DIODOS

Elaborado por: Alex roger Ramirez Souza

DIODO ZENER
Hemos visto que un diodo semiconductor normal puede estar polarizado tanto en directa como inversamente. En directa se comporta como una pequea resistencia. En inversa se comporta como una gran resistencia. Veremos ahora un diodo de especiales caractersticas que recibe el nombre de diodo zener El diodo zener trabaja exclusivamente en la zona de caracterstica inversa y, en particular, en la zona del punto de ruptura de su caracterstica inversa.

Esta tensin de ruptura depende de las caractersticas de construccin del diodo, se fabrican desde 2 a 200 voltios. Polarizado en directa actua como un diodo normal y por tanto no se utiliza en dicho estado

EFECTO ZENER
El efecto zener se basa en la aplicacin de tensiones inversas que originan, debido a la caracterstica constitucin de los mismos, fuertes campos elctricos que causan la rotura de los enlaces entre los tomos dejando as electrones libres capaces de establecer la conduccin. Su caracterstica es tal que una vez alcanzado el valor de su tensin inversa nominal y superando la corriente a su travs un determinado valor mnimo, la tensin en bornas del diodo se mantiene constante e independiente de la corriente que circula por l.

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FUNCIONAMIENTO DEL DIODO ZENER

El smbolo del diodo zener es:

y su polarizacin es siempre en inversa, es decir

Tres son las caractersticas que diferencian a los diversos diodos Zener entre si: a.- Tensiones de polarizacin inversa, conocida como tensin zener.- Es la tensin que el zener va a mantener constante. b.- Corriente mnima de funcionamiento.- Si la corriente a travs del zener es menor, no hay seguridad en que el Zener mantenga constante la tensin en sus bornas c.- Potencia mxima de disipacin. Puesto que la tensin es constante, nos indica el mximo valor de la corriente que puede soportar el Zener. Por tanto el Zener es un diodo que al polarizarlo inversamente mantiene constante la tensin en sus bornas a un valor llamado tensin de Zener, pudiendo variar la corriente que lo atraviesa entre el margen de valores comprendidos entre el valor mnimo de funcionamiento y el correspondiente a la potencia de zener mxima que puede disipar. Si superamos el valor de esta corriente Alex roger Ramirez Souza Elaborado por: el zener se destruye.

Diodo varactor (Varicap)

Los diodos varactores o varicap han sido diseados de manera que su funcionamiento sea similar al de un capacitor y tengan una caracterstica capacitancia-tensin dentro de lmites razonables. En el siguiente grfico se muestra las similitudes entre un diodo y un capacitor. Debido a la recombinacin de los portadores en el diodo, una zona de agotamiento se forma en la juntura. Esta zona de agotamiento acta como un dielctrico (aislante), ya que no hay ninguna carga y flujo de corriente. Las reas exteriores a la zona de agotamiento si tienen portadores de carga (rea semiconductor). Se puede visualizar sin dificultad la formacin de un capacitor en el diodo (dos materiales semiconductores deparados por un aislante). La amplitud de la zona de agotamiento se puede ampliar tensin inversa aplicada al diodo con una fuente externa. incrementando la

Esto causa que se aumente la separacin (aislante) y separa ms las reas semiconductoras. Este ltimo disminuye la capacitancia. Entonces la capacitancia es funcin de la tensin aplicada al diodo. -Si la tensin aplicada al diodo aumenta la capacitancia disminuye - Si la tensin disminuye la capacitancia aumenta

Smbolo del diodo varactor

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Diodo LED. Diodo emisor de luz.

