TRANSISTOR FET

Historia:
El transistor de efecto de campo fue patentado por Julius Edgar Lilienfeld en 1925 y por Oskar Heil en 1934, pero los dispositivos semiconductores fueron desarrollados en la prctica mucho despus, en 1947 en los Laboratorios Bell, cuando el efecto transistor pudo ser observado y explicado. El equipo detrs de estos experimentos fue galardonado con el Premio Nobel de Fsica. Desde 1953 se propuso su fabricacin por Van Nostrand (5 aos despus de los BJT). Aunque su fabricacin no fue posible hasta mediados de los aos 80'

Introduccin
O Los transistores ms conocidos son los llamados

bipolares (NPN y PNP), llamados as porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.

O Existen

Tipo de transistores de efecto campo

El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso de FETs de modo mejorado, o dopados de manera similar al canal en el caso de FETs en modo agotamiento. Los transistores de efecto de campo tambin son distinguidos por el mtodo de aislamiento entre el canal y la puerta. Podemos clasificar los transistores de efecto campo segn el mtodo de aislamiento entre el canal y la puerta:
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El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante (normalmente SiO2). El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unin p-n El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unin PN del JFET con una barrera Schottky. En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tambin denominado HFET (heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor. Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor) Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia. Son comunmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente est entre los 200 a 3000V. Aun as los Power MOSFET todava son los dispositivos ms utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V. Los FREDFET es un FET especializado diseado para otorgar una recuperacin ultra rpida del transistor.por eso tenemos lareferencia Los DNAFET es un tipo especializado de FET que acta como biosensor, usando una puerta fabricada de molculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales La caracterstica de los TFT que los distingue, es que hacen uso del silicio amorfo o del silicio policristalino.

Caractersticas
O Tiene una resistencia de entrada extremadamente
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alta (casi 100M). No tiene un voltaje de unin cuando se utiliza como conmutador (interruptor). Hasta cierto punto es inmune a la radiacin. Es menos ruidoso. Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad trmica.

Ventajas y desventajas de JFET

Ventajas:
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Son dispositivos sensibles a la tensin con alta impedancia de entrada. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. Son mas estables con la temperatura que los BJT. Se comportan como resistores variables controlados por tensin para valores bajos de tensin drenaje fuente. O Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar grandes corrientes. Desventajas:
O

Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre a la alta capacitancia de entrada. O Presentan una linealidad muy pobre. O Se pueden daar al manejarlos debido a la electricidad esttica.

Explicacin de la combinacin de portadores

O Puesto que hay una tensin positiva entre el drenador y el

surtidor, los electrones fluirn desde el surtidor al drenador (o viceversa segn la configuracin del mismo), aunque hay que notar que tambin fluye una corriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el diodo formado por la unin canal puerta, esta polarizado inversamente. O En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los huecos fluyen hacia la terminal negativa de la batera y los electrones del material N, fluyen hacia el terminal positivo de la misma. O Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se aumenta VDS aumenta una regin con empobrecimiento de cargas libres.

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, as como el esquema de identificacin de los terminales. Tambin tendremos que conocer una serie de valores mximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parmetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalacin de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de caractersticas de los distintos dispositivos.

Aplicaciones
APLICACIN
Aislador o separador (buffer) Amplificador de RF Mezclador Amplificador con CAG Amplificador cascodo Troceador Resistor variable por voltaje Amplificador de baja frecuencia Oscilador Circuito MOS digital

PRINCIPAL VENTAJA
Impedancia de entrada alta y de salida baja Bajo ruido Baja distorsin de intermodulacin Facilidad para controlar ganancia Baja capacidad de entrada Ausencia de deriva Se controla por voltaje Capacidad pequea de acoplamiento Mnima variacin de frecuencia Pequeo tamao

