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Automne 2004(r.

1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-1


GPA 325
Introduction llectronique
COURS 3

Chapitre 2
TRANSISTORS BIPOLAIRES
FONCTIONNEMENT ET POLARISATION
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-2
TRANSISTOR BIPOLAIRE
Construction : Jonctions P-N-P, N-P-N
Fonctionnement : I
E
= I
B
+ I
C
Montage en base commune ( Common base CB )
Courbes caractristiques
Entre, Sortie
Facteur damplification o
DC
et polarisation
Amplification
Montage en metteur commun ( Common emitter CE )
Courbes caractristiques
Entre, Sortie
Gain de courant |
DC
et polarisation
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-3
Transistor bipolaire
Dfinition du point dopration et rgions de
fonctionnement
Polarisation fixe et droite de charge
Circuits de polarisation
Contre-raction metteur ( I-V )
Diviseur de tension
Contre-raction collecteur ( V I )
Calcul du point de polarisation : Mthode simplifie
Conception de circuits simples de polarisation
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-4
2.1 Fonctionnement
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-5
Transistors bipolaires (BJT)
Les transistors sont bipolaires parce quils
utilisent les deux sortes de porteurs majoritaires :
trous (P) et lectrons (N).
NPN/PNP E B C
DOPAGE lev faible faible
LARGEUR large mince large
Le rapport de largeur 150 : 1
Le rapport de dopage 10 : 1
Contribue rendre la base plus rsistive et
diminuer la recombinaison produisant une
meilleure amplification
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-6
Transistor bipolaire ( Jonction E-B)
La JONCTION E-B est
polarise comme une
diode en mode
DIRECT injectant des
porteurs majoritaires
dans la base
Considrons une jonction la fois,
dabord la JONCTION E-B
FIGURE 3-3
Forward-biased junction of a pnp transistor.
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-7
Transistor bipolaire ( Jonction B-C)
La JONCTION B-C est
polarise comme une
diode en mode
INVERSE avec un
faible courant de
porteurs minoritaires.
Considrons ensuite lautre
jonction, la JONCTION B-C
FIGURE 3-4
Reverse-biased junction of a pnp transistor.
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-8
Transistor bipolaire NPN
+
+
+
+
+
+

C
B
E
+
+
+
-
-
- -
-
- +
+
+
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-9
Transistor bipolaire PNP
Une faible portion des porteurs
majoritaires de E-B sont dvis
dans la base pour former le
courant I
B
mais le reste des
porteurs majoritaires de E-B et
minoritaires de B-C se
combinent dans le collecteur C
pour former le courant I
C
.
Considrons finalement les deux
jonctions, E-B et B-C ensemble
I
B
est faible par rapport I
E
et I
C
cause
des diffrences de dopage et de la minceur
de la base.
FIGURE 3-5
Majority and minority carrier flow
of a pnp transistor.
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-10
Transistor bipolaire PNP
Le courant I
Cmaj
d aux porteurs majoritaires
dans le collecteur se mesure en mA alors que
le courant I
Cmin
d aux porteurs minoritaires est
faible, de lordre du A ou nA.
Relation importante entre les
courants du transistor bipolaire
Le courant I
Cmin
augmente avec la temprature mais il est assez faible
quon puisse habituellement ngliger sa contribution au courant I
C
.
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-11
Transistor PNP et NPN
Le transistor possde
3 terminaux :
lmetteur, la base et
le collecteur.
Contrairement la
diode qui ne peut
qutre en srie ou en
parallle, le transistor
est un quadriple
avec une entre et
une sortie par rapport
une rfrence
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-12
Rsum sur le transistor
Composant 3 broches :
metteur (E):
*** dop
injecte des dans la base
base (B):
* dop
laisse passer les de E C
collecteur (C):
** dop
collecte les provenant de B
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2.2 Sens du courant
Dans tous les circuits, nous utilisons le sens dit CONVENTIONNEL ,
cest le sens de circulation des charges + soit du potentiel lev au
potentiel bas.

En ralit, ce sont les lectrons qui circulent et produisent le vrai
courant. Peu importe, nous utiliserons toujours le sens
CONVENTIONNEL du courant.