Si alguna vez ha visto, unas pequeas luces de diferentes colores que se encienden y apagan, en algn circuito electrnico, ha visto los diodo LED en funcionamiento. Ver Smbolo del diodo LED El LED es un tipo especial de diodo, que trabaja como un diodo comn, pero que al ser atravesado por la corriente elctrica, emite luz. Existen diodos LED de varios colores que dependen del material con el cual fueron construidos. Hay de color rojo, verde, amarillo, mbar, infrarrojo, entre otros. Elctricamente el diodo LED se comporta igual que un diodo de silicio o germanio. Si se pasa una corriente a travs del diodo semiconductor, se inyectan electrones y huecos en las regiones P y N, respectivamente. Dependiendo de la magnitud de la corriente, hay recombinacin de los portadores de carga (electrones y huecos). Hay un tipo de recombinaciones que se llaman recombinaciones radiantes (aqu la emisin de luz). La relacin entre las recombinaciones radiantes y el total de recombinaciones depende del Material semiconductor utilizado (GaAs, GaAsP,y GaP) Dependiendo del material de que est hecho el LED, ser la emisin de la longitud de onda y por ende el color. Ver la tabla ms abajo Debe de escogerse bien la corriente que atraviesa el LED para obtener una buena intensidad luminosa y evitar que este se pueda daar. El LED tiene un voltaje de operacin que va de 1.5 V a 2.2 voltios aproximadamente y la gama de corrientes que debe circular por l est entre los 10 y 20 miliamperios (mA) en los diodos de color rojo y de entre los 20 y 40 miliamperios (mA) para los otros LEDs.
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Los diodos LED tiene enormes ventajas sobre las lmparas indicadoras comunes, como su bajo consumo de energa, su mantenimiento casi nulo y con una vida aproximada de 100,000 horas. El diodo LED debe ser protegido. Una pequea cantidad de corriente en sentido inverso no lo daar, pero si hay picos inesperados puede daarse. Una forma de protegerlo es colocar en paralelo con el diodo LED pero apuntando en sentido opuesto un diodo de silicio comn.

Aplicaciones tiene el diodo LED. Se utiliza ampliamente en aplicaciones visuales, como indicadoras de cierta situacin especfica de funcionamiento. Ejemplos - Se utilizan para desplegar contadores - Para indicar la polaridad de una fuente de alimentacin de corriente continua. - Para indicar la actividad de una fuente de alimentacin de corriente alterna. - En dispositivos de alarma, etc. Las desventajas del diodo LED son que su potencia de iluminacin es tan baja, que su luz es invisible bajo una fuente de luz brillante y que su ngulo de visibilidad est entre los 30 y 60. Este ltimo problema se corrige con cubiertas difusoras de luz.
Con los ltimos adelantos, en los diodos LED de alta luminosidad, este problema prcticamente ha quedado en el pasado.
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Diodo Tunnel (caracterstica de resistencia negativa)

En el diagrama se ve el smbolo del diodo Tunnel. El diodo Tunnel se comporta de una manera muy interesante conforme se le va aumentando una tensin aplicada en sentido directo. Cuando se aplica una pequea tensin, el diodo tunnel empieza a conducir (la corriente empieza a fluir). Si se sigue aumentando esta tensin la corriente aumentar hasta llegar un punto despus del cual la corriente disminuye. La corriente continuar disminuyendo hasta llegar al punto mnimo de un "valle" y .... Despus volver a incrementarse. En esta ocasin la corriente continuar aumentando conforme aumenta la tensin. Este comportamiento de la corriente en funcin de la tensin en el diodo tunnel se puede ver en el siguiente grfico. -Vp: Tensin pico - Vv: Tensin de valle - Ip: Corriente pico - Iv: Corriente de valle La regin en el grfico en que la corriente disminuye cuando la tensin aumenta (entre Vp y Vv) se llama "zona de resistencia negativa" El diodo tunnel se llama tambin diodo Esaki en honor a su inventor japons Leo Esaki Los diodos tunnel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy rpidamente, cambiando de estado de conduccin al de no conduccin incluso ms rpido que los diodos Schottky. Desgraciadamente, este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene una corriente de fuga muy grande cuando estn polarizados en reversa. As estos diodos slo encuentran aplicaciones reducidas como en circuitos osciladores de alta frecuencia.
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Fotodiodo. Diodo detector de luz

Luz incidente

El fotodiodo se parece mucho a un diodo semiconductor comn, pero tiene una caracterstica que lo hace muy especial: es un dispositivo que conduce una cantidad de corriente elctrica proporcional a la cantidad de luz que lo incide (lo ilumina).

