TEMA 6

Tecnologa y fabricacin de CIs F. Procesos de grabado y litografa

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I. Introduccin: Grabado y litografa

Los procesos de grabado, limpieza y litografa estn presentes en muchos momentos del proceso de fabricacin de microcircuitos. Los procesos de grabado junto con los de litografa se utilizan fundamentalmente para los siguientes propsitos:

Abrir ventanas en las capas protectoras depositadas:

De ese modo se realizan difusiones o implantes en regiones selectivas del semiconductor.

Grabado en el substrato de Si para realizar pozos de aislamiento Crear las diferentes formas de las capas de metalizacin. Creacin de capas protectoras. Formacin de ventanas para acceso a las conexiones de los cables de metalizacin de los circuitos (bondig pads).
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Esquema de proceso general de grabado y litografa: deposicin de pelcula y de la fotoresina, aplicacin de la mscara en el proceso litogrfico, grabado de la mascara, grabado de la pelcula, y eliminacin final de la fotoresina

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I. Introduccin: Grabado y litografa
Stress-free silicon in photonics application

Vamos a estudiar: Transferencia de diseos Grabado

Tipos de grabado (histricamente) Conceptos bsicos del grabado

Definicin de parmetros: Velocidad, uniformidad, anisotropa, selectividad, bias, etc. Caractersticas. Ejemplos Ventajas y desventajas del grabado hmedo. Caractersticas. Proceso IBE Ejemplos
Silicon Anisotropic Etching. Deep silicon etch to full wafer thickness, leaving a 1m membrane. Wall angle = 54.

Grabado qumico hmedo:

Grabado seco.

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I. Introduccin: Grabado y litografa

Transferencia de diseos: indica de qu manera un diseo (definido mediante una

mscara) se transfiere a un substrato mediante mtodos qumicos o fsicos. Existen mtodos aditivos y substractivos

Mtodos substractivos: En primer lugar se deposita la pelcula sobre un substrato Posteriormente se realiza una capa de mscara con una forma adecuada de manera litogrfica Las regiones que no estn cubiertas por la mscara son eliminadas mediante grabado Mtodos aditivos o lift-off: En primer lugar se genera la mscara Posteriormente se deposita la pelcula sobre la mscara y el substrato Finalmente se eliminan las porciones de la pelcula que recaen sobre la mscara mediante una disolucin selectiva de la mscara en un lquido apropiado
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Ilustracin esquemtica de los mtodos substractivo (a) y aditivo (b) de transferencia de diseos

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I. Introduccin: Grabado y litografa

Grabado: El trmino grabado se utiliza para describir todas las tcnicas mediante las cuales el material se elimina uniformemente de una obleaEl grabado es el proceso contrario a la deposicin Despus de realizar una deposicin, las capas depositadas se eliminan=graban de manera selectiva para formar una forma o un diseo deseados.

La mscara para realizar el grabado es usualmente:

Una fotoresina El SiO2 o Si3N4 se utilizan como mscaras ms resistentes.

Fundamentalmente se realiza el grabado:

De capas delgadas depositadas Algunas veces del substrato de Si para realizar pozos de aislamiento ver Figuras
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Perfiles de pozos (grabado SiO2, Si3N4 y posterior oxidacin)

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I. Introduccin: Grabado y litografa

Grabado:

Ejemplo de grabado ideal de pozos profundos de aislamientos

Transistor CMOS aislado mediante pozos

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I. Introduccin: Grabado y litografa

Histricamente el Grabado: El grabado puede realizarse en un entorno seco o hmedo, histricamente:

Hasta hace unos aos la mayora de la fabricacin de dispositivos se llevaba a cabo mediante el grabado qumico o grabado hmedo (wet etching) se basa en sumergir la oblea en una solucin que tiene un disolvente lquido es un proceso qumico. En los ltimos aos han sido desarrollados y denominados con el trmino genrico de grabado seco o grabado asistido por plasma (dry etching) nuevos procesos de grabado en fase gaseosa Se utilizan disolventes en fase gaseosa proveniente de un plasma son procesos qumicos y fsicos

Principalmente estudiaremos los procesos de grabado seco siguientes:

Molido inico (ion milling) Pulverizacin (sputtering) Grabado inico reactivo (reactive ion etching: RIE)
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I. Introduccin: Grabado y litografa

Conceptos bsicos del Grabado (I): Diferentes parmetros que controlan la fidelidad de la reproduccin de la mscara sobre la capa depositada de material: Parmetro 1: La velocidad de grabado (R): La velocidad de eliminacin de la pelcula, tpicamente de 1000 /min.

Parmetro 2 : Uniformidad : U= 2. La uniformidad del grabado (U): % de cambio en la velocidad del grabado de unas obleas a otras obleas (dentro de un proceso) o comparativa entre runs de fabricacin.
Se define como

Rhigh Rlow Rhigh Rlow

Siendo: Rhigh= Velocidad de grabado mxima Rlow= Velocidad de grabado mnima

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I. Introduccin: Grabado y litografa

Conceptos bsicos del Grabado (II): El grabado NO da lugar a paredes perfectamente rectas bajo el lmite de la mscara tiene lugar de manera vertical y de manera lateral.