Dans tous les circuits, nous utilisons le sens dit
CONVENTIONNEL , cest le sens de circulation des charges
+ ( du potentiel lev au potentiel bas.
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Sens du courant
Pour le PNP, le sens conventionnel correspond directement la circulation des
trous. Nous voyons que le courant IE se divise bien entre IB et IC. Le collecteur
collecte les trous que lmetteur met .
Pour le NPN, le sens conventionnel pourrait nous donner limpression quil y a une
inversion entre lmetteur et le collecteur. En ralit, il nen est rien, le
fonctionnement du NPN est identique au PNP si on considre le vrai sens du
courant, celui des lectrons.
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2.3 Transistor en quadriple
La pratique consiste prendre un des 3 terminaux ( E, B ou C )
comme terminal de rfrence. Le montage porte alors le nom du
terminal commun.Le terminal commun, comme son nom
lindique, est alors commun lentre et la sortie.

Il y a 3 types de montage :
Base commune
metteur commun
Collecteur commun

On tablira 2 courbes I vs V que lon nomme courbes
caractristiques dentre et de sortie.
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Montage en base commune
FIGURE 3-7
Input or driving point
characteristics for a common-
base silicon transistor
amplifier.
CARACTRISTIQUES DENTRE
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Montage en base commune
CARACTRISTIQUE DE SORTIE
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-18
Rgions de fonctionnement
RGIONS DE FONCTIONNEMENT DUN TRANSISTOR BIPOLAIRE
JONCTION
BASE-COLLECTEUR
JONCTION
BASE-METTEUR
DIRECT
V
BC
> 0
INVERSE
V
BC
< 0
DIRECT
V
BE
> 0
SATURATION
( Interrupteur ferm )
Rgion active directe
AMPLIFICATION
Gain normal
INVERSE
V
BE
< 0
Rgion active inverse
( Mode damplification
presque jamais utilis sauf en
circuits TTL)
BLOCAGE
( Interrupteur ouvert )
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Point dopration
Comme pour la diode, il faut pouvoir calculer
le point dopration.
Dans le cas du transistor, il sagit de trouver
le point dopration sur les deux courbes en
mme temps : la courbe dentre et la courbe
de sortie.
En pratique on nutilise pas la droite de
charge sur la courbe dentre.
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Point dopration : Courbe dentre
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Montage en base commune
CARACTRISTIQUE DE SORTIE
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-22
Montage en base commune
Comment peut-on avoir une amplification avec un gain de courant de 1 ?
Le gain provient de la diffrence dimpdance. Lentre a une faible
rsistance ( polarisation directe ) alors que la sortie possde une
rsistance leve ( polarisation inverse ). Le rapport entre limpdance de
sortie et de limpdance dentr produit un gain de tension.
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-23
Montage en metteur commun
B-E direct
C-B inverse
Transistor NPN en rgion active ou linaire
Se comporte comme un
AMPLIFICATEUR
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-24
Montage en metteur commun
B-E direct
C-B direct
Transistor NPN en rgion de saturation
V
CE
0,4 V
V
BE
0,8 V
Se comporte comme un
interrupteur FERM
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-25
Montage en metteur commun
Transistor NPN en rgion de blocage ou cutoff
B-E inverse
C-B inverse
I
B
0
I
C
|I
CBO
Se comporte comme un
interrupteur OUVERT
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-26
Montage en metteur commun
Transistor NPN
Mode direct
Variation de V
CE
a
peu dinfluence sur
la caractristique
dentre
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-27
Montage en metteur commun
Transistor NPN
Mode direct
Nous assumerons
donc V
BE
= 0.7
lorsque la jonction
B-E est en mode
direct peu importe
V
CE
Cette approximation
rendra les calculs
plus faciles sans
trop perdre de
prcision
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-28
Montage en metteur commun
Il y a une diffrence entre |
DC
et
|
AC
Lorsque non spcifi, nous
assumerons que |
DC
= |
AC
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-29
Montage en metteur commun
Nous avons aussi les relations suivantes quil est
intressant de connatre

Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-30
VALEURS LIMITES
I
Cmax
: Courant collecteur maximum
P
Cmax
: Puissance maximale
V
CEmax
: Tension C-E maximale

I
C max
P
C max
P
C max
Nous sommes maintenant prts
polariser le transistor pour lutiliser
comme amplificateur
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BJT AUDIO
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-32
BJT PUISSANCE
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2.4 POLARISATION
Pourquoi polarise-t-on le transistor ?

