UNIVERSIDAD PRIVADA ANTENOR ORREGO FACULTAD DE INGENIERIA ESCUELA PROFESIONAL DE Ing.

ELECTRONICA

CIRCUITOS ANALOGICOS 1
EL TRANSISTOR BIPOLAR

Ing. Oscar Morales G.

EL TRANSISTOR BIPLAR (BJT =BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR) Es un dispositivo electrnico que consta de 3 capas de material semiconductor de distinto dopaje; en dos junturas. Una juntura se polariza en directo JBE y la otra en inverso JBC no para inyectar cargas sino para colectarla o extraerlas con polaridad inversa
JBE
E Emisor N+ P B Base

JBC
N C Colector

E Emisor
B Base

C Colector

Existen dos clases de transistores bipolares, los NPN como los que se muestran en la figura anterior; y los que se conocen como complementarios PNP.

Estos, los PNP suelen ser mas caros, de menos especificaciones y mas difciles de construir. Polarizando las juntura B-E se observa las concentraciones:
JBE
E Emisor P+ N B Base

JBC
P C Colector

E B

En este caso desarrollamos un transistor PNP, ya que la corriente convencional es el movimiento de cargas positivas. Se observa que por polarizacin externa, se modifican las concentraciones a cada lado de la r.t. siendo en el lado N (Base) mas notable y de inmediato empieza una recombinacin que es la corriente de difusin. IB
JBE
E Emisor P+ N B Base

JBC
P C Colector

E B

Sucede que normalmente la base es de longitud muy pequea. En algunos casos es solo una exposicin a vaporizacin de S.C. tipo N con dbil dopaje; entonces, la corriente de base IB (o lo que se recombina) es muy poco: El resto, la gran mayora IC, alcanza la tercera capa que es el colector y entonces se colecta o recoge, mediante una polarizacin inversa en la juntura C-B
JBE
E Emisor P+ N

JBC
P IC B Base Colector C

+ Vext 1 -

+ Vext 2 -

Si consideramos una cantidad de cargas como corriente, podemos establecer la relacin:

IE E Emisor 100 C P+ IC Colector C 2C B Base

P 98 C

IB

IE = IB + IC I controlada Ic = Factor de Transporte = ------------------ = ----- = 49 I de control IB I controlada IC = Eficiencia de inyeccin = ----------------- = ---- = 0.98 I inyectada IE

IC = IE = ---------1- >> 1

IC = IB ( 100 , 200 , 300 .)

= ---------- < 1 1+

(0.95 , 0.97 )

ALGUNAS NOMENCLATURAS DE BJT La primera letra indica el material: A = Ge B = Si C = GaAs R = mezcla de materiales. No es necesario decir que la gran mayora de los BJT comienzan por B. La segunda letra indica la aplicacin del dispositivo: A: Diodo RF B: Variac C: transistor, AF, pequea seal D: transistor, AF, potencia E: Diodo tnel F: transistor, HF, pequea seal K: Dispositivo de efecto Hall L: Transistor, HF, potencia N: Optoacoplador P: Dispositivo sensible a la radiacin Q: Dispositivo productor de radiacin R: Tiristor, baja potencia T: Tiristor, potencia U: Transistor, potencia, conmutacin Y: Rectificador Z: Zener, o diodo regulador de tensin

Consideremos una oblea de silicio tipo N para mostrar la construccin de un transistor :

OBLEA DE SEMI - CONDUCTOR TIPO N

RANURA MEDIANTE TECNICAS DE ENMASCARAMIENTO

N N NNNNN

Con otra mscara se deposita una pequea capa de s.c. tipo P (exposicin a vaporizacin). Se deja una superficie adicional para sacar los conectores al final

La ranura se rellena con s.c. de alto dopaje tipo N Esto permitir la fcil inyeccin de portadores en la juntura o diodo B-E

Con gotas de Aluminio se sueldan los terminales. En la base de la oblea se aplica una superficie de metal (COLECTOR) con una gran rea Esto le da al colector, el poder de disipacin de potencia del BJT

De esta forma se muestra que las capas no son simtricas y cada una tiene sus caractersticas especiales: E = Emisor es la capa de mayor dopaje B = Base es la capa mas delgada y de menor dopaje

C = Colector es la capa de mayor rea y poder de disipacin de potencia

Curvas del transistor:

Curvas de TRANSFERENCIA

IC Curvas de IB = 15 uA SALIDA IB = 10 uA IB = 5 uA IB = 0

IB

VCE

Curvas de ENTRADA

VBE

Zonas de operacin del BJT:

IC Curvas de TRANSFERENCIA
Zona de SATURACIN

Curvas de IB = 15 uA SALIDA

IB = 10 uA
IB = 5 uA IB = 0

IB VCE

Curvas de ENTRADA

E B VBE

Zonas de operacin del BJT:

IC Curvas de TRANSFERENCIA
Zona de SATURACIN

Curvas de IB = 15 uA SALIDA

IB = 10 uA
ZONA ACTIVA

IB = 5 uA IB = 0 IB VCE

Curvas de ENTRADA

E B VBE

Zonas de operacin del BJT:

IC Curvas de TRANSFERENCIA
Zona de SATURACIN

Curvas de IB = 15 uA SALIDA

IB = 10 uA
ZONA ACTIVA

IB = 5 uA IB = 0 IB
Zona de CORTE

VCE

Curvas de ENTRADA

E B VBE

Zonas de operacin del BJT:

IC Curvas de TRANSFERENCIA
Zona de SATURACIN

Curvas de IB = 15 uA SALIDA

IB = 10 uA
ZONA ACTIVA

IB = 5 uA IB = 0 IB
Zona de CORTE

VCE

Curvas de ENTRADA

E B VBE

POLARIZACIN DE UN TRANSISTOR BJT

Existen siete mtodos tpicos de polarizar las junturas de un BJT. A partir de estas se pueden tomar algunas alternativas, modificaciones o aplicaciones especiales. 1 Mtodo de polarizacin: Con 2 fuentes El circuito tpico es:

= 100 Vu = 0.6 v

La fuente V1 puede ser un sensor, un microcontrolador, la salida de una PC o seal de control. El rel que se opera a 12 V DC, es de 135 Ohmios y puede accionar contactos para conectar o desconectar cargas a otro nivel, como focos o alarmas a tensiones distintas, como 220 V AC

= 100 Vu = 0.6 v

En la malla de base, se cerramos el interruptor, se puede escribir:

+ Vu -

= 100 Vu = 0.6 v

IB

V2 = IB (RB) + Vu 5 = IB (5k) + 0.6 v 5 0.6 IB = ---------- = 4.4 / 5K = 0.88 mA 5k IC = IB = 100 (0.88 mA) = 88 mA

En la malla de Colector se puede escribir:

+ Vu

IB IC

V1 = IC (RC) + VCE

12 = 88 mA (135 ) + VCE
VCE = 12 11.88 = 0.12 v Punto de Operacin (QIESCENT POINT) Q= IC = 88 mA VCE = 0.12 v

RECTA DE CARGA: Es una abstraccin de la malla de colector, donde se pretende representar, en las curvas de salida del transistor, el lugar geomtrico de todos los puntos de operacin posibles, cuando vare la corriente de la malla de base. V1 = IC (RC) + VCE V1 1 IC = ------ - ------ VCE RC RC Y= B - m X Donde Y = eje vertical de IC X = eje horizontal de VCE m = pendiente negativa = -1/RC

RECTA DE CARGA:

Si consideramos que Si consideramos que Con esto trazamos:

IC V1 RC

IC = 0 VCE = 0

VCE = V1 IC = V1/RC

RECTA DE CARGA

VCE
V1

Como la RECTA DE CARGA es el lugar geomtrico de todos los puntos de operacin, debe contener el punto Q, cuando el interruptor est cerrado, el que ubicamos:
IC 12 = 89mA 135

RECTA DE CARGA
El transistor est operando casi en la zona de saturacin, eso es comn cuando se usa al BJT como conmutador

VCE
0.12 v = VCE(Q) 12 v

Si abrimos el interruptor, lgicamente no habr corriente de base. IB = 0 IC = 0 VCE = V1 = 12 :

El transistor est operando en la zona de corte, eso es comn cuando se usa al BJT como conmutador

IC 12 = 89mA 135

RECTA DE CARGA

VCE
0.12 v = VCE(Q) 12 v

Ejemplo: Se polariza un BJT PNP con 2 fuentes como se muestra en la figura adjunta. Hallar el Punto de Operacin y Trazar la Recta de Carga:

Asumir: = 100 Vu = 0.6 v

Malla de Base:

9 = IB (100K) + Vu IB = 8.4/100K = 84 uA

IC = IB = 100 (84 uA) = 8.4 mA

Malla de Colector VEC = 12 (8.4mA)(750) = 12 6.3 = 5.7 v

RECTA DE CARGA:
Si IC = 0 VCE = 12 Si VCE = 0 IC = 12/750 = 16mA Con esto trazamos:
IC 16mA

RECTA DE CARGA

VCE V1=12

RECTA DE CARGA: tiene los puntos extremos:

Si IC = 0 VCE = 12 Si VCE = 0 IC = 12/750 = 16mA Con esto trazamos:
IC 16mA RECTA DE CARGA