Sentido de la corriente generada

Esta corriente elctrica fluye en sentido opuesto a la flecha del diodo y se llama corriente de fuga. El fotodiodo se puede utilizar como dispositivo detector de luz, pues convierte la luz en electricidad y esta variacin de electricidad es la que se utiliza para informar que hubo un cambio en el nivel de iluminacin sobre el fotodiodo. Si el fotodiodo quedara conectado, de manera que por l circule la corriente en el sentido de la flecha (polarizado en sentido directo), la luz que lo incide no tendra efecto sobre l y se comportara como un diodo semiconductor normal. La mayora de los fotodiodos vienen equipados con un lente que concentra la cantidad de luz que lo incide, de manera que su reaccin a la luz sea ms evidente. A diferencia del LDR o fotorresistencia, el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta ms pequeo. Si se combina un fotodiodo con un transistor bipolar, colocando el fotodiodo entre el colector y la base del transistor (con el ctodo del diodo apuntado al colector del transistor), se obtiene el circuito equivalente de un fototransistor.

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DIODO LASER
Diodos lser (LD) son muy utilizados en los sistemas de comunicacin por fibra ptica y sus caractersticas son de importancia primordial. As que aqu le damos un resumen de las caractersticas del LD. Todos los lseres e diodo estn construidos con materiales semiconductores, y tienen las propiedades caractersticas de los diodos elctricos. Por esta razn reciben nombres como: Lseres de semiconductor - por los materiales que los componen Lseres de diodo - ya que se componen de uniones p-n como un diodo Lseres de inyeccin - ya que los electrones son inyectados en la unin por el voltaje aplicado La utilizacin tanto en I+D como comercial de los lseres de diodo ha cambiado dramticamente en los ltimos 20 aos. Hoy en da el nmero de lseres de diodo vendidos en un ao se mide en millones, mientras que todos los dems tipos de lser juntos se miden en millares. De hecho, la familia actual de lseres de diodo es utilizada en productos de alto consumo como: CD -Compact Discs, Impresoras Lser, Escners y comunicaciones pticas. El diodo lser fue inventado en tres laboratorios de investigacin en USA de modo independiente. Los investigadores consiguieron radiacin electromagntica coherente de un diodo de unin p-n en base al material semiconductor GaAs - Arsenuro de Galio. Los Semiconductores En general, los slidos pueden dividirse en tres grupos: Aislantes - Materiales que no son conductores de la electricidad como cuarzo, diamante, goma o plstico. Conductores- Materiales que son conductores de la electricidad como oro, plata, cobre. Semiconductores- Materiales con una conductividad elctrica intermedia entre materiales conductores y no conductores .
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Ejemplos: Ge, Si, GaAs, InP, GaAlAs. La conductividad de un semiconductor aumenta con la temperatura ( explicado ms tarde ), contrariamente a lo que sucede con los materiales metlicos , cuya conductividad disminuye con la temperatura debido al aumento del nivel vibracional de los tomos. La figura anterior muestra el poder de un diodo lser de salida ptica frente a la corriente elctrica inyectada P / I Curva> <. Como podemos ver, la potencia de salida ptico vara en funcin de la corriente que pasa a travs del diodo. Cuando sesgado por debajo de un umbral de corriente I th> <, la potencia de salida es muy baja. Pero a medida que la corriente aumenta por encima del umbral Ith>
<, los aumentos de potencia de salida ptico de manera significativa en una pendiente fuerte. corrientes de umbral se encuentran tpicamente en el rango de 25 a 250 mA y la potencia de salida estn tpicamente en el rango de 1 - 10. mW

> Pendiente Eficiencia El P / I curva de la pendiente por encima de Umbral de corriente que se llama la eficiencia de una LD pendiente y es definida como dP / dl. Aqu dP es el cambio en la potencia de salida de luz, y di es el cambio en la corriente hacia adelante a travs del diodo. eficacia de la cuesta tiene una unidad de mW / mA.