Rp. Pour quil puisse fonctionner dans la rgion qui nous
intresse

Le point de polarisation ou point de fonctionnement se nomme
frquemment Q

Le point Q a des coordonnes sur les 2 courbes caractristiques :
ENTRE et SORTIE
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-34
POLARISATION
Les point Q
A
, Q
B
et Q
C
sont 3 points dopration valables
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-35
POLARISATION
Les coordonnes de Q sur la courbe dentre seront I
BQ
, V
BEQ

(metteur commun)

Les coordonnes de Q sur la courbe de sortie I
CQ
, V
CEQ

(metteur commun)
Jusqu maintenant nous avons toujours montr 2 sources
de tension : la premire dans la boucle dentre et la
deuxime dans la boucle de sortie. En pratique, on utilise
une seule source que lon partage entre les 2 boucles.
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-36
POLARISATION
Nous verrons principalement 3 types de polarisation
Fixe
Raction dmetteur
Raction de collecteur/metteur
Pour chacun de ces 3 types, nous verrons comment calculer
I
BQ
, I
CQ
, I
EQ
et V
CEQ
. Un fois que nous avons ces 4 valeurs,
nous pouvons toujours rsoudre le reste du circuit. Les 2
quations de boucle combines avec les 2 quations
suivantes : I
E
= I
B
+ I
C
et I
C
=|I
B
nous permettront de calculer
le point Q dopration. On suppose que V
BE
= 0,7 V
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-37
POLARISATION FIXE
Boucle 1
Boucle 2
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-38
cest la forme de
polarisation la moins bonne
I
C
dpend directement de
|
CC
qui peut varier avec la
temprature.
Si I
C
augmente avec la
temprature, le point Q se
dplace vers la zone de
saturation.
Polarisation fixe
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-39
POLARISATION FIXE
Exemple 4.1
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-40
MODE SATURATION
En saturation, V
CEsat
0
On peut donc faire
lapproximation :
Pour tre en mode
SATURATION il faut
avoir I
Csat
tel que :
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-41
DROITE DE CHARGE
Lorsque nous possdons la
courbe de sortie, on peut
tracer la droite de charge qui
rsulte de lquation de la
boucle de sortie
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-42
DROITE DE CHARGE
On peut varier la position du point Q en variant : R
B
(I
B
), R
C
(I
C
) et V
CC

Diminution de R
B
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-43
DROITE DE CHARGE
Augmentation de R
C
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-44
Exemple 4.3
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-45
POLARISATION
RACTION DMETTEUR
On augmente la
stabilit puisque R
E

tend limiter les
variations de I
C
dues
aux variations de | et
de V
BE
.
En effet, si I
C

augmente, alors I
E
et
V
E
augmentent, ce qui
contribue diminuer I
B
.
Figure 4.17 Polarisation dun transistor
bipolaire avec raction dmetteur
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-46
POLARISATION
RACTION DMETTEUR
Figure 4.17 Polarisation dun transistor
bipolaire avec raction dmetteur
Boucle 1 B-E
R
E
dans lmetteur est rflte comme
une rsistance R
i
dans la base. La valeur
de R
i
est :
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-47
POLARISATION
RACTION DMETTEUR
Boucle 1 B-E
R
E
dans lmetteur est rflte comme une
rsistance R
i
dans la base. La valeur de R
i
est :
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-48
POLARISATION
RACTION DMETTEUR
Boucle 2 C-E
Si on assume que I
E
I
C
, alors on
aura V
CE
tel que :
Montrez que si on utilise lquation
I
E
= I
B
+ I
C
, alors on aura la valeur
exacte de V
CE
soit :