USOS
Uso general, equipo de medida, receptores Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones Receptores de FM y TV,equipos para comunicaciones Receptores, generadores de seales Instrumentos de medicin, equipos de prueba Amplificadores de cc, sistemas de control de direccin Amplificadores operacionales, rganos electrnicos, controlas de tono Audfonos para sordera, transductores inductivos Generadores de frecuencia patrn, receptores Integracin en gran escala, computadores, memorias

MOSFET
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS. Los MOSFET de enriquecimiento se basan en la creacin de un canal entre el drenador y el surtidor, al aplicar una tensin en la compuerta. La tensin de la compuerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una regin de inversin, es decir, una regin con dopado opuesto al que tena el sustrato originalmente. El trmino enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad elctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la regin correspondiente al canal. El canal puede formarse con un incremento en la concentracin de electrones (en un nMOSFET o NMOS), o huecos (en un pMOSFET o PMOS). De este modo un transistor NMOS se construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n, mientras que un transistor PMOS se construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p. Los MOSFET de empobrecimiento tienen un canal conductor en su estado de reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicacin de la tensin elctrica en la compuerta, lo cual ocasiona una disminucin de la cantidad de portadores de carga y una disminucin respectiva de la conductividad.

MOSFET DE TIPO DECREMENTAL

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Las similitudes que hay en la apariencia entre las curvas de transferencia de los JFET y de los MOSFET de tipo decremental permiten un anlisis similar de cada uno en el dominio de dc. La diferencia mas importante entre los dos es el hecho de que el MOSFET de tipo decremental permite puntos de operacin con valores positivos de VGS y niveles de ID que exceden IDSS. De hecho, para todas las configuraciones realizadas hasta ahora, el anlisis es el mismo si el JFET se remplaza por un MOSFET de tipo decremental. La nica parte sin definir en el anlisis consiste en la forma de graficar la ecuacin de Shockley para los valores positivos de VGS. Qu tan lejos debe extenderse la curva de transferencia en la regin de valores positivos de VGS y valores de ID mayores que IDSS? Para la mayora de las situaciones este rango estar bien definido por parmetros del MOSFET y por la recta de polarizacin que se obtuvo de la red. Unos cuantos ejemplos indicaran el impacto del cambio de dispositivo en el anlisis obtenido.

TIPO DECREMENTAL

MOSFET DE TIPO INCREMENTAL

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Las caractersticas de transferencia del MOSFET de tipo incremental son muy diferentes de las encontradas para el JFET y los MOSFET de tipo decremental. Lo primero y quizs mas importante es recordar que para el MOSFET de tipo incremental de canal N, la corriente de drenaje es 0 para aquellos niveles de voltaje compuerta- fuente, menos que el nivel de umbral VGS (Th.). Para los niveles de VGS mayores que VGS (Th.), la corriente de malla se define mediante: ID = kVGS - VGS (Th))2

Ya que las hojas de especificaciones por lo general proporcionan el voltaje del umbral y un nivel de corriente de drenaje (ID (encendido)), as como su nivel correspondiente de VGS (encendido) pueden definirse dos puntos de inmediato. Para completar la curva, primero tiene que determinar la constante k de la ecuacin a partir de los datos de las hojas de especificaciones mediante la sustitucin en la ecuacin y resolviendo para k de la siguiente manera: O ID = kVGS - VGS(Th) )2 O ID (encendido) = k (VGS (encendido) - VGS (Th))2

O Una vez que k esta definida, pueden calcularse otros

niveles de ID para los valores seleccionados de VGS. Por lo general, un punto entre VGS (Th) y VGS (encendido) y uno poco mayor que VGS (encendido).

TIPO INCREMENTAL

VMOS
Una de las desventajas del MOSFET tipico son los bajos niveles de manejo de potencia por lo general menos de 1 W. en comparacin con los transistores BJT. Es posible superar esta insuficiencia de un dispositivo que cuenta con tantas caractersticas postivos, mediante un cambio en su forma de construccion de una naturaleza planar a otra con una estructura vertical, todos los elementos del MOSFET planar estan presentes en el FET vertical de metal-oxido-silicio pag177