicio monocristalino en funcin de su temperatura. A
partir de las curvas se determinaron los parmetros caracters-
ticos (h, V
OC
, I
SC
, FF) de la clula en funcin de la temperatura,
y su variacin incremental dx/dT, donde x es cada una de las
cuatro magnitudes sealadas.
II. consIderacIones experImentales
La clula a medir posee un rea de 4.22 cm
2
, y va montada
sobre una base de temperatura controlada mediante un elemen-
to Peltier y una fuente regulable entre 1 y 15 V, con una corrien-
te mxima de 7 A. La base posee una termocupla tipo K que
permite la medicin de temperatura mediante un multmetro.
La fuente de luz es una lmpara halgena, cuya distancia a la
clula se ajustar de manera tal que la clula de referencia su-
ministrada entregue una densidad de corriente de cortocircuito
de 28 a 30 mA/cm
2
. Debe tomarse la precaucin de no acercar
demasiado la lmpara a la clula produciendo su calentamiento,
el cual contrarrestara el efecto refrigerante de la base de tempe-
ratura controlada. Adems debe determinarse si la luz ambiente
infuye sobre las mediciones.
III. curvas tensIn/corrIente para dIstIntas tem-
peraturas
En la Fig. 2 se muestran las distintas curvas de tensin co-
rriente de una clula solar de silicio monocristalino al variar la
temperatura, manteniendo una potencia lumnica de 100 mW/
cm
2
. Podemos ver que a medida que la temperatura aumenta
los valores de V
OC
disminuyen y la corriente de cortocircuito
aumenta. La tensin de vaco V
OC
es sensible a los cambios de
temperatura y su desviacin es mayor en relacin a la corriente
de cortocircuito I
SC
, lo que implica que la potencia que suminis-
tra la celda disminuya, y con ello la efciencia.
A. Grfcos de los parmetros caractersticos de la
clula fotovoltaica
Los grfcos presentados en esta subseccin se realizaron a
partir de las curvas de tensin/corriente medidas; para las cua-
les se determinaron los puntos V
OC
, I
SC
, V
mpp
y I
mpp
para cada
valor de temperatura. Con estos valores se determinaron la ef-
Caracterizacin de una clula solar en funcin de la
temperatura
Alumnos: Fernando Angel Liozzi (41878), Ricardo Fonseca (97022)
Profesores: Tit-1 Dr.-Ing. Kurt Taretto, ASD-1 Ing. Marcos Soldera
Facultad de Ingeniera
Universidad Nacional del Comahue
Informe de Laboratorio n 2 - Energa Fotovoltaica
Fig. 1. Panel solar hbrido.
-0,1 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
-40,0m
0,0
40,0m
80,0m
120,0m
160,0m
200,0m
02 C
07 C
16 C
30 C
36 C
42 C
48 C
53 C
59 C
64 C
C
o
r
r
i
e
n
t
e
,
I
[
A
]
Tensin, V [V]
>T
Fig. 2. Curvas de tensin/corriente de una clula solar de silicio monocristali-
no al variar la temperatura.
LABORATORIO N 2 - CARACTERIZACIN DE UNA CLULA SOLAR EN FUNCIN DE LA TEMPERATURA, JUNIO 2012.
2
ciencia h, el factor de forma FF en funcin de la temperatura.
Las Fig. 3 a 6 muestran como los parmetros caractersticos
h, V
OC
, I
SC
y FF respectivamente, disminuyen al aumentar la
temperatura. Se muestra el ajuste lineal en cada caso y se indica
la razn de cambio dada por la pendiente de la recta.
Con los datos medidos, obtenemos a una temperatura de
289.15 K
.
.
I dT
dI
K
V dT
dV
K
1
5 987 10
1
3 161 10
SC
SC
OC
OC
4 1
3 1
#
#
=
=-
- -
- -
Los valores esperados a una temperatura de 300 K que se en-
cuentran en la literatura [1] para estas magnitudes relativas son
dT
dI
I K 6 10
SC
SC
4 1
# =
- -
y .
dT
dV
V K 2 8 10
OC
OC
3 1
# =-
- -
.
A pesar que las mediciones no fueron tomadas del espectro
solar, los resultados obtenidos son semejantes a los esperados.
Las leves diferencias en los valores se deben a que los parme-
tros V
OC
e I
SC
propios de la clula utilizada en el ensayo diferen
de los estndares.
En nuestra clula de silicio, para una temperatura de 300 K,
tenemos un V
OC
= 555.2 mV, con el decremento diferencial ob-
tenido . dV dT mV K 1 82
OC
1
$ =-
-
, a una temperatura de 340 K,
esta pendiente implicara una reduccin de la tensin de circui-
to abierto al valor V
OC
= 482.4 mV, un 13.1 % menor al valor
inicial. Esta reduccin de V
OC
reduce la efciencia en un 16.8 %.
0 10 20 30 40 50 60 70
4,6
4,8
5,0
5,2
5,4
5,6
5,8
6,0
6,2
1 4
10 ) 7 ( 30 . 2