V
CE
=V
CC
I
C
1+ |
|
|
\

|
.
|
R
E
+ R
C



(

(
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-49
Exemple 4.4
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-50
Exemple 4.5
Regardons la variation de V
CE
lorsque le gain | varie de 100 % ( 50 100)
lorsquon a une polarisation fixe ( Ex. 4.1 ) vs une polarisation raction
dmetteur ( Ex. 4.4 ).
Lequel des 2 circuits de polarisation est meilleur ou plus stable ?
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-51
DROITE DE CHARGE
Pour lexemple 4.4, I
B
= 40 uA et I
C
= 2.10 mA.
Dans quelle rgion de fonctionnement se trouve
le point Q ?
V
C
= 15.98 V, V
B
= 2.71 V et V
E
= 2.01 V
Alors V
BC
= -13.27 V et V
BE
= 0.7V
Q dans la rgion linaire ou amplification
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-52
DROITE DE CHARGE
Modifiez R
B
pour que le transistor soit dans la
rgion de saturation. Les autres paramtres sont
constants.
R
E
= 1KO, R
C
= 2 KO et | = 50
Lorsque le transistor est satur, on a
Rp. : R
B
= 93.7 KO
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-53
POLARISATION
DIVISEUR RSISTIF
On veut liminer linfluence des
variations de | en fixant I
E
( ou I
C
)
plutt que I
B
.

Le diviseur fixe la tension V
E
et I
B

sajustera en fonction des
variations de | et de V
BE
pour
maintenir I
C
constant. Le circuit de
polarisation fonctionne comme
une source de courant.
Figure 4.17 Polarisation dun transistor
bipolaire avec diviseur rsistif
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-54
POLARISATION
DIVISEUR RSISTIF (exact)
La mthode exacte ncessite de
produire le circuit quivalent
Thvenin vu de la base et de
rsoudre pour trouver I
B
.
Polarisation avec diviseur rsistif
(mthode exacte)
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-55
POLARISATION
DIVISEUR RSISTIF (exacte)
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-56
POLARISATION
DIVISEUR RSISTIF (exacte)
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-57
Exemple 4.7 ( exacte )
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-58
POLARISATION
DIVISEUR RSISTIF
La mthode approximative nglige
la valeur du courant I
B
par rapport
au courant qui circule dans R
2
.

Pour utiliser la mthode
approximative, il faut que la relation
suivante soit satisfaite :
Figure 4.17 Polarisation avec diviseur
rsistif ( mthode approximative )
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-59
POLARISATION
DIVISEUR RSISTIF ( approx. )
Figure 4.17 Polarisation avec diviseur
rsistif (mthode approximative)
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-60
Exemple 4.8 ( approx. )
Le reste de la solution se fait comme
pour lexemple 4.7. Avec cette mthode,
on note que lon ne tient pas compte de
IB et de |. Le point Q est donc
indpendant de la valeur de |
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-61
Exemple 4.9 ( approx. )
Lorsque la mthode
approximative sapplique, la
dpendance de V
CEQ
ou de I
CQ

par rapport aux variations de |
est ngligeable. Refaire
lexemple 4.7 en assumant | =
70 au lieu de 140
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-62
Exemple 4.10 (exacte )
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-63
Exemple 4.10 (approx. )
Comparaison des 2 mthodes
Mme lorsque R
i
/R
2
3 au lieu de
10, le rsultat est acceptable
R
i
R
1
R
2
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-64
POLARISATION
RACTION DE COLLECTEUR
Plus stable que les mthode
de polarisation fixe et raction
dmetteur mais mme sil
existe toujours une
dpendance vis--vis les
variations de |.
Polarisation dun transistor bipolaire
avec raction de collecteur
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-65
POLARISATION
RACTION DE COLLECTEUR
Polarisation dun transistor bipolaire
avec raction de collecteur
Boucle 1 B-E
C E
I I
'
=
E C B
I I I | ~ =
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-66
POLARISATION
RACTION DE COLLECTEUR
Boucle 2 C-E
C E
I I
'
=
Automne 2004(r.1) GPA-325 Introduction l'lectronique 3-67
Exemple 4.11

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