Electrnica

2S 2004
Teora de los Transistores
Un transistor es un dispositivo semiconductor que se
construye con tres regiones, formando dos junturas N-P.

Dos son las formas en que pueden combinarse estas tres
regiones dando a los dos tipos de transistores, NPN y los
PNP
P N
P
Emisor
Base
Colector Emisor
Base
Colector
N P N
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Construccin de un Transistor
Electrnica
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- +
Vbe
Nd >> Na
e
h
Na == Nd
Ie
I
b
Emisor N Base P Colector N
Je
Jc
Polarizacin Directa de la Juntura BASE-EMISOR
Polarizacin Directa, Corriente Directa
Electrnica
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- +
e
h
Vcb
Ic
I
b
Je
Jc
Polarizacin Inversa Juntura BASE-COLECTOR
Polarizacin Inversa, Corriente Inversa
Electrnica
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- +
Vbe
Nd >> Na
e
h
I
- +
Vcb
Ic
e
h
Na == Nd
I
b
e
E
Transistor con Doble Plarizacin
Electrnica
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Electrnica
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Efectos
a) se produce, una alta corriente de electrones desde la
regin de emisor hacia la regin de base.
b) se mantiene la pequea corriente de huecos desde
la regin de colector hacia la regin de emisor.
c) se mantiene la baja corriente de electrones desde
la regin de base hacia la regin de colector.
d) se produce la pequea corriente de huecos desde la
regin de colector hacia la regin de base.
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e) y por ltimo, una gran proporcin de los electrones
inyectados desde la regin de emisor en la regin de
base atraviesan la base y modifican la concentracin de
electrones en la Zona de Transicin de la juntura de
colector. El gradiente de concentracin que producen,
difunden hacia la regin de colector y son atrados por el
potencial positivo de la regin de colector producindose
una alta corriente de electrones desde emisor hacia
colector atravesando ambas junturas. Esta corriente
circula por los conductores externos del emisor y del
colector. Este fenmeno puede resumirse diciendo que
electrones inyectados desde la regin de emisor son
recolectados por el terminal del colector.
Efectos
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Por los antes descrito se puede escribir una ecuacin que
relacione las corrientes de emisor con la de colector
mediante un factor de proporcionalidad "o"
0,999 0,95 I I
nc ne
s s =
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Corriente de electrones por la juntura de emisor
. electrones . de . Corriente )... 1 e (
L
n
qD
dx
dn
qD j
)
kT
qV
(
e
po
n n n
= =
cos hue . de . Corriente )... 1 e (
L
p
qD
dx
dp
qD j
)
kT
qV
(
p
no
p p p
= =
2
i
D p
p
A n
n
0
n * )
N L
D
N L
D
( qA I + =
2
i
A n
n
n ES
A D
n * )
N L
D
( qA I I
N N . Con
= ~
>>
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] 1 e [ * I I
)
kT
qV
(
ES be
be
=
Corriente por la Juntura de Base-Emisor
|
|
.
|

\
|
=
=
1 e I * i
i i
KT
qV
beo c
be c
be
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] 1 e [ * I I
)
kT
qV
(
cs cb
cb
=
Corriente por la Juntura de Base-Colector
|
|
.
|

\
|
=
=
1 e I * i
i i
KT
qV
cs r e
cb r e
cb
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Modelo de Ebers-Moll para un transistor
1) (e I 1) (e I I
)
kT
qV
(
cs r
)
kT
qV
(
es e
bc be
=
1) (e I 1) (e I I
)
kT
qV
(
cs
)
kT
qV
(
es F c
bc be
=
Corriente Juntura Emisor
Corriente Juntura de Colector
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c r
)
kT
qV
(
es F r
)
kT
qV
(
cs r
)
kT
qV
(
cs r
)
kT
qV
(
es F r c r
I - 1) (e I 1) (e I
1) (e I 1) (e I I
be bc
bc be
=
=
Luego la Corriente de Emisor es
ES r F EO
c r
)
kT
qV
(
EO e
I ) 1 ( I
I 1) (e I I
be
=
+ =
) (e I I
)
kT
qV
(
EO e
be
~
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CS r F CO
)
kT
qV
(
CO e F c
I ) 1 ( I
1) (e I I I
bc
=
=
La corriente de Colector es
CO e F c
I I I + ~
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B E C
Ico
o
r
Ic
o
F
Ie
) ( e I
)
k T
q V
(
E O
b e
Modelo de Ebers Moll
BE
V
CB
V
Ie
Ib
Ic
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Modelo de Ebers Moll Simplificado
B E C
o
F
Ie
) ( e I
)
k T
q V
(
E O
b e
BE
V
CB
V
c e b
e F c
EO e
I I I
I I
) (e * I I
Vt
BE
V
=
=
=

Ib Ic
Ie
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Smbolos de los Transistores en un Circuito
Electrnica
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Voltajes y corrientes por los Transistores
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Vbe
Vcb
Ie
Ic
o
Ic=
Ie
Vbex
Iex
Icx
P
P
Curvas Caractersticas de un Transistor NPN Base Comn
Pendiente Ico
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Vbe
Vbe = VBB - Ie*RE
Punto de Operacin
Vcb
Ie
Ic
o Ic= Ie
Vbeop
Vcbop
Icop
Ieop
Punto de Operacin
Vcc
V
BB
Recta de Carga Salida
Recta de Carga Entrada
Vcb=Vcc- Ic*Rc
Ie = Ieo [exp(Vbe/Vt) - 1]
E e be bb
R I V V + =
CE C C CC
V R I V + =
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Dependencia de la temperatura
I
e
0,5
1
V
be
I
e
T1>T2>T3
) ln( *
1) (e * e * I I
be
qV
g
kT
-
q e
q
e
g
be