Niveles energticos En un gas, cada tomo molcula est (bajo el punto de vista energtico) a gran distancia de sus vecinos, con lo que puede considerarse aislado. Podemos considerar del mismo modo a unos pocos tomos de un material (que actan como tomos de impurezas) que son aadidos a un medio homogneo slido de otro material. En contraste con los niveles energticos separados existentes en un gas o en un pequeo nmero de tomos de impurezas en un slido homogneo, los electrones en un semiconductor estn en bandas energticas, que, efectuando una simulacin, se componen de agrupaciones de un gran nmero de niveles energticos por efectos cunticos. Estas bandas de energa corresponden a todo el material, no estando asociadas a un slo tomo. La anchura de la banda aumenta a medida que decrece la distancia entre los tomos y aumenta la interaccin entre ellos. Elaborado por: Alex roger Ramirez Souza

Las bandas energticas en un semiconductor pueden ser de dos tipos: Banda de Valencia - Los electrones en una banda de valencia estn ligados a los tomos del semiconductor. Banda de Conduccin - Los electrones en una banda de conduccin pueden moverse por el semiconductor. La separacin entre la banda de valencia y la de conduccin se denomina la Brecha de Energa, no existiendo ningn nivel energtico posible dentro de sta zona. Si un electrn de la banda de valencia consigue suficiente energa, puede " saltar " la brecha de energa para introducirse en la banda conductora. Las bandas de energa llenas son aquellos niveles energticos de los electrones internos, ligados al tomo, que no participan en los enlaces entre los tomos del slido. Para que un slido conduzca la electricidad, los electrones necesitan moverse en el slido. En un aislante - la banda de valencia est llena de electrones, con lo que los electrones no pueden moverse dentro de la banda. Para que exista una conduccin de electricidad, los electrones de la banda de valencia deben pasar a la banda de conduccin. En consecuencia, debe suministrarse una energa superior a la brecha de energa a los electrones de la banda de valencia, a fin de conseguir su transferencia a la banda de conduccin. Como la brecha de energa es grande, sta evita el paso, y en consecuencia, los aislantes son poco conductores La estructura de los niveles energticos de un aislante pueden verse en la figura.

Niveles energticos de un aislante

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Niveles energticos de un conductor

En un conductor - (metal) Las bandas de valencia y de conduccin se sobreponen, por lo que en la prctica la brecha de energa es nula. En consecuencia, los electrones necesitan muy poca energa para pasar a la banda de conduccin y conducir la electricidad. La estructura de los niveles energticos de un conductor pueden verse en la figura:

Niveles energticos de un semiconductor

En un semiconductor - la brecha de energa es muy pequea, por lo que se requiere muy poca energa para transferir los electrones de la banda de valencia a la de conduccin. Hasta la temperatura ambiente proporciona la energa suficiente. Aumentando la temperatura, ms y ms electrones sern transferidos a la banda de conduccin
En consecuencia aumenta la conductividad con la temperatura. La estructura de los niveles energticos de un semiconductor puede verse en la figura: Cuando se transfiere un electrn de la banda de valencia a la de conduccin, se crea un " agujero " en la banda de valencia. Estos " agujeros " se comportan como cargas positivas que se mueven por la banda de valencia como consecuencia de aplicar un voltaje. En el proceso de la conduccin elctrica participan tanto los electrones que estn en la banda de conduccin como los " agujeros positivos " que permanecen en la banda de valencia originados por el " salto " de electrones a la banda de conduccin. A fin de controlar el tipo y densidad de los " portadores " de carga en un semiconductor, se aaden impurezas con un nmero extra de " portadores " de carga al semiconductor. Los tomos de estas impurezas son elctricamente neutros.
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La construccin de un Diodo Lser

Se ensea la estructura bsica en capas de un lser de diodo simple en la figura Las capas de los materiales semiconductores estn dispuestas de modo que se crea una regin activa en la unin p-n, y en la que aparecen fotones como consecuencia del proceso de recombinacin. Una capa metlica superpuesta a las caras superior e inferior permite aplicar un voltaje externo al lser. Las caras del semiconductor cristalino estn cortadas de forma que se comportan como espejos de la cavidad ptica resonante.