= C
dT
d
E
f
i
c
i
e
n
c
i
a
,

[
%
]
Temperatura, T [C]
Fig. 3. Variacin de la efciencia h de una clula solar monocristalina al variar
la temperatura. En rojo se muestra la recta de ajuste de los datos experimentales.
0 10 20 30 40 50 60 70
0,48
0,50
0,52
0,54
0,56
0,58
0,60
T
e
n
s
i

n
d
e
v
a
c

o
,
V
O
C
[
V
]
Temperatura, T [C]
1 3
10 ) 1 ( 82 . 1

= C V
dT
dV
OC
Fig. 4. Variacin de la tensin de circuito abierto V
OC
de una clula solar mo-
nocristalina al variar la temperatura. En rojo se muestra la recta de ajuste de los
datos experimentales.
0 10 20 30 40 50 60 70
-62,5m
-62,0m
-61,5m
-61,0m
-60,5m
-60,0m
C
o
r
r
i
e
n
t
e
d
e
c
o
r
t
o
c
i
r
c
u
i
t
o
,
I
s
c
[
A
]
Temperatura, T [C]
1 5
10 ) 2 ( 6 . 3

= C A
dT
dIsc
Fig. 5. Variacin de la corriente de cortocircuito I
SC
de una clula solar mono-
cristalina al variar la temperatura. En rojo se muestra la recta de ajuste de los
datos experimentales.
0 10 20 30 40 50 60 70
0,64
0,65
0,66
0,67
0,68
0,69
0,70
0,71
1 3
10 ) 6 ( 06 . 1