I
I
q
kT
q

V
kT
+ =
=
V(To)
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Modelo de Pequea Sea en Base Comn
tiempo
D
I
e
V
be
V
D
be
V
cb
V
cb
I
c
tiempo
Punto de Trabajo o Polarizacin
Recta de carga
Recta de carga
1 ~
Correr simulacin en base comn
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eac DC BE
Vt
V
E e
v V V
e I I
BE
+ =
= *
0
|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
= =
+
T
eac
T
eac
T
BE
T
eac DC
V
v
eq
V
v
V
V
E
V
v V
E e
e I e e I e I I * * * *
0 0
Seal continua + alterna
Polarizacin
Valor Medio
punto de trabajo
Parte alterna
) 1 ( .. , 1 ....
......
! 3 ! 2
1 .
3 2
x e tiene se x con
x x
x e como
x
x
+ = ===> <<
+ + + + = ==>
| |
ac
ie
e
r
eac
v
t
eac
eq eac
t
eac
eq eq
t
eac
eq e
V
v
I i
V
v
I I
V
v
I I
* *
* ) 1 (
*
= =
+ = + =
eq
t
e
I
V
r =
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cac cq
t
ac
eq eq F c
e F c
i I
V
v
I I I
I I
+ = + =
=
) * ( *
*
c eac F c cac sac
c cac cq c c s
R i R i v
R i I R I V
* * *
* ) ( *
= =
+ = =
dB dB
v
v
r
R

v
v
eac
sac
e
c
eac
sac
52
434
50 , 11
5000
* 1
=
= ~
=
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Base Comn
v
be
r
e
+
-
i
e
i
e
o
i
c
E
C
B
v
be
r
e
+
-
i
e
i
c
E
C
B
g
mb
v
be
r
e
=
V
Ieq g
mb
= o r
e
R
c
R
bb
v
be
r
e
+
-
i
e
i
e
o
i
c
E
C
B
R
c
(a)
(b)
(c)
(d)
v
e
V
c
V
bb
t
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Transistor en configuracin Emisor - Comn
Vbb
Rb
Rc
Vcc
Vbe
Ib
Ie
Ic
Vce
Vcb 0 C e F
b c e
I I Ic
I I I
+ =
+ =
0
0
1
1
)
1
(
) (
C
F
b
F
F
c
C b c F c
I

I
I I I I

=
+ + =
0
) 1 (
C b c
I I I + + =
Electrnica
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I
e
I
b
I
co
o
I
e
I
c
B
E
C
) * ( *
1
1
*
1
1
) 1 (
*
) (
) (
T
be
T
be
V
V
eo b
co e b
co e b
V
V
eo e
e I

I
I I

I
I I I
e I I
+
~

+
=
=
=
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Ib
Vbe
Ic
Vce
Vbeq
Ibq
Icq
Vceq
Vcc
Vcc
Rc
Vbb
Vbb
Rb
Recta de carga Salida
Recta de Carga
Entrada
Puntos de Trabajo. Polarizacin
Ic= *Ib
Curva de
Transferancia
Ib=0
Ib1>0
Ib2>Ib1
Ib3>Ib2
|
Vbb
Rb
Rc
Vcc
Vbe
Ib
Ie
Ic
Vce
Vcb
Electrnica
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Ib
Vbe
Ic
Vce
Vbeq
Ibq
Icq
Vceq
Vcc
Vcc
Rc
Vbb
Vbb
Rb
Recta de carga Salida
Recta de Carga
Entrada
Puntos de Trabajo. Polarizacin
Ic= *Ib
Curva de
Transferancia
Ib=0
Ib1>0
Ib2>Ib1
Ib3>Ib2
|
Zona Activa
Zona Corte
Zona Saturacin
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Amplificador Transistorizado
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Modelo de pequea seal
Emisor Comn
v
be
|
i
b
+
-
t
r
i
c
i
b
B
C
E
v
be
+
-
t
r
i
c
i
b
B
C
E
g
m
v
be
g
m
| = t
r
v
be
|
i
b
+
-
t
r
i
c
i
b
B
C
E
(a)
(b)
(c)
v
e
R
c
(d)
V
bb
V
cc
R
b
R
c
e
eq
t
bq
t

c
bac
sac
r r
I
V

I
V
r
r
R

v
v
) 1 ( * ) 1 ( + = + = =
=
V 025 . 0 =
t
V
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Transistor NPN Transistor PNP
7 , 0 =
be
V
7 , 0 =
eb
V
e
I
e
I
c
I
c
I
mA 15 , 2
2
3 , 4
2
7 , 0 5
= =

=
k k
I
e
mA 15 , 2
2
3 , 4
2
7 , 0 5
= =

=
k k
I
e
mA 15 , 2 = =
e c
I I mA 15 , 2 = =
e c
I I
-0,7 V
0,7 V
2,85 V
-0,7 V
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Transistor como conmutador