Parmetro 3: Anisotropa (A): Medida de la direccionalidad del grabado. Siendo: Rvertical= Velocidad de grabado vertical Rlateral = Velocidad de grabado lateral

Rvertical Rlateral Rvertical

Caso ideal: el perfil es totalmente anistropo (no hay grabado lateral) Rlateral =0 En general, lo que se desea es que Rlateral << Rvertical
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A=1 :

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I. Introduccin: Grabado y litografa

Conceptos bsicos del Grabado (III):

Tambien se define Bias (B): mide (en unidades de distancia) la diferencia en dimensiones laterales de la imagen mscara (dm) y la capa atacada (df).

Si Bias=0 el perfil vertical coincide con el lmite de la mscara Rlateral=0 y la mscara se Bias del grabado: diferencia en dimensiones laterales transfiere con fidelidad perfecta (grabado extremo de la imagen mscara (dm) y la capa atacada (df) anistropo o grabado vertical) por tanto A=1 Si las velocidades de grabado vertical (Rvertical) y lateral (Rlateral) son iguales o cuando la velocidad de grabado es independiente de la direccin se denomina grabado istropo

Perfiles de grabado (a): Totalmente anistropo (B=0); (b): Totalmente istropo

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Ilustracin de perfiles de grabado istropos, anisotropos y completamente anistropos

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I. Introduccin: Grabado y litografa

Conceptos bsicos del Grabado (IV):

Parmetro 3:. La selectividad (ratio de las velocidades de grabado de los materiales que queremos eliminar y mantener). El reactivo puede atacar tambin al substrato, a la mscara y no slo a la pelcula depositada.

Por ello se definen dos selectividades, teniendo en cuenta los tres materiales: substrato (u oblea), pelcula (film) o mscara.

Sfm: Selectividad pelcula depositada - mscara Sfs: Selectividad pelcula depositada-substrato

S fm

Rf Rm

S fs

Rf Rs

Siendo: Rf : velocidad de grabado de la pelcula Rm : velocidad de grabado de la mscara mjmm@usal.es RS : velocidad de grabado del substrato

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I. Introduccin: Grabado y litografa

Requerimientos generales que ha de cumplir un grabado

Obtener el perfil deseado = direccionalidad (con una cierta pendiente o totalmente vertical) Obtener un ataque mnimo o bias bajo la mscara Una gran selectividad entre otras capas expuestas y la resina Ser un proceso uniforme y reproducible Obtener un dao mnimo en la superficie y en el circuito Limpieza, seguridad y coste razonables

La figura muestra los conceptos de direccionalidad y selectividad

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II. Grabado

Grabado qumico hmedo: Caractersticas

El grabado es similar al proceso CVD de deposicin excepto porque el material es eliminado en vez de depositado. Por tanto, tambin consta de tres pasos: El transporte de masa de los reactantes hacia la superficie a ser grabada La reaccin superficial que tiene lugar entre los reactivos y la capa que va a ser grabada El transporte de los productos de la reaccin desde la superficie hacia el exterior. El grabado hmedo se caracteriza por que las obleas se sumergen en unas baeras qumicas especficas que contienen un disolvente lquido. La T de la reaccin y el agitado de la oblea permiten ajustar la velocidad. Para realizar el grabado se utilizan normalmente distintos tipos de reactivos:

Reactivos en fase lquida (grabado hmedo) los productos de la

reaccin deben ser solubles en disolventes Grabado con reactivos en fase gaseosa los productos de la mjmm@usal.es reaccin deben ser gaseosos o tener una baja T de sublimacin

Proceso bsico de grabado

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II. Grabado

Grabado qumico hmedo: Ejemplos de grabado qumico

El grabado qumico hmedo de materiales cristalinos suele tener lugar en dos fases:
Una oxidacin es similar a oxidacin andica (capas nativas) tiene lugar por la accin de la diferencia de potencial aplicada en las celdas electrolticas y da lugar al flujo de corrientes de corrosin que forman el xido Una disolucin qumica del xido (u xidos) se aaden disolventes qumicos adicionales los cuales deben ser solubles en agua de modo que eliminen el xido de la superficie del semiconductor

Ambos procesos tienen lugar simultneamente mediante una mezcla de agentes en las misma solucin del grabado

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Grabado con hidrxido potsico

Montaje para grabado con cido hidrofluoridrico

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II. Grabado

Grabado qumico hmedo: Ejemplo: Grabado istropo de Silicio Los disolventes comnmente utilizados para el Si son mezclas del HNO3 (cido ntrico) y del HF (fluordrico) - el H+ es un agente oxidante de alta reactividad.

El papel del HNO3 es el de oxidante para el Si: por lo que da lugar a grandes cantidades de SiO2 (este 1er proceso andico es complicado). El papel del HF es disolver el SiO2.