PUNTO DE OPERACIN
8.4mA En este caso el punto de operacin est en la zona activa VCE 5.7 v V1=12

2 Mtodo de polarizacin: Corriente de base constante El circuito tpico es:

= 100 Vu = 0.6 v

Podemos aplicar la propiedad de transformacin de fuentes ideales y se separan dos mallas, la de B-E y la malla de salida, la de C-E

IB

IC

Se puede escribir la malla de entrada (B E) y la malla de salida (C E) , aplicando la 2da. Ley de Kirchhoff:

Malla de entrada (B E) V1 = IB (RB) + Vu 12 = IB (600K) + 0.6 V1 Vu 12 0.6 IB = ----------- = ------------ = 19 uA RB 600 k IC = IB = 100 (19 uA) = 1900 uA = 1.9 mA Malla de salida (C - E)

12 = IC (RC) + VEC

12 = 1.9 mA(3K) + VEC

VEC = 12 1.9mA(3K) = 6.3 v Punto de operacin (Punto Q): : ICQ = 1.9 mA VCEQ = 6.3 v

3 Mtodo de polarizacin: Voltaje de base constante El circuito tpico es:

Podemos aplicar la propiedad de transformacin de fuentes ideales y se separan dos mallas, la de B-E y la malla de salida, la de C-E

Se puede reducir el circuito de Base a una sola malla, con aplicacin del Teorema de Thevenin equivalente:

IC IB

VTh = V2(R2) / (R1+R2) Rth = R1(R2) / (R1+R2) = 100 Vu = 0.6 v

En la malla de base se obtiene: VTh - Vu IB = ---------------Rth En la malla e colector se obtiene: IC = IB

V2 = IC (RC) + VCE
VCE = V2 - IC (RC)

Tomando valores numricos en el ejemplo.-

Con las ecuaciones anteriores se obtiene:

VTh = 12(20) / 120 = 2 v

Rth = 100(20) / 120 = 16.66 K

IB = (2 0.6) / 16.66K = 84 uA

IC = (IB) = 200(84uA) = 16.8 mA

VCE = V2 IC(RC)

VCE = 12 16.8mA(0.3K) = 6.95 v

RECTA DE CARGA: tiene los puntos extremos:

Si IC = 0 VCE = 12 Si VCE = 0 IC = 12/300 = 40mA Con esto trazamos:
IC 40mA RECTA DE CARGA

PUNTO DE OPERACIN Q: (VCE=6.95 , IC=16.8mA)

16.8mA En este caso el punto de operacin est en la zona activa, casi centrado VCE 6.95 v V1=12

4 Mtodo de polarizacin: Circuito AUTOPOLARIZADO El circuito tpico es: Ntese la presencia de RE, esto le dar al BJT mejor control y estabilidad en la polarizacin, como se demostrar mas adelante. Asumiendo un y Vu , aplicando tambin la propiedad de fuentes ideales, se llega a los circuitos siguientes:

Lo que se aprecia de distinto a los casos anteriores es la presencia de RE en las dos mallas. Aplicando reduccin o teorema de Thevenin, se escriben: Malla B-E: VTh = IB(Rth) + IB(RB) + IC(RE) VTh = IB(Rth) + IB(RB) + IB(RE) VTh - Vu IB = ---------------------Rth + (1+)RE Malla C-E:

V2 = IC(RC) + VCE + (IC+IB)RE

V2 = VCE + IC (RC + RE)

IB

IC

Reemplazando por valores numricos, obtenemos: VTh = 15(27/(56+27) = 4.88 v Rth = 56(27) / (56+27) = 18.2k

4.88 0.6 IB = ------------------- = 0.0359 mA 18.2 + (101)1k

IC = IB IC =100 (0.0359mA) = 3.59 mA V2 = VCE + IC (RC + RE) VCE = 15 3.59mA (2.2k) = 7.1 v IC

La RECTA DE CARGA: tiene los puntos extremos:

Si IC = 0 Si VCE = 0 Con esto trazamos:
IC 5.45mA RECTA DE CARGA

VCE = 12 IC =12/(1.2k+1K)= 12/2.2) = 5.45mA

PUNTO DE OPERACIN Q: (VCE=7.1 v, IC=3.59mA)

3.59mA En este caso el punto de operacin est en la zona activa, casi centrado VCE 7.1 v V1=12

5to MTODO DE POLARIZACIN DE BJT POLARIZACIN CON DOBLE FUENTE

6to MTODO DE POLARIZACIN DE BJT POLARIZACIN POR REALIMENTACIN EN DC

7mo MTODO DE POLARIZACIN DE BJT FUENTE DE CORRIENTE CONSTANTE