= C
dT
dFF
F
a
c
t
o
r
d
e
F
o
r
m
a
,
F
F
Temeperatura, T [C]
Fig. 6. Variacin del factor de forma FF de una clula solar monocristalina al
variar la temperatura. En rojo se muestra la recta de ajuste de los datos expe-
rimentales.
LABORATORIO N 2 - CARACTERIZACIN DE UNA CLULA SOLAR EN FUNCIN DE LA TEMPERATURA, JUNIO 2012.
3
Iv. estImacIn de e
g
Para estimar E
g
, se tom el valor de V
OC
a la temperatura
ambiente (289.15 K) evaluando la recta de ajuste de V
OC
vs
temperatura, es decir
( ( ) ) ( ) V K mV 289 3 575 6
OC
=
Sabemos que la derivada de la tensin de vaco es
dT
dV
T
V
q
E
E q V T
dT
dV
OC
OC
g
g OC
OC
& $ $ ,
-
= -
b l
en la expresin anterior si dividimos por la carga elemental
(q), obtenemos la energa del gap (E
g
) en electronvolt.
Teniendo en cuenta que dV
OC
/dT=-1.82(1) V/C, obtenemos
para la energa del gap
. ( ) E eV 1 101 4
g
=
En la que se ha considerado el anlisis completo en la propa-
gacin de la incertidumbre.
La energa del silicio es de 1.12 eV a 300 K.
v. conclusIn
Se ha observado una dependencia lineal en los parmetros
caractersticos de la clula solar (h, V
OC
, I
SC
, FF) al variar la
temperatura.
Slo I
SC
mejora con el aumento de la temperatura, sin embar-
go V
OC
empeora en mayor medida y por consiguiente la poten-
cia entregada, el factor de forma y el rendimiento disminuyen
a medida que aumenta la temperatura; es muy importante tener
este hecho en cuenta en grandes paneles solares dado que repre-
sentan prdidas importantes.
Se comprob como un aumento en la temperatura de la clu-
la de unos 40 K, afecta en un -13.1 % el valor de la tensin de
circuito abierto, y a su vez esta reduccin de V
OC
afecta negati-
vamente la efciencia en un 16.8 %.
Se estim satisfactoriamente la energa del silicio a la tem-
peratura ambiente de trabajo (16 C) con un error relativo del
0.36%.
La luz ambiente no tuvo infuencia en la adquisicin de los
datos experimentales de forma signifcativa, ya que se midi en
una dcima de miliamper.
referencIas
[1] Kurt Taretto, Las clulas solares y sus fundamentos: Principios de funcio-
namiento y criterios de diseo, primera ed. Editorial Acadmica Espaola,
30 de Marzo de 2012, ISBN-10: 3847367803 , ISBN-13: 978-3847367802.
SetDirectory["D:\\SugarSync\\Fotovoltaica\\Lab 2\\Mathematica"];
l02C Import["02C.Dat"];
l07C Import["07C.Dat"];
l16C Import["16C.Dat"];
l30C Import["30C.Dat"];
l36C Import["36C.Dat"];
l42C Import["42C.Dat"];
l48C Import["48C.Dat"];
l53C Import["53C.Dat"];
l59C Import["59C.Dat"];
l64C Import["64C.Dat"];
temp {2, 7, 16, 30, 36, 42, 48, 53, 59, 64};
f
1
Interpolation[l02C, Method "Spline"];
f
2
Interpolation[l07C, Method "Spline"];
f
3
Interpolation[l16C, Method "Spline"];
f
4
Interpolation[l30C, Method "Spline"];
f
5
Interpolation[l36C, Method "Spline"];
f
6
Interpolation[l42C, Method "Spline"];
f
7
Interpolation[l48C, Method "Spline"];
f
8
Interpolation[l53C, Method "Spline"];
f
9
Interpolation[l59C, Method "Spline"];
f
10
Interpolation[l64C, Method "Spline"];
lF Table[f
i
[x], {i, 1, 10}];
Plot[lF, {x, 2 / 10, 68 / 100}]
-0.2 0.2 0.4 0.6
-0.06
-0.04
-0.02
0.02
0.04
0.06
Voc vs Temp
VOC Table[{tempi], x /. FindRoot[f
i
[x] 0, {x, 35 / 100}]1]}, {i, 1, 10}];
lVOC LinearModelFit[VOC, x, x];
Show[{ListPlot[VOC], Plot[lVOC[x], {x, 2, 64}, PlotStyle Red]}]
10 20 30 40 50 60
0.50
0.52
0.54
0.56
0.58
0.60
lVOC["ParameterTable"]
Print]"R
2
", lVOC["RSquared"]
Estimate Standard Error t-Statistic P-Value
1 0.604256 0.000554103 1090.51 5.5997110
-22
x -0.00181821 0.0000134552 -135.131 1.0057810
-14
R
2
0.999562
Export["VocVsTemp.Dat", VOC];
Isc vs Temp
ISC Table[{tempi], f
i
[0]}, {i, 1, 10}];
lISC LinearModelFit[ISC, x, x];
Show[{ListPlot[ISC], Plot[lISC[x], {x, 2, 64}, PlotStyle Red]}]
10 20 30 40 50 60
-0.0625
-0.0620
-0.0615
-0.0610
-0.0605
2 Lab 2. nb
lISC["ParameterTable"]
Print]"R
2
", lISC["RSquared"]
Estimate Standard Error t-Statistic P-Value
1 -0.0600641 0.0000697901 -860.638 3.7207910
-21
x -0.0000363084 1.694710
-6
-21.4246 2.370810
-8
R
2
0.98287
Export["IscVsTemp.Dat", ISC];
Potencia
lPot Table[x f
i
[x], {i, 1, 10}];
Plot[lPot, {x, .2, .68}]
-0.2 0.2 0.4 0.6
-0.02
0.02
0.04
Definiciones
pot[i_] : FindMinimum[x f
i
[x], {x, 5 / 10}];
Pmax[i_] : pot[i]1];
Vmpp[i_] : x /. pot[i]2];
Impp[i_] : f
i
[Vmpp[i]];
Isc[i_] : f
i
[0];
Voc[i_] : x /. FindRoot[f
i
[x] 0, {x, 35 / 100}]1];
[i_] :
Abs[Pmax[i]]
100
1000
422
100
100;
FF[i_] :
Vmpp[i] Impp[i]
Voc[i] Isc[i]
eta Table[{tempi], [i]}, {i, 1, 10}];
leta LinearModelFit[eta, x, x];
FaFo Table[{tempi], FF[i]}, {i, 1, 10}];
lfafo LinearModelFit[FaFo, x, x];
Lab 2. nb 3
Rendimiento h vs Temp
Show[{ListPlot[eta], Plot[leta[x], {x, 2, 64}, PlotStyle Red]}]
10 20 30 40 50 60
4.8
5.0
5.2
5.4
5.6
5.8
6.0
leta["ParameterTable"]
Print]"R
2
", leta["RSquared"]
Estimate Standard Error t-Statistic P-Value
1 6.09711 0.0298217 204.452 3.6659210
-16
x -0.0230207 0.000724156 -31.7896 1.0437710
-9
R
2
0.992146
Export["EtaVsTemp.Dat", eta];
Factor de Forma FF vs Temp
Show[{ListPlot[FaFo], Plot[lfafo[x], {x, 2, 64}, PlotStyle Red]}]
10 20 30 40 50 60
0.65
0.66
0.67
0.68
0.69
0.70
lfafo["ParameterTable"]
Print]"R
2
", lfafo["RSquared"]
Estimate Standard Error t-Statistic P-Value
1 0.709756 0.00260871 272.072 3.7288810
-17
x -0.00105773 0.0000633469 -16.6974 1.6740910
-7
R
2
0.972106
4 Lab 2. nb
Export["FFVsTemp.Dat", FaFo];
Valores relativos
dV
OC
dT
V
OC
-1
y
dI
SC
dT
I
SC
-1
lVOC'[16] / lVOC[16]
0.0031612
lISC'[16] / lISC[16]
0.000598704
Ejemplificacin
Reduccin de V
OC
porcentual
lVOC[27]
0.555164
lVOC[67]
0.482436
lVOC[27] lVOC[67]
lVOC[27]
100
13.1004
Reduccin de la eficiencia h porcentual
leta[27]
5.47555
leta[67]
4.55473
leta[27] leta[67]
leta[27]
100
16.817
Lab 2. nb 5