En realidad ambas reacciones ocurren en una nica.

Curvas de la mjmm@usal.es grabado (m/min) velocidad de constante del Si en agua y cido actico (en un sistema de disolucin de HF:HNO3)

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II. Grabado

Ventajas y desventajas del grabado qumico hmedo:

Las ventajas del grabado hmedo:

Es altamente selectivo debido a que estn basados en procesos qumicos Proceso fundamentalmente istropo falta de anisotropa Control del proceso muy pobre Excesiva contaminacin de partculas

Las desventajas del grabado hmedo:

Por ello se utiliza el grabado hmedo para procesos de grabado que pretendan unos diseos poco crticos. Hoy da, las tecnologas de Si y GaAs que incluyen:

La necesidad de interconectar un gran nmero de elementos para formar un circuito La reduccin de las dimensiones de los dispositivos

Hacen que se necesitan grabados selectivos en base al tipo de impurificacin o concentracin y a la composicin del material por lo que la resolucin conseguida con el grabado hmedo no es suficiente DESARROLLO DEL GRABADO SECO
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II. Grabado

Caractersticas del grabado seco:

El grabado seco elimina el material mediante haces de iones energticos o reacciones qumicas ayudadas por plasma se bombardea fsicamente el material a eliminar .

Se proporciona energa a los proyectiles que se mueven a gran velocidad cuando colisionan contra el substrato

Las ventajas del grabado en seco han hecho que haya reemplazado al grabado qumico hmedo en tecnologas de circuitos integrados (CIs) y su importancia en GaAs:
Es posible realizar un grabado altamente direccional debido a la presencia de especies inicas en el plasma y un campo elctrico perpendicular a la oblea Una gran variedad de tcnicas:

Back-sputtering Ion milling (IBE) o Molido inico.

Tambin es posible utilizar tcnicas combinadas de grabado seco con grabado qumico:

Procesos RIE (Reactive on etching)

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Fotografa SEM de pozos de aislamiento de transistores bipolares BJT de tecnologa IBM

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II. Grabado

Proceso IBE: ion beam etching

Tambin llamado: molido inico (ion milling) en el cul se pueden utilizar gran variedad de esquemas asistidos por plasma.

El equipamiento necesario para realizar un grabado IBE:

Normalmente se utiliza como plasma el Ar (a) Un filamento caliente proporciona la fuente de electrones que viajan hacia el nodo (b) Un campo magntico solenoidal (c) aumenta el recorrido de los electrones y por tanto su energa para ionizar el gas de Ar Se obtiene un control independiente de la energa de los iones y de su la densidad. Los iones de Ar+ acelerados abandonan la fuente de iones a travs de unas rejillas con aperturas alineadas (d) Un filamento caliente (fuera de la fuente de iones), neutraliza la carga de los iones de manera que formen un haz altamente direccionado (e) Son digiridos hacia la cmara de trabajo donde las obleas se colocan en una plataforma mvil (f) mjmm@usal.es

(a) (f) (e) (d ) (c)

(b)

Equipamiento para la realizacin del Ion milling o grabado IBE

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II. Grabado

Proceso IBE: ion beam etching

Mediante esta tcnica IBE se puede:

realizar un molido tanto de conductores como aislantes debido al carcter del haz Pueden controlarse de manera independiente:

La energa de los iones La densidad de los iones La temperatura del substrato El ngulo de incidencia del haz

RIE: Deep, smooth, vertical etch.

Estas caractersticas que han hecho que el grabado IBE sea una tcnica muy atractiva para el uso en aplicaciones VLSI dada su alta resolucin y anisotropa.

En la tabla mostramos las velocidades de grabado mediante esta tcnica IBE para diferentes materiales

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II. Grabado

Comparacin y ejemplos de grabado fsico, qumico, y quimico-fsico.

Deep vertical oxide etch

La comparacin en las caractersticas principales de los procesos fsicos (necesitan una mayor energa y producen grabados ms anisotropos) y qumicos (aunque son normalmente istropos dan lugar a una mayor selectividad).
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II. Grabado

Ejemplos Grabados de metalizacin de aluminio: grabado de plasma Grabados istropos en Silicio: grabado de plasma Grabado de Si: tcnica RIE

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II. Grabado

Ejemplos: Micro-Electro-Mechanical Systems (MEMS) son la integracin de elementos

mecnicos: sensores, actruadores y electrnica en un substrato de silicio a travs de la tecnologa de micro-fabricacin. Aplicaciones: robtica, sensores, militares, etc

SEM of a shear-stress microsensor fabricated by surface Model Microturbine. Fabricated at MIT by ion-etching micromachining using a single structural layer of silicon. Diameter is approximatelymjmm@usal.es 2 mm. Research is part of polysilicon. the ARO program to power the Army After Next soldier.

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II. Grabado

Ejemplos: Aplicaciones en sensores , medicina, etc

Microprueba para sensores tctiles.

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Low-temperature mechanically released cantilevers