半 導 體 製 程 化 學 品

作 者 ： 蘇 漢 儒
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➠ 有機溶 劑化學品：
1. 二甲苯 ( Xylene ) C6H4(CH3)2
2. 甲苯 ( Toluene ) C6H5CH3
3. 三氯乙烯 ( Trichloroethylene )
4. 丙酮 ( Acetone ) (CH3)2CO
5. 甲醇 ( Methyl Alcohol )
CH3OH
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➠ 有機溶 劑化學品：
5. 異丙醇 ( Isopropanol )
6. 光阻劑 ( Photoresist
Developer )
7. N - 丁基醋酸鹽
( N - Butyl Acetate )
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➠ 酸性有 毒化學氣體：
1. 氯化氫 ( Hydrogen Chloride ) HCl
2. 氨 ( Ammonia )
3. 二氯矽烷 ( Bichlorosilance ) SiH2Cl2
4. 矽烷 ( Silane )
5. 磷化氫 ( Phosphine ) PH3
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➠ 酸性有 毒化學液體：
1. 氧化物蝕刻緩衝劑
( Buffered Oxide Etch )
2. 鹽酸 (Hydrochloric Acid ) HCl
3. 氫氟酸 ( Hydrofluoric Acid )
HF
4. 硝酸 ( Nitric Acid ) HNO3
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➠ 酸性有 毒化學液體：
5. 硫酸 ( Sulfuric Acid )
H2SO4
6. 過氧化氫
( Hydrogen Peroxide ) H2O2
7. 氟化氨
( Ammonia Fluoride ) NH4F
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➠ 酸性有 毒化學液體：
8. 金屬蝕刻溶劑
( Metal Etch Solution )
9. 打線區蝕刻溶劑
( Bonding Pad Etch Solution )
10. 醋酸 ( Acetic Acid )
CH3COOH
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➠ A – 30 ：
A – 30 是一種商用化學品的名
稱，晶片完成蝕刻製 程之
後，
應用 A – 30 去除晶片表面
的光
阻層，亦可應用於去除金
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➠ 醋酸 ( Acetic acid ) ：
醋酸是一種屬弱酸的化學
液體，
常與強酸混合之後，應用於
晶
片潔淨製程的潔淨劑 或蝕
刻製
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➠ 氨氣 ( Ammonia ， NH3 ) ：
氨氣是一種屬酸性的有毒
化學
氣體，常應用氨氣與矽晶
片反
應，生產氮化矽 ( Silicon
nitride )
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➠ 氟化氨 ( Ammonia
fluoride ， NH4F ) ：
氟化氨是一種有毒 化學液
體，
常應用氟化 氨與氫氟酸 反
應，
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當作二氧化矽 ( Silicon
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➠ 砷化三 氫
( Arsine ， AsH3 ) ：
砷化三氫 是一種有毒化 學
氣體 ，
經常應用砷化三氫 ，作為
砷的
原料，當作 N 型摻雜元素
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➠ 王水 (Aqua regia ) ：
王水是一種具有腐蝕性
的有毒
化學液體 ，是硝酸與氫
氟酸 的
混合物，經常應用於潔淨
矽晶
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➠ 三氯化 硼 ( Boron
trichloride ， BCl3 ) ：
三氯化硼 是一種化學氣 體
，經
常應用三氯 化硼作為硼的
原料，
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當作 P 型摻雜元素，應用
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➠ 硼乙烷
( Diborane ， B2H6 ) ：
硼乙烷是一種化學 氣體，
經常
應用硼乙烷作為硼的原料
，當
作 P 型摻雜元素，應用於
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➠ 氫氣 ( Hydrogen ， H2 ) ：
氫氣是一種無色臭的氣體
比空
氣輕能自燃 ，經常應用氫
氣作
為高溫反應製程，生長磊晶
矽
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➠ 鹽酸 ( Hydrochloric
acid ， HCl ) ：
鹽酸屬氯化氫的水溶液，
是一
種強酸的化學 液體，經常
應用
鹽酸於潔淨矽晶 片的製程
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➠ 氫氟酸 ( Hydrofluoric
acid ， HF ) ：
氫氟酸是一種屬強酸的化
學液
體，經常應用稀釋的 氫氟
酸當
作二氧化 矽 ( Silicon
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➠ 過氧化 氫
( Hydrogen peroxide ， H2O2 ) ：
過氧化氫 是一種強烈的氧
化劑
與漂白劑 ，經常與硫酸
( Sulfuric
acid ) 一起應用，去除已經曝光
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➠ 異丙醇 ( Isopropyl alcohol ) ：
異丙醇是一種化學溶劑，應
用於半導體沖洗和乾燥製程
。

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➠ J-100 ：
J-100 是一種商用化學品的名稱
，晶片完成蝕刻 製程之後，
應用
J-100 去除晶片表面已經曝 光
的
光阻 層，亦可應用於去除金
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➠ 甲醇 ( Methanol alcohol ) ：
甲醇是一種有毒的合成化
學溶 劑，
又稱為木醇 或木精 ，應用於
半導
體沖洗製程，去除晶片表面
殘留
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➠ 硝酸 ( Nitric acid ，
HNO3 ) ：
硝酸是一種有毒 的強氧 化
酸化
學液體，應用於晶片潔
淨製 程
或金屬蝕 刻製 程。
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➠ 氮氣 ( Nitrogen ， N2 ) ：
氮氣是一種惰性的氣體，
不與
其它物質起化學反應，經
常應
用氮氣 作為半導 體製程 的
傳輸
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➠ 氧氣 ( Oxygen ， O2 ) ：
氧氣是一種氣體，與矽反
應成
二氧化矽 ，經常應用氧氣
作為
氣相沉積 氧化 膜 ( Vapor
deposition
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➠ 磷化 氫
( Phosphine ， PH3 ) ：
磷化氫是一種氣體，經常
應用
磷化氫作為磷的原料，當
作 N
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型摻雜元素，應用於生產
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➠ 氧化 氯磷 ( Phosphorus
oxychloride ，
POCl3 ) ：
氧化氯 磷是一種化學液體，
經常
應用氧化氯磷 作為磷的原料
，當
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➠ 矽烷 ( Silane ， SiH4 ) ：
矽烷 是一種易燃性 化學氣體
，與
空氣 混合會自燃 ，經常應用
矽烷 ，
與氨氣反應，生產氮化矽、
與氧
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➠ 四氯 化矽 ( Silicon
tetrachloride ，
SiCl4 ) ：
四氯 化矽 是一種化學氣體，
與氫
氣混合反應 ，產生矽與氯化
氫氣
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➠ 硫酸 ( Sulfuric
acid ， H2SO4 ) ：
硫酸是一種屬強酸的化學
液體 ，
應用於晶片 潔淨製 程或去除
晶片
表面的光阻 層。
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➠ 三氯乙 烯
( Trichloroethylene ，
CHCl ) ：
三氯乙烯 是一種有機化 學
溶劑 ，
應用於潔淨 製程去除晶片 、
晶舟
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➠ 二甲苯
( Xylem ， C6H4(CH3)2 ) ：
二甲苯是一種有機 化學溶
劑，
常應用於半導體製 程去除晶
片
表面未曝光 的光阻 層。
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