Estructura bsica de un lser de diodo

En la Figura describe la forma en que la radiacin lser electromagntica es emitida para un lser simple de diodo. La radiacin lser tiene forma rectangular y se difunde a diferentes ngulos en dos direcciones.

Perfil de la radiacin lser emitida por un diodo lser simple

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Sumario de los Lseres de Diodo hasta ste punto:

Los portadores de carga en un lser de diodo son los electrones libres en la banda de conduccin, y los agujeros positivos en la banda de valencia. En la unin p-n , los electrones "caen" en los agujeros , que corresponden a niveles de energa ms bajos El flujo de corriente a travs de la unin p-n del lser de diodo ocasiona que ambos tipos de portadores (agujeros y electrones ) se recombinen, siendo liberada energa en forma de fotones de luz. La energa de un fotn es aproximadamente igual a la de la brecha de energa. La brecha de energa viene determinada por los materiales que componen el diodo lser y por su estructura cristalina.

Curva I-V de un Diodo Lser

Si la condicin requerida para la accin lser de inversin de poblacin no existe, los fotones sern emitidos por emisin espontnea. Los fotones sern emitidos aleatoriamente en todas las direcciones, siendo sta la base de los LED - diodo emisor de luz. La inversin de poblacin slo se consigue con un bombeo externo. Aumentando la intensidad de la corriente aplicada a la unin p-n, se alcanza el umbral de corriente necesario para conseguir la inversin de poblacin. En la figura 6.26 se muestra un ejemplo de la potencia emitida por un diodo lser en funcin de la corriente aplicada. Se aprecia enseguida que la pendiente correspondiente a la accin lser es mucho mayor que la correspondiente a un led. El umbral e corriente para el efecto lser viene determinado por la interseccin de la tangente de la curva con el eje X que indica la corriente (esta es una buena aproximacin) Cuando el umbral de corriente es bajo, se disipa menos energa en forma de calor , con lo que la eficiencia del lser aumenta. En la prctica, el parmetro importante es la densidad de corriente, medida en A/cm2, de la seccin transversal de la unin p-n.
Potencia de emisin de un diodo lser en funcin de la corriente aplicada.

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Dependencia de los parmetros del diodo lser de la temperatura

Uno de los problemas bsicos de los diodos lser es el aumento del umbral de corriente con la temperatura. Los operativos a bajas temperaturas requieren bajas corrientes. A medida que la corriente fluye por el diodo, se genera calor. Si la disipacin no es la adecuada, esta temperatura aumenta, con lo que aumenta tambin el umbral de corriente. Adems, los cambios en temperatura afectan a la longitud de onda emitida por el diodo lser. Este cambio se ilustra en la figura, y se compone de dos partes: 1. Un aumento gradual de la longitud de onda emitida proporcional al aumento de temperatura, hasta que: 2. Se produce un salto a otro modo longitudinal de emisin

cambio de la longitud de onda emitida en funcin de la temperatura

Debido a estas variaciones con la temperatura, se necesitan diseos especiales para poder conseguir una emisin continua de alta potencia.

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Distintas Estructuras de los Diodos Lser

Hoy en da una estructura habitual es una tira estrecha de la capa activa ( Stripe Geometry - Geometra en tiras ), confinada por todos los lados ( tanto por los lados como por arriba y abajo ) con otro material . Esta familia de lseres se denomina Index Guided Lasers - Lseres orientados al ndice se detallan distintas estructuras de confinamiento utilizadas

Diodos Lser orientado a Ganancia - Gain Guided

Aislando los electrodos metlicos en las partes superior e inferior, se limita la zona por donde pasa la corriente. Como resultado, la inversin de poblacin slo tiene lugar en la zona especfica por donde pasa la corriente. Un ejemplo est en la figura, en donde un electrodo de tira delgada se sobrepone al material lser. La corriente limita el rea en la zona activa en donde puede existir el efecto de amplificacin, y sta slo podr existir en sta zona. Las ventajas de este tipo de lseres de diodo son: 1. Fciles de producir. 2. Es relativamente fcil conseguir una potencia alta, ya que al aumentar la corriente aumenta la zona activa Las desventajas son:
Ejemplos de distintos tipos de estructura de confinamiento

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1. La calidad del haz obtenido es menor que con los orientados al ndice. 2. Es ms difcil conseguir una emisin estable en frecuencia simple.

Monturas de los Lser de Diodo

Se requieren monturas especiales para los lseres de diodo, debido a su tamao miniaturizado, para poder ser operativos y cmodos. Existen muchos tipos de monturas, pero quizs el ms estndar es similar a un transistor, e incluye en la montura las pticas necesarias para colimar el haz.

Montura de un lser de diodo comercial

Seccin perpendicular

Para poder obtener ms potencia de los lseres de diodo, se han desarrollado matrices de diodos lser, que emiten sincronizadamente, y que estn pticamente acoplados, de modo que se alcanzan las dcimas de vatio. Ventajas de los diodos lser

Son muy eficientes ( ms del 20% de la energa suministrada se consigue en forma de radiacin lser ) Son muy fiables Tienen vidas medias muy largas ( estimadas en ms de 100 aos de operacin continuada !). Son muy baratos ( se construyen con tcnicas de produccin en masa utilizadas en la industria electrnica ). Permiten la modulacin directa de la radiacin emitida, simplemente controlando la corriente elctrica a travs de la unin p-n. La radiacin emitida es funcin lineal de la corriente , pudindose modular a dcimas de GHz
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Diodos lser Acoplados

Existen tambin estructuras especiales en donde dos lseres se acoplan pticamente. La radiacin emitida por el primer lser es transferida al segundo, que es controlado por otra fuente de alimentacin. Un ejemplo puede verse en la figura.

Lser de diodo con acoplamiento ptico

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FUENTE DE INFORMACIN
Tipos de diodos: caractersticas y funcionamiento - Monografias.com
www.monografias.com Ingenieria Diodo Varactor (Varicap): Este diodo, tambin llamado diodo de capacidad variable, es, en esencia, un diodo semiconductor cuya caracterstica principal es la ...

Diodo varactor, varicap, diodo tunning, relacin tensin ...

www.unicrom.com/Tut_diodo_varactor.asp Diodo varactor (Varicap) Caractersticas, relacin tensin-capacitancia. Todos losdiodos cuando estn polarizados en sentido opuesto tienen una capacitancia ...

DC Components hoja de datos, hojas de datos, datasheet pdf ...

www.datasheetcatalog.net/es/dccomponents/1/ 2, 1A1, ESPECIFICACIONES TCNICAS DEL RECTIFICADOR DE SILICIO ...ESPECIFICACIONES TCNICAS DE LOS DIODOS ZENER DE CRISTAL DEL ...
[PDF]

Hoja Tcnica
www.morley-ias.es/.../hojastecnicas/ELECTROIMANES.pdf Formato de archivo: PDF/Adobe Acrobat Hoja Tcnica. Morley-IAS Espaa se reserva el derecho de realizar cualquier modificacin sobre el diseo o especificaciones en lnea con nuestro continuo ...

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Diodo - Wikipedia, la enciclopedia libre

es.wikipedia.org/wiki/Diodo Ir a Tipos de diodo semiconductor: Existen varios tipos de diodos, que pueden diferir en su aspecto fsico, impurezas, uso de electrodos, que ...

Tipos de diodos: caractersticas y funcionamiento - Monografias.com

www.monografias.com Ingenieria Caractersticas, funcionamiento y aplicacin de los siguientes diodos: Zener, Vericap, Tnel, Foto Diodo, Gunn, Schockley. Transistor, Caracterstica ...

Tipos de diodos - electronica2000.com

www.electronica2000.com/temas/diodostipos.htm Existen varios tipos de diodos, de algunos ya se habl en otra pgina y de los cuales haremos mencin en esta, con este tipo de componente te vas a encontrar ...

Tipos de diodos -- Pgina de electrnica de Carlos Daz

electronica.webcindario.com/glosario/diod_tip.htm - Espaa Diodo semejante al diodo IMPATT donde los portadores de carga llamados a atravesar la regin de deplexin no provienen de una avalancha sino que son